KR20050026794A - 습식 세정 장치 - Google Patents

습식 세정 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20050026794A
KR20050026794A KR1020030062943A KR20030062943A KR20050026794A KR 20050026794 A KR20050026794 A KR 20050026794A KR 1020030062943 A KR1020030062943 A KR 1020030062943A KR 20030062943 A KR20030062943 A KR 20030062943A KR 20050026794 A KR20050026794 A KR 20050026794A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
chemical liquid
cleaning tank
wafer
supply pipe
control means
Prior art date
Application number
KR1020030062943A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100560544B1 (ko
Inventor
조중근
구교욱
이성봉
Original Assignee
한국디엔에스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국디엔에스 주식회사 filed Critical 한국디엔에스 주식회사
Priority to KR1020030062943A priority Critical patent/KR100560544B1/ko
Publication of KR20050026794A publication Critical patent/KR20050026794A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100560544B1 publication Critical patent/KR100560544B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 균일한 세정 처리를 구현할 수 있는 습식 세정 장치를 개시한다. 개시된 본 발명은 웨이퍼를 수용하는 세정조; 상기 세정조 바닥면을 향해, 그리고 상기 바닥면과 평행을 이루도록 약액을 분출하는 복수개의 약액 배출공이 형성되어 있는 테이퍼 형상의 약액 공급관; 및 상기 약액 공급관으로부터 분출되는 약액의 유속을 제어하는 약액 유속 제어 수단을 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 세정조 내에서의 약액 유속 분포를 균일하게 유도할 수 있으므로 웨이퍼에 대한 균일한 세정 처리를 구현할 수 있으며, 또한 세정조 내에서의 와류를 억제할 수 있으므로 이물질의 제거 효율을 향상시킬 수가 있게 된다.

