KR100316823B1 - 유체용기내의기판처리장치 - Google Patents

유체용기내의기판처리장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100316823B1
KR100316823B1 KR1019980708443A KR19980708443A KR100316823B1 KR 100316823 B1 KR100316823 B1 KR 100316823B1 KR 1019980708443 A KR1019980708443 A KR 1019980708443A KR 19980708443 A KR19980708443 A KR 19980708443A KR 100316823 B1 KR100316823 B1 KR 100316823B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
fluid
fluid container
container
nozzles
nozzle
Prior art date
Application number
KR1019980708443A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20000010575A (ko
Inventor
마르틴 베버
욘 오시노브
Original Assignee
핑큼
스티그 마이크로테크 게엠베하
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from DE1996116402 external-priority patent/DE19616402C2/de
Application filed by 핑큼, 스티그 마이크로테크 게엠베하 filed Critical 핑큼
Publication of KR20000010575A publication Critical patent/KR20000010575A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100316823B1 publication Critical patent/KR100316823B1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041Cleaning
    • H01L21/02043Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052Wet cleaning only
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J19/00Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J19/26Nozzle-type reactors, i.e. the distribution of the initial reactants within the reactor is effected by their introduction or injection through nozzles
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/10Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
    • B08B3/102Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration with means for agitating the liquid
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67057Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/00049Controlling or regulating processes
    • B01J2219/00051Controlling the temperature
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S134/00Cleaning and liquid contact with solids
    • Y10S134/902Semiconductor wafer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
  • Nozzles (AREA)

Abstract

유체 용기(1)내의 기판을 처리하기 위한 장치에서, 높은 유속을 가진 유체의 빠른 유입에도 불구하고, 유체의 유입용 다수의 노즐(7)을 가진 노즐 시스템으로 특히 균일하고 층상 흐름거동을 전체 용기 영역에 거쳐서 일어나게 한다.

