KR100640527B1

KR100640527B1 - 반도체 웨이퍼 세정장치

Info

Publication number: KR100640527B1
Application number: KR1020050132512A
Authority: KR
Inventors: 이주현
Original assignee: 동부일렉트로닉스 주식회사
Priority date: 2005-12-28
Filing date: 2005-12-28
Publication date: 2006-11-01

Abstract

본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 세정장치는, 웨이퍼 가이드에 의하여 가이드된 웨이퍼가 담궈지는 세정배스; 상기 세정배스 내에 관 형상으로 형성되어 세정을 위한 약액을 공급하며, 상기 관의 길이 방향을 따라 복수 개의 관통홀이 형성된 약액 공급관; 상기 웨이퍼 가이드와 상기 약액 공급관 사이에 위치되며, 상기 약액 공급관의 관통홀을 통하여 공급되는 약액을 흐름방향을 제어하는 가이드 플레이트; 를 포함한다.

또한 본 발명에 의하면, 상기 약액 공급관은 상기 세정배스의 하부 모서리에 위치된다.

또한 본 발명에 의하면, 상기 가이드 플레이트는 상기 약액 공급관으로부터 공급되는 약액이 상기 웨이퍼가 위치된 방향으로 분사되는 것을 방지하고, 상기 공급되는 약액이 상기 세정배스의 상부 및 하부로 순환되도록 한다.

또한 본 발명에 의하면, 상기 가이드 플레이트 하단에는 길이 방향을 따라 복수 개의 관통부가 형성되어 있으며, 상기 복수 개의 관통부는 상기 약액 공급부의 관통홀이 형성되지 않은 영역에 대응되어 위치된다.

이와 같은 본 발명에 의하면, 습식 세정 방식에 있어서 세정배스 내의 웨이퍼 세정을 위한 약액의 농도를 균일하게 형성할 수 있는 장점이 있다.

Description

반도체 웨이퍼 세정장치{Semiconductor wafer cleaning apparatus}

도 1은 종래 반도체 웨이퍼 세정장치의 구성을 개략적으로 나타낸 도면.

도 2는 종래 반도체 웨이퍼 세정장치에 웨이퍼가 인입된 상태를 나타낸 도면.

도 3은 종래 반도체 웨이퍼 세정장치에 구비되는 약액 공급관의 형상을 나타낸 도면.

도 4는 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 세정장치의 구성을 개략적으로 나타낸 도면.

도 5는 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 세정장치에 웨이퍼가 인입된 상태를 나타낸 도면.

도 6은 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 세정장치에 구비되는 약액 공급관과 가이드 플레이트의 형상을 나타낸 도면.

도 7은 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 세정장치에 있어 공급되는 약액의 흐름을 나타낸 도면.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

110, 410... 세정배스 120, 420... 약액 공급관

121, 421... 관통홀 130, 430... 웨이퍼 가이드

140, 440... 웨이퍼 450... 가이드 플레이트

451... 관통부

본 발명은 반도체 웨이퍼 세정장치에 관한 것이다.

반도체 제조 공정에 있어서, 제조공정 중 또는 제조공정 간에 발생하는 오염물의 제거 여부가 점차 중요해지고 있다. 이러한 오염물의 제거를 위해 후 처리(post-treatment) 공정이나 후 애싱(post-ashing) 공정으로서 웨이퍼의 세정 공정이 진행된다.

상기 웨이퍼의 세정 공정은 크게 화학 증기를 이용한 건식 세정방식과, 화학 약액을 이용한 습식 세정방식으로 구분된다. 특히 습식 세정방식은 높은 생산성과 경제성의 장점 때문에 널리 이용되고 있다.

또한, 반도체 기술이 발달되면서 소자의 크기는 계속하여 작아지고 있다. 또한, 이에 따라서 습식 세정 공정에서 요구되는 사항도 지속적으로 엄격해지고 있다. 특히, 300mm 대형 웨이퍼를 사용하게 되면서 웨이퍼 내 또는 웨이퍼 간의 균일도(uniformity)는 더욱더 중요한 관리사항이 되고 있다.

도 1은 종래 반도체 웨이퍼 세정장치의 구성을 개략적으로 나타낸 도면이고, 도 2는 종래 반도체 웨이퍼 세정장치에 웨이퍼가 인입된 상태를 나타낸 도면이고, 도 3은 종래 반도체 웨이퍼 세정장치에 구비되는 약액 공급관의 형상을 나타낸 도 면이다.

종래 반도체 웨이퍼 세정장치는, 도 1 내지 도 3에 나타낸 바와 같이, 세정배스(110), 약액 공급관(120)을 포함하여 구성된다. 상기 세정배스(110)에는 웨이퍼 가이드(130)에 의하여 가이드된 웨이퍼(140)가 담궈지게 된다. 상기 세정배스(110)에는 상기 약액 공급관(120)을 통하여 약액이 공급된다. 이에 따라, 상기 웨이퍼(140)는 약액에 의하여 세정처리가 수행되게 되는 것이다.

한편, 상기 약액 공급관(120)에는 복수 개의 관통홀(121)이 길이 방향을 따라 형성되어 있다. 상기 약액 공급관(120)을 통하여 공급되는 약액은 상기 관통홀(121)을 통하여 상기 세정배스(110)로 분사되게 된다. 상기 관통홀(121)을 통하여 분사되는 약액이 상기 웨이퍼(140) 방향으로 직접 분사될 수 있는 구조로 되어 있다. 이에 따라, 상기 세정배스(110) 내의 약액 분포가 균일하지 않게 될 수 있으며, 또한 상기 웨이퍼(140) 내 또는 상기 웨이퍼(140) 간의 약액 농도가 균일하게 형성되지 않게 된다.

따라서, 습식 세정 방식에 있어서 웨이퍼 세정을 위한 약액의 농도를 균일하게 형성할 수 있는 방안에 대한 연구가 진행되고 있다.

본 발명은 습식 세정 방식에 있어서 웨이퍼 세정을 위한 약액의 농도를 균일하게 형성할 수 있는 반도체 웨이퍼 세정장치를 제공함에 그 목적이 있다.

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 세정장치는, 웨 이퍼 가이드에 의하여 가이드된 웨이퍼가 담궈지는 세정배스; 상기 세정배스 내에 관 형상으로 형성되어 세정을 위한 약액을 공급하며, 상기 관의 길이 방향을 따라 복수 개의 관통홀이 형성된 약액 공급관; 상기 웨이퍼 가이드와 상기 약액 공급관 사이에 위치되며, 상기 약액 공급관의 관통홀을 통하여 공급되는 약액을 흐름방향을 제어하는 가이드 플레이트; 를 포함한다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시 예를 상세히 설명한다.

도 4는 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 세정장치의 구성을 개략적으로 나타낸 도면이고, 도 5는 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 세정장치에 웨이퍼가 인입된 상태를 나타낸 도면이고, 도 6은 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 세정장치에 구비되는 약액 공급관과 가이드 플레이트의 형상을 나타낸 도면이다.

본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 세정장치는, 도 4 내지 도 6에 나타낸 바와 같이, 세정배스(410), 약액 공급관(420), 가이드 플레이트(450)을 포함한다.

상기 세정배스(410)에는 웨이퍼 가이드(430)에 의하여 가이드된 웨이퍼(440)가 담궈지게 된다. 상기 웨이퍼 가이드(430)는 복수 개의 웨이퍼가 안착될 수 있도록 구성되며, 하나의 예로서 쿼츠(quartz) 재질로 형성될 수 있다.

상기 약액 공급관(420)은 상기 세정배스(410) 내에 관 형상으로 형성되어 세정을 위한 약액을 공급한다. 또한 상기 약액 공급관(420)에는 관의 길이 방향을 따라 복수 개의 관통홀(421)이 형성되어 있다. 상기 약액 공급관(420)은 상기 세정배스(410)의 하부 모서리에 위치된다.

상기 약액 공급관(420)을 통하여 공급되는 약액은 상기 관통홀(421)을 통하여 상기 세정배스(410)로 분사되게 된다. 이에 따라, 상기 웨이퍼(440)는 약액에 의하여 세정처리가 수행되게 되는 것이다.

상기 가이드 플레이트(450)는 상기 웨이퍼 가이드(430)와 상기 약액 공급관(420) 사이에 위치되며, 상기 약액 공급관(420)의 관통홀(421)을 통하여 공급되는 약액을 흐름방향을 제어한다. 상기 가이드 플레이트(450)는 적절한 곡률을 갖도록 형성시킴으로써, 상기 약액 공급관(420)으로부터 분사되는 약액을 상기 세정배스(410)의 상부 방향 및 하부 방향으로 원활하게 순환시킬 수 있게 된다. 이에 따라 상기 세정배스(410) 내의 약액 농도를 전체적으로 균일하게 형성시킬 수 있게 된다. 또한, 상기 웨이퍼 가이드(430)에 의하여 가이드된 웨이퍼(440) 각각은 균일한 농도를 갖는 약액에 의하여 세정 처리될 수 있게 된다.

상기 가이드 플레이트(450) 하단에는 길이 방향을 따라 복수 개의 관통부(451)가 형성되어 있으며, 상기 복수 개의 관통부(451)는 상기 약액 공급부(420)의 관통홀(421)이 형성되지 않은 영역에 대응되어 위치된다. 즉, 상기 약액 공급관(420)에 형성된 관통홀(421)과 상기 가이드 플레이트(450)에 형성된 관통부(451)의 위치는 서로 일치하지 않고, 서로 엇갈리도록 형성된다. 이에 따라, 상기 약액 공급관(420)의 관통홀(421)을 통하여 분사되는 약액이 상기 관통부(451)를 통하여 직접 분사되는 것을 방지할 수 있게 된다.

상기 가이드 플레이트(450)는, 도 7에 나타낸 바와 같이, 상기 약액 공급관(420)으로부터 공급되는 약액이 상기 웨이퍼(440)가 위치된 방향으로 분사되는 것을 방지하고, 상기 공급되는 약액이 상기 세정배스(410)의 상부 및 하부로 순환되도록 한다. 도 7은 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 세정장치에 있어 공급되는 약액의 흐름을 나타낸 도면이다.

본 발명에 의하면, 약액을 공급하는 상기 약액 공급관(420)과 세정될 웨이퍼(440)를 가이드하는 웨이퍼 가이드(430) 사이에 상기 가이드 플레이트(450)가 위치하게 된다. 이에 따라, 상기 약액 공급관(420)으로부터 공급되는 약액이 상기 웨이퍼(440)가 있는 방향으로 직접 분사되는 것을 방지할 수 있게 된다.

즉, 상기 가이드 플레이트(450)에 의하여 상기 약액 공급관(420)의 관통홀(421)로부터 분사되는 약액은 상기 세정배스(410)의 상부 방향 및 하부 방향으로 그 흐름이 제어된다. 또한, 상기 가이드 플레이트(450)에 의하여 가려진 부분의 약액 농도가 다른 곳에 비하여 낮아지는 것을 방지하기 위하여 상기 가이드 플레이트 (450)의 하단에는 복수 개의 관통부(451)가 형성되어 있다.

상기 가이드 플레이트(450)의 하단에 형성된 관통부(541)는 상기 약액 공급관(420)으로부터 제공되는 약액을 간접적으로 일부 통과시킬 수 있게 된다. 이에 따라, 상기 가이드 플레이트(450)에 의하여 가려진 부분에 있는 웨이퍼(440)에도 적절한 약액이 공급될 수 있게 된다.

이와 같은 본 발명에 의하면, 습식 세정 방식에 있어서 세정배스 내의 웨이퍼 세정을 위한 약액 농도의 분포를 균일하게 형성할 수 있게 된다. 이에 따라, 상기 웨이퍼 가이드(430)에 의하여 가이드된 웨이퍼(440) 각각은 균일한 농도를 갖는 약액에 의하여 세정 처리될 수 있게 된다.

이상의 설명에서와 같이 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 세정장치에 의하면, 습식 세정 방식에 있어서 세정배스 내의 웨이퍼 세정을 위한 약액의 분포를 균일하게 형성할 수 있는 장점이 있다.

Claims

웨이퍼 가이드에 의하여 가이드된 웨이퍼가 담궈지는 세정배스;

상기 세정배스 내에 관 형상으로 형성되어 세정을 위한 약액을 공급하며, 상기 관의 길이 방향을 따라 복수 개의 관통홀이 형성된 약액 공급관;

상기 웨이퍼 가이드와 상기 약액 공급관 사이에 위치되며, 상기 약액 공급관의 관통홀을 통하여 공급되는 약액을 흐름방향을 제어하는 가이드 플레이트;

를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정장치.
제 1항에 있어서,

상기 약액 공급관은 상기 세정배스의 하부 모서리에 위치된 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정장치.
제 1항에 있어서,

상기 가이드 플레이트는 상기 약액 공급관으로부터 공급되는 약액이 상기 웨이퍼가 위치된 방향으로 분사되는 것을 방지하고, 상기 공급되는 약액이 상기 세정배스의 상부 및 하부로 순환되도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정장치.
제 1항에 있어서,

상기 가이드 플레이트 하단에는 길이 방향을 따라 복수 개의 관통부가 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정장치.
제 4항에 있어서,

상기 복수 개의 관통부는 상기 약액 공급부의 관통홀이 형성되지 않은 영역에 대응되어 위치된 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정장치.