Description

습식 세정 장치{WET CLEANER}
본 발명은 습식 세정 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 균일한 세정 처리를 구현할 수 있는 습식 세정 장치에 관한 것이다.
반도체 소자를 제조하는 경우 웨이퍼 표면에의 감광막 도포와 식각 공정 등을 수회 진행하는 것이 일반적이다. 그런데, 감광막 도포와 식각 공정시 이물질로 인해 웨이퍼의 표면은 오염될 수 있다. 따라서, 오염원인 이물질을 제거하기 위해 웨이퍼에 대해 세정 처리를 진행하는 것은 필수적이라 할 수 있다. 이러한 세정 처리는 약액이 담겨진 세정조에 웨이퍼를 넣어 이물질을 제거하는 방식이 널리 쓰이고 있다. 이러한 세정 처리는 주지된 바와 같이 세정조 및 약액 공급관 등을 포함하는 일련의 장치를 구비한 습식 세정 장치에 의해 행하여지고 있다.
습식 세정 장치를 이용한 웨이퍼 세정 처리에 있어서, 웨이퍼 표면상의 이물질에 대한 에칭 속도는 약액의 종류 및 조성비율에 따라 다소 차이가 있지만 대개는 세정조 내의 약액의 유속 분포와 밀접한 관계가 있다. 일례로, 웨이퍼 하부에서 상부로 약액을 직접 분사하는 경우 약액 분사 노즐과 가까운 웨이퍼 하부 가장자리는 여타의 다른 부분에 비해 에칭 속도가 높은 경향이 있다. 따라서, 웨이퍼에 대한 세정 처리에 있어서 특히 웨이퍼 표면 전체에 대하여 약액의 동일한 유속을 유지하는 기술이 필요하다. 예를 들어, 세정조의 바닥면 좌우측에 설치된 약액 공급관으로 세정조의 바닥면을 향해 약액이 분출되도록 하여 웨이퍼의 하부, 중앙부 및 상부의 순으로 약액의 유로를 형성하는 것이 균일한 세정 처리를 구현하는데 적합하다고 할 수 있을 것이다.
도 1은 종래 기술에 따른 습식 세정 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 1을 참조하여, 종래 기술에 따른 습식 세정 장치에 있어서, 세정조(1)에는 약액(2)으로 채워져 있고, 웨이퍼(3)는 복수개의 웨이퍼 지지 로드(7)에 의해 지지된다. 세정조(1) 내의 바닥면 부근에는 약액 공급관(4)이 배치되어 복수개의 약액 분출공(5)을 통해 세정조(1) 내로 약액(2)을 분출한다. 분출된 약액(2)의 흐름에 의해 웨이퍼(3)는 세정 처리된다.
도 2는 종래 기술에 따른 습식 세정 장치에 있어서 세정조 내에서의 약액의 흐름을 도시한 단면도이다.
도 2를 참조하여, 약액 공급관(4)으로부터 분출된 약액(2)은 웨이퍼(3)의 중앙부에서 서로 충돌하여 좌우로 나뉜다. 좌우로 나뉜 약액의 일부는 세정조(1) 외부로 흘러넘침과 동시에 나머지는 세정조(1) 내측면을 따라 아래로 흘러 세정조(1) 내를 순환하면서 결국에는 세정조(1) 외부로 흘러나간다.
그런데, 좌우의 약액 공급관(4) 사이에는 약액의 분출류에 의해 아래 방향으로 회전이 생겨 완만하게 순환하는 체류와(2a)가 생긴다. 이 영역에 직접 공급되는 약액(2)은 많지 않으므로 체류와(2a)는 체류역(A)으로 된다. 체류역(A)에는 약액의 새로운 공급이 거의 일어나지 않는다. 따라서, 웨이퍼(3)의 세정 처리시 발생한 이물질이 체류역(A)에 섞여 들어가게 되고, 이물질이 체류역(A)에 계속 머물게 된다. 체류역(A)에 머룰러 있는 이물질이 웨이퍼(3) 표면에 재부착하여 웨이퍼의 세정 처리 정도 내지는 세정 처리의 균일성을 열화시키는 요인이 된다.
또한, 약액 공급관(4)으로부터 분출되는 약액(2)의 양은 약액 공급관(4) 사이에서 때때로 다를 수가 있다. 이러한 차이가 커지게 되면 또 다른 체류역이 형성되어 상술한 바와 같은 문제점이 발생하게 된다. 결국, 웨이퍼 전면에 걸친 균일한 세정 처리를 구현할 수 없게 되는 문제점이 있다. 이에 더하여, 웨이퍼가 점점 대구경화되어가는 추세에 따라 이미 언급한 바와 같은 웨이퍼 세정 처리의 균일성 문제는 더욱 심화되어 가고 있다.
이에 본 발명은 상기한 종래 기술상의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 웨이퍼 전면에 걸친 균일한 세정 처리를 구현할 수 있는 습식 세정 장치를 제공함에 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 습식 세정 장치는, 세정조 바닥면으로 약액을 분출하는 약액 공급관 전면에 약액 유속 제어 수단을 구비하여 균일한 세정 처리를 구현하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따른 습식 세정 장치는, 웨이퍼를 수용하는 세정조; 상기 세정조 바닥면을 향해, 그리고 상기 바닥면과 평행을 이루도록 약액을 분출하는 복수개의 약액 배출공이 형성되어 있는 테이퍼 형상의 약액 공급관; 및 상기 약액 공급관으로부터 분출되는 약액의 유속을 제어하는 약액 유속 제어 수단을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 약액 공급관은 상기 세정조 바닥면 양측의 가장자리부에 각각 1개씩 적어도 2개가 평행하게 배치되어 있는 것을 특징으로 한다.
상기 약액 분출공은 상기 약액 공급관의 길이 방향으로 등간격으로 일렬 배열되어 있는 것을 특징으로 한다.
상기 약액 분출공은 원형인 것을 특징으로 한다.
상기 약액 유속 제어 수단은 상기 약액 배출공으로부터 분출되는 약액이 통과되도록 일정한 거리로 평행하게 이격되어 있는 적어도 한쌍의 로드인 것을 특징으로 한다.
상기 적어도 한쌍의 로드는 상기 약액 공급관과 평행한 것을 특징으로 한다.
상기 약액 배출공으로부터 분출되는 약액의 흐름이 상기 세정조의 상방으로 변환되도록 상기 세정조 바닥면 중앙부에 약액 유동 방향 제어 수단이 더 포함되어 있는 것을 특징으로 한다.
상기 세정조는 상기 바닥면 중앙부로부터 돌출된 돌출부를 더 포함하며, 상기 돌출부는 상기 약액 유동 방향 제어 수단으로 이용되는 것을 특징으로 한다.
상기 세정조는 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 지지 부재를 더 포함하며, 상기 부재의 일부는 상기 약액 유동 방향 제어 수단으로 이용되는 것을 특징으로 한다.
상기 세정조의 바닥면은 중앙부로 갈수록 그 깊이가 점진적으로 커지는 계곡 형상인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일실시예에 따른 습식 세정 장치는, 웨이퍼를 수용하는 세정조; 상기 세정조 바닥면 양측의 가장자리부에 각각 1개씩 평행하게 배치되고, 상기 세정조 바닥면을 향해, 그리고 상기 바닥면과 평행을 이루도록 약액을 분출하는 복수개의 약액 배출공이 각각 형성되어 있는 적어도 2개의 테이퍼 형상의 약액 공급관; 및 상기 약액 공급관과 평행하고, 상기 약액 배출공으로부터 분출되는 약액이 통과되도록 일정한 거리로 평행하게 이격되어 있는 적어도 한쌍의 로드 형태를 갖는 약액 유속 제어 수단을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 약액 분출공은 상기 약액 공급관의 길이 방향으로 등간격으로 일렬 배열되어 있는 것을 특징으로 한다.
상기 약액 분출공은 원형인 것을 특징으로 한다.
상기 약액 배출공으로부터 분출되는 약액의 흐름이 상기 세정조의 상방으로 변환되도록 상기 세정조 바닥면 중앙부에 약액 유동 방향 제어 수단을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 세정조는 상기 바닥면 중앙부로부터 돌출된 돌출부를 더 포함하며, 상기 돌출부는 상기 약액 유동 방향 제어 수단으로 이용되는 것을 특징으로 한다.
상기 세정조는 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 지지 부재를 더 포함하며, 상기 부재의 일부는 상기 약액 유동 방향 제어 수단으로 이용되는 것을 특징으로 한다.
상기 세정조의 바닥면은 중앙부로 갈수록 그 깊이가 점진적으로 커지는 계곡 형상인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 습식 세정 장치에 의하면, 세정조 내에서의 약액 유속 분포를 균일하게 유도할 수 있으므로 웨이퍼에 대한 균일한 세정 처리를 구현할 수 있다. 이에 수반하여, 세정조 내에서의 와류를 억제할 수 있으므로 이물질의 제거 효율을 향상시킬 수도 있다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 습식 세정 장치를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
본 발명은 여기서 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구현될 수 있다. 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상과 특징이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다. 도면에 있어서, 각각의 장치는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 과장적으로 그리고 개략적으로 도시된 것이다. 또한, 각각의 장치에는 본 명세서에서 자세히 설명되지 아니한 각종의 다양한 부가 장치가 구비되어 있을 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 도면부호는 동일한 구성요소를 나타낸다.
도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 습식 세정 장치를 도시한 단면도이고, 도 4는 본 발명의 제1실시예에 따른 습식 세정 장치에 있어서 약액 공급관을 도시한 사시도이고, 도 5는 본 발명의 제1실시예에 따른 습식 세정 장치에 있어서 약액 공급관과 약액 유속 제어 수단을 도시한 사시도이다.
도 6은 본 발명의 제1실시예에 따른 습식 세정 장치에 있어서 약액 유속 제어 수단의 작용을 설명하기 위한 것이고, 도 7은 본 발명의 제1실시예에 따른 습식 세정 장치에 있어서 약액의 흐름을 도시한 단면도이다.
도 8은 본 발명의 제2실시예에 따른 습식 세정 장치를 도시한 단면도이고, 도 9는 본 발명의 제2실시예에 따른 습식 세정 장치에 있어서 약액의 흐름을 도시한 단면도이다.
도 10은 본 발명의 제3실시예에 따른 습식 세정 장치를 도시한 단면도이고, 도 11은 본 발명의 제3실시예에 따른 습식 세정 장치에 있어서 약액의 흐름을 도시한 단면도이다.
(제1실시예)
도 3을 참조하여, 본 발명의 제1실시예에 따른 습식 세정 장치는, 세정 처리되어야 할 적어도 1매 이상의 웨이퍼(100)를 수용하는 세정조(200)와, 세정조(200) 바닥면을 향해 그리고 세정조(200)의 바닥면과 평행을 이루도록 약액을 분출(실선 화살표로 표시)하는 약액 공급관(300)과, 약액 공급관(300)으로부터 분출되는 약액의 유속을 제어하는 약액 유속 제어 수단(400)을 포함하여 구성된다.
세정조(200)는 수용되는 웨이퍼(300)의 직경보다 넓은 폭을 가지며, 그 바닥면은 중앙부로 갈수록 그 깊이가 커지는 계곡 형상을 하고 있다. 웨이퍼(300)는 세정조(200) 내로 수용될 수 있도록 웨이퍼(300) 가장자리에 삽입되어 웨이퍼(300)를 지지하는 웨이퍼 지지 로드(700)에 의해 지지된다.
세정조(200)의 측면은 테이퍼가 없는 수직면을 이룰 수 있고, 또는 본 실시예와 같이 아래로 갈수록 그 폭이 점진적으로 좁아지는 테이퍼 형상을 지닐 수도 있다. 세정조(200)의 구체적인 구조는 상기한 형상 이외의 임의의 형상을 가질 수 있다. 그리고, 세정조(200) 내부는 약액(500)으로 채워져서 약액의 흐름으로 수용된 웨이퍼(100)에 대해서 세정 처리가 된다.
세정조(200) 외부에는 외부조(210)가 설비되어 있어서 세정조(200)의 상부 가장자리부에서 흘러 넘쳐오는 약액(500)을 받아 폐액 배출관(220)을 통해 외부로 배출된다. 외부조(210) 및 폐액 배출관(220)의 구체적인 구조와 설치 위치는 본 실시예와 상이할 수 있고, 외부로 배출되는 약액은 소정의 정화 장치에 의해 다시 세정조(200) 내로 공급될 수 있다.
약액 공급관(300)은 세정조(200) 내에서 도 3의 지면에 수직한 방향으로 적어도 2개가 서로 평행하게 배치된다. 구체적으로, 세정조(200)의 바닥면 양측의 가장자리에 각각 1개씩 배치되어 있다. 약액 공급관(300)은 세정조(200)의 외부에 설치되어 있고 단지 약액 배출공(310)이 형성되어 있는 일부분만이 세정조(200) 내부에 있을 수 있다. 그러나, 약액 공급관(300)의 설비 위치는 에 한정되지 아니한다. 예를 들어, 약액 공급관(300)은 세정조(200) 내부에 설비되어 있을 수 있다.
도 4를 참조하여, 약액 공급관(300)은 길이 방향(X 방향)으로 경사를 이루는 테이퍼(taper) 형상, 예를 들어 약액을 약액 공급관(300)으로 공급하는 주 약액 공급관(320)과 연결되는 시점의 단면이 그 반대인 종점의 단면보다 큰 형태인 것이 바람직하다. 본 실시예의 약액 공급관(300)은 테이퍼 형상을 지니고 있으나, 테이퍼 형상이 아닌 긴 원통형이어도 좋다. 그러나, 긴 원통형 구조보다는 본 실시예와 같이 테이퍼 형상인 것이 세정 처리의 균일성 향상에 더 이롭다는 것에 주목되어야 할 것이다. 이것에 대해서는 다음과 같이 설명될 수 있다.
만일, 약액 공급관(300)의 단면적이 길이 방향 전체에 걸쳐 일정하면 유체의 직진성으로 인해 약액은 약액 공급관(300)의 끝부분까지 도달하기 쉬어지고, 약액의 질량 유량은 X 방향으로 갈수록 커지게 된다. 따라서, 약액 공급관(300)으로부터 분출되어 나오는 약액의 질량유량은 약액 분출공(310)의 위치에 따라 상이하게 된다.
그러나, 약액 공급관(300)이 앞서 설명한 바와 같이 테이퍼 형상으로 이루어지게 되면 약액 공급관(300)의 입구부로부터 그 반대쪽으로 멀어질수록, 즉 X 방향으로 갈수록 유로 저항이 커지게 된다. 따라서, 약액 공급관(300)의 단면적 감소율을 적절하게 조절하면 각각의 약액 배출공(310)들로부터 배출되는 약액의 질량유량을 균등하게 조절할 수 있게 된다. 여기서, 약액 배출공(310)은 약액 공급관(300)의 길이 방향으로 복수개가 일렬로 배열되어 있다. 그리고, 약액 배출공(310)은 등간격으로 배치되며 그 형태는 원형일 수 있다.
도 5를 참조하여, 약액 유속 제어 수단(400)은 약액 배출공(310)으로부터 분출되는 약액의 유동 속도를 제어하는 것으로 적어도 한쌍의 로드(rod) 형태일 수 있다. 약액 유속 제어 수단으로서의 한쌍의 로드(400)는 약액 공급관(300)과 평행하게 배치된다. 따라서, 한쌍의 로드(400)는 도 3의 지면과 수직하는 방향으로 배치된다. 여기서, 한쌍의 로드(400)를 구성하는 각각의 로드(400a,400b)는 약액 배출공(310)으로부터 분출되는 약액이 통과되도록 서로 일정한 거리로 평행하게 이격되어 있다.
도 6을 참조하여, 약액 배출공으로부터 배출되어 나온 약액의 유속 분포(ⓐ)에 비해 한쌍의 로드(400)의 이격된 공간을 통과하여 나온 약액의 유속 분포(ⓑ)는 더욱 균형을 이루게 된다. 따라서, 테이퍼 형상의 약액 공급관으로부터 배출된 약액의 유속 분포(ⓐ)는 어는 정도 균형화를 이루고, 여기에 더하여 한쌍의 로드(400) 사이를 통과하면서 약액은 더욱 더 균형화를 이룬 유속 분포(ⓑ)를 보이게 된다. 한편, 로드(400)를 통과한 후의 약액 유속 분포(ⓑ)의 면적은 로드(400)에 의한 운동량 손실 때문에 로드(400)를 통과하기 전의 약액 유속 분포(ⓐ) 면적에 비해 조금 작을 것이다.
도 7을 참조하여, 약액 공급관(300)의 약액 분출공(310)을 경유하여 분출된 약액은 한쌍의 로드(400) 사이를 거쳐 보다 균일한 유속 분포를 보이며 흐른다. 이때, 약액은 세정조(200)의 바닥면을 향해, 그리고 바닥면과 평행하게 흘러서 세정조(200)의 바닥면 중앙부에서 서로 만나게 된다. 이렇게 세정조(200) 바닥면 중앙부에서 만난 약액은 웨이퍼(100) 중심부로 향하고 그런다음 웨이퍼(100) 중심부를 기준으로 좌우 대칭으로 세정조(200)의 상부 가장자리와 측면을 향해 흐른다. 세정조(200)의 양측면으로 흐른 약액은 그 측면을 따라 내려오면서 약액 공급관(300)으로부터 분출된 새로운 약액과 합류하여 상술한 약액의 흐름을 반복한다. 세정조(200) 내에서 약액이 순환하는 동안 약액 일부는 세정조(200) 상부 가장자리를 통해 세정조(200) 외부로 결국 흘러나가게 된다.
결과적으로, 세정조(200) 내에서는 체류역이 생기지 아니하므로 체류역에 머물러 있던 이물질이 웨이퍼(100)에 다시 부착할 가능성이 없게 된다. 또한, 약액의 유속 분포는 한쌍의 로드(400) 사이를 통과하면서 더욱 균형화됨으로써 약액의 유속 분포 상이함에 따른 웨이퍼(100)의 세정 처리 불균일성이 억제된다. 특히, 웨이퍼(100)의 하부와 상부의 세정 처리 정도가 거의 차이가 없게 된다. 그리고, 웨이퍼(100)의 중심부를 기준으로 좌우 대칭으로 약액이 균등 분배되어 흐르므로 웨이퍼(100) 전면에 걸쳐 균일한 세정 처리가 보장된다.
(제2실시예)
도 8은 본 발명의 제2실시예에 따른 습식 세정 장치를 나타내는 단면도이다. 도 8를 참조하여, 제1실시예와는 다른 제2실시예의 주요 차이점은 세정조(200) 바닥면 중앙부에 돌출부(700)가 더 형성되어 있다는 것이다. 이 이외에 제2실시예는 제1실시예와 동일하므로 상술한 차이점만을 설명하기로 한다. 그리고, 동일부호는 동일구성요소를 지시한다. 제2실시예에 있어서, 돌출부(700)는 약액 유동 방향을 원하는데로 유도하기 위한 수단이다.
그러므로, 도 9에 도시된 바와 같이, 약액은 세정조(200)의 바닥면을 향해, 그리고 바닥면과 평행하게 흘러서 세정조(200)의 바닥면 중앙부에 있는 돌출부(700)에 부딪히게 된다. 이렇게 돌출부(700)와 부딪힌 약액은 웨이퍼(100) 중심부로 향하고 그런다음 웨이퍼(100) 중심부를 기준으로 좌우 대칭으로 세정조(200)의 상부 가장자리와 측면을 향해 흐른다. 세정조(200)의 양측면으로 흐른 약액은 그 측면을 따라 내려오면서 약액 공급관(300)으로부터 분출된 새로운 약액과 합류하여 세정조(200) 바닥면과 평행하게 흐르고 상술한 약액의 흐름을 반복한다. 세정조(200) 내에서 약액이 순환하는 동안 약액 일부는 세정조(200) 상부 가장자리를 통해 세정조(200) 외부로 결국 흘러나가게 된다.
결과적으로, 세정조(200) 내에서는 체류역이 생기지 아니하므로 체류역에 머물러 있던 이물질이 웨이퍼(100)에 다시 부착할 가능성이 없게 된다. 또한, 약액의 유속 분포는 한쌍의 로드(400) 사이를 통과하면서 더욱 균형화됨으로써 약액의 유속 분포 상이함에 따른 웨이퍼(100)의 세정 처리 불균일성이 억제된다. 특히, 웨이퍼(100)의 하부와 상부의 세정 처리 정도가 거의 차이가 없게 된다. 그리고, 웨이퍼(100)의 중심부를 기준으로 좌우 대칭으로 약액이 균등 분배되어 흐르므로 웨이퍼(100) 전면에 걸쳐 균일한 세정 처리가 보장된다.
(제3실시예)
도 10은 본 발명의 제3실시예에 따른 습식 세정 장치를 나타내는 단면도이다. 도 10을 참조하여, 제1실시예와는 다른 제3실시예의 주요 차이점은 웨이퍼 지지 로드(800) 구성요소의 일부(800a)가 약액 유동 방향을 원하는데로 유도하기 위한 수단으로 기능한다는 것이다. 이 이외에 제3실시예는 제1실시예와 동일하므로 상술한 차이점만을 설명하기로 한다. 그리고, 동일부호는 동일구성요소를 지시한다.
제3실시예에 있어서, 웨이퍼 지지 로드(800)는 웨이퍼(100)의 좌우 측면을 각각 지지하는 웨이퍼 지지 로드 부재(800a,800b)와 웨이퍼(100)의 최하단부를 지지하는 웨이퍼 지지 로드 부재(800c)를 포함하여 구성된다. 웨이퍼 지지 로드(800) 중 웨이퍼(100)의 최하단부를 지지하는 웨이퍼 지지 로드 부재(800a)는 약액 유동 방향을 원하는데로 유도하기 위한 수단으로서 세정조(200) 바닥면에 거의 근접한다.
그러므로, 도 11에 도시된 바와 같이, 약액은 세정조(200)의 바닥면을 향해, 그리고 바닥면과 평행하게 흘러서 세정조(200)의 바닥면에 거의 근접하는 웨이퍼 지지 로드 부재(800a)에 부딪히게 된다. 이렇게 웨이퍼 지지 로드 부재(800a)와 부딪힌 약액은 웨이퍼(100) 중심부로 향하고 그런다음 웨이퍼(100) 중심부를 기준으로 좌우 대칭으로 세정조(200)의 상부 가장자리와 측면을 향해 흐른다. 세정조(200)의 양측면으로 흐른 약액은 그 측면을 따라 내려오면서 약액 공급관(300)으로부터 분출된 새로운 약액과 합류하여 세정조(200) 바닥면과 평행하게 흐르고 상술한 약액의 흐름을 반복한다. 세정조(200) 내에서 약액이 순환하는 동안 약액 일부는 세정조(200) 상부 가장자리를 통해 세정조(200) 외부로 결국 흘러나가게 된다.
결과적으로, 세정조(200) 내에서는 체류역이 생기지 아니하므로 체류역에 머물러 있던 이물질이 웨이퍼(100)에 다시 부착할 가능성이 없게 된다. 또한, 약액의 유속 분포는 한쌍의 로드(400) 사이를 통과하면서 더욱 균형화됨으로써 약액의 유속 분포 상이함에 따른 웨이퍼(100)의 세정 처리 불균일성이 억제된다. 특히, 웨이퍼(100)의 하부와 상부의 세정 처리 정도가 거의 차이가 없게 된다. 그리고, 웨이퍼(100)의 중심부를 기준으로 좌우 대칭으로 약액이 균등 분배되어 흐르므로 웨이퍼(100) 전면에 걸쳐 균일한 세정 처리가 보장된다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것에 불과하며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 그리고, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예들은 본 발명을 실시하는데 있어 최선의 상태를 설명하기 위한 것이며, 본 발명과 같은 다른 발명을 이용하는데 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 습식 세정 장치에 의하면, 세정조 내에서의 약액 유속 분포를 균일하게 유도할 수 있으므로 웨이퍼에 대한 균일한 세정 처리를 구현할 수 있는 효과가 있다. 이에 수반하여, 세정조 내에서의 와류를 억제할 수 있으므로 이물질의 제거 효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 습식 세정 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2는 종래 기술에 따른 습식 세정 장치에 있어서 약액의 흐름을 도시한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 습식 세정 장치를 도시한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 제1실시예에 따른 습식 세정 장치에 있어서 약액 공급관을 도시한 사시도이다.
도 5는 본 발명의 제1실시예에 따른 습식 세정 장치에 있어서 약액 공급관과 약액 유속 제어 수단을 도시한 사시도이다.
도 6은 본 발명의 제1실시예에 따른 습식 세정 장치에 있어서 약액 유속 제어 수단의 작용을 설명하기 위한 것이다.
도 7은 본 발명의 제1실시예에 따른 습식 세정 장치에 있어서 약액의 흐름을 도시한 단면도이다.
도 8은 본 발명의 제2실시예에 따른 습식 세정 장치를 도시한 단면도이다.
도 9는 본 발명의 제2실시예에 따른 습식 세정 장치에 있어서 약액의 흐름을 도시한 단면도이다.
도 10은 본 발명의 제3실시예에 따른 습식 세정 장치를 도시한 단면도이다.
도 11은 본 발명의 제3실시예에 따른 습식 세정 장치에 있어서 약액의 흐름을 도시한 단면도이다.
< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 >
100; 웨이퍼 200; 세정조
210; 외부조 220; 폐액 배출관
300; 약액 공급관 310; 약액 배출공
400; 약액 유속 제어 수단 500; 약액
600,800; 웨이퍼 지지 로드 700; 돌출부

Claims (17)

  1. 웨이퍼를 수용하는 세정조;
    상기 세정조 바닥면을 향해, 그리고 상기 바닥면과 평행을 이루도록 약액을 분출하는 복수개의 약액 배출공이 형성되어 있는 테이퍼 형상의 약액 공급관; 및
    상기 약액 공급관으로부터 분출되는 약액의 유속을 제어하는 약액 유속 제어 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 습식 세정 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 약액 공급관은 상기 세정조 바닥면 양측의 가장자리부에 각각 1개씩 적어도 2개가 평행하게 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 습식 세정 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 약액 분출공은 상기 약액 공급관의 길이 방향으로 등간격으로 일렬 배열되어 있는 것을 특징으로 하는 습식 세정 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 약액 분출공은 원형인 것을 특징으로 하는 습식 세정 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 약액 유속 제어 수단은 상기 약액 배출공으로부터 분출되는 약액이 통과되도록 일정한 거리로 평행하게 이격되어 있는 적어도 한쌍의 로드인 것을 특징으로 하는 습식 제어 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 적어도 한쌍의 로드는 상기 약액 공급관과 평행한 것을 특징으로 하는 습식 세정 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 약액 배출공으로부터 분출되는 약액의 흐름이 상기 세정조의 상방으로 변환되도록 상기 세정조 바닥면 중앙부에 약액 유동 방향 제어 수단이 더 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 습식 세정 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 세정조는 상기 바닥면 중앙부로부터 돌출된 돌출부를 더 포함하며, 상기 돌출부는 상기 약액 유동 방향 제어 수단으로 이용되는 것을 특징으로 하는 습식 세정 장치.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 세정조는 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 지지 부재를 더 포함하며, 상기 부재의 일부는 상기 약액 유동 방향 제어 수단으로 이용되는 것을 특징으로 하는 습식 세정 장치.
  10. 제7항 또는 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 세정조의 바닥면은 중앙부로 갈수록 그 깊이가 점진적으로 커지는 계곡 형상인 것을 특징으로 하는 습식 세정 장치.
  11. 웨이퍼를 수용하는 세정조;
    상기 세정조 바닥면 양측의 가장자리부에 각각 1개씩 평행하게 배치되고, 상기 세정조 바닥면을 향해, 그리고 상기 바닥면과 평행을 이루도록 약액을 분출하는 복수개의 약액 배출공이 각각 형성되어 있는 적어도 2개의 테이퍼 형상의 약액 공급관; 및
    상기 약액 공급관과 평행하고, 상기 약액 배출공으로부터 분출되는 약액이 통과되도록 일정한 거리로 평행하게 이격되어 있는 적어도 한쌍의 로드 형태를 갖는 약액 유속 제어 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 습식 세정 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 약액 분출공은 상기 약액 공급관의 길이 방향으로 등간격으로 일렬 배열되어 있는 것을 특징으로 하는 습식 세정 장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 약액 분출공은 원형인 것을 특징으로 하는 습식 세정 장치.
  14. 제11항에 있어서,
    상기 약액 배출공으로부터 분출되는 약액의 흐름이 상기 세정조의 상방으로 변환되도록 상기 세정조 바닥면 중앙부에 약액 유동 방향 제어 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 습식 세정 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 세정조는 상기 바닥면 중앙부로부터 돌출된 돌출부를 더 포함하며, 상기 돌출부는 상기 약액 유동 방향 제어 수단으로 이용되는 것을 특징으로 하는 습식 세정 장치.
  16. 제14항에 있어서,
    상기 세정조는 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 지지 부재를 더 포함하며, 상기 부재의 일부는 상기 약액 유동 방향 제어 수단으로 이용되는 것을 특징으로 하는 습식 세정 장치.
  17. 제14항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 세정조의 바닥면은 중앙부로 갈수록 그 깊이가 점진적으로 커지는 계곡 형상인 것을 특징으로 하는 습식 세정 장치.
KR1020030062943A 2003-09-09 2003-09-09 습식 세정 장치 KR100560544B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030062943A KR100560544B1 (ko) 2003-09-09 2003-09-09 습식 세정 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030062943A KR100560544B1 (ko) 2003-09-09 2003-09-09 습식 세정 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20050026794A true KR20050026794A (ko) 2005-03-16
KR100560544B1 KR100560544B1 (ko) 2006-03-15

