JP3068404B2 - 半導体基板洗浄装置 - Google Patents
半導体基板洗浄装置Info
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- JP3068404B2 JP3068404B2 JP6107828A JP10782894A JP3068404B2 JP 3068404 B2 JP3068404 B2 JP 3068404B2 JP 6107828 A JP6107828 A JP 6107828A JP 10782894 A JP10782894 A JP 10782894A JP 3068404 B2 JP3068404 B2 JP 3068404B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体チップ等の基板
となるウェーハの表面を洗浄するための半導体基板洗浄
装置に関するものである。
となるウェーハの表面を洗浄するための半導体基板洗浄
装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体チップの基板となるウェーハの製
造工程のうち、特に、薬液や純水によるウェーハ表面の
洗浄が重要である。一般に、フッ化水素酸を含む洗浄液
で酸化膜の除去および金属汚染の除去処理を行った後、
純水で洗浄して付着粒子の除去を行うが、この純水によ
る洗浄の後、洗浄液からウェーハを引き上げる際に、液
面に浮遊する微粒子がウェーハ表面の微細な凹凸に再付
着することがあるので、従来、スプレー式のシャワーに
てこのような付着粒子を洗い流すようにしている（特開
昭６３−４７９３６号公報参照）。
造工程のうち、特に、薬液や純水によるウェーハ表面の
洗浄が重要である。一般に、フッ化水素酸を含む洗浄液
で酸化膜の除去および金属汚染の除去処理を行った後、
純水で洗浄して付着粒子の除去を行うが、この純水によ
る洗浄の後、洗浄液からウェーハを引き上げる際に、液
面に浮遊する微粒子がウェーハ表面の微細な凹凸に再付
着することがあるので、従来、スプレー式のシャワーに
てこのような付着粒子を洗い流すようにしている（特開
昭６３−４７９３６号公報参照）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、半導体装置
の高集積度化、高密度化が近年著しく、それに伴い、残
留する付着粒子のより一層の低減が望まれているが、従
来の洗浄装置でこのような要望を満たそうとすると、洗
浄時間や洗浄液の消費量の格段な増大を余儀なくされる
ため、高集積度の半導体チップの製造コストを低減する
ことが困難であった。
の高集積度化、高密度化が近年著しく、それに伴い、残
留する付着粒子のより一層の低減が望まれているが、従
来の洗浄装置でこのような要望を満たそうとすると、洗
浄時間や洗浄液の消費量の格段な増大を余儀なくされる
ため、高集積度の半導体チップの製造コストを低減する
ことが困難であった。
【０００４】本発明は、このような従来技術の不都合を
解消するべく案出されたものであり、その主な目的は、
半導体チップの高集積度化に対応して洗浄効率をより一
層向上することのできる半導体基板洗浄装置を提供する
ことにある。
解消するべく案出されたものであり、その主な目的は、
半導体チップの高集積度化に対応して洗浄効率をより一
層向上することのできる半導体基板洗浄装置を提供する
ことにある。
【０００５】このような目的は、本発明によれば、薬液
処理された半導体基板の表面の洗浄を行う半導体基板洗
浄装置の構成を、垂直に保持された半導体基板の面に直
交する向きの水膜を形成するべく、内管と外管とのそれ
ぞれの軸線に沿う一条のスリットを互いに１８０度反対
の位置に開口してなる二重管からなる水膜ノズルを前記
基板の上方に設けると共に、液槽の底部にドレンバルブ
を設け、かつ前記水膜ノズルと前記基板とを、前記基板
の径方向について相対移動させるものとすることによっ
て達成される。
処理された半導体基板の表面の洗浄を行う半導体基板洗
浄装置の構成を、垂直に保持された半導体基板の面に直
交する向きの水膜を形成するべく、内管と外管とのそれ
ぞれの軸線に沿う一条のスリットを互いに１８０度反対
の位置に開口してなる二重管からなる水膜ノズルを前記
基板の上方に設けると共に、液槽の底部にドレンバルブ
を設け、かつ前記水膜ノズルと前記基板とを、前記基板
の径方向について相対移動させるものとすることによっ
て達成される。
【０００６】
【作用】このような構成によれば、シャワーのような水
滴でなく、上下に連続する水膜で基板の表面を流すの
で、洗浄液の流れがウェーハ表面に沿う上から下への流
れとなるために微粒子の捕捉効率が高くなる上、ドレン
時にも液槽内の洗浄水が上から下へと流れるために微粒
子が再付着し難くなる。
滴でなく、上下に連続する水膜で基板の表面を流すの
で、洗浄液の流れがウェーハ表面に沿う上から下への流
れとなるために微粒子の捕捉効率が高くなる上、ドレン