Description

유체 용기내의 기판처리 장치{DEVICE FOR TREATING SUBSTRATES IN A FLUID CONTAINER}
이런 종류의 장치는 예를 들어 미국 특허 제 5,275,184 호로부터 또는 본 출원인 소유의 독일 특허출원 제 44 10 077 호로부터 알려져 있으며, 여기서 유체는 입구 개구, 즉 확산기를 통해서 유체 용기로 유입되어 상단부에 있는 배수로를 통해서 밖으로 흐른다. 유체 용기의 바닥에 있는 싱글 유입 개구를 사용하면, 단위시간당 유입 유체의 량 뿐만 아니라 유입 유체의 속도는 제한된다. 특히, 유체를 가진 유체 용기내에서 처리될 기판 또는 웨이퍼의 표면 또는 전체 기판 폭으로 균일하게 주변으로 순환하거나 공급할 수 있는, 유체 용기내에 균일한 흐름 상태를 얻을 수 없다. 확산기를 사용하면, 유체면을 보다 균일하게 가로질러 유체 용기내에 유입 유체를 분배하는 것이 가능하지만, 단위시간당 유입 유체의 량과 특히 유체의 유입 속도는 확산기가 사용되면 상당히 제한된다.
그러므로, 본 발명의 목적은 유체 용기내에 최적의 유체 상태를 허용하고 또한 큰 생산량, 즉 높은 유속을 허용하는 유체 용기내의 기판을 처리하기 위한 장치를 제공하는 것이다.
본 발명은 유체 용기내의 기판 처리를 위한 장치에 관한 것이다.
도 1은 본 발명의 한 실시예의 단면도.
도 2는 상부에서 유체 용기로 본 제 1 도의 평면도.
도 3은 도 1의 단면에 대해서 90도 회전한 단면도.
상기 목적은 유체를 유입하기 위한 다수의 노즐을 가진 노즐 시스템에 의해 해결된다. 유체 용기내에 바람직한 유체 상태를 얻어서 처리될 전체 기판 표면으로 유체를 균일하게 주변으로 순환시켜 처리하기 위해서, 다수의 노즐을 제공함으로서 바람직한 흐름 상태로 유체를 유입할 수 있다. 유체를 도입하기 위한 노즐을 사용함으로서, 유체 용기내에 단위시간당 높은 유입속도와 높은 생산 속도로 유체를 유입해서 흘려보낼 수 있고, 층상 흐름을 유지함으로서 최대로 높은 유속을 얻을 수 있다.
본 발명의 다른 양호한 실시예에 따라서, 적어도 약간의 노즐은 여러 스프레이 각도를 가진다. 노즐의 스프레이의 형상은 원추형상이거나 팬형상(fan-shaped)일 수 있으므로, 노즐의 개별 케이스와 위치의 요구조건에 따라서 유체의 유입을 유체 용기내의 균일, 층상 흐름에 대해서 최적화할 수 있어 유체로 기판의 균일한 처리를 할 수 있다.
노즐은 유체 용기의 바닥에 적합하게 배열되어 있고, 특히 양호한 실시예에 따라서, 용기의 바닥에 있는 매트릭스내에 분포되어 있다. 이 방법으로, 유체 용기의 전체면에 걸쳐서 균일한 분포의 유체 공급이 가능하고 특히, 에지 영역내의 최적의 흐름 상태를 제공할 수 있다.
노즐은 양호하게 용기의 여러 바닥 영역에 적합하게 배열되어 있는 노즐 그룹내에 조합될 수 있다. 양호하게, 한 노즐 그룹은 바닥의 중심 영역에 배열되어 있고, 추가로 각 그룹은 외부에 배열되어 있으므로 서, 개별 영역내의 노즐의 수와밀도는 다르게 선택될 수 있다. 양호하게, 개별 노즐 및/또는 노즐 그룹에는 개별 유체 공급 시스템을 제공할 수 있으므로 노즐로 여러 유압을 공급할 수 있다.
본 발명의 다른 양호한 실시예에 따라서, 유체 용기의 바닥아래에 있는 유체 공급 챔버는 노즐과 연통해서 제공되어 있다. 본 발명의 추가의 실시예에 따른 유체 공급 챔버는 적합하게 개별 노즐 및/또는 노즐 그룹에 대해 유체 칸막이로 나누어진다.
용기의 바닥아래의 유체 공급 챔버는 양호하게 2중 바닥사이의 중간 공간의 형태이다.
본 발명의 또 다른 양호한 실시예에 따라서, 노즐외에, 노즐을 플러시(flush)하기 위한 플러싱 개구가 양호하게 매트릭스내에 배열되고 노즐사이에 위치설정되어 있다. 이 방법으로, 또한 노즐과 사각(dead angles)사이의 중간 공간을 내뿜을 수 있다. 플러싱 개구는 양호하게 또한 노즐과 동일한 방법으로 아래에 위치설정된 유체 공급 챔버와 연통한다.
본 발명의 또 다른 양호한 실시예에 따라서, 유체 용기의 바닥은 적합하게 경사져 있으며, 상기 바닥은 중심, 즉 중심선 또는 유체 용기의 중심점을 향해 아래로 경사져 있다. 이 방법으로, 유체를 방출할 때, 유체 용기는 아랫방향으로 빨리 완전하게 비워질 수 있다.
유체를 빨리 제거하기 위해서, 폐쇄가능한 개구가 중심, 즉 중심선에서 유체 용기내에 제공되어 있다. 상기 유체 출구 개구는 큰 직경을 가진다. 정전 또는 다른 결함의 경우와, 종래 방법 단계와 연결하는 경우에, 이 방법으로 유체 용기내의기판을 처리 매개물, 예를 들어 에칭 물질로부터 신속하게 자유롭게 할 수 있다. 신속하게 제거된 유체를 수용하기 위해서, 유체 용기아래의 캐치용기(catch basin)를 제공하는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 추가의 실시예는 용기 바닥에 있는 노즐외에 또는 대신에 유체 용기의 측벽에 제공된 노즐로 구성되어 있으며, 그러므로 유체를 측면으로 또는 유체 용기의 측면으로의 유체 바닥의 전이 영역내에 유입할 수 있어, 흐름 상태를 개선하거나 생산량을 증가한다.
