JP3254716B2 - ウェーハ洗浄装置 - Google Patents
ウェーハ洗浄装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ウェーハを洗浄処理す
るためのウェーハの洗浄方法及びウェーハ洗浄装置に関
する。
るためのウェーハの洗浄方法及びウェーハ洗浄装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造においては、半導体ウ
ェーハを各種処理プロセスに沿って洗浄を行う洗浄処理
（いわゆるウエット処理）工程がある。半導体ウェーハ
に対する洗浄処理には、例えばＮＨ4 ＯＨ＋Ｈ2 Ｏ2 ＋
Ｈ2 Ｏの薬液による有機物の洗浄、例えばＨＣ１＋Ｈ2
Ｏ2 ＋Ｈ2 Ｏの薬液による金属汚染の洗浄、例えばバッ
ファード弗酸の薬液のライトエッチングによる自然酸化
の除去、及びそれら間でのリンス処理（薬液水洗）等が
ある。従って、洗浄装置の処理槽は、これらの洗浄が可
能なように所要の処理プロセスに応じて適宜選択して複
数配設される。
ェーハを各種処理プロセスに沿って洗浄を行う洗浄処理
（いわゆるウエット処理）工程がある。半導体ウェーハ
に対する洗浄処理には、例えばＮＨ4 ＯＨ＋Ｈ2 Ｏ2 ＋
Ｈ2 Ｏの薬液による有機物の洗浄、例えばＨＣ１＋Ｈ2
Ｏ2 ＋Ｈ2 Ｏの薬液による金属汚染の洗浄、例えばバッ
ファード弗酸の薬液のライトエッチングによる自然酸化
の除去、及びそれら間でのリンス処理（薬液水洗）等が
ある。従って、洗浄装置の処理槽は、これらの洗浄が可
能なように所要の処理プロセスに応じて適宜選択して複
数配設される。
【０００３】従来、このような洗浄装置としては、例え
ば図６Ａ，Ｂに示すようなものが知られている。まず、
図６Ａに示す装置にあっては、多数の孔３０を有する部
材３１が半導体ウェーハＰを収容する処理槽３２の底部
に配置され、これらの孔３０から薬液あるいは純水等の
リンス液即ち処理液３３が上方に向かって噴出するよう
に構成されている。一方、図６Ｂに示す装置にあって
は、多数の孔４０を有する２本のチューブ４１が処理槽
４２の底部に設けられ、これらの孔４０から上述の処理
液３３が所定の角度をもって噴出するように構成されて
いる。
ば図６Ａ，Ｂに示すようなものが知られている。まず、
図６Ａに示す装置にあっては、多数の孔３０を有する部
材３１が半導体ウェーハＰを収容する処理槽３２の底部
に配置され、これらの孔３０から薬液あるいは純水等の
リンス液即ち処理液３３が上方に向かって噴出するよう
に構成されている。一方、図６Ｂに示す装置にあって
は、多数の孔４０を有する２本のチューブ４１が処理槽
４２の底部に設けられ、これらの孔４０から上述の処理
液３３が所定の角度をもって噴出するように構成されて
いる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、かかる
従来例の場合、次のような問題点があった。すなわち、
上記いずれの装置においても処理槽３２，４２の底部か
ら処理液３３を噴出させるようにしているため、液体の
流れは下方から上方という一方向しかなく、半導体ウェ
ーハＰの洗浄効率が悪い。また、図６Ｂに示す装置の場
合、処理槽４２内にチューブ４１を配置するので、不必
要な渦流等が生じ、この結果、洗浄効率を下げる要因と
なっていた。さらに、上述の従来例においては、処理槽
３２，４２内に液体を噴出させるための手段を設けてい
るので、処理槽３２，４２が大型になるという欠点もあ
った。
従来例の場合、次のような問題点があった。すなわち、
上記いずれの装置においても処理槽３２，４２の底部か
ら処理液３３を噴出させるようにしているため、液体の
流れは下方から上方という一方向しかなく、半導体ウェ
ーハＰの洗浄効率が悪い。また、図６Ｂに示す装置の場
合、処理槽４２内にチューブ４１を配置するので、不必
要な渦流等が生じ、この結果、洗浄効率を下げる要因と
なっていた。さらに、上述の従来例においては、処理槽
３２，４２内に液体を噴出させるための手段を設けてい
るので、処理槽３２，４２が大型になるという欠点もあ
った。
【０００５】本発明は従来例のかかる点に鑑みてなされ
たもので、その目的とするところは、洗浄効率の向上及
び処理槽の小型化を達成しうるウェーハの洗浄装置を提
供することにある。
たもので、その目的とするところは、洗浄効率の向上及
び処理槽の小型化を達成しうるウェーハの洗浄装置を提
供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に係るウェーハ洗