時にも液槽内の洗浄水が上から下へと流れるために微粒
子が再付着し難くなる。
【０００７】
【実施例】以下に添付の図面に示された具体的な実施例
に基づいて本発明の構成を詳細に説明する。
に基づいて本発明の構成を詳細に説明する。
【０００８】図１は、本発明に基づき構成されたウェー
ハ洗浄装置を示している。この洗浄装置１は、複数のウ
ェーハ２を略垂直状態で適宜な一定の間隔をおいて並列
に保持するキャリア３を受容するべく上方が開放した液
槽４と、液槽４の上方にウェーハ２の表面と直交する向
きに延設された水膜ノズル５とからなっている。この水
膜ノズル５は、水平面上をウェーハ２の径方向について
往復移動するように、図示されていない駆動装置に接続
されている。
ハ洗浄装置を示している。この洗浄装置１は、複数のウ
ェーハ２を略垂直状態で適宜な一定の間隔をおいて並列
に保持するキャリア３を受容するべく上方が開放した液
槽４と、液槽４の上方にウェーハ２の表面と直交する向
きに延設された水膜ノズル５とからなっている。この水
膜ノズル５は、水平面上をウェーハ２の径方向について
往復移動するように、図示されていない駆動装置に接続
されている。
【０００９】水膜ノズル５は、互いの外周面と内周面と
の間に適宜な隙間Ｇをあけて内外二重に組み合わされた
径違いの２本のパイプ６ａ・６ｂからなっている。これ
ら２本のパイプ６ａ・６ｂには、図２に併せて示すよう
に、軸線に沿う一条のスリット７ａ・７ｂが、互いに１
８０度反対の位置にそれぞれ開口している。そして内側
のパイプ６ｂは洗浄液（純水）の供給源に連結されてお
り、この内パイプ６ｂに洗浄液を供給すると、内パイプ
６ｂの外周面と外パイプ６ａの内周面との隙間Ｇに内パ
イプ６ｂのスリット７ｂから洗浄液が流れ込む。そし
て、この隙間Ｇを介して外パイプ６ａのスリット７ａか
ら洗浄液が流出する際に、カーテン状の水膜８が形成さ
れる。
の間に適宜な隙間Ｇをあけて内外二重に組み合わされた
径違いの２本のパイプ６ａ・６ｂからなっている。これ
ら２本のパイプ６ａ・６ｂには、図２に併せて示すよう
に、軸線に沿う一条のスリット７ａ・７ｂが、互いに１
８０度反対の位置にそれぞれ開口している。そして内側
のパイプ６ｂは洗浄液（純水）の供給源に連結されてお
り、この内パイプ６ｂに洗浄液を供給すると、内パイプ
６ｂの外周面と外パイプ６ａの内周面との隙間Ｇに内パ
イプ６ｂのスリット７ｂから洗浄液が流れ込む。そし
て、この隙間Ｇを介して外パイプ６ａのスリット７ａか
ら洗浄液が流出する際に、カーテン状の水膜８が形成さ
れる。
【００１０】さて、本装置にてウェーハ２を洗浄するに
は、洗浄液を流出させて水膜８を形成した状態の水膜ノ
ズル５を、ウェーハ２が収納されたキャリア３上で往復
移動させつつ液槽４内を洗浄液で満たしていく。この過
程で、水膜８の線状の流れによって径方向にスキャンさ
れるようにしてウェーハ２の表面が順次洗浄されてい
く。ここで水膜８には落下の速度があるため、水膜８に
触れた微粒子は、ウェーハ２の表面からはぎ取られる。
また、水膜８は、ウェーハ２の表面上を上から下へ向け
て径方向に途切れることのない線状の流れを形成するた
め、この流れの線上にある付着粒子は、ほぼ完全に洗浄
液に捕捉されてウェーハ２の表面から除去される。
は、洗浄液を流出させて水膜８を形成した状態の水膜ノ
ズル５を、ウェーハ２が収納されたキャリア３上で往復
移動させつつ液槽４内を洗浄液で満たしていく。この過
程で、水膜８の線状の流れによって径方向にスキャンさ
れるようにしてウェーハ２の表面が順次洗浄されてい
く。ここで水膜８には落下の速度があるため、水膜８に
触れた微粒子は、ウェーハ２の表面からはぎ取られる。
また、水膜８は、ウェーハ２の表面上を上から下へ向け
て径方向に途切れることのない線状の流れを形成するた
め、この流れの線上にある付着粒子は、ほぼ完全に洗浄
液に捕捉されてウェーハ２の表面から除去される。
【００１１】数回スキャンした洗浄液を、液槽４の底部
に設けられたドレンバルブ９を開いて排出した後、ドレ
ンバルブ９を閉じて液槽４内に洗浄液を注入し、ウェー
ハ２が完全に洗浄液に浸漬された後、ドレンバルブ９を
開いて洗浄液を液槽４から静かに抜き取る。この過程を
２〜３回繰り返すことにより、表１に示すように、従来
の方法に比して一段と高い付着粒子の除去率が得られる
ことが分かる。
に設けられたドレンバルブ９を開いて排出した後、ドレ
ンバルブ９を閉じて液槽４内に洗浄液を注入し、ウェー
ハ２が完全に洗浄液に浸漬された後、ドレンバルブ９を
開いて洗浄液を液槽４から静かに抜き取る。この過程を
２〜３回繰り返すことにより、表１に示すように、従来
の方法に比して一段と高い付着粒子の除去率が得られる
ことが分かる。
【００１２】
【表１】
【００１３】なお、上記実施例に於ては、水膜ノズル５
を移動させるものとしたが、これはウェーハ２側を移動
させるようにしても良い。
を移動させるものとしたが、これはウェーハ２側を移動
させるようにしても良い。
【００１４】
【発明の効果】このように本発明によれば、洗浄液の流