본 발명의 또 다른 양호한 실시예에 따라서, 노즐 및/또는 노즐 그룹에 여러 유체가 제공되어 있다. 여러 유체용 개별 노즐 및/또는 노즐 그룹은 또한 공급관과 펌프에 대해서 개별적이므로, 여러 유체, 예를 들어 여러 화학품이 여러 화학품과 상호관련 있는 노즐 및/또는 노즐 그룹을 통해서 유입된다. 이 방법으로, 유체 교환은 각 유체가 각 관련 노즐에만 공급되기 때문에 서로 혼합될 위험 없이 빨리 이루어질 수 있다.
본 발명의 또 다른 양호한 실시예에 따라서, 노즐을 통해 유입된 유체 외에, 추가의 유체, 예를 들어, 추가의 화학품, 가스, 오존, 물 등을 유체 용기에 유입할 수 있다. 특히, 화학품, 가스, 오존 및/또는 물의 추가의 유입에 대해서, 적어도 하나의 확산기가 유체 용기내에 제공되어 있다.
본 발명의 실시예는 스프레이 노즐이 유체 용기의 상부 영역에, 적합하게 측벽에 배열되는 경우에 아주 적합하며, 유체 용기를 청소하고/ 또는 동일한 유체 용기내에서 수행된 여러 방법 단계사이, 예를 들어 에칭공정, 청소공정 및 건조공정사이의 기판을 젖히거나, 습기를 유지하는 작용을 한다. 이 목적을 위해서, 에어러졸, 물 및 다른 화학 기체 등이 적합하게 스프레이되지만, 유체는 또한 아래로부터 유체 용기로 유입될 수 있다.
본 발명의 목적은 추가로 상술한 특징과 연결해서 뿐만 아니라 이로부터의 독립적으로 해결되어지며, 여기서 유체 용기는 기판을 고정하기 위한 3개의 고정영역을 포함하는 기판 수용장치를 가진다. 3개의 다른 위치에서 기판을 고정함으로서, 기판의 정해진 위치는 유체 용기내의 가이드를 요하지 않고 보장된다. 기판 수용장치는 양호하게 상승 및 하강가능하다. 양호하게, 적어도 하나의 고정영역은 기판의 에지부분을 수용하기 위한 스테이(stay)의 길이방향에 대해서 수직인 슬롯이 제공된 칼형상 스테이이다. 적합하게, 적어도 하나의 고정영역은 적어도 다른 하나의 고정영역에 대해서 수직으로 이동가능하다. 이들 특징에 대해서 반복을 피하기 위해서, 본 출원인 소유의 독일 특허 출원 제 196 15 108 호와 제 195 46 990 호를 참조해주기 바라며, 이들의 주내용은 본 출원의 일부분을 형성한다.
본 발명의 또 다른 양호한 실시예에 따라서, 기판 수용장치는 단지 하나의 고정영역, 예를 들어 칼형상 스테이의 형태를 가지므로서, 유체 용기의 적어도 하나의 측벽내에, 즉 내부면에 기판용 가이드가 제공되어 있다. 이 실시예는 기판 수용장치를 위한 유체 용기내에 필요한 공간이 전혀 필요 없거나 최소한의 공간만을 필요로 하므로, 용기 체적과 그러므로 화학품 체적은 작고, 화학품의 사용에 상당히 의존하는 처리 비용은 낮게 된다. 가이드는 적합하게 슬롯에 의해 형성되지만, 더욱 양호하게, 스테이, 핀 및/또는 노브에 의해 형성된다. 후자들은 슬롯에 비해서 더 쉽고 더 빠르게 청소할 수 있고 필요시 건조할 수 있기 때문에 양호하다. 유체 용기내의 유체 변경시 또는 교환시, 슬롯은 많은 유체를 함유할 것이고 그러므로 계속해서 유입된 유체를 오염시킬 수 있다.
본 발명의 또 다른 양호한 실시예에 따라서, 유체 용기의 측벽의 내부면에는 가이드 없는 영역이 제공되어 있다. 유체 용기내에 기판의 고정가이드와 유지의 방해 없이, 가이드 없는 내부면의 영역은 가이드 있는 내부면의 영역에 대해서 엇갈려 있다. 예를 들어, 내부면의 한 영역상에, 가이드가 제공되면, 한 측면상의 가이드가 기판을 고정하는데 충분하면 대향해서 배치된 내부면상의 가이드는 필요치 않는다. 가이드 없는 내부면의 영역에서는, 입구 개구, 스프레이 노즐, 확산기, UV광원 및/또는 메가사운드 발생 장치가 양호하게 제공되어 있다.
본 발명의 추가의 양호한 실시예는 유체 용기위에 위치될 수 있는 후드를 포함한다. 후드에는 적합하게 특히 마랑고니원리에 따른 건조 방법을 위해 유체를 유입하기 위한 적어도 하나의 유체 입구 개구가 제공되어 있다. 이들 실시예의 반복을 피하기 위해서, 본 출원인 소유의 독일 특허출원 제 44 13 077 호 뿐만 아니라 비공개된 출원 제 195 00 239 호, 제 196 15 108 호 및 1996년 4월 22일자 출원된 제 196 15 970.9호를 참조해주기 바라며, 이들의 주내용은 본 출원의 일부분을 형성한다.
유체 용기내의 유체를 가열 및/또는 냉각하기 위한 가열 및/또는 냉각 장치를 사용하는 것은 유체 온도를 선택된 최적값으로 조정할 수 있을 경우에 양호하다. UV광원의 사용도 양호하다. 이들은 유체 용기의 바닥 및/또는 측벽에 배열될수 있다.