Family

ID=37384443

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020030062943A KR100560544B1 (ko) 2003-09-09 2003-09-09 습식 세정 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100560544B1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100640527B1 (ko) * 2005-12-28 2006-11-01 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 웨이퍼 세정장치
CN110473818A (zh) * 2019-09-25 2019-11-19 广东先导先进材料股份有限公司 一种晶片自动腐蚀喷淋设备

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100640527B1 (ko) * 2005-12-28 2006-11-01 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 웨이퍼 세정장치
CN110473818A (zh) * 2019-09-25 2019-11-19 广东先导先进材料股份有限公司 一种晶片自动腐蚀喷淋设备

Also Published As

Publication number Publication date
KR100560544B1 (ko) 2006-03-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5540247A (en) Immersion-type apparatus for processing substrates
KR100316823B1 (ko) 유체용기내의기판처리장치
US4753258A (en) Treatment basin for semiconductor material
TWI411476B (zh) 微氣泡產生裝置及矽晶圓清潔設備
JP2001054772A (ja) 洗浄トレイシステム
JP2013139037A (ja) 連続フローピンウォッシャ
KR100560544B1 (ko) 습식 세정 장치
JP2007275723A (ja) 洗浄装置及び洗浄方法
CN109622482B (zh) 生化分析仪的探针清洗槽、生化分析仪及探针清洗方法
JP2001102351A (ja) 超清浄液体を備えた濯ぎ洗いタンク
KR102149695B1 (ko) 반도체 부품용 세정장치
US20070181160A1 (en) Supporter and apparatus for cleaning substrates with the supporter, and method for cleaning substrates
JPH05166793A (ja) 浸漬型基板処理装置
US10615059B2 (en) Substrate processing device
JP2007050405A (ja) 汚染物質捕集器、汚染物質捕集方法、空気管理システム並びに除去器
KR100558924B1 (ko) 습식 세정 장치
JP4916382B2 (ja) 基板処理方法及び基板処理装置
KR100737754B1 (ko) 습식 세정 장치 및 이를 이용한 기판 세정 방법
JP7135157B2 (ja) 水処理システム及び散気装置の配置方法
CN219616252U (zh) 一种晶圆清洗溢流槽及晶圆清洗设备
JP5271060B2 (ja) 基板処理方法及び基板処理装置
KR102506818B1 (ko) 수조 내부에 설치되는 유체 순환유닛
KR102769538B1 (ko) 기판 처리 장치
JPH10242105A (ja) ウェット処理装置
JP2001291693A (ja) 半導体製造装置における洗浄装置の洗浄管構造

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20030909

PA0201 Request for examination
PG1501 Laying open of application
E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20050826

Patent event code: PE09021S01D

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20060223

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20060307

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20060308

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20090129

Start annual number: 4

End annual number: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20100226

Start annual number: 5

End annual number: 5

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20110303

Start annual number: 6

End annual number: 6

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20120305

Start annual number: 7

End annual number: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130305

Year of fee payment: 8

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20130305

Start annual number: 8

End annual number: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140307

Year of fee payment: 9

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20140307

Start annual number: 9

End annual number: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee
PC1903 Unpaid annual fee

Termination category: Default of registration fee

Termination date: 20160209