れがウェーハ表面に沿う連続的な流れとなるために微粒
子の捕捉効率が高くなる上に再付着し難くなることか
ら、ウェーハ表面からの付着粒子の除去効率を向上する
上に多大な効果がもたらされる。
れがウェーハ表面に沿う連続的な流れとなるために微粒
子の捕捉効率が高くなる上に再付着し難くなることか
ら、ウェーハ表面からの付着粒子の除去効率を向上する
上に多大な効果がもたらされる。
【図１】本発明装置の構成を示す斜視図。
【図２】水膜ノズルの縦断面図。
１ 洗浄装置 ２ ウェーハ ３ キャリア ４ 液槽 ５ 水膜ノズル ６ａ・６ｂ パイプ ７ａ・７ｂ スリット ８ 水膜 ９ ドレンバルブ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 渥美 純 相模原市淵野辺５−10−１ 新日本製鐵 株式会社 エレクトロニクス研究所内 (72)発明者 佐近 正 神奈川県川崎市中原区井田1618 新日本 製鐵株式会社内 (56)参考文献 特開 平４−53228（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−1121（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−13359（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−47733（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−291222（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−208984（ＪＰ，Ａ) 実開 平６−7880（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/304 B08B 3/00 - 3/14
Claims (1)
- 【請求項１】 薬液処理された半導体基板の表面の洗浄
を行う半導体基板洗浄装置であって、 垂直に保持された半導体基板の面に直交する向きの水膜
を形成するべく、内管と外管とのそれぞれの軸線に沿う
一条のスリットを互いに１８０度反対の位置に開口して
なる二重管からなる水膜ノズルを前記基板の上方に設け
ると共に、液槽の底部にドレンバルブを設け、かつ 前記水膜ノズル
と前記基板とを、前記基板の径方向について相対移動さ
せるものとしたことを特徴とする半導体基板洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6107828A JP3068404B2 (ja) | 1994-04-22 | 1994-04-22 | 半導体基板洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6107828A JP3068404B2 (ja) | 1994-04-22 | 1994-04-22 | 半導体基板洗浄装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07297162A JPH07297162A (ja) | 1995-11-10 |
| JP3068404B2 true JP3068404B2 (ja) | 2000-07-24 |
Family
ID=14469076
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6107828A Expired - Fee Related JP3068404B2 (ja) | 1994-04-22 | 1994-04-22 | 半導体基板洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3068404B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000286220A (ja) * | 1999-01-29 | 2000-10-13 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| KR101412767B1 (ko) | 2010-08-19 | 2014-07-02 | 주식회사 엘지화학 | 유체 공급 장치 및 이를 이용한 박판 세정 시스템 및 방법 |
| JP5845314B2 (ja) * | 2014-05-16 | 2016-01-20 | ファナック株式会社 | クーラントの滴下を防止した工作機械の機内洗浄装置 |
-
1994
- 1994-04-22 JP JP6107828A patent/JP3068404B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07297162A (ja) | 1995-11-10 |
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