본 발명의 또 다른 양호한 실시예는 기판 억제 장치, 예를 들어 기판의 상부에지상에 위치될 수 있는 고정 스테이의 형태를 포함한다. 반복설명을 피하기 위해서, 1996년 4월 22일자 출원된 제 196 15 970.9호를 참조해주기 바라며, 이들의 주내용은 본 출원의 일부분을 형성한다.
양호하게 메가사운드 변환기의 형태인 메가사운드 발생장치는 유체 용기와 일체로 되어 있다. 이 장치의 양호한 위치는 유체 용기의 바닥과 측벽에 의해 형성된 코너에 있으므로 서 방출방향은 적합하게 수평에 대해서 45도이다.
본 발명의 유체를 용기로 유입할 때 유체 용기가 빨리 채워질 수 있고 강한 노즐 효과를 가져오기 때문에, 특히 건조공정에 사용하기 적합한 후드상에 유체가 튀기지 못하게 유체 용기용 커버를 제공하는 것이 바람직하다.
본 발명은 적합하게 유체 또는 유체 혼합물이 수집되어 처리되는 유체 처리 장치에 연결되므로 유체들은 재사용가능하고 적합하게 유체 용기로 복귀된다.
양호하게, 개별 장치를 제공하여 배기가스로부터 알칼리 및 산성 기체를 제거할 수 있다.
처리 및 플러싱 단계에서 유체 용기내의 기판을 회전할 수 있는 것이 양호하다. 이 목적으로, 유체 용기내의 기판을 회전할 수 있는 장치를 제공하는 것이 바람직하다.
유체 혼합물 사용시 유체 용기로 이들을 유입하기 전에 유체를 미리 혼합하는 것이 바람직하다.
본 발명은 첨부도면을 참고로 아래에 설명되어질 것이다.
도면에서 알 수 있듯이, 본 발명의 유체 용기(1)는 바닥(2)과 측벽(3)을 포함한다. 양 측면(3)상에는 슬롯(4)이 제공되어 있어 기판 디스크(5)를 안내한다. 기판 디스크(5)는 기판 수용장치(6)상에 지탱되어 있고 도시하지 않은 구동력에 의해 수직방향으로 이동될 수 있고 유체 용기로부터 웨이퍼(5)를 하강 및 상승할 수 있다. 기판 수용장치(6)는 도시한 실시예에서 대향 배열된 측벽(3)내의 가이드 슬롯(4)사이의 거리와 일치하도록 이격된 슬롯 또는 노치를 가진 칼형상 스테이로 구성되어 있다.
도 1에 잘 도시되어 있는 바와 같이, 바닥(2)은 중심선을 중심으로 어느 측면으로부터도 내향으로 경사져 있으므로 유체 용기(1)를 비울 때 유체는 중심에서 하향으로 흐른다.
바닥(2)은 도 3에 잘 도시되어 있는 바와 같이, 매트릭스내에 배열되어 있는 다수의 노즐(7)을 포함한다. 노즐은 도 1에 도시한 바와 같이 여러 노즐 출구각도, 즉 스프레이 각도(8)를 가진다. 여러 스프레이 각도, 즉 여러 스프레이 형상에 의해, 우수한 균일한 층상 흐름은 전체 유체 용기 프로필에 거쳐서 일어나고 그러므로 기판(5)은 노즐(7)로부터 나온 유체에 의해 전체 폭에 대해 균일하게 장착된다.
도 1에 도시한 바와 같이, 바닥(2)아래에 유체 칸막이(12, 13, 14, 15)가 제공되고 폐쇄판(16)에 의해 하향으로 폐쇄된다. 유체는 각 유체 칸막이(12 내지 15)을 통해서 각 유체 칸막이에 연결된 노즐(7)에 안내된다.
노즐(7)사이에 있는 플러싱 개구(18)가 도 2에 도시한 바와 같이 바닥(2)내에 제공되어 있고 또한 유체 용기(1)의 바닥(2)에서 매트릭스내에 배열되어 있다. 플러싱 개구(18)는 노즐(7)사이의 바닥(2)의 영역과 동일한 높이이고 또한 유체를 공급하기 위해서 바닥(2)아래의 유체 공급 챔버와 연통한다.
도 1에 도시한 바와 같이, 바닥(2)의 중심에는 예를 들어, 정전이 일어나거나 또는 유체 용기내의 기판(5)이 유체 환경, 예를 들어 에칭 매개체로 급속히 개방되어야 할 때, 유체 용기(1)로부터 유체의 빠른 제거를 허용하기 위한 개구(19)가 제공되어 있다. 폐쇄체(20)의 개방시 유체는 유체 용기(1)의 아래에 위치설정된 도시하지 않은 캐치용기로 짧은 시간내에 비워진다.
기판 수용장치(6)는 바닥(2)내의 일부분에 있는 폐쇄체(20)위의 영역내에 위치설정되고 노즐 개구위로 상향방향으로 최소량으로만 연장한다. 그러므로, 유체 용기(1)내에 기판 수용장치용 추가의 공간은 최소량만 필요하므로 유체 용기(1)내의 유체 체적을 낮은 레벨로 유지할 수 있다.
측벽(3)의 상부영역에서 오버플루 개구(21)가 제공되어 있으며, 이것을 통해서 아래로부터 용기로 들어가는 유체를 밖으로 흘려보낼 수 있다.
본 발명은 양호한 실시예를 도움으로 설명되어 있다. 그러나 당업자라면 본 발명의 개념으로부터 벗어나지 않고 다른 변경 실시예를 실시할 수 있을 것이다. 예를 들면, 유체 용기(1)위에 후드를 제공하는 것이 가능하거나 또는 예를 들어 상부 영역에, 용기를 청소하거나 개별 방법단계와 처리 공정사이 기판(5)을 스프레이하기 위해 유체 용기(1)의 측벽에 노즐을 제공하는 것이 가능하다. 또한 메가사운드 변환기를 사용하면, 상술한 바와 같이, 유체 용기(1)내의 웨이퍼(5)를 회전하기 위한 장치 또는 UV광원이 가능하다.

Claims (40)

  1. 측벽(3)의 상부영역에 오버플루 개구(21)를 가지며 유체를 도입하기 위해 용기 바닥(2)내의 다수의 노즐(7)를 가진 노즐 시스템을 포함하는 유체 용기(1)내의 기판(5)를 처리하기 위한 장치에 있어서,
    상기 노즐(7)사이의 영역을 플러시하기 위해 용기 바닥(2)내의 노즐(7)사이에 플러싱 개구(18)가 제공되어 있는 것을 특징으로 하는 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 플러싱 개구(18)는 유체 용기(1)의 바닥(2)에 있는 매트릭스내에 분포되어 있는 것을 특징으로 하는 장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 플러싱 개구(18)는 아래에 배열된 유체 공급 챔버와 연통하는 것을 특징으로 하는 장치.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 노즐(7) 및/또는 노즐 그룹은 다른 유체를 공급하기 위해 제공되어 있는 것을 특징으로 하는 장치.
  5. 제 4 항에 있어서, 여러 유체에 제공된 여러 노즐(7) 및/또는 노즐 그룹에 대한 공급관은 제각기 개별적으로 제공되어 있는 것을 특징으로 하는 장치.
  6. 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서, 개별 노즐(7) 및/또는 개별 노즐 그룹은 개별 유체 공급 장치를 가지는 것을 특징으로 하는 장치.
  7. 제 3 항에 있어서, 상기 유체 공급 챔버는 개별 노즐(7) 및/또는 노즐 그룹용 유체 칸막이(12, 13, 14, 15)로 나누어져 있는 것을 특징으로 하는 장치.
  8. 제 3 항에 있어서, 상기 유체 공급 챔버는 2중 바닥(2, 16)사이의 중간 공간에 의해 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 장치.
  9. 제 1 항에 있어서, 기판을 고정하기 위한 고정 영역을 가진 기판 수용장치(6)와, 유체 용기(1)의 하나 이상의 측벽(3)의 내부면에 있는 기판(5)용 가이드(4)를 포함하며,
    상기 유체 용기(1)의 측벽(3)의 내부면은 가이드 없는 영역을 가지며, 상기 가이드 없는 측벽의 영역은 입구 개구, 스프레이 노즐, 확산기, UV 광원 및/또는 메가사운드 방출장치를 가지는 것을 특징으로 하는 장치.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 가이드는 슬롯, 스테이, 핀 및/또는 노브에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 장치.
  11. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서, 상기 가이드 없는 내부면의 영역은 가이드있는 내부면의 영역에 엇갈려 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 장치.
  12. 제 1 항에 있어서, 상기 노즐(7) 약간은 다른 스프레이 각도(8, 9)를 가지는 것을 특징으로 하는 장치.
  13. 제 1 항에 있어서, 상기 노즐(7)중 하나 이상은 팬형상 스프레이를 가지는 것을 특징으로 하는 장치.
  14. 제 1 항에 있어서, 상기 노즐(7)중 하나 이상은 원추형 스프레이를 가지는 것을 특징으로 하는 장치.
  15. 제 1 항에 있어서, 상기 노즐(7)은 유체 용기(1)의 바닥(2)에 배열되어 있는 것을 특징으로 하는 장치.
  16. 제 1 항에 있어서, 상기 노즐(7)은 용기 바닥(2)에서 매트랙스내에 분포되어 있는 것을 특징으로 하는 장치.
  17. 제 1 항에 있어서, 상기 노즐(7)은 노즐 그룹으로 조합되어 있는 것을 특징으로 하는 장치.
  18. 제 17 항에 있어서, 상기 노즐 그룹은 유체 용기(1)의 여러 바닥영역에 배열되어 있는 것을 특징으로 하는 장치.
  19. 제 17 항에 있어서, 상기 한 노즐 그룹은 중심영역에 제공되어 있고 각 추가의 노즐 그룹은 바닥(2)의 두 외부 영역내에 제공되어 있는 것을 특징으로 하는 장치.
  20. 제 1 항에 있어서, 상기 유체 용기(1)의 바닥은 경사져 있는 것을 특징으로 하는 장치.
  21. 제 20 항에 있어서, 상기 바닥(2)은 제각기 유체 용기(1)의 중심을 향해 경사져 있는 것을 특징으로 하는 장치.
  22. 제 1 항에 있어서, 상기 유체 용기(1)로부터 유체의 신속한 제거를 위한 개구(19)를 특징으로 하는 장치.
  23. 제 22 항에 있어서, 상기 유체 용기(1) 아래에 있는 유체의 신속한 제거를 위한 캐치용기를 특징으로 하는 장치.
  24. 제 1 항에 있어서, 상기 노즐은 유체 용기(1)의 측벽(3)에 제공되어 있는 것을 특징으로 하는 장치.
  25. 제 1 항에 있어서, 상기 유체 용기(1)로 추가의 유체가 유입되어 있는 것을 특징으로 하는 장치.
  26. 제 25 항에 있어서, 상기 추가의 유체는 화학품, 가스, 오존 및/또는 물인 것을 특징으로 하는 장치.
  27. 제 25 항 또는 제 26 항에 있어서, 추가의 유체는 하나 이상의 확산기로 유입되어 있는 것을 특징으로 하는 장치.
  28. 제 1 항에 있어서, 상기 유체 용기(1)의 상부영역의 측벽에 배열되어 있는 스프레이 노즐을 특징으로 하는 장치.
  29. 제 28 항에 있어서, 개별 처리단계사이 화학품을 스프레이하기 위한 스프레이 노즐이 제공되어 있는 것을 특징으로 하는 장치.
  30. 제 1 항에 있어서, 상기 유체 용기(1)를 커버하기 위한 장치를 특징으로 하는 장치.
  31. 제 1 항에 있어서, 상기 기판(5)의 상부 에지 영역상에 지탱하는 하나 이상의 기판 유지 스테이를 특징으로 하는 장치.
  32. 제 1 항에 있어서, 상기 유체 용기(1)위에 위치되어 있는 후드를 특징으로 하는 장치.
  33. 제 32 항에 있어서, 상기 후드는 하나 이상의 유체 입구 개구를 가지는 것을 특징으로 하는 장치.
  34. 제 1 항에 있어서, 상기 유체 용기(1)내의 유체를 가열 및/또는 냉각하기 위한 가열 및/또는 냉각 장치를 특징으로 하는 장치.
  35. 제 1 항에 있어서, 유체 처리 장치를 특징으로 하는 장치.
  36. 제 1 항에 있어서, 배기공기내에 함유된 알칼리 및 산성 기체를 분리하기 위한 분리 장치를 특징으로 하는 장치.
  37. 제 1 항에 있어서, 상기 유체 용기(1)의 바닥(2) 및/또는 측벽(3)에 배열된 UV광원을 특징으로 하는 장치.
  38. 제 1 항에 있어서, 하나 이상의 메가사운드 방출 장치를 특징으로 하는 장치.
  39. 제 38 항에 있어서, 상기 메가사운드 방출 장치는 바닥(2)과 측벽(3)에 의해 형성된 유체 용기(1)의 코너내에 배열되어 있는 것을 특징으로 하는 장치.
  40. 제 1 항에 있어서, 상기 유체 용기(1)내의 기판(5)을 회전하기 위한 장치를 특징으로 하는 장치.
KR1019980708443A 1996-04-24 1997-03-27 유체용기내의기판처리장치 KR100316823B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE1996116402 DE19616402C2 (de) 1996-04-24 1996-04-24 Vorrichtung zum Behandeln von Substraten in einem Fluid-Behälter
DE19616402.8 1996-04-24
PCT/EP1997/001580 WO1997040524A1 (de) 1996-04-24 1997-03-27 Vorrichtung zum behandeln von substraten in einem fluid-behälter

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20000010575A KR20000010575A (ko) 2000-02-15
KR100316823B1 true KR100316823B1 (ko) 2002-02-19

Family

ID=7792328

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019980708443A KR100316823B1 (ko) 1996-04-24 1997-03-27 유체용기내의기판처리장치

Country Status (10)

Country Link
US (2) US5921257A (ko)
EP (1) EP0895655B1 (ko)
JP (1) JP3493030B2 (ko)
KR (1) KR100316823B1 (ko)
AT (1) ATE259989T1 (ko)
DE (2) DE19655219C2 (ko)
ID (1) ID16694A (ko)
MY (1) MY132460A (ko)
TW (1) TW446575B (ko)
WO (1) WO1997040524A1 (ko)

Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19616400C2 (de) * 1996-04-24 2001-08-30 Steag Micro Tech Gmbh Vorrichtung zum Behandeln von Substraten in einem Fluid-Behälter
DE19742680B4 (de) * 1997-09-26 2006-03-02 Siltronic Ag Reinigungsverfahren für scheibenförmiges Material
US6273107B1 (en) * 1997-12-05 2001-08-14 Texas Instruments Incorporated Positive flow, positive displacement rinse tank
US5913981A (en) * 1998-03-05 1999-06-22 Micron Technology, Inc. Method of rinsing and drying semiconductor wafers in a chamber with a moveable side wall
US6372051B1 (en) * 1998-12-04 2002-04-16 Texas Instruments Incorporated Positive flow, positive displacement rinse tank
US6539963B1 (en) * 1999-07-14 2003-04-01 Micron Technology, Inc. Pressurized liquid diffuser
TW434668B (en) * 2000-01-27 2001-05-16 Ind Tech Res Inst Wafer rinse apparatus and rinse method of the same
US6418945B1 (en) * 2000-07-07 2002-07-16 Semitool, Inc. Dual cassette centrifugal processor
US6840250B2 (en) * 2001-04-06 2005-01-11 Akrion Llc Nextgen wet process tank
US6564469B2 (en) * 2001-07-09 2003-05-20 Motorola, Inc. Device for performing surface treatment on semiconductor wafers
US20030192570A1 (en) * 2002-04-11 2003-10-16 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for wafer cleaning
US20030192577A1 (en) * 2002-04-11 2003-10-16 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for wafer cleaning
DE10313692B4 (de) * 2003-03-26 2005-06-23 Werner Rietmann Verfahren zur Oberflächen-und/oder Tiefenbehandlung von zumindest einem Halbleitersubstrat und Tauchbadvorrichtung dazu
US7582180B2 (en) * 2004-08-19 2009-09-01 Micron Technology, Inc. Systems and methods for processing microfeature workpieces
DE102004053337A1 (de) * 2004-11-04 2006-05-11 Steag Hama Tech Ag Verfahren und Vorrichtung zum Behandeln von Substraten und Düseneinheit hierfür
US7255747B2 (en) 2004-12-22 2007-08-14 Sokudo Co., Ltd. Coat/develop module with independent stations
US7819079B2 (en) 2004-12-22 2010-10-26 Applied Materials, Inc. Cartesian cluster tool configuration for lithography type processes
US7699021B2 (en) 2004-12-22 2010-04-20 Sokudo Co., Ltd. Cluster tool substrate throughput optimization
US7798764B2 (en) 2005-12-22 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool
US7651306B2 (en) 2004-12-22 2010-01-26 Applied Materials, Inc. Cartesian robot cluster tool architecture
KR100644054B1 (ko) * 2004-12-29 2006-11-10 동부일렉트로닉스 주식회사 세정 장치 및 게이트 산화막의 전세정 방법
US8070884B2 (en) * 2005-04-01 2011-12-06 Fsi International, Inc. Methods for rinsing microelectronic substrates utilizing cool rinse fluid within a gas enviroment including a drying enhancement substance
ES2268974B2 (es) * 2005-06-16 2007-12-01 Universidad Politecnica De Madrid Reactor epitaxial para la produccion de obleas a gran escala.
TWI259110B (en) * 2005-09-22 2006-08-01 Delta Electronics Inc Ultrasonic cleaning system and method
US7694688B2 (en) 2007-01-05 2010-04-13 Applied Materials, Inc. Wet clean system design
US7950407B2 (en) * 2007-02-07 2011-05-31 Applied Materials, Inc. Apparatus for rapid filling of a processing volume
DE102009035341A1 (de) * 2009-07-23 2011-01-27 Gebr. Schmid Gmbh & Co. Vorrichtung zur Reinigung von Substraten an einem Träger
DE102010028883A1 (de) * 2010-05-11 2011-11-17 Dürr Ecoclean GmbH Prozessbehälter
CA2856196C (en) 2011-12-06 2020-09-01 Masco Corporation Of Indiana Ozone distribution in a faucet
WO2017011506A1 (en) 2015-07-13 2017-01-19 Delta Faucet Company Electrode for an ozone generator
JP6441198B2 (ja) * 2015-09-30 2018-12-19 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
CA2946465C (en) 2015-11-12 2022-03-29 Delta Faucet Company Ozone generator for a faucet
JP6664952B2 (ja) * 2015-12-17 2020-03-13 東レエンジニアリング株式会社 塗布器洗浄装置及び塗布装置
CN115093008B (zh) 2015-12-21 2024-05-14 德尔塔阀门公司 包括消毒装置的流体输送系统
SE539074C2 (en) * 2016-04-21 2017-04-04 Spinchem Ab A reactor comprising a nozzle for cleaning fluid, a kit and a method
JP2018126697A (ja) * 2017-02-09 2018-08-16 新オオツカ株式会社 層流超音波洗浄装置
JP6836980B2 (ja) * 2017-10-11 2021-03-03 株式会社荏原製作所 基板洗浄方法
JP6985957B2 (ja) 2018-02-21 2021-12-22 キオクシア株式会社 半導体処理装置
JP7381370B2 (ja) * 2020-03-05 2023-11-15 キオクシア株式会社 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
KR102566668B1 (ko) * 2021-06-02 2023-08-17 주식회사 아이에스티이 표시장치의 기판을 퍼지하기 위한 디퓨저 구조체
CN116222199A (zh) * 2023-03-03 2023-06-06 上海至纯洁净系统科技股份有限公司 一种解决马兰格尼干燥模组震动造成颗粒污染的优化装置

