JPH05267262A - 半導体ウェーハ洗浄装置 - Google Patents
半導体ウェーハ洗浄装置Info
- Publication number
- JPH05267262A JPH05267262A JP4065296A JP6529692A JPH05267262A JP H05267262 A JPH05267262 A JP H05267262A JP 4065296 A JP4065296 A JP 4065296A JP 6529692 A JP6529692 A JP 6529692A JP H05267262 A JPH05267262 A JP H05267262A
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- Japan
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- cleaning
- semiconductor wafer
- holes
- dispersion plate
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体ウェーハ洗浄装置において、洗浄処理
の効率化及び洗浄効果の均一化を達成する。 【構成】 処理槽１の底部の供給口５から処理液２が供
給される。半導体ウェーハ４は、キャリア３に複数枚収
容され、キャリア３ごと処理液２に浸される。処理槽１
の下部には処理液２を噴出するための分散板７が設けら
れる。この分散板７は複数の孔８を有し、半導体ウェー
ハ４に近い中央部の孔８ａ，８ｂが両端部の孔８ｃより
も順次大きくなるように形成され、また、これらの孔８
ａ，８ｂは順次密となるように配置される。
の効率化及び洗浄効果の均一化を達成する。 【構成】 処理槽１の底部の供給口５から処理液２が供
給される。半導体ウェーハ４は、キャリア３に複数枚収
容され、キャリア３ごと処理液２に浸される。処理槽１
の下部には処理液２を噴出するための分散板７が設けら
れる。この分散板７は複数の孔８を有し、半導体ウェー
ハ４に近い中央部の孔８ａ，８ｂが両端部の孔８ｃより
も順次大きくなるように形成され、また、これらの孔８
ａ，８ｂは順次密となるように配置される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造工程
において半導体ウェーハを洗浄処理するための半導体ウ
ェーハ洗浄装置に関する。
において半導体ウェーハを洗浄処理するための半導体ウ
ェーハ洗浄装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造においては、半導体ウ
ェーハを各種処理プロセスに沿って洗浄を行う洗浄処理
（いわゆるウエット処理）工程がある。半導体ウェーハ
に対する洗浄処理には、例えばＮＨ4 ＯＨ＋Ｈ2 Ｏ2 ＋
Ｈ2 Ｏの薬液による有機物の洗浄、例えばＨＣｌ＋Ｈ2
Ｏ2 ＋Ｈ2 Ｏの薬液による金属汚染の洗浄、例えばバッ
ファード弗酸の薬液のライトエッチングによる自然酸化
の除去、及びそれら間でのリンス処理（薬液水洗）等が
ある。従って、洗浄装置の処理槽は、これらの洗浄が可
能なように所要の処理プロセスに応じて適宜選択して複
数配設される。
ェーハを各種処理プロセスに沿って洗浄を行う洗浄処理
（いわゆるウエット処理）工程がある。半導体ウェーハ
に対する洗浄処理には、例えばＮＨ4 ＯＨ＋Ｈ2 Ｏ2 ＋
Ｈ2 Ｏの薬液による有機物の洗浄、例えばＨＣｌ＋Ｈ2
Ｏ2 ＋Ｈ2 Ｏの薬液による金属汚染の洗浄、例えばバッ
ファード弗酸の薬液のライトエッチングによる自然酸化
の除去、及びそれら間でのリンス処理（薬液水洗）等が
ある。従って、洗浄装置の処理槽は、これらの洗浄が可
能なように所要の処理プロセスに応じて適宜選択して複
数配設される。
【０００３】従来、このような装置としては例えば図４
に示すようなものが知られている。すなわち、この装置
においては、薬液又は純水が満たされる処理槽１１内
に、キャリア１２によって搬送される半導体ウェーハ１
３が浸されるようになっている。そして、処理槽１１の
底部の供給口１８からフィルター１４を介して処理液１
５を供給し、多数の孔１６を有する分散板１７によって
処理液１５を噴出させることにより半導体ウェーハ１３
を洗浄するように構成される。ここで、分散板１７に設
けられた孔１６は、図５に示すように、同一の径を有
し、また、孔１６間のピッチは同一となっている。
に示すようなものが知られている。すなわち、この装置
においては、薬液又は純水が満たされる処理槽１１内
に、キャリア１２によって搬送される半導体ウェーハ１
３が浸されるようになっている。そして、処理槽１１の
底部の供給口１８からフィルター１４を介して処理液１
５を供給し、多数の孔１６を有する分散板１７によって
処理液１５を噴出させることにより半導体ウェーハ１３
を洗浄するように構成される。ここで、分散板１７に設
けられた孔１６は、図５に示すように、同一の径を有
し、また、孔１６間のピッチは同一となっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、かかる
従来例の場合、次のような問題があった。すなわち、図
４に示すように従来の装置においては、処理槽１１への
ゴミ等の流入を防止するため処理液１５の供給口１８の
上方にフィルター１４を設けているが、このフィルター
１４の存在により処理液１５の流量は供給口１８の上方
で多くならず、図６に示すようにその流量分布はほぼ平
坦となる。そして、処理液１５はその粘性により半導体
ウェーハ１３の間で流速が低下するため、半導体ウェー
ハ１３に対して充分な処理液１５が供給されず、その結
果、効率的な洗浄を行うことができないとともに、洗浄
が不均一になり易いという欠点があった。
従来例の場合、次のような問題があった。すなわち、図
４に示すように従来の装置においては、処理槽１１への
ゴミ等の流入を防止するため処理液１５の供給口１８の
上方にフィルター１４を設けているが、このフィルター
１４の存在により処理液１５の流量は供給口１８の上方
で多くならず、図６に示すようにその流量分布はほぼ平
坦となる。そして、処理液１５はその粘性により半導体
ウェーハ１３の間で流速が低下するため、半導体ウェー
ハ１３に対して充分な処理液１５が供給されず、その結
果、効率的な洗浄を行うことができないとともに、洗浄
が不均一になり易いという欠点があった。
【０００５】本発明は従来例のかかる点に鑑みてなされ
たもので、その目的とするところは、洗浄処理の効率化
及び洗浄効果の均一化を達成しうる半導体ウェーハ洗浄
装置を提供することにある。
たもので、その目的とするところは、洗浄処理の効率化
及び洗浄効果の均一化を達成しうる半導体ウェーハ洗浄
装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、例えば図１に
示すように、処理槽１内に供給された処理液２をこの処
理槽１内に形成した複数の開口部８から噴出させること
により半導体ウェーハ４を洗浄処理する半導体ウェーハ
洗浄装置において、これら複数の開口部８のうち半導体
ウェーハ４近傍の開口部８ａ，８ｂを他の開口部８ｃよ
り大きく形成するとともに、これらの開口部８ａ，８ｂ
を他の開口部８ｃより密に配してなるものである。
示すように、処理槽１内に供給された処理液２をこの処
理槽１内に形成した複数の開口部８から噴出させること
により半導体ウェーハ４を洗浄処理する半導体ウェーハ
洗浄装置において、これら複数の開口部８のうち半導体
ウェーハ４近傍の開口部８ａ，８ｂを他の開口部８ｃよ
り大きく形成するとともに、これらの開口部８ａ，８ｂ
を他の開口部８ｃより密に配してなるものである。
【０００７】
【作用】かかる構成を有する本発明にあっては、複数の
開口部８のうち半導体ウェーハ４近傍の開口部８ａ，８
ｂを他の開口部８ｃより大きく形成するとともに、これ
らの開口部８ａ，８ｂを他の開口部８ｃより密に配する
ことによって、半導体ウェーハ４近傍の開口部８ａ，８
ｂから噴出される処理液２の量が、他の開口部８ｃから
噴出される処理液２の量よりも多くなり、この結果、半
導体ウェーハ４に対し充分な流量の処理液２が供給され
るようになる。
開口部８のうち半導体ウェーハ４近傍の開口部８ａ，８
ｂを他の開口部８ｃより大きく形成するとともに、これ
らの開口部８ａ，８ｂを他の開口部８ｃより密に配する
ことによって、半導体ウェーハ４近傍の開口部８ａ，８
ｂから噴出される処理液２の量が、他の開口部８ｃから
噴出される処理液２の量よりも多くなり、この結果、半
導体ウェーハ４に対し充分な流量の処理液２が供給され
るようになる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明に係る半導体洗浄装置の実施例
を図面を参照して説明する。図１Ｂは本実施例の概略構
成を示すものである。同図に示すように、本実施例の半
導体ウェーハ洗浄装置は、直方体形状の処理槽１に処理
液２が満たされ、キャリア３に収容された複数枚の半導
体ウェーハ４が、キャリア３ごと処理液２に浸されるよ
うに構成されている。
を図面を参照して説明する。図１Ｂは本実施例の概略構
成を示すものである。同図に示すように、本実施例の半
導体ウェーハ洗浄装置は、直方体形状の処理槽１に処理
液２が満たされ、キャリア３に収容された複数枚の半導
体ウェーハ４が、キャリア３ごと処理液２に浸されるよ
うに構成されている。
【０００９】処理槽１の底部には処理液２を供給するた
めの供給口５が形成され、さらにこの供給口５の上方に
は処理液２中のゴミ等を取り除くためのフィルター６が
設けられている。フィルター６の上方には、処理液２を
噴出させるための分散板７が設けられている。この分散
板７には後述の孔８が形成されている。また、処理槽１
の上部には処理槽１からあふれ出た処理液２を受けるた
めの受部１ａが設けられ、この受部１ａと上記供給口５
とが連結され不図示のポンプによって処理液２が循環す
るシステムが採られている。
めの供給口５が形成され、さらにこの供給口５の上方に
は処理液２中のゴミ等を取り除くためのフィルター６が
設けられている。フィルター６の上方には、処理液２を
噴出させるための分散板７が設けられている。この分散
板７には後述の孔８が形成されている。また、処理槽１
の上部には処理槽１からあふれ出た処理液２を受けるた
めの受部１ａが設けられ、この受部１ａと上記供給口５
とが連結され不図示のポンプによって処理液２が循環す
るシステムが採られている。
【００１０】図１Ａは分散板に形成された孔８の形状を
示すものである。同図に示すように、本実施例において
は、分散板７の中央に径の大きな円形の孔８ａが形成さ
れ、順次分散板７の両端部に向って径の小さな孔８ｂ，
８ｃが形成されている。また、孔８の配置については、
半導体ウェーハ４の近傍である分散板７の中央において
密に配し、両端に向って疎に、即ち順次孔８の端部の間
隔が広くなるように構成されている。この場合、孔８の
径及び孔８の間隔については、処理槽１の種類、半導体
ウェーハ４のサイズ等に応じて種々のものを採用するこ
とができる。かかる構成によれば、処理槽１の中央部に
おいてより多くの処理液２が噴出するようになる。尚、
半導体ウェーハ４は、例えば図１Ａに示すように図中水
平方向に複数枚並べて配置されるものである。
示すものである。同図に示すように、本実施例において
は、分散板７の中央に径の大きな円形の孔８ａが形成さ
れ、順次分散板７の両端部に向って径の小さな孔８ｂ，
８ｃが形成されている。また、孔８の配置については、
半導体ウェーハ４の近傍である分散板７の中央において
密に配し、両端に向って疎に、即ち順次孔８の端部の間
隔が広くなるように構成されている。この場合、孔８の
径及び孔８の間隔については、処理槽１の種類、半導体
ウェーハ４のサイズ等に応じて種々のものを採用するこ
とができる。かかる構成によれば、処理槽１の中央部に
おいてより多くの処理液２が噴出するようになる。尚、
半導体ウェーハ４は、例えば図１Ａに示すように図中水
平方向に複数枚並べて配置されるものである。
【００１１】図２Ａ〜Ｃは本実施例における処理液２の
流量分布の代表的な例を示すものである。同図に示すよ
うに、本実施例においては、いずれも処理槽１の中央
部、即ち半導体ウェーハ４の近傍の流量が、処理槽１の
両隅部、即ち半導体ウェーハ４が存在しない部分の流量
よりも多くなっている。従って、本実施例によれば、半
導体ウェーハ４の近傍において充分な流量の処理液２を
供給することができ、この結果、半導体ウェーハ４の効
率的な洗浄を行うことができる。そして、このことは、
洗浄時間の短縮化及び処理液２の節約という利益をもた
らす。また、分散板７に設けた孔８の径及び孔８間の間
隔を調節することにより、洗浄効果の均一化を図ること
ができるという効果もある。
流量分布の代表的な例を示すものである。同図に示すよ
うに、本実施例においては、いずれも処理槽１の中央
部、即ち半導体ウェーハ４の近傍の流量が、処理槽１の
両隅部、即ち半導体ウェーハ４が存在しない部分の流量
よりも多くなっている。従って、本実施例によれば、半
導体ウェーハ４の近傍において充分な流量の処理液２を
供給することができ、この結果、半導体ウェーハ４の効
率的な洗浄を行うことができる。そして、このことは、
洗浄時間の短縮化及び処理液２の節約という利益をもた
らす。また、分散板７に設けた孔８の径及び孔８間の間
隔を調節することにより、洗浄効果の均一化を図ること
ができるという効果もある。
【００１２】尚、図２に示す流量分布は、処理槽１の外
部から処理液２の流量を制御することによっても得られ
るが、本実施例によればきわめて簡単な構成で上述の効
果が得られるものである。
部から処理液２の流量を制御することによっても得られ
るが、本実施例によればきわめて簡単な構成で上述の効
果が得られるものである。
【００１３】図３は本発明の他の実施例の要部である分
散板の他の例を示すものである。同図に示すように、こ
の分散板９には上述の孔８の代わりに複数のスリット１
０が形成されている。この場合、上述の分散板と同様の
効果を得るため中央部のスリット１０ａは幅広に形成さ
れ、分散板９の両端部に向って順次幅狭のスリット１０
ｂ，１０ｃが形成されている。また、スリット１０間の
間隔についても、分散板９の中央部から両端部に向って
順次大きくなるように配置構成されている。尚、これら
のスリット１０は、半導体ウェーハ４の配置方向と直交
する方向に形成されている。
散板の他の例を示すものである。同図に示すように、こ
の分散板９には上述の孔８の代わりに複数のスリット１
０が形成されている。この場合、上述の分散板と同様の
効果を得るため中央部のスリット１０ａは幅広に形成さ
れ、分散板９の両端部に向って順次幅狭のスリット１０
ｂ，１０ｃが形成されている。また、スリット１０間の
間隔についても、分散板９の中央部から両端部に向って
順次大きくなるように配置構成されている。尚、これら
のスリット１０は、半導体ウェーハ４の配置方向と直交
する方向に形成されている。
【００１４】かかる構成を有する本実施例によれば、上
述の実施例と同様に、半導体ウェーハ４の効率的な洗浄
を行うことができ、また、洗浄効果の均一化を図ること
ができる。
述の実施例と同様に、半導体ウェーハ４の効率的な洗浄
を行うことができ、また、洗浄効果の均一化を図ること
ができる。
【００１５】尚、上述の実施例においては、半導体ウェ
ーハをキャリアに収容した状態で処理液に浸漬するタイ
プの装置について説明したが、本発明はこれに限られる
ことはなく、キャリアに収容せず半導体ウェーハをその
まま処理液に浸漬する、いわゆるキャリアレスタイプの
装置にも適用することができる。
ーハをキャリアに収容した状態で処理液に浸漬するタイ
プの装置について説明したが、本発明はこれに限られる
ことはなく、キャリアに収容せず半導体ウェーハをその
まま処理液に浸漬する、いわゆるキャリアレスタイプの
装置にも適用することができる。
【００１６】また、本発明は、薬液槽又はリンス槽のい
ずれにも適用することができるものである。
ずれにも適用することができるものである。
【００１７】
【発明の効果】以上述べたように本発明にあっては、処
理槽内の複数の開口部のうち半導体ウェーハ近傍の開口
部を他の開口部より大きく形成するとともに、この開口
部を他の開口部より密に配することにより、洗浄処理の
効率を向上させることができ、この結果、洗浄処理時間
の短縮化及び処理液の節約を図ることができる。また、
本発明によれば洗浄処理に最も適した処理液の流量分布
を容易に得ることができ、半導体ウェーハを均一に洗浄
することが可能になる。
理槽内の複数の開口部のうち半導体ウェーハ近傍の開口
部を他の開口部より大きく形成するとともに、この開口
部を他の開口部より密に配することにより、洗浄処理の
効率を向上させることができ、この結果、洗浄処理時間
の短縮化及び処理液の節約を図ることができる。また、
本発明によれば洗浄処理に最も適した処理液の流量分布
を容易に得ることができ、半導体ウェーハを均一に洗浄
することが可能になる。
【図１】Ａ 本発明の実施例の分散板を示す平面図であ
る。Ｂ 同実施例の概略構成図である。
る。Ｂ 同実施例の概略構成図である。
【図２】同実施例における処理液の流量分布の例を示す
説明図である。
説明図である。
【図３】本発明の他の実施例の分散板を示す平面図であ
る。
る。
【図４】従来例の概略構成図である。
【図５】従来例の分散板の平面図である。
【図６】従来例における処理液の流量分布を示す説明図
である。
である。
１ 処理槽 ２ 処理液 ４ 半導体ウェーハ ５ 供給口 ７ 分散板 ８，８ａ，８ｂ，８ｃ 孔
フロントページの続き (72)発明者 稲垣 靖史 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 処理槽内に供給された処理液を該処理槽
内に形成した複数の開口部から噴出させることにより半
導体ウェーハを洗浄処理する半導体ウェーハ洗浄装置に
おいて、 上記複数の開口部のうち上記半導体ウェーハ近傍の開口
部を他の開口部より大きく形成するとともに、該開口部
を他の開口部より密に配してなることを特徴とする半導
体ウェーハ洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4065296A JPH05267262A (ja) | 1992-03-23 | 1992-03-23 | 半導体ウェーハ洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4065296A JPH05267262A (ja) | 1992-03-23 | 1992-03-23 | 半導体ウェーハ洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05267262A true JPH05267262A (ja) | 1993-10-15 |
Family
ID=13282821
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4065296A Pending JPH05267262A (ja) | 1992-03-23 | 1992-03-23 | 半導体ウェーハ洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05267262A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5921257A (en) * | 1996-04-24 | 1999-07-13 | Steag Microtech Gmbh | Device for treating substrates in a fluid container |
| KR20010070779A (ko) * | 2001-06-07 | 2001-07-27 | 박용석 | 엘씨디기판 세정용 장방형 노즐장치 |
| KR101257482B1 (ko) * | 2011-10-05 | 2013-04-24 | 주식회사 싸이노스 | 반도체 제조공정에 사용하는 샤워헤드의 세정장치 |
-
1992
- 1992-03-23 JP JP4065296A patent/JPH05267262A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5921257A (en) * | 1996-04-24 | 1999-07-13 | Steag Microtech Gmbh | Device for treating substrates in a fluid container |
| DE19655219C2 (de) * | 1996-04-24 | 2003-11-06 | Steag Micro Tech Gmbh | Vorrichtung zum Behandeln von Substraten in einem Fluid-Behälter |
| KR20010070779A (ko) * | 2001-06-07 | 2001-07-27 | 박용석 | 엘씨디기판 세정용 장방형 노즐장치 |
| KR101257482B1 (ko) * | 2011-10-05 | 2013-04-24 | 주식회사 싸이노스 | 반도체 제조공정에 사용하는 샤워헤드의 세정장치 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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