JPH03231428A - 半導体ウエハの洗浄方法 - Google Patents
半導体ウエハの洗浄方法Info
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- JPH03231428A JPH03231428A JP2755590A JP2755590A JPH03231428A JP H03231428 A JPH03231428 A JP H03231428A JP 2755590 A JP2755590 A JP 2755590A JP 2755590 A JP2755590 A JP 2755590A JP H03231428 A JPH03231428 A JP H03231428A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 12
- 238000005406 washing Methods 0.000 title abstract 9
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 50
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 11
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 32
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 3
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、半導体ウェハの洗浄方法に関するものである
。
。
［従来の技術］
半導体ウェハの洗浄方法には幾つかの方法があるが、一
般に多槽式超音波洗浄方法が使用されている。
般に多槽式超音波洗浄方法が使用されている。
第３図はこの超音波洗浄装置の概要図を示すもので一槽
分について示す。又、第４図にウェハを洗浄キャリアに
装填した場合の要部断面図を示す。
分について示す。又、第４図にウェハを洗浄キャリアに
装填した場合の要部断面図を示す。
両図において、１は半導体ウェハ（以下、ウェハと称す
る）、２は洗浄キャリア（以下、キャリアと称する）、
３はキャリア２の受皿、４は洗浄槽、５は超音波発振器
、６は洗浄液、７は循環ポンプである。
る）、２は洗浄キャリア（以下、キャリアと称する）、
３はキャリア２の受皿、４は洗浄槽、５は超音波発振器
、６は洗浄液、７は循環ポンプである。
この洗浄装置は通常２５枚のウェハ１をキャリア２に装
填してこれを受皿３に載せて洗浄槽４内に配置し、有機
溶剤や超純水等の洗浄液６を循環ポンプ７で循環しなが
ら洗浄する。この時超音波発振器５を動作させて洗浄液
６に超音波振動を与えて洗浄効果を上昇させ同時に受皿
３を適当なピッチで揺動させながら洗浄を行う。
填してこれを受皿３に載せて洗浄槽４内に配置し、有機
溶剤や超純水等の洗浄液６を循環ポンプ７で循環しなが
ら洗浄する。この時超音波発振器５を動作させて洗浄液
６に超音波振動を与えて洗浄効果を上昇させ同時に受皿
３を適当なピッチで揺動させながら洗浄を行う。
［発明が解決しようとする課題］
上述したように第３図に示すような洗浄装置では多数の
ウェハをキャリアにセットしたまま洗浄するので、例え
ば第４図の小円ａ、ｂ、Ｃ，ｄに示すように、ウェハ１
とキャリア２との接触点で洗浄が不十分となる個所が必
ず出現する。これは洗浄液に超音波振動を与えても完全
には除去できないので洗浄時における課題の一つとして
残されている。
ウェハをキャリアにセットしたまま洗浄するので、例え
ば第４図の小円ａ、ｂ、Ｃ，ｄに示すように、ウェハ１
とキャリア２との接触点で洗浄が不十分となる個所が必
ず出現する。これは洗浄液に超音波振動を与えても完全
には除去できないので洗浄時における課題の一つとして
残されている。
本発明の目的は、ウェハ洗浄時における洗浄度を格段に
向上させる半導体ウェハの洗浄方法を提供することにあ
る。
向上させる半導体ウェハの洗浄方法を提供することにあ
る。
［課題を解決するための手段］
本発明は、ウェハをセットした洗浄キャリアを洗浄液内
に配置し、ごれを揺動しながら洗浄するウェハ洗浄方法
において、洗浄キャリアの下方に揺動７−＝ムを取付け
、この揺動アームを動作させて洗浄キャリアにセットさ
れているウェハのみを上駆動させてつ１ハを洗浄キャリ
アとの接触部より浮上させながら洗浄することを特徴と
しており、ウェハの洗浄度が格段に向上するようにして
［Ｊ的の達成を計っている。
に配置し、ごれを揺動しながら洗浄するウェハ洗浄方法
において、洗浄キャリアの下方に揺動７−＝ムを取付け
、この揺動アームを動作させて洗浄キャリアにセットさ
れているウェハのみを上駆動させてつ１ハを洗浄キャリ
アとの接触部より浮上させながら洗浄することを特徴と
しており、ウェハの洗浄度が格段に向上するようにして
［Ｊ的の達成を計っている。
［作用１
本発明の半導体ウェハの洗浄方法ではつ■ハをキャリア
にセットしてキャリアに揺動を与えながら洗浄する場合
、キャリアの下方に揺動アームを取付けてこれを動作さ
せ、キャリアにセットされているウェハのみを上下動さ
せるようにしているので、ウェハは洗浄中絶えず浮動し