Family Cites Families (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3964957A (en) * 1973-12-19 1976-06-22 Monsanto Company Apparatus for processing semiconductor wafers
JPS5271871A (en) * 1975-12-11 1977-06-15 Nec Corp Washing apparatus
US4132567A (en) * 1977-10-13 1979-01-02 Fsi Corporation Apparatus for and method of cleaning and removing static charges from substrates
JPS586633A (ja) * 1981-07-03 1983-01-14 Pioneer Electronic Corp 送受信システム
JPS5861632A (ja) * 1981-10-07 1983-04-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 洗浄槽
JPS59199477A (ja) * 1983-04-25 1984-11-12 住友電気工業株式会社 ウエハ−ボツクス
US4671206A (en) * 1983-06-20 1987-06-09 Hoppestad Lamont I Article support rack
US4577650A (en) * 1984-05-21 1986-03-25 Mcconnell Christopher F Vessel and system for treating wafers with fluids
US4753258A (en) * 1985-08-06 1988-06-28 Aigo Seiichiro Treatment basin for semiconductor material
US4795497A (en) * 1985-08-13 1989-01-03 Mcconnell Christopher F Method and system for fluid treatment of semiconductor wafers
US4676008A (en) * 1986-05-16 1987-06-30 Microglass, Inc. Cage-type wafer carrier and method
JP2717408B2 (ja) * 1988-03-16 1998-02-18 株式会社トプコン 直線性誤差補正機能を有する光波測距装置
US4858764A (en) * 1988-06-20 1989-08-22 Hughes Aircraft Company Adjustable carrier device for ceramic substrates and the like
JP2733771B2 (ja) * 1988-07-29 1998-03-30 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 液体による処理装置
JPH02113331U (ko) * 1989-02-27 1990-09-11
US5000795A (en) * 1989-06-16 1991-03-19 At&T Bell Laboratories Semiconductor wafer cleaning method and apparatus
US5149244A (en) * 1989-08-18 1992-09-22 Applied Materials, Inc. Apparatus for aligning wafers within a semiconductor wafer cassette
JPH03116731A (ja) * 1989-09-28 1991-05-17 Dan Kagaku:Kk 半導体ウエハ用移送装置
JPH03184337A (ja) * 1989-11-13 1991-08-12 Applied Materials Inc 物品の指定表面から汚染粒子を除去する方法
JPH03228329A (ja) * 1990-02-02 1991-10-09 Nec Corp ウェハー処理装置
JPH03231428A (ja) * 1990-02-07 1991-10-15 Hitachi Cable Ltd 半導体ウエハの洗浄方法
JPH0480924A (ja) * 1990-07-24 1992-03-13 Sony Corp 半導体ウエハの洗浄装置および洗浄方法
US5069235A (en) * 1990-08-02 1991-12-03 Bold Plastics, Inc. Apparatus for cleaning and rinsing wafers
JPH0499025A (ja) * 1990-08-07 1992-03-31 Nec Kyushu Ltd 水洗装置
US5090432A (en) * 1990-10-16 1992-02-25 Verteq, Inc. Single wafer megasonic semiconductor wafer processing system
US5275184A (en) * 1990-10-19 1994-01-04 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Apparatus and system for treating surface of a wafer by dipping the same in a treatment solution and a gate device for chemical agent used in the apparatus and the system
JP2901098B2 (ja) * 1991-04-02 1999-06-02 東京エレクトロン株式会社 洗浄装置および洗浄方法
US5488964A (en) * 1991-05-08 1996-02-06 Tokyo Electron Limited Washing apparatus, and washing method
JPH0555191A (ja) * 1991-08-26 1993-03-05 Hitachi Ltd 洗浄槽
JPH05102118A (ja) * 1991-10-07 1993-04-23 Mitsubishi Electric Corp 半導体ウエハの水洗方法および水洗槽
JP2696017B2 (ja) * 1991-10-09 1998-01-14 三菱電機株式会社 洗浄装置及び洗浄方法
JP2920165B2 (ja) * 1991-11-29 1999-07-19 エス・イー・エス株式会社 枚葉洗浄用オーバーフロー槽
JPH05190525A (ja) * 1992-01-17 1993-07-30 Fujitsu Ltd 洗浄装置
JP3254716B2 (ja) * 1992-03-17 2002-02-12 ソニー株式会社 ウェーハ洗浄装置
JPH05267262A (ja) * 1992-03-23 1993-10-15 Sony Corp 半導体ウェーハ洗浄装置
JPH05291228A (ja) * 1992-04-07 1993-11-05 Fujitsu Ltd ウェーハ洗浄装置及び洗浄方法
JPH05304131A (ja) * 1992-04-27 1993-11-16 Nec Kyushu Ltd 半導体基板の薬液処理装置
JP2690851B2 (ja) * 1992-09-18 1997-12-17 大日本スクリーン製造株式会社 浸漬型基板処理装置
JPH06196466A (ja) * 1992-10-27 1994-07-15 Sony Corp ウェハ洗浄装置
JP3194209B2 (ja) * 1992-11-10 2001-07-30 東京エレクトロン株式会社 洗浄処理装置
KR960002763B1 (ko) * 1992-12-24 1996-02-26 금성일렉트론주식회사 반도체 세정방법 및 세정용액
JP3003016B2 (ja) * 1992-12-25 2000-01-24 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び処理方法
US5503171A (en) * 1992-12-26 1996-04-02 Tokyo Electron Limited Substrates-washing apparatus
US5383484A (en) * 1993-07-16 1995-01-24 Cfmt, Inc. Static megasonic cleaning system for cleaning objects
JP2888409B2 (ja) * 1993-12-14 1999-05-10 信越半導体株式会社 ウェーハ洗浄槽
DE4413077C2 (de) * 1994-04-15 1997-02-06 Steag Micro Tech Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur chemischen Behandlung von Substraten
US5672212A (en) * 1994-07-01 1997-09-30 Texas Instruments Incorporated Rotational megasonic cleaner/etcher for wafers
US5520205A (en) * 1994-07-01 1996-05-28 Texas Instruments Incorporated Apparatus for wafer cleaning with rotation
DE19546990C2 (de) * 1995-01-05 1997-07-03 Steag Micro Tech Gmbh Anlage zur chemischen Naßbehandlung
US5593505A (en) * 1995-04-19 1997-01-14 Memc Electronic Materials, Inc. Method for cleaning semiconductor wafers with sonic energy and passing through a gas-liquid-interface
DE19637875C2 (de) * 1996-04-17 1999-07-22 Steag Micro Tech Gmbh Anlage zur Naßbehandlung von Substraten
DE19703646C2 (de) * 1996-04-22 1998-04-09 Steag Micro Tech Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Behandeln von Substraten in einem Fluid-Behälter

Also Published As

Publication number Publication date
EP0895655B1 (de) 2004-02-18
DE19654903C2 (de) 1998-09-24
DE19654903A1 (de) 1997-11-13
MY132460A (en) 2007-10-31
TW446575B (en) 2001-07-21
JPH11510965A (ja) 1999-09-21
WO1997040524A1 (de) 1997-10-30
US5992431A (en) 1999-11-30
KR20000010575A (ko) 2000-02-15
DE19655219C2 (de) 2003-11-06
US5921257A (en) 1999-07-13
ATE259989T1 (de) 2004-03-15
EP0895655A1 (de) 1999-02-10
ID16694A (id) 1997-10-30
JP3493030B2 (ja) 2004-02-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100316823B1 (ko) 유체용기내의기판처리장치
JP5718951B2 (ja) マイクロエレクトロニクス半製品を処理する装置および方法
KR20070102475A (ko) 기판 처리 장치
KR101060664B1 (ko) 하나 이상의 처리유체로 전자소자를 처리하는 장비의 배리어 판 및 벤튜리 시스템의 세정방법 및 관련 장치
JP2000031251A (ja) ガス分配装置を備えたウェファ―ラック
US5976311A (en) Semiconductor wafer wet processing device
US6547855B1 (en) Mass transfer system
KR100313738B1 (ko) 기판 처리용 장치
KR20060030070A (ko) 기판 처리법 및 기판 처리 장치
KR20030047511A (ko) 마란고니 효과를 증대시키기 위한 건조 장비 및 건조 방법
US6161300A (en) Alcohol vapor dryer system
US5019205A (en) Apparatus for wet etching of thin films
JP3307652B2 (ja) 基板を処理するための装置
KR20070010931A (ko) 반도체 기판 건조 장치
KR20200072994A (ko) 이물질 제거용 기판처리장치
JP3471386B2 (ja) 流体混合冷却装置
JPH0722370A (ja) ウェット洗浄装置における薬液供給方式
JPH03151090A (ja) 水の処理装置
JPH0145481B2 (ko)
JPH0622225B2 (ja) 表面処理装置
RU2242431C1 (ru) Флотатор
JPH0817782A (ja) 基板処理装置
SU764732A2 (ru) Струйно-вихрева форсунка
SU822839A1 (ru) Тепломассообменный аппарат
JPH1079370A (ja) ウェーハの洗浄装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20041125

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee