KR0178000B1 - 웨이퍼의 세정 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 웨이퍼의 세정 장치에 관한 것으로서, 세착조 내에 정류판을 개재하여 상기 세척조의 하단 공급부를 통하여 공급되는 세정액을 상기 정류판을 거쳐 캐리어에 적재된 다수의 웨이퍼를 세척할 수 있도록 오버 플로우시키는 웨이퍼의 세정 장치에 있어서, 상기 정류판은 소정의 크기와 간격을 갖는 다수의 통공을 구비하되, 공급되는 세정액의 유동 방향이 방사상을 이룰 수 있도록 절곡 형성되는 것을 특징으로하여, 정류판의 형상을 변형함으로써 종래와 같은 웨이퍼의 가장자리부의 세척불량을 해소할 수 있어서 세정 효과를 더욱 극대화할 수 있다.

Description

웨이퍼의 세정 장치
제1도는 종래의 실시예에 따른 웨이퍼의 세정 장치를 개략적으로 나타낸 단면도.
제2도는 제1도의 정류판의 형상을 나타낸 사시도.
제3도는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼의 세정 장치를 개략적으로 나타낸 단면도.
제4도는 제3도의 정류판의 형상을 나타낸 사시도.
제5도는 본 발명의 다른 실시예에 따른 웨이퍼의 세정 장치를 개략적으로 나타낸 단면도,
제6도는 제5도의 정류판의 형상을 나타낸 사시도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10, 100 : 정류판 12, 120 : 통공
14, 140 : 지지대 20 : 세척조
22 : 순수 공급부 30 : 캐리어
40 : 웨이퍼
본 발명은 웨이퍼와 세정 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 순수를 오버 플로우(Over Flow) 방식으로 공급하여 웨이퍼를 세정할 경우 순수의 공급 가이드 역할을 하는 정류판(Punching Plate)의 형상을 변경함으로써 웨이퍼의 세정을 보다 더 원활하게 할 수 있는 웨이퍼의 세정 장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 제조 공정에서는 웨이퍼 상에 예를 들어 미립자를 포함한 금속 불순물, 유기 오염 물질, 표면 피막 등을 제거하기 위하여 습식 세정 공정을 수행한다.
이러한 습식 세정 공정이 수행된 후 웨이퍼를 건조하기 전에 웨이퍼상에 묻어 있던 세정 약액을 완전히 제거하기 위하여 수세 공정을 거쳐야 한다.
이 때 수세 방식은 통상 QDR(Quick Dumped Rinse) 방식으로 1차 세정후 오버 플로우(Over Flow) 방식으로 2 차 세정을 행하게 된다.
여기서, QDR(Quick Dumped Rinse) 수세 방식은 세척조의 상부에서 내부로 순수를 샤워식으로 연속 공급하여 웨이퍼를 세정하는 방식이고, 오버플로우(Over Flow) 수세 방식은 세척조 하단부에서 상단부로 순수를 지속적으로 공급하여 순수를 세척조 외부로 넘치게 하여 웨이퍼를 세정하는 방식이다.
제1도는 종래의 실시예에 따른 웨이퍼의 세정 장치를 개략적으로 나타낸 단면도이고, 제2도는 제1도의 정류판의 형상을 나타낸 사시도이다.
제1도에서, 종래의 웨이퍼 세정 장치는 세척조(2) 하단부의 순수 공급부(2a)와 웨이퍼(4)를 다수 적재하는 캐리어(Carrier)(3) 사이에 정류판(Punching Plate)(1)을 내장하고, 상기 순수 공급부(2a)를 통하여 세척조(2) 하부로부터 상부로 순수를 오버 플로우시켜 웨이퍼(4)를 세척한다. 도면중 화살표는 공급되는 순수의 유동 방향을 나타낸다.
한편, 제2도에서 나타낸 바와 같은 정류판(Punching Plate)(1)은 평면판 형상으로서, 일정한 크기와 간격을 갖는 다수의 통공(la)을 구비하고 또한, 상기 정류판(1)의 하단에는 지지대(1)를 구비하고 있다.
상기 정류판(1)은 통공(la)을 통하여 순수를 오버 플로우시키되, 일정한유량 및 유속을 유지하게하는 가이드 역할을 한다
그러나, 종래와 세정 장치는 평판형의 정류판(1)을 채용함에 따라 순수가 상기 정류판(1)의 통공(la)을 거쳐 웨이퍼(4)로 공급될 때, 순수의 유동 방향이 일정하게 동일 방향을 유지하므로 캐리어(3)와의 마찰에 의하여 국부적인 유속의 저하를 초래하고, 특히 캐리어 (3)와 접촉되는 웨이퍼(4)의 가장자리부는 중앙부에 비하여 상대적으로 수세가 불완전하게 진행되는 문제가 발생한다.
따라서, 본 발명은 상술한 문제점을 해소하기 위하여 창출된 것으로서, 본 발명의 목적은 정류판의 형상을 변형시켜 순수의 공급 방향를 방사상으로 되도록 하여 웨이퍼의 전면을 고르게 세척할 수 있는 웨이퍼의 세정 장치를 제공하는 데 있다.
이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 웨이퍼의 세정 장치는, 세척조 내에 정류판을 개재하여 상기 세척조의 하단 공급부를 통하여 공급되는 세정액을 상기 정류판을 거쳐 캐리어에 적재된 다수의 웨이퍼를 세척할 수 있도록 오버 플로우시키는 웨이퍼의 세정 장치에 있어서, 상기 정류판은 소정의 크기와 간격을 갖는 다수의 통공을 구비하되, 공급되는 세정액의 유동 방향이 방사상을 이를 수 있도록 절곡 형성되는 것을 특징으로 한다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면에 의하여 더욱 상세히 설명한다.
제3도는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼의 세정 장치를 개략적으로 나타낸 단면도이고, 제4도는 제3도의 정류판의 형상을 나타낸 사시도이다.
상기 도면에서, 본 발명의 웨이퍼 세정 장치는 세척조(20) 하단부에 형성된 순수 공급부(22)와 웨이퍼(40)를 다수 적재하는 캐리어(Carrier)(30) 사이에 정류판(Punching Plate)(10)을 내장하되, 상기 정류판(10)은 중앙부가 상향 절곡되어 있고 소정의 크기와 간격을 갖는 다수의 통공(12)이 형성된다.
여기서 상기 통공(12)들 중에서 중앙의 절곡부와 평면부에 형성된 통공(12)들의 크기 및 간격을 서로 다르게하면 순수의 유동 방향,유속 기타 유량을 효과적으로 제어할 수 있어서 바람직하다.
그리고 상기 정류판(10)의 저면에는 세척조(20) 내에 삽입 개재되어 공급되는 세정액이 모일 수 있는 공간을 형성하도록 지지대(14)가 돌출 구비 된다
이와 같이 구성된 본 발명의 장치는 세척조(20) 하단의 순수 공급부(22)를 통하여 순수가 공급되고, 특히 정류판(10)의 통공(12)을 거쳐 방사상으로 퍼져나가며 캐리어 (30) 내로 공급된다.
이렇게 세척조(20)의 하부로부터 상부로 순수를 오버 플로우시켜 웨이퍼(4)의 중앙 뿐만 아니라 가장자리 까지도 골고루 세척한다. 도면 중 화살표는 공급되는 순수의 유동 방향을 나타낸다.
한편, 제5도 및 제6도의 다른 실시예에서와 같이, 정류판(100)이 그 증앙을 중심으로 좌우로 다단 절곡되어 통공(120)들의 배치 각도가 서로 다르게 되면 웨이퍼(40)의 중앙에서 방사상으로 퍼겨나가며 세척되므로 웨이퍼의 가장자리를 충분히 세척할 수 있어서 바람직하다.
물론, 전술한 실시예에서는 순수를 사용한 세정액을 공급하는 수세공정에 적용되는 것을 설명하였으나, 반드시 이에 한정되지는 않고 화학약품을 사용하는 약액 세정에도 당연히 적용될 수 있다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따른 웨이퍼 세정 장치에 의하면 정류판의 형상을 변형함으로써 종래와 같은 웨이퍼의 가장자리부의 세척 불량을 해소할 수 있어서 세정 효과를 더욱 극대화할 수 있다.

Claims (6)

  1. 세척조 내에 정류판을 개재하여 상기 세척조의 하단 공급부를 통하여 공급되는 세정액을 상기 정류판을 거쳐 캐리어에 적재된 다수의 웨이퍼를 세척할 수 있도록 오버 플로우시키는 웨이퍼의 세정 장치에 있어서 상기 정류판은 소정의 크기와 간격을 갖는 다수의 통공을 구비하되, 공급되는 세정액의 유동 방향이 웨이퍼 중앙으로부터 방사상을 이룰 수 있도록 절곡 형성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 세정 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 정류판은 그 중앙이 상향 절곡되어 통공의 배치각이 서로 다르게 형성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 세정 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 정류판은 그 중앙을 중심으로 좌우로 다단 절곡되어 통공의 배치각이 서로 다르게 형성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 세정 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 정류판은 세정액의 유동 방향, 유속 기타 유량을 제어할 수 있도록 통공의 크기 및 간격을 서로 다르게 배열 구비하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 세정 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 세정액은 순수인 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 세정 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 세정액은 화학 용액인 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 세정 장치.
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