ながら洗浄されるので、キャリアとの接触点も絶えず移
動することになり、従来のようにこの接触部で生ずる洗
浄むらが皆無となって極めて優れた洗浄効果を得ること
ができる。
にセットしてキャリアに揺動を与えながら洗浄する場合
、キャリアの下方に揺動アームを取付けてこれを動作さ
せ、キャリアにセットされているウェハのみを上下動さ
せるようにしているので、ウェハは洗浄中絶えず浮動し
ながら洗浄されるので、キャリアとの接触点も絶えず移
動することになり、従来のようにこの接触部で生ずる洗
浄むらが皆無となって極めて優れた洗浄効果を得ること
ができる。
［実施例１
以上、本発明の実施例について図を用いて説明する。第
１図（ａ） 、 （ｂ）及び第２図（ａ） 、 （ｂ）
ハ夫々本発明の半導体ウェハの洗浄方法を適用する洗
浄装置の一実施例を示す説明図で、第１図はウェハが下
降している場合、第２図はウェハが上昇している場合を
示す。又両図で（ａ）は正面図、（ｂ）は側面図を示す
。両図とも第３図と同一部分には同一符号が付けられて
いる。両図において、７は揺動アームでウェハ１の中心
部の真上に取付けられている。８は揺動アーム７を上下
動させる揺動アーム操作機構、９はギヤ機構である。
１図（ａ） 、 （ｂ）及び第２図（ａ） 、 （ｂ）
ハ夫々本発明の半導体ウェハの洗浄方法を適用する洗
浄装置の一実施例を示す説明図で、第１図はウェハが下
降している場合、第２図はウェハが上昇している場合を
示す。又両図で（ａ）は正面図、（ｂ）は側面図を示す
。両図とも第３図と同一部分には同一符号が付けられて
いる。両図において、７は揺動アームでウェハ１の中心
部の真上に取付けられている。８は揺動アーム７を上下
動させる揺動アーム操作機構、９はギヤ機構である。
装置が駆動して洗浄が開始されると、超音波発振器５が
起動して洗浄液６が超音波振動を生じ、この状態でキャ
リア２が受皿３の動作により上下動を行ってウェハ１を
洗浄する。この時揺動アーム操作機構８が駆動すると揺
動アーム７が動作を開始し、矢印に示すように上下動を
行う。この揺動アーム７の動作に伴ってウェハ１はキャ
リア２の底面の位置（第１図）から上界して（第２図）
キャリア２の上方に押上げられる。このようにしてウェ
ハ１自身が上下動作を行うことにより、例えば第４図ａ
−ｄの小円に示すような接触部が絶えず移動するので、
ウェハ１とキャリア２との間の接触部に生ずる洗浄むら
を皆無とすることができる。
起動して洗浄液６が超音波振動を生じ、この状態でキャ
リア２が受皿３の動作により上下動を行ってウェハ１を
洗浄する。この時揺動アーム操作機構８が駆動すると揺
動アーム７が動作を開始し、矢印に示すように上下動を
行う。この揺動アーム７の動作に伴ってウェハ１はキャ
リア２の底面の位置（第１図）から上界して（第２図）
キャリア２の上方に押上げられる。このようにしてウェ
ハ１自身が上下動作を行うことにより、例えば第４図ａ
−ｄの小円に示すような接触部が絶えず移動するので、
ウェハ１とキャリア２との間の接触部に生ずる洗浄むら
を皆無とすることができる。
本実施例ではウェハ１にガリウム・ヒ素ウェハを用い、
洗浄液６には有機洗浄液、アルカリ洗浄液及び超純水洗
浄液を用いた。
洗浄液６には有機洗浄液、アルカリ洗浄液及び超純水洗
浄液を用いた。
゛この条件で各槽の洗浄時間を５分、超音波の周波数を
４０ｋＨｚ、液温を室温、揺動アーム７の上下動ピッチ
を５ａ１１１として洗浄を行ったがキャリア２との接触
部に生ずる洗浄むらが全くみられず極めて良好な洗浄効
果が得られた。この場合、揺動アーム７にギヤ機構９を
用いて回転運動を与えることにより−・層優れた効果が
得られる。
４０ｋＨｚ、液温を室温、揺動アーム７の上下動ピッチ
を５ａ１１１として洗浄を行ったがキャリア２との接触
部に生ずる洗浄むらが全くみられず極めて良好な洗浄効
果が得られた。この場合、揺動アーム７にギヤ機構９を
用いて回転運動を与えることにより−・層優れた効果が
得られる。
［発明の効果］
以上述べたように本発明によれば次のような効果が得ら
れる。
れる。
（１）簡便な方法で優れて洗浄効果を得ることができる
。
。
（２）品質の向上により素子歩留りの向上を計ることが
できる。
できる。
第１図及び第２図は本発明の半導体ウェハの洗浄方法を
適用する装置の説明図、第３図は超音波洗浄装置の概要
図、第４図はキャリアにウェハを装填した場合の要部断
面図である。 １：ウェハ、 ２：キャリア、 ５：超音波発振器、 ７：揺動アーム、 ８：揺動アーム操作機構。 ７：オＬｌｌｌ１７−ム ８ 二二ｔ！、Ｔｈｒ−，二４、 操作機膿 第 茅 旧
適用する装置の説明図、第３図は超音波洗浄装置の概要
図、第４図はキャリアにウェハを装填した場合の要部断
面図である。 １：ウェハ、 ２：キャリア、 ５：超音波発振器、 ７：揺動アーム、 ８：揺動アーム操作機構。 ７：オＬｌｌｌ１７−ム ８ 二二ｔ！、Ｔｈｒ−，二４、 操作機膿 第 茅 旧
Claims (1)
- １、ウェハを洗浄キャリアに装填して洗浄液内に配置し
、該洗浄キャリアに揺動を与えながら前記ウェハの洗浄
を行う半導体ウェハの洗浄方法において、前記洗浄キャ
リアの下方に揺動アームを取付け、該揺動アームを動作
させて前記洗浄キャリアにセットされている前記ウエハ
のみを上下動させることを特徴とする半導体ウェハの洗
浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2755590A JPH03231428A (ja) | 1990-02-07 | 1990-02-07 | 半導体ウエハの洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2755590A JPH03231428A (ja) | 1990-02-07 | 1990-02-07 | 半導体ウエハの洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03231428A true JPH03231428A (ja) | 1991-10-15 |
Family
ID=12224303
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2755590A Pending JPH03231428A (ja) | 1990-02-07 | 1990-02-07 | 半導体ウエハの洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03231428A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5503173A (en) * | 1993-12-14 | 1996-04-02 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Wafer cleaning tank |
| US5626159A (en) * | 1995-04-19 | 1997-05-06 | Memc Electronic Materials, Inc. | Apparatus for cleaning semiconductor wafers |
| EP0856874A2 (en) * | 1997-02-04 | 1998-08-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Wafer processing apparatus and method, wafer convey robot, semiconductor substrate fabrication method, and semiconductor fabrication apparatus |
| EP0856873A2 (en) * | 1997-02-04 | 1998-08-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Wafer processing apparatus, wafer processing method, and SOI wafer fabrication method |
| US5816274A (en) * | 1997-04-10 | 1998-10-06 | Memc Electronic Materials, Inc. | Apparartus for cleaning semiconductor wafers |
| US5839460A (en) * | 1997-11-13 | 1998-11-24 | Memc Electronic Materials, Inc. | Apparatus for cleaning semiconductor wafers |
| US5992431A (en) * | 1996-04-24 | 1999-11-30 | Steag Microtech Gmbh | Device for treating substrates in a fluid container |
| US6240938B1 (en) * | 1996-05-29 | 2001-06-05 | Steag Microtech Gmbh | Device for treating substrates in a fluid container |
| JP2009289777A (ja) * | 2008-05-27 | 2009-12-10 | Sumco Corp | シリコンウェーハ洗浄装置および方法 |
| CN109887866A (zh) * | 2019-03-08 | 2019-06-14 | 重庆市洲金电子科技有限公司 | 一种半导体晶圆清洗装置 |
| CN110053969A (zh) * | 2019-04-23 | 2019-07-26 | 浙江金麦特自动化系统有限公司 | 一种机器人自动搬运清洗系统及方法 |
-
1990
- 1990-02-07 JP JP2755590A patent/JPH03231428A/ja active Pending
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5503173A (en) * | 1993-12-14 | 1996-04-02 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Wafer cleaning tank |
| US5626159A (en) * | 1995-04-19 | 1997-05-06 | Memc Electronic Materials, Inc. | Apparatus for cleaning semiconductor wafers |
| US5992431A (en) * | 1996-04-24 | 1999-11-30 | Steag Microtech Gmbh | Device for treating substrates in a fluid container |
| US6240938B1 (en) * | 1996-05-29 | 2001-06-05 | Steag Microtech Gmbh | Device for treating substrates in a fluid container |
| US6337030B1 (en) | 1997-02-04 | 2002-01-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Wafer processing apparatus, wafer processing method, and SOI wafer fabrication method |
| EP0856874A2 (en) * | 1997-02-04 | 1998-08-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Wafer processing apparatus and method, wafer convey robot, semiconductor substrate fabrication method, and semiconductor fabrication apparatus |
| EP0856873A2 (en) * | 1997-02-04 | 1998-08-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Wafer processing apparatus, wafer processing method, and SOI wafer fabrication method |
| US6391067B2 (en) | 1997-02-04 | 2002-05-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Wafer processing apparatus and method, wafer convey robot, semiconductor substrate fabrication method, and semiconductor fabrication apparatus |
| EP0856873A3 (en) * | 1997-02-04 | 2001-08-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Wafer processing apparatus, wafer processing method, and SOI wafer fabrication method |
| EP0856874A3 (en) * | 1997-02-04 | 2001-11-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Wafer processing apparatus and method, wafer convey robot, semiconductor substrate fabrication method, and semiconductor fabrication apparatus |
| US5816274A (en) * | 1997-04-10 | 1998-10-06 | Memc Electronic Materials, Inc. | Apparartus for cleaning semiconductor wafers |
| US5839460A (en) * | 1997-11-13 | 1998-11-24 | Memc Electronic Materials, Inc. | Apparatus for cleaning semiconductor wafers |
| JP2009289777A (ja) * | 2008-05-27 | 2009-12-10 | Sumco Corp | シリコンウェーハ洗浄装置および方法 |
| CN109887866A (zh) * | 2019-03-08 | 2019-06-14 | 重庆市洲金电子科技有限公司 | 一种半导体晶圆清洗装置 |
| CN109887866B (zh) * | 2019-03-08 | 2020-01-07 | 重庆市洲金电子科技有限公司 | 一种半导体晶圆清洗装置 |
| CN110053969A (zh) * | 2019-04-23 | 2019-07-26 | 浙江金麦特自动化系统有限公司 | 一种机器人自动搬运清洗系统及方法 |
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