KR200198422Y1 - 반도체 웨이퍼 식각장치 - Google Patents

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Abstract

본 고안은 반도체 웨이퍼 식각장치에 관한 것으로, 종래 반도체 웨이퍼 식각장치는 탈이온수 공급라인을 베스의 상부 측은 내부 측면에 설치하여 탈이온수를 베스의 내부에 공급함으로써 인산과 균일한 혼합이 되지 못하여 식각의 균일도가 저하되는 문제점이 있었다.
본 고안은 베스(20)의 내부에 탈이온수를 공급하는 탈이온수 공급라인(24)을 베스(20)의 내측 하부까지 연장형성하여, 공정진행 중에 탈이온수를 베스(20)의 내부에 균일하게 공급함으로써 인산과 균일하게 혼합되어 식각의 균일도가 향상되는 효과가 있다.

Description

반도체 웨이퍼 식각장치
제1도는 종래 반도체 웨이퍼 식각장치의 일예를 보인 개략구성도.
제2도는 종래 반도체 웨이퍼 식각장치의 다른예를 보인 개략구성도.
제3도는 본 고안 반도체 웨이퍼 식각장치의 구성을 개략적으로 보인 것으로,
제3(a)도는 종단면도.
제3(b)도는 펑면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
20 : 베스 21,22 : 히터
23 : 카세트 받침대 24 : 탈이온수 공급라인
24a : 분사홀
본 고안은 반도체 웨이퍼 식각장치에 관한 것으로, 특히 탈이온수 공급라인을 베스(BATH)의 내측 하부까지 연장형성하여 탈이온수를 균일하게 공급함으로써 식각의 균일도를 향상시키는데 적합한 반도체 웨이퍼 식각장치에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼 제조공정 중 질화막의 제거시에는 고온(160℃∼170℃)의 인산(H3PO4)을 이용하여 식각한다. 이와 같이 인산(H3PO4)이 고온인 상태에서 작업하기 때문에 인산내의 H2O가 증발하여 H3PO4와 H2O의 비율이 달라져 공정의 중요 요소인 식각율(ETCH RATE)이 달라지는 것이다. 이를 보완하기 위하여 탈이온수 공급라인을 설치하여 탈이온수를 베스의 내부로 개속 공급하여 주는 것이다.
상기와 같은 일반적인 종래의 반도체 웨이퍼 식각장치를 제1도와 제2도에 각각 도시하었는 바, 이를 간단히 설명하면 다음과 같다.
제1도는 종래의 반도체 웨이퍼 식각장치의 일예를 보인 개략구성도로써, 도시된 바와 같이, 베스(1)의 벽체 내부에 히터(2)가 설치되어 있고, 상기 베스(1)의 상부 일측에 탈이온수 공급라인(3)이 설치되어 있다.
이와 같이 구성되어 있는 종래의 반도체 웨이퍼 식각장치는 베스(1)의 내부에 웨이퍼를 장착하고, 인산을 웨이퍼가 잠기도록 공급한 후, 히터(3)에 전원을 공급하여 고온에서 식각작업을 진행하는 것이다. 그리고 소정시간이 경과하면 인산중에 포함되어 있는 H2O가 증발된것을 보충하기 위하여 탈이온수 공급라인(3)으로 탈이온수를 계속 공급하는 것이다.
다음은 제2도를 참고하여 종래 반도체 웨이퍼 식각장치의 다른예를 간단히 설명하면 다음과 같다.
도시된 바와 같이, 베스(10)의 내측 하부에 히터(11)가 설치되어 있고, 그 히터(11)의 상부에 카세트 받침대(12)가 설치되어 있으며, 상기 베스(10)의 내측 가장자리에 탈이온수 공급라인(13)이 설치되어 있다.
상기와 같이 구성되어 있는 종래 반도체 웨이퍼 식각장치의 동작은 전자에 설명한 제1도의 일예와 동일하다. 다만 탈이온수 공급라인(13)이 베스(10)의 내부 가장자리에 설치되어 측면에서 탈이온수가 공급되는 사항만 상이 하므로 상세한 설명은 생락한다.
즉, 종래의 반도체 웨이퍼 식각장치는 탈이온수가 베스(1)(10)의 상부나 내부 측면에서 공급되는 것이다.
그러나, 상기와 같은 종래의 반도체 웨이퍼 식각장치는 베스(1)(10)의 상부 혹은 내부 측면에서 탈이온수가 공급되도록 구성되어 있어서, 베스(1)(10)의 내부에 수납되어 있는 인산과 전체적으로 균일하게 혼합되지 못하므로 그로 인하여 식각의 균일도가 저하되는 문제점이 있었다.
상기와 같은 문제점을 감안하여 안출한 본 고안의 목적은 베스의 내부에 탈이온수를 균일하게 공급하여 웨이퍼의 식각 균일도를 향상시키는데 적합한 반도체 웨이퍼 식각장치를 제공함에 있다.
상기와 같은 본 고안의 목적을 달성하기 위하여 인산이 수납되는 베스와, 상기 인산을 가열하기 위한 히터와, 상기 베스의 내부에 웨이퍼를 적재하기 위한 카세트 받침대와, 상기 베스의 내부에 탈이온수를 공급하기 위한 탈이온수 공급라인으로 구성되어 있는 반도체 웨이퍼 식각장치에 있어서, 상기 탈이온수 공급라인을 상기 베스의 내측 하부까지 연장형성 한 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 식각장치가 제공된다.
이하, 상기와 같이 구성되어 있는 본 고안 반도체 웨이퍼 식각장치를 첨부된 도면을 참고하여 보다 상세히 설명하면 다음과 갈다.
제3도는 본 고안 반도체 웨이퍼 식각장치의 구성을 개략적으로 보인 것으로, 제3(a)도는 종단면도이고, 제3(b)도는 평면도이다.
도시된 바와 같이, 본 고안의 반도체 웨이퍼 식각장치는 인산이 수납되는 베스(20)와, 상기 인산을 가열하기 위한 히터(21)(22)와, 상기 베스(20)의 내부에 웨이퍼를 적재하기 위한 카세트 받침대(23)와, 상기 베스(20)의 내부에 탈이온수를 공급하기 위한 탈이온수 공급라인(24)으로 구성되어 있는 것은 종래와 동일하다.
여기서, 본 고안은 상기 탈이온수 공급라인(24)을 상기 베스(20)의 내측 하부까지 연장형성 하여 탈이온수가 베스(20)의 내부에 수납되어 있는 인산에 균일하게 공급될 수 있도록 구성한 것을 특징으로 한다.
그리고, 상기 탈이온수 공급라인(24)에는 공급되는 탈이온수를 분사하기 위한 다수개의 분사홀(24a)이 설치되어 있으며, 상기의 실시례에서는 베스(20)의 내부에도 히터(22)가 설치된 것을 예로 설명하였으나, 이는 설치하지 않아도 무방하다.
또한, 상기 탈이온수 공급라인(24)의 형태는 본 실시례에서는 “ㄷ”자 형태를 예로들어 설명하였으나 반드시 이에 국한되는 것은 아니며 탈이 온수를 균일하게 분사할 수 있는 구조라면 어떤구조라도 가능한 것이다.
상기와 같이 구성되어 있는 본 고안의 반도체 웨이퍼 식각장치를 이용하여 웨이퍼를 식각하는 동작을 설명하면 다음과 같다.
먼저, 베스(20)의 내부에 설치되어 있는 카세트 받침대(23)에 식각하고자하는 웨이퍼를 적재한다. 그런 다음 웨이퍼가 잠기도록 베스(20)의 내부에 인산을 공급한다.
상기와 같이 인산이 공급되어 웨이퍼가 잠기면 전원이 인가되고 히터(22)(23)가 가열되어 온도가 약 160℃∼170℃ 상태에서 베스(20)의 내부에 수납되어 있는 인산에 의해 웨이퍼의 식각이 진행된다.
이와 같이 식각이 진행되는 동안은 인산(H3PO4) 중의 H2O가 증발되기때문어 베스((20)의 내측 하부까지 하부까지 연장형성한 탈이온수 공급라인(24)을 통하여 베스(20)의 내부에 탈이온수를 균일하게 계속 공급한다.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이 본 고안 반도체 웨이퍼 식각장치는 베스에 탈이온수를 공급하는 탈이온수 공급라인을 베스의 내측 하부까지 연장형성하여 공정진행 중에 탈이온수를 베스의 내부에 균일하게 분사함으로서 인산과 균일하게 혼합되어 식각의 균일도를 향상시키는 효과가 있다.

Claims (2)

  1. 인산이 수납되는 베스와, 상기 인산을 가열하기 위한 히터와, 상기 베스의 내부에 웨이퍼를 적재하기 위한 카세트 받침대와, 상기 베스의 내부에 탈이온수를 공급하기 위한 탈이온수 공급라인으로 구성되어 있는 반도체 웨이퍼 식각장치에 있어서, 상기 탈이온수 공급라인을 상기 베스의 내측 하부까지 연장형성 한 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 식각장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 탈이온수 공급라인에는 다수개의 분사홀이 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 식각장치.
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