浄装置は、装置内に配された処理槽にてウェーハを洗浄
処理するウェーハ洗浄装置であって、この処理槽の内側
部及び底部に複数の処理液噴出口を設け、この処理液噴
出口から所定の開き角度で処理液を噴出させるように構
成し、処理液噴出口を囲むように処理槽の周壁に中空半
球状の連結部が設けられたものである。また、本発明に
係る他のウェーハ洗浄装置は、装置内に配された処理槽
にてウェーハを洗浄処理するウェーハ洗浄装置であっ
て、この処理槽の下部がウェーハの輪郭に沿うようなア
ール状であり、この処理槽の内側部及び下部に複数の処
理液噴出口を有し、処理液噴出口から所定の開き角度で
処理液を噴出させるように構成し、処理液噴出口を囲む
ように処理槽の周壁に中空半球状の連結部が設けられた
ものである。この場合、１２０゜以内の開き角度で処理
液を噴出させるようにすることも効果的である。
浄装置は、装置内に配された処理槽にてウェーハを洗浄
処理するウェーハ洗浄装置であって、この処理槽の内側
部及び底部に複数の処理液噴出口を設け、この処理液噴
出口から所定の開き角度で処理液を噴出させるように構
成し、処理液噴出口を囲むように処理槽の周壁に中空半
球状の連結部が設けられたものである。また、本発明に
係る他のウェーハ洗浄装置は、装置内に配された処理槽
にてウェーハを洗浄処理するウェーハ洗浄装置であっ
て、この処理槽の下部がウェーハの輪郭に沿うようなア
ール状であり、この処理槽の内側部及び下部に複数の処
理液噴出口を有し、処理液噴出口から所定の開き角度で
処理液を噴出させるように構成し、処理液噴出口を囲む
ように処理槽の周壁に中空半球状の連結部が設けられた
ものである。この場合、１２０゜以内の開き角度で処理
液を噴出させるようにすることも効果的である。
【０００７】
【作用】かかる構成を有する本発明にあっては、処理槽
の内側部及び底部・下部に設けた複数の処理液噴出口か
ら所定の開き角度、好ましくは１２０゜以内の開き角度
で処理液が噴出されることから、処理槽内において処理
液の乱流が生じ、ウェーハに対して種々の方向から処理
液が接触するようになる。また、洗浄効率を下げる要因
となる渦流の発生が抑制される。さらに、処理槽内に処
理液を噴出するための手段が配されていないことから、
この手段に起因する渦流は発生せず、また、この手段を
配置するためのスペースを省略することができる。ま
た、処理槽の下部をウェーハの輪郭に沿うようなアール
状である構成としたときには、渦流の発生を一層抑制す
ることができると共に、配管数を減らして構成を簡素に
することができる。また、処理液噴出口を囲むように処
理槽の周壁に中空半球状の連結部が設けられた構成とし
たことにより、この中空半球状の連結部により、処理液
を処理液噴出口から所定の開き角度に噴出させることが
できる。
の内側部及び底部・下部に設けた複数の処理液噴出口か
ら所定の開き角度、好ましくは１２０゜以内の開き角度
で処理液が噴出されることから、処理槽内において処理
液の乱流が生じ、ウェーハに対して種々の方向から処理
液が接触するようになる。また、洗浄効率を下げる要因
となる渦流の発生が抑制される。さらに、処理槽内に処
理液を噴出するための手段が配されていないことから、
この手段に起因する渦流は発生せず、また、この手段を
配置するためのスペースを省略することができる。ま
た、処理槽の下部をウェーハの輪郭に沿うようなアール
状である構成としたときには、渦流の発生を一層抑制す
ることができると共に、配管数を減らして構成を簡素に
することができる。また、処理液噴出口を囲むように処
理槽の周壁に中空半球状の連結部が設けられた構成とし
たことにより、この中空半球状の連結部により、処理液
を処理液噴出口から所定の開き角度に噴出させることが
できる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図１は本発明に係るウェーハの洗浄装置の第１実
施例の概略構成を示すものであり、直方体形状の処理槽
１に処理液２が満たされ、半導体ウェーハ３が配置され
るようになっている。なお、半導体ウェーハ３は複数枚
キャリア内に収容してキャリアごとに処理槽１内に配置
する方法、あるいはキャリアレス方式で処理槽１内に配
置する方法等がとられる。
する。図１は本発明に係るウェーハの洗浄装置の第１実
施例の概略構成を示すものであり、直方体形状の処理槽
１に処理液２が満たされ、半導体ウェーハ３が配置され
るようになっている。なお、半導体ウェーハ３は複数枚
キャリア内に収容してキャリアごとに処理槽１内に配置
する方法、あるいはキャリアレス方式で処理槽１内に配
置する方法等がとられる。
【０００９】図１に示すように、本実施例においては、
処理槽１の側部と底部に処理液２である薬液又は純水等
のリンス液を噴出するための噴出口４がそれぞれ複数個
設けられている。そして、各噴出口４の外側には中空半
球状の連結部５を介してパイプ６が取り付けられてい
る。各パイプ６は、それぞれポンプ７を介して不図示の
薬液又はリンス液のタンクに連結されている。尚、処理
槽１がリンス槽の場合、図示はしないが槽からあふれ出
た液体は排出口から排出されるようになっている。一
方、薬液槽の場合は一旦薬液が回収され、フィルターに
よってろ過された後に再び洗浄に用いられるように構成
されている。
処理槽１の側部と底部に処理液２である薬液又は純水等
のリンス液を噴出するための噴出口４がそれぞれ複数個
設けられている。そして、各噴出口４の外側には中空半
球状の連結部５を介してパイプ６が取り付けられてい
る。各パイプ６は、それぞれポンプ７を介して不図示の
薬液又はリンス液のタンクに連結されている。尚、処理
槽１がリンス槽の場合、図示はしないが槽からあふれ出
た液体は排出口から排出されるようになっている。一
方、薬液槽の場合は一旦薬液が回収され、フィルターに
よってろ過された後に再び洗浄に用いられるように構成
されている。
【００１０】図２は噴出口４の近傍を拡大して示すもの
である。同図に示すように本実施例の処理槽１において
は、各噴出口４を囲むように中空半球状の連結部５が処
理槽１の周壁に設けられている。そして、このように構
成することにより、図２に示すように、処理液２は噴出
口４から所定の角度θをもって噴出するようになる。こ
の場合、この噴流２ａの角度θが１２０°以内となるよ
う噴出口４の径、連結部５の形状及び大きさを調節して
おく。
である。同図に示すように本実施例の処理槽１において
は、各噴出口４を囲むように中空半球状の連結部５が処
理槽１の周壁に設けられている。そして、このように構
成することにより、図２に示すように、処理液２は噴出
口４から所定の角度θをもって噴出するようになる。こ
の場合、この噴流２ａの角度θが１２０°以内となるよ
う噴出口４の径、連結部５の形状及び大きさを調節して
おく。
【００１１】尚、各ポンプ７は独立してオン、オフ、流
量の調整が行えるようになっている。そして、洗浄処理
工程においては、まず全てのポンプ７を駆動して全噴出
口４から処理液２を噴出させ、図３Ａに示すように乱流
を生じさせる。そして、その後、例えば図１中左側のみ
のポンプ７を駆動して片側だけ処理液２を噴出させ、図
３Ｂに示すように層流を生じさせる。
量の調整が行えるようになっている。そして、洗浄処理
工程においては、まず全てのポンプ７を駆動して全噴出
口４から処理液２を噴出させ、図３Ａに示すように乱流
を生じさせる。そして、その後、例えば図１中左側のみ
のポンプ７を駆動して片側だけ処理液２を噴出させ、図
３Ｂに示すように層流を生じさせる。
【００１２】かかる構成を有する本実施例においては、
図１に示すように、処理層１の内側部及び底部に設けた
噴出口４から所定の角度でもって処理液２が噴出される
ので、槽内に乱流が生じ、半導体ウェーハ３に対して種
々の方向から処理液２が接触するようになる。例えば半
導体ウェーハ３とキャリア（図示せず）との接触点付近
の洗浄しにくい部分にも処理液２が侵入するようにな
る。また、洗浄効率を下げる要因となる渦流の発生が抑
制される。
図１に示すように、処理層１の内側部及び底部に設けた
噴出口４から所定の角度でもって処理液２が噴出される
ので、槽内に乱流が生じ、半導体ウェーハ３に対して種
々の方向から処理液２が接触するようになる。例えば半
導体ウェーハ３とキャリア（図示せず）との接触点付近
の洗浄しにくい部分にも処理液２が侵入するようにな
る。また、洗浄効率を下げる要因となる渦流の発生が抑
制される。
【００１３】従って、本実施例によれば、洗浄処理の効
率を向上させて洗浄処理時間の短縮化及び処理液２の節
約を図ることができる。また、本実施例にあっては処理
槽１内に処理液２を噴出するための手段が配されていな
いので、この手段に起因する渦流は発生せず洗浄効率の
一層の向上を図ることができるとともに、処理槽１の小
型化を図ることができる。さらに、処理槽１内のクリー
ン度を向上させることができるという効果もある。尚、
以上の効果は、処理液２の流れを乱流から層流に切り換
えるように制御することでより一層達成されるものであ
る。
率を向上させて洗浄処理時間の短縮化及び処理液２の節
約を図ることができる。また、本実施例にあっては処理
槽１内に処理液２を噴出するための手段が配されていな
いので、この手段に起因する渦流は発生せず洗浄効率の
一層の向上を図ることができるとともに、処理槽１の小
型化を図ることができる。さらに、処理槽１内のクリー
ン度を向上させることができるという効果もある。尚、
以上の効果は、処理液２の流れを乱流から層流に切り換
えるように制御することでより一層達成されるものであ
る。
【００１４】図４は本発明の第２実施例の概略構成を示
すもので、以下、上記第１実施例と対応する部分につい
ては同一の符号を付して説明する。
すもので、以下、上記第１実施例と対応する部分につい
ては同一の符号を付して説明する。
【００１５】本実施例においては、処理槽１１の下部が
半導体ウェーハ３の輪郭に沿うようなアール状に形成さ
れている。また、噴出口４を２つ並べて配置し、これら
を１つの連結部５で囲むように構成されている。尚、ポ
ンプ７及びパイプ６等は第１実施例と同様のものを用い
ればよい。
半導体ウェーハ３の輪郭に沿うようなアール状に形成さ
れている。また、噴出口４を２つ並べて配置し、これら
を１つの連結部５で囲むように構成されている。尚、ポ
ンプ７及びパイプ６等は第１実施例と同様のものを用い
ればよい。
【００１６】本実施例によれば、一層の渦流の発生を抑
制できるとともに、配管数を減らして構成を簡素にする
ことができるという効果がある。その他の構成及び作用
については上記第１実施例と同一であるのでその詳細な
説明を省略する。
制できるとともに、配管数を減らして構成を簡素にする
ことができるという効果がある。その他の構成及び作用
については上記第１実施例と同一であるのでその詳細な
説明を省略する。
【００１７】図５は本発明の第３実施例の概略構成を示
すものであり、以下、上記実施例と対応する部分につい
ては同一の符号を付して説明する。
すものであり、以下、上記実施例と対応する部分につい
ては同一の符号を付して説明する。
【００１８】本実施例においては、処理槽２１の側壁に
噴出口４が３つ並べて設けられ、これらを１つの連結部
２２で囲むように構成されている。また、処理槽２１の
底部に噴出口４が２つ並べて設けられ、これらを１つの
連結部２３で囲むように構成されている。尚、連結部２
２，２３は直方体形状となっている。
噴出口４が３つ並べて設けられ、これらを１つの連結部
２２で囲むように構成されている。また、処理槽２１の
底部に噴出口４が２つ並べて設けられ、これらを１つの
連結部２３で囲むように構成されている。尚、連結部２
２，２３は直方体形状となっている。
【００１９】本実施例によれば、図１に示す第１実施例
とほぼ同じ構成で洗浄効率の向上を図ることができる。
その他の構成及び作用については上記実施例と同一であ
るのでその詳細な説明を省略する。
とほぼ同じ構成で洗浄効率の向上を図ることができる。
その他の構成及び作用については上記実施例と同一であ
るのでその詳細な説明を省略する。
【００２０】尚、本発明における噴出口の数、配管数は
上述の実施例のものに限らず、製造プロセス、処理槽の
目的等に応じて種々の構成を採ることができるものであ
る。
上述の実施例のものに限らず、製造プロセス、処理槽の
目的等に応じて種々の構成を採ることができるものであ
る。
【００２１】
【発明の効果】以上述べたように本発明においては、洗
浄処理の効率を向上させることができ、この結果、洗浄
処理時間の短縮化及び処理液の節約を図ることができ
る。また、本発明によれば、処理槽内に処理液を噴出さ
せるための手段を配していないので、処理槽の小型化を
図ることができるという効果もある。
浄処理の効率を向上させることができ、この結果、洗浄
処理時間の短縮化及び処理液の節約を図ることができ
る。また、本発明によれば、処理槽内に処理液を噴出さ
せるための手段を配していないので、処理槽の小型化を
図ることができるという効果もある。
【図１】本発明の第１実施例の概略構成図である。
【図２】同実施例における処理液の噴出口の近傍を示す
断面図である。
断面図である。
【図３】同実施例における処理工程の説明図である。
【図４】本発明の第２実施例の概略構成図である。
【図５】本発明の第３実施例の概略構成図である。
【図６】従来例の概略構成図である。
１ 処理槽 ２ 処理液 ２ａ 噴流 ３ 半導体ウェーハ ４ 噴出口 ５ 連結部 ６ パイプ ７ ポンプ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−42530（ＪＰ，Ａ) 実開 平１−84429（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭62−17122（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/304 642
Claims (2)
- 【請求項１】 装置内に配された処理槽にてウェーハを
洗浄処理するウェーハ洗浄装置であって、 上記処理槽の内側部及び底部に複数の処理液噴出口を設
け、該処理液噴出口から所定の開き角度で処理液を噴出
させるように構成し、 上記処理液噴出口を囲むように処理槽の周壁に中空半球
状の連結部が設けられた ことを特徴とするウェーハ洗浄
装置。 - 【請求項２】 装置内に配された処理槽にてウェーハを
洗浄処理するウェーハ洗浄装置であって、 上記処理槽の下部がウェーハの輪郭に沿うようなアール
状であり、 上記処理槽の内側部及び下部に複数の処理液噴出口を有
し、該処理液噴出口から所定の開き角度で処理液を噴出
させるように構成し、上記処理液噴出口を囲むように処理槽の周壁に中空半球
状の連結部が設けられた ことを特徴とするウェーハ洗浄
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06061392A JP3254716B2 (ja) | 1992-03-17 | 1992-03-17 | ウェーハ洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06061392A JP3254716B2 (ja) | 1992-03-17 | 1992-03-17 | ウェーハ洗浄装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05267263A JPH05267263A (ja) | 1993-10-15 |
| JP3254716B2 true JP3254716B2 (ja) | 2002-02-12 |
Family
ID=13147300
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06061392A Expired - Fee Related JP3254716B2 (ja) | 1992-03-17 | 1992-03-17 | ウェーハ洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3254716B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19616402C2 (de) * | 1996-04-24 | 2001-11-29 | Steag Micro Tech Gmbh | Vorrichtung zum Behandeln von Substraten in einem Fluid-Behälter |
| DE19655219C2 (de) * | 1996-04-24 | 2003-11-06 | Steag Micro Tech Gmbh | Vorrichtung zum Behandeln von Substraten in einem Fluid-Behälter |
| WO2004061191A1 (ja) * | 2002-12-24 | 2004-07-22 | Fujiyama Refine Co., Ltd. | 洗浄装置 |
| JP2007059832A (ja) * | 2005-08-26 | 2007-03-08 | Ses Co Ltd | 基板処理装置 |
| JP4907400B2 (ja) * | 2006-07-25 | 2012-03-28 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| JP5755955B2 (ja) * | 2011-06-30 | 2015-07-29 | Hoya株式会社 | Ｈｄｄ用ガラス基板の製造方法 |
| JP5846484B2 (ja) * | 2011-11-14 | 2016-01-20 | シブヤマシナリー株式会社 | 物品洗浄装置 |
-
1992
- 1992-03-17 JP JP06061392A patent/JP3254716B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05267263A (ja) | 1993-10-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |