JP3278590B2 - 超音波洗浄装置及び超音波洗浄方法 - Google Patents

超音波洗浄装置及び超音波洗浄方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、超音波を利用する
洗浄装置及び方法に関し、特に半導体基板等の表面に付
着した汚物の除去、及び汚物を除去した後の半導体基板
の乾燥に適した超音波洗浄方法及び装置に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体基板やレチクル等の被洗浄
体の表面に付着している付着物を機械的に除去する方法
として、スクラブ洗浄法や超音波洗浄法が知られてい
る。スクラブ洗浄法とは、ナイロンブラシ等が植毛され
てなるスクラブ材を回転させて行う洗浄方法であり、被
洗浄体の表面を擦り洗いすることにより、被洗浄体の表
面の付着物を取り除く方法である。また、超音波洗浄法
とは、被洗浄体を洗浄液中に浸すと共に、この洗浄液を
超音波帯域で振動させることにより被洗浄体の表面の付
着物に振動を与え、これを除去する方法である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、スクラブ洗
浄法においては、スクラブ材と被洗浄体とが直接接触す
ることを防止するために、絶えず被洗浄体の表面に洗浄
液を供給し、スクラブ材と被洗浄体との間に洗浄液が介
在するようにしている。しかしながら、被洗浄体とスク
ラブ材との間の界面に洗浄液が行き渡らず、被洗浄体と
スクラブ材とが直接接触することがある。
【０００４】このような場合、被洗浄体が破損したり、
スクラブ材のナイロンブラシ等が磨耗して塵埃等が発生
し汚染が生じてしまうことが考えられる。一方、スクラ
ブ材の磨耗を防ぐために柔らかいスクラブ材を使用する
と、付着物の除去効果が低下するということがある。
【０００５】一方、超音波洗浄法においては、前述した
ように、被洗浄体の表面の付着物に振動を与えてこれを
除去する方法をとっているため、膜状の付着物の除去は
極めて困難という問題がある。
【０００６】また、いずれの洗浄方法を採用した場合に
おいても、洗浄後に被洗浄体に除去した付着物が再付着
する等の再汚染を防止する必要があり、このため、乾燥
させる前に再度洗浄を行う必要があるが、このための簡
易な装置が望まれている。従って、この発明は、従来の
洗浄方法の欠点を解消するためになされたもので、その
具体的目的は、被洗浄体を破損させることなく、かつ新
たな汚染を発生させることなく、洗浄効果の高い洗浄を
行える超音波洗浄装置および方法を提供することにあ
る。また、別の目的は、洗浄を終えた被洗浄体につい
て、再汚染を防止しつつこれを乾燥させることができる
超音波洗浄装置及び方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るため、この発明の第１の手段は、被洗浄体を洗浄する
ための超音波洗浄装置であって、吐出口を有し、この吐
出口から液体を吐出するノズルと、ノズルに供給する液
体に超音波振動を印加する超音波印加手段と、ノズルの
吐出口に取り付けられ吐出口から吐出される液体を内部
に保持して振動し、前記被洗浄体と所定の面積をもって
接触することによりこの被洗浄体の表面を擦り洗いする
洗浄部材とを有するものである。
【０００８】また、前記液体は、所定の温度に加熱され
ていることが好ましい。このような構成によれば、スク
ラブ洗浄効果と超音波洗浄効果を同時に得て、被洗浄体
の洗浄をおこなえる。
【０００９】第２の手段は、第１の手段の超音波洗浄装
置において、前記洗浄部材は、少なくとも前記被洗浄体
との接触部に、内部に保持した液体を外部に透過させる
ための微細な開口を有し、洗浄中、この洗浄部材と被洗
浄体との接触部に、前記開口から透過した液体を存在さ
せるものである。
【００１０】このような構成によれば、液体が洗浄部材
と被洗浄体との間に常に介在するから、摩擦によって被
洗浄体あるいは洗浄部材が破損することを防止できる。
第３の手段は、第１の手段の超音波洗浄装置において、
液体が満たされた洗浄槽を有し、この洗浄槽に満たされ
た液体中に、洗浄部材と被洗浄体の接触部を位置させて
洗浄を行うための被洗浄体保持手段を有するものであ
る。この場合、洗浄槽内の液体を所定の温度に加熱する
ヒータを有することが好ましい。また、洗浄槽内で、前
記被洗浄体と洗浄部材とを相対的に駆動する駆動手段を
有することが好ましい。
【００１１】このような構成によれば、被洗浄体から剥
離された汚染物質が洗浄槽に満たされた液体中に拡散す
るので、その汚染物質が被洗浄体に再付着することを防
止できる。
【００１２】第４の手段は、第１の手段において、前記
洗浄部材を前記被洗浄体の両表面に対向させて設け、こ
の被洗浄体の両表面を同時に洗浄するものである。ま
た、第５の手段は、第１の手段において、さらに前記被
洗浄体を回転駆動する手段と、前記洗浄部材を回転中の
被洗浄体の表面に所定の面積をもって接触させ、かつそ
の回転半径方向に駆動することで、この被洗浄体の表面
の洗浄を行う手段とを有するものである。
【００１３】第６の手段は、被洗浄体を洗浄するための
超音波洗浄方法であって、超音波振動が印加された液体
を洗浄部材内に満たし、この洗浄部材を、液体の振動に
よって振動させ、かつ被洗浄体と所定の面積をもって接
触させることによりこの被洗浄体の表面を擦り洗いする
方法である。
【００１４】第７の手段は、第６の手段の超音波洗浄方
法において、前記洗浄部材内の少なくとも前記被洗浄体
との接触部に、内部に保持した液体を外部に透過させる
ための微細な開口が設けられており、この洗浄部材と被
洗浄体との接触部に、前記開口から透過した液体を存在
させながら洗浄を行う方法である。
【００１５】第８の手段は、第６の手段の超音波洗浄方
法において、前記液体を所定の温度に加熱し、洗浄後、
前記被洗浄体の表面を乾燥させる方法である。この第８
の手段によれば、被洗浄体の洗浄後、引き続いて被洗浄
体の乾燥を行うことができから、乾燥前にこの被洗浄体
が再汚染されることを防止できる。
【００１６】第９の手段は、第６の手段の超音波洗浄方
法において、洗浄槽に満たされた液体中に、洗浄部材と
被洗浄体の接触部を位置させて洗浄を行う方法であり、
この場合、前記洗浄槽内の液体を所定の温度に加熱する
ことが好ましい。
【００１７】第１０の手段は、第９の手段の超音波洗浄
方法において、洗浄槽に満たされた液体中での洗浄が終
了した後、洗浄槽内の液体を急激に排出し、前記被洗浄
体を、前記洗浄部材と接触させつつ相対的に引き上げる
ことで、前記被洗浄体の乾燥を行う方法である。このよ
うな構成によれば、洗浄だけではなく、洗浄後の乾燥を
効果的に行える。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。 （第１の実施形態）図１は、本発明の第１の実施形態を
示すものである。
【００１９】図１において、符号１１で示すのは洗浄液
を吐出する液吐出ノズルである。この液吐出ノズル１１
は、接続管１３を介して洗浄液供給部１２に接続されて
おり、前記洗浄液供給部１２から供給された洗浄液を先
端部１１ａから吐出するようになっている。
【００２０】また、この液吐出ノズル１１には、駆動ド
ライバ１４に接続された超音波振動子１５が取り付けら
れており、この超音波振動子１５は、液吐出ノズル１１
から吐出される液体に超音波振動を印加する。
【００２１】前記液吐出ノズル１１の先端部１１ａに
は、袋状に形成された洗浄部材１６が被せられており、
前記液吐出ノズル１１から吐出される洗浄液はこの洗浄
部材１６内に保持されるようになっている。そして、洗
浄液に印加された超音波振動によって、この洗浄部材１
６は所定の振動数で振動する。
【００２２】この洗浄部材１６は、可とう性を有する薄
肉状の材料で形成され、かつ内部に満たされた洗浄液を
外部に透過させるための多数の開孔が形成されている。
この洗浄部材１６を構成するための好ましい材料のうち
の１つとして、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）を挙げ
ることができるが、他の材料であっても構わない。
【００２３】一方、図に符号１７で示すのは被洗浄体と
してのウエハ等の半導体基板である。この半導体基板１
７は、保持台１８によって保持されており、上下シリン
ダやモータ等から構成される保持台駆動部１９が作動す
ることにより回転駆動されるようになっている。
【００２４】また、前記液吐出ノズル１１は、ノズル駆
動部２０に接続されており、このノズル駆動部２０によ
って前記保持台１８の回転半径方向に駆動されるように
なっている。
【００２５】なお、前記洗浄液供給部１２、超音波振動
子駆動ドライバ１４、保持台駆動部１９及びノズル駆動
部２０は、制御部２１に接続されており、この制御部２
１により同期を取って制御されるようになっている。
【００２６】次に、この超音波洗浄装置の動作を説明す
る。まず、前記洗浄液供給部１２を作動させ、前記液吐
出ノズル１１の先端から洗浄部材１６中に洗浄液を吐出
し、この洗浄部材１６中に洗浄液を満たす。同時に、前
記超音波振動子１５を作動させ、前記洗浄液に超音波振
動を印加することで、前記洗浄部材１６を振動させる。
【００２７】次に、前記保持台１８を上方向に駆動する
ことで、半導体基板１７の表面を前記洗浄部材１６に対
し所定の面積をもって接触させる。このことで、前記半
導体基板１７の表面は、前記振動する洗浄部材１６によ
って擦り洗いされることになる。また、この際、前記洗
浄部材１６内に満たされた洗浄液が、この洗浄部材１６
に設けられた多数の開孔を通して前記半導体基板１７と
の接触部に介在する。
【００２８】そして、前記半導体基板１７を回転させ、
かつ前記液吐出ノズル１１を回転半径方向に駆動するこ
とで、この半導体基板１７の略全面を洗浄することがで
きる。
【００２９】なお、この実施形態においては、前記洗浄
液供給部１２に洗浄液加熱部２２が接続されており、前
記洗浄部材１６に供給する洗浄液を所定の温度に加熱す
るようになっている。
【００３０】このような構成によれば、振動する洗浄部
材１６の擦り洗いによるスクラブ洗浄効果及びこの洗浄
部材１６の表面から吐出される洗浄液による超音波洗浄
効果により、前記半導体基板１７の洗浄を効果的に行え
る。
【００３１】すなわち、半導体基板１７上の強固な付着
物や膜状の付着物は、振動する洗浄部材１６との摩擦に
より剥離されたり小さな物質に砕かれる。また、半導体
基板１７上の比較的小さな付着物は、洗浄部材１６を透
過した超音波振動する洗浄液により超音波洗浄され、取
り除かれる。また、洗浄液を所定の温度に加熱すること
により、洗浄効果はさらに向上する。
【００３２】また、洗浄部材１６と、半導体基板１７と
の間には、常に洗浄液が介在し潤滑剤として機能してい
るため、この洗浄部材１６が摩耗して新たな汚染が発生
したり、半導体基板１７の表面に傷が付いたりするとい
うことが防止できる。 （第２の実施形態）次に、この発明の第２の実施形態を
図２及び図３を参照して説明する。
【００３３】なお、前記第１の実施形態と同様の構成要
素には同一符号を付すか図示を省略し、その詳しい説明
は省略する。図２は、この第２の実施形態の縦断正面図
を示し、図３は上面図を示すものである。
【００３４】この実施形態においては、前記半導体基板
１７は、垂直に立てられた状態で基板保持アーム２５に
よって保持され、かつ、洗浄液が満たされた洗浄槽２６
内に浸けられている。この保持アーム２５は上下駆動部
２７に接続され、前記半導体基板１７を洗浄槽２６内か
ら上下方向に出し入れできるようになっている。
【００３５】また、この洗浄槽２６には、供液管２８及
び排液管２９が接続され、汚染された洗浄液が排液管２
９によって排出されると共に、前記供液管２８によって
絶えず清浄な洗浄液が供給されるようになっている。し
たがって、前記洗浄槽２６内に満たされる洗浄液は常に
清浄に保たれるようになっている。
【００３６】また、この洗浄槽２６の外周壁には、洗浄
槽２６からあふれ出た洗浄液を受ける外槽３０が設けら
れている。この外槽３０にあふれ出た洗浄液は外槽３０
用排液管３１により排出されるようになっている。
【００３７】また、この実施形態においては、洗浄槽２
６の底部付近にヒータ３４が設けられ、洗浄槽２６内に
満たされた洗浄液の温度を上昇させて洗浄効果を向上で
きるように構成されている。
【００３８】この実施形態においては、前記液吐出ノズ
ル１１及び洗浄部材１６は、半導体基板１７の一面及び
他面を同時に洗浄できるように複数配設されている。す
なわち、この吐出ノズル１１及び洗浄部材１６は、図３
に示すように、半導体基板１７の一面に対向して２本、
他面に対向して２本の計４本設けられている。
【００３９】また、この吐出ノズル１１は、上記洗浄槽
２６を挟んで両側に設けられた駆動シリンダ装置３３に
よって保持され、かつ前記半導体基板１７の一面及び他
面と平行な方向に往復駆動されるようになっている。
【００４０】洗浄を行う際には、この駆動シリンダ装置
３３を作動させると共に、前記半導体基板１７を保持す
る保持アーム２５を上下させることで、前記半導体基板
１７の一面及び他面の略全体を洗浄できる。
【００４１】一方、洗浄が終了したならば、前記保持ア
ーム２５を上方向に駆動することで、この洗浄槽２６か
ら半導体基板１７を引き上げる。この際、この半導体基
板１７に洗浄槽２６の表面付近に漂う剥離後の付着物が
再付着することがある。
【００４２】このため、この実施例では、前記洗浄槽２
６の上方に図２に示す再洗浄・乾燥装置３７を設けてい
る。この再洗浄・乾燥装置３７は、再洗浄・乾燥用ノズ
ル３６を備え、上記半導体基板１７を上方に移動させる
際に、超音波振動子３５によって超音波が印加された温
水を半導体基板１７の表面に吹き付けることで、この半
導体基板１７の再洗浄を行う。
【００４３】また、吹き付けられるのは所定の温度に加
熱された温水であるから、再洗浄後の半導体基板１７の
乾燥が促進される。以上のような構成によれば、第１の
実施形態の効果に加えて以下の効果を得ることができ
る。
【００４４】すなわち、この実施例では、洗浄が洗浄槽
２６内で行われるようなっている。前述したように、こ
の洗浄槽２６内の洗浄液は常に循環され清浄に保たれて
いるから、剥離された付着物が半導体基板１７に再付着
することを極力防止できる。
【００４５】また、前記洗浄部材１６と半導体基板１７
の表面は必ず湿潤状態で接触するため、第１の実施形態
と比較して洗浄部材１６の寿命を延ばすことが可能にな
る。さらに、洗浄槽２６内に設けたヒータ３４により洗
浄液を加熱しているから、半導体基板１７に付着した付
着物の除去が容易になり、洗浄効果を上げることができ
る効果もある。
【００４６】なお、この実施形態では、再洗浄・乾燥装
置３７を用いることにより、超音波が印加された温水を
半導体基板１７に吹き付けることでこの半導体基板の再
洗浄及び乾燥を行ったが、次に説明する方法によって再
洗浄・乾燥を行うようにすれば、この再洗浄・乾燥装置
３７は必要ない。
【００４７】この方法では、まず、前記洗浄槽２６内で
の半導体基板１７の洗浄が終了する際、図２に示すよう
に、前記洗浄部材１６が半導体基板１７の最上部に接触
するように、前記駆動アーム２５の高さを調整する。
【００４８】ついで、前記排液管２９を通して洗浄槽２
６内の洗浄液を急激に排出して、この洗浄槽２６の液面
を低下させる。このようにして液面を急激に低下させる
ことにより、洗浄中に漂う剥離した付着物が半導体基板
の表面に再付着することを防止することができる。
【００４９】ついで、前記吐出ノズル１１を作動させる
と共に前記保持アーム２５を上方向に駆動することで、
前記洗浄部材１６の振動により前記半導体基板１７の表
面を洗浄しながら、半導体基板１７を引き上げていく。
【００５０】このことで、半導体基板１７の表面を再洗
浄することができる。また、前記洗浄部材内に満たされ
る液体の温度を適宜に加熱することで、再洗浄後の乾燥
を促進することができる。
【００５１】このような乾燥方法を採れば、以下の効果
が得られる。すなわち、図２に示した再洗浄・乾燥装置
３７であると、再洗浄・乾燥用ノズル３６に設けた超音
波振動子３５の出力を、前記吐出ノズル１１に設けた超
音波振動子１５の出力と同程度にすると、吐出される温
水の飛沫が多く発生し、これが新たな汚染につながるた
め、前記超音波振動子３５の出力を下げる必要があっ
た。
【００５２】しかし、後に説明した構成によれば、前記
洗浄部材１６により飛沫の発生が効果的に押さえられる
から、超音波振動子１５の出力を低下させる必要はな
い。また、別に再洗浄・乾燥装置３７を設ける必要がな
いから構成も簡略化できる。 （第３の実施形態）次に、本発明の第３の実施例につい
て図４を参照して説明する。
【００５３】なお、第１、第２の実施形態と同様の構成
要素については同一符号を付してその説明を省略する。
この実施形態では、洗浄槽２６の側壁及び底壁にヒータ
３８が埋設されている。
【００５４】このような構成によれば、第２の実施例と
同様の効果を有するとともに、第２の実施例と異なり、
洗浄槽２６の側面からも洗浄液を加熱できるので、短時
間で洗浄液を昇温でき、かつ洗浄液の温度分布を均一化
することができる。
【００５５】その結果、半導体基板１７に付着した付着
物の除去がさらに容易になり、超音波出力を小さくして
も洗浄効果を上げることができる。 （第４の実施形態）次に、この発明の第４の実施形態を
図５を参照して説明する。
【００５６】なお、前記第１〜第３の実施形態と同様の
構成要素については同一符号を付すか図示を省略してさ
らに説明することはしない。この実施形態の超音波洗浄
装置は、図１を参照して説明した第１の実施形態の変形
例に係るものである。
【００５７】この実施形態の超音波洗浄装置は、前記液
吐出ノズル１１及び洗浄部材１６とは別に、前記保持台
上に保持された半導体基板１７に洗浄液を供給する洗浄
液供給ノズル４０を有する。
【００５８】この洗浄液供給ノズル４０は、前記保持台
１８及び液吐出ノズル１１、洗浄部材１６を駆動して半
導体基板１７の洗浄を行う際、前記半導体基板１７の表
面に洗浄液４１を供給し、この半導体基板１７と洗浄部
材１６との接触部を洗浄液４１で覆うようにする。な
お、このとき、前記指示台１８の回転数は供給された洗
浄液４１が遠心力で排出されない程度の回転数、この実
施形態では約１００ｒｐｍに調整されている。
【００５９】また、前記洗浄液４１は、前記洗浄液供給
部４２に接続された洗浄液加熱部４３によって所定の温
度に加熱されて供給されるようになっている。このよう
な構成によれば、第１の実施形態と同様の構成が得られ
る他、前記洗浄部材１６と半導体基板１７の接触部が洗
浄液によって覆われているため、前記第２の実施形態と
同様の効果を得ることができる。
【００６０】なお、供給ノズル４０を通じて供給される
洗浄液４１として、例えばアンモニア水等の求核試薬を
用いることもできる。この場合、上述の超音波及びスク
ラブによる洗浄効果に加え、化学反応による洗浄効果が
付加されるので、洗浄能力をより向上させることが可能
となる。 （第５の実施形態）次に、本発明の第５の実施例を図６
を参照して示する。
【００６１】この実施例は、図２に示す超音波洗浄装置
において、符号３７で示した再洗浄・乾燥装置の代わり
に用いることができる再洗浄・乾燥装置４５に関するも
のである。したがって、この図６では、図２に示す超音
波洗浄装置の構成のうち、この再洗浄・乾燥装置４５以
外の構成の図示は省略している。
【００６２】この装置４５は、例えば温純水を液吐出ノ
ズル４６に供給する給液管４７と、液吐出ノズル４６に
設けられ温純水に超音波を印加する超音波振動子４８
と、液吐出ノズル４６の先端に被せられた洗浄部材４９
とからなる。この吐出ノズル４６、洗浄部材４９及びそ
の他図示しない制御装置は、図１に示した液吐出ノズル
１１及び洗浄部材１６、その他の制御装置の構成と同一
のものでよい。
【００６３】洗浄を終えた半導体基板１７の乾燥を行う
際、この半導体基板１７は、その一面及び他面を振動す
る洗浄部材４９に所定の面積を持って接触させながら前
記保持アーム２５によって上方に駆動される。このこと
で、前記半導体基板１７は、スクラブ洗浄効果と超音波
洗浄効果により再洗浄されながら上方に引き上げられる
ことになる。さらに、加熱された温純水が半導体基板１
７に吐出されるので、この半導体基板１７は加熱され乾
燥が促進される。
【００６４】なお、前記洗浄部材４９は、超音波振動が
印加された温純水を保持し、かつ、半導体基板１７と接
触しているので、温純水の飛沫を抑制できる。このこと
により、飛沫に起因する半導体基板１７の再汚染を効果
的に防止することが可能になる。
【００６５】また、この実施形態において、温純水の代
わりに揮発性の有機物を用いても同様の効果を得ること
ができる。さらに、再洗浄・乾燥前に、半導体基板１７
をヒータ３４が配設された洗浄槽２６内に保持しておけ
ば、半導体基板１７はあらかじめ温められているので、
乾燥に要する時間を短くすることができる。
【００６６】なお、この実施形態では、この再洗浄・乾
燥装置４５を、前記超音波洗浄装置と共に使用するよう
にしているが、この再洗浄・乾燥装置４５単独で乾燥装
置として用いることもできる。
【００６７】また、前記第１〜第５の実施形態では、い
ずれも被洗浄体として半導体基板を例にとって説明した
が、他の種類の被洗浄体、例えばレチクル等のマスクの
洗浄に用いることができることは当然である。
【００６８】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、洗浄部材によるスクラブ洗浄効果と洗浄液による超
音波洗浄効果を同時に得ることができ、被洗浄体上の付
着物の除去効果を高めることが可能になる。
【００６９】また、被洗浄体と洗浄部材との間に必ず液
体が介在するため、被洗浄体の表面が破損したり、洗浄
部材が磨耗して汚染物質が発生することを防ぐことがで
きる。
【００７０】さらに、液吐出ノズルから吐出される洗浄
液は洗浄部材を介して被洗浄体に達するので飛沫が発生
しにくくなり、被乾燥体の洗浄効果および乾燥効果を高
くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の第１の実施形態を示す一部断面を有
する概略正面図。
【図２】第２の実施形態を示す一部断面を有する概略正
面図。
【図３】第２の実施形態を示す上面図。
【図４】第３の実施形態を示す一部断面を有する概略正
面図。
【図５】第４の実施形態を示す一部断面を有する概略正
面図。
【図６】第５の実施形態を示す一部断面を有する概略正
面図。
【符号の説明】
１１…液吐出ノズル（ノズル） １５…超音波振動子（超音波印加手段） １６…洗浄部材 １９…保持台駆動部（被洗浄体を回転させるための手
段） ２２…洗浄液加熱部（加熱手段） ２６…洗浄槽 ２７…上下駆動部（駆動手段） ３３…駆動シリンダ装置（駆動手段） ３４…ヒータ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平10−4072（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−5575（ＪＰ，Ａ) 実開 平６−3478（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) B08B 3/12 B08B 1/00 B08B 3/02

Claims (16)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 被洗浄体を洗浄するための超音波洗浄装
    置であって、 吐出口を有し、この吐出口から液体を吐出するノズル
    と、 このノズルに供給する液体に超音波振動を印加する超音
    波印加手段と、 前記ノズルの吐出口に取り付けられ吐出口から吐出され
    る液体を内部に保持して振動し、前記被洗浄体と所定の
    面積をもって接触することによりこの被洗浄体の表面を
    擦り洗いする洗浄部材とを有することを特徴とする超音
    波洗浄装置。
  2. 【請求項２】 請求項１記載の超音波洗浄装置におい
    て、 前記洗浄部材は、 少なくとも前記被洗浄体との接触部に、内部に保持した
    液体を外部に透過させるための微細な開口を有し、 洗浄中、この洗浄部材と被洗浄体との接触部に、前記開
    口から透過した液体を存在させることを特徴とする超音
    波洗浄装置。
  3. 【請求項３】 請求項１記載の超音波洗浄装置におい
    て、 前記液体を所定の温度に加熱する加熱手段を有すること
    を特徴とする超音波洗浄装置。
  4. 【請求項４】 請求項１記載の超音波洗浄装置におい
    て、 液体が満たされた洗浄槽を有し、 この洗浄槽に満たされた液体中に、洗浄部材と被洗浄体
    の接触部を位置させて洗浄を行うための被洗浄体保持手
    段を有することを特徴とする超音波洗浄装置。
  5. 【請求項５】 請求項４記載の超音波洗浄装置におい
    て、 洗浄槽内の液体を所定の温度に加熱するヒータを有する
    ことを特徴とする超音波洗浄装置。
  6. 【請求項６】 請求項４記載の超音波洗浄装置におい
    て、 洗浄槽内で、前記被洗浄体と洗浄部材とを相対的に駆動
    する駆動手段を有することを特徴とする超音波洗浄装
    置。
  7. 【請求項７】 請求項1 記載の超音波洗浄装置におい
    て、 前記洗浄部材を前記被洗浄体の両表面に対向させて設
    け、この被洗浄体の両表面を同時に洗浄することを特徴
    とする超音波洗浄装置。
  8. 【請求項８】 請求項1 記載の超音波洗浄装置におい
    て、 さらに、 前記被洗浄体を回転駆動する手段と、 前記洗浄部材を回転中の被洗浄体の表面に所定の面積を
    もって接触させ、かつその回転半径方向に駆動すること
    で、この被洗浄体の表面の洗浄を行う手段とを有するこ
    とを特徴とする超音波洗浄装置。
  9. 【請求項９】 被洗浄体を洗浄するための超音波洗浄方
    法であって、 超音波振動が印加された液体を洗浄部材内に満たし、 この洗浄部材を、液体の振動によって振動させ、かつ、
    前記被洗浄体と所定の面積をもって接触させることによ
    りこの被洗浄体の表面を擦り洗いすることを特徴とする
    超音波洗浄方法。
  10. 【請求項１０】 請求項９記載の超音波洗浄方法におい
    て、 前記洗浄部材の少なくとも前記被洗浄体との接触部に、
    内部に保持した液体を外部に透過させるための微細な開
    口が設けられており、 この洗浄部材と被洗浄体との接触部に、前記開口から透
    過した液体を存在させながら洗浄を行うことことを特徴
    とする超音波洗浄方法。
  11. 【請求項１１】 請求項９記載の超音波洗浄方法におい
    て、 前記液体を、所定の温度に加熱し、 洗浄後、前記被洗浄体の表面を乾燥させることを特徴と
    する超音波洗浄方法。
  12. 【請求項１２】 請求項９記載の超音波洗浄方法におい
    て、 洗浄槽に満たされた液体中に、洗浄部材と被洗浄体の接
    触部を位置させて洗浄を行うことを特徴とする超音波洗
    浄方法。
  13. 【請求項１３】 請求項１２記載の超音波洗浄装置にお
    いて、 前記洗浄槽内の液体を所定の温度に加熱することを特徴
    とする超音波洗浄方法。
  14. 【請求項１４】 請求項１２記載の超音波洗浄方法にお
    いて、 洗浄槽に満たされた液体中での洗浄が終了した後、洗浄
    槽内の液体を急激に排出し、 前記被洗浄体を、前記洗浄部材と接触させつつ相対的に
    引き上げることで、前記被洗浄体の乾燥を行うことを特
    徴とする超音波洗浄方法。
  15. 【請求項１５】 請求項９記載の超音波洗浄方法におい
    て、 前記洗浄部材を前記被洗浄体の両表面に対向させ、この
    被洗浄体の両表面を同時に洗浄することを特徴とする超
    音波洗浄方法。
  16. 【請求項１６】 請求項９記載の超音波洗浄方法におい
    て、 さらに、 前記被洗浄体を回転駆動させ、 前記洗浄部材を回転中の被洗浄体の表面に所定の面積を
    もって接触させ、かつその回転半径方向に駆動すること
    で、この被洗浄体の表面の洗浄を行うことを特徴とする
    超音波洗浄方法。
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Families Citing this family (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6039059A (en) 1996-09-30 2000-03-21 Verteq, Inc. Wafer cleaning system
TW353784B (en) * 1996-11-19 1999-03-01 Tokyo Electron Ltd Apparatus and method for washing substrate
JP3654779B2 (ja) * 1998-01-06 2005-06-02 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄具及び基板洗浄方法
BR9909646A (pt) 1998-02-20 2001-09-11 Procter & Gamble Produto de remoção de manchas de tapetes, o qual usa ondas sÈnicas ou ultra-sÈnicas
ES2241300T3 (es) 1998-02-20 2005-10-16 THE PROCTER & GAMBLE COMPANY Producto para eliminar manchas de prendas de vestir que usa ondas sonicas o ultrasonicas.
JP3772056B2 (ja) * 1998-10-12 2006-05-10 株式会社東芝 半導体基板の洗浄方法
US6202658B1 (en) 1998-11-11 2001-03-20 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for cleaning the edge of a thin disc
ATE271597T1 (de) 1998-11-16 2004-08-15 Procter & Gamble Reinigungsprodukt, welches schall- oder ultraschallwellen verwendet
WO2001036118A1 (en) * 1999-11-16 2001-05-25 The Procter & Gamble Company Ultrasonic cleaning
US20020134402A1 (en) * 2000-01-21 2002-09-26 Madanshetty Sameer I. Article produced by acoustic cavitation in a liquid insonification medium
US6523553B1 (en) * 1999-03-30 2003-02-25 Applied Materials, Inc. Wafer edge cleaning method and apparatus
KR100613919B1 (ko) 1999-07-26 2006-08-18 동경 엘렉트론 주식회사 기판세정구, 기판세정장치 및 기판세정방법
KR20010037210A (ko) * 1999-10-14 2001-05-07 구본준, 론 위라하디락사 기판 세정 장치 및 기판 세정 방법
AU1490101A (en) * 1999-11-16 2001-05-30 Procter & Gamble Company, The Ultrasonic implement
AU1613801A (en) * 1999-11-16 2001-05-30 Procter & Gamble Company, The Cleaning process which uses ultrasonic waves
ATE294031T1 (de) * 1999-11-16 2005-05-15 Procter & Gamble Reinigungsverfahren welches ultraschallwellen verwendet
TW553780B (en) * 1999-12-17 2003-09-21 Sharp Kk Ultrasonic processing device and electronic parts fabrication method using the same
US6619305B1 (en) 2000-01-11 2003-09-16 Seagate Technology Llc Apparatus for single disc ultrasonic cleaning
US6328640B1 (en) 2000-03-31 2001-12-11 Lam Research Corporation Wafer preparation apparatus including rotatable wafer preparation assemblies
US6368192B1 (en) 2000-03-31 2002-04-09 Lam Research Corporation Wafer preparation apparatus including variable height wafer drive assembly
EP1269522B1 (en) * 2000-03-31 2007-01-24 Lam Research Corporation Wafer preparation apparatus
US6427566B1 (en) 2000-03-31 2002-08-06 Lam Research Corporation Self-aligning cylindrical mandrel assembly and wafer preparation apparatus including the same
JP2002009035A (ja) * 2000-06-26 2002-01-11 Toshiba Corp 基板洗浄方法及び基板洗浄装置
US6904637B2 (en) 2001-10-03 2005-06-14 Applied Materials, Inc. Scrubber with sonic nozzle
US20030084916A1 (en) * 2001-10-18 2003-05-08 Sonia Gaaloul Ultrasonic cleaning products comprising cleaning composition having dissolved gas
US7004182B2 (en) * 2001-10-18 2006-02-28 The Procter & Gamble Company Enhanced ultrasonic cleaning devices
KR100473475B1 (ko) * 2002-08-09 2005-03-10 삼성전자주식회사 기판 세정 장치
WO2004049886A2 (en) * 2002-12-03 2004-06-17 S. C. Johnson & Son, Inc. P0wered cleaner/polisher
US7104268B2 (en) * 2003-01-10 2006-09-12 Akrion Technologies, Inc. Megasonic cleaning system with buffered cavitation method
US7231682B1 (en) * 2003-08-28 2007-06-19 Lam Research Corporation Method and apparatus for simultaneously cleaning the front side and back side of a wafer
US20050109371A1 (en) * 2003-10-27 2005-05-26 Applied Materials, Inc. Post CMP scrubbing of substrates
US7565712B2 (en) * 2003-11-26 2009-07-28 S.C. Johnson & Son, Inc. Powered cleaner/polisher
WO2005097360A2 (en) * 2004-04-05 2005-10-20 Electrolux Home Care Products, Ltd. Apparatus and method for cleaning surfaces
US20050252547A1 (en) * 2004-05-11 2005-11-17 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for liquid chemical delivery
JP4402579B2 (ja) * 2004-12-14 2010-01-20 芝浦メカトロニクス株式会社 基板の清掃装置及び清掃方法
EP1681383A1 (en) * 2005-01-14 2006-07-19 Electrolux Home Products Corporation N.V. Textile product treating apparatus having an ultrasonic cleaning device
TW200738356A (en) * 2005-06-15 2007-10-16 Akrion Inc System and method of processing substrates using sonic energy having cavitation control
JP2007229614A (ja) * 2006-02-28 2007-09-13 Fujitsu Ltd 洗浄装置、洗浄方法および製品の製造方法
TWI352628B (en) * 2006-07-21 2011-11-21 Akrion Technologies Inc Nozzle for use in the megasonic cleaning of substr
KR100800174B1 (ko) * 2006-10-20 2008-02-01 한국기계연구원 메가소닉 세정모듈
US7754026B2 (en) * 2007-11-08 2010-07-13 Whirlpool Corporation Dishwasher with sonic cleaner
CN102194473A (zh) * 2010-03-03 2011-09-21 株式会社日立高新技术 清洗方法及其装置
KR20130040920A (ko) * 2011-03-31 2013-04-24 후-창 리아오 벽판을 정화하기 위한 자동 기계
US9190881B1 (en) 2011-08-02 2015-11-17 Tooltek Engineering Corporation Rotary-powered mechanical oscillator
US9737914B2 (en) * 2014-07-16 2017-08-22 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Nozzle cleaning device and method of using the same

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1943199B1 (de) * 1969-08-25 1971-03-04 Staedtler Fa J S Vibrationsgeraet fuer Tusche- und Tintenschreibgeraete
US3635762A (en) * 1970-09-21 1972-01-18 Eastman Kodak Co Ultrasonic cleaning of a web of film
US5240675A (en) * 1992-09-24 1993-08-31 Wilk Peter J Method for cleaning endoscope
US5350428A (en) * 1993-06-17 1994-09-27 Vlsi Technology, Inc. Electrostatic apparatus and method for removing particles from semiconductor wafers
JP3328426B2 (ja) * 1994-05-12 2002-09-24 東京エレクトロン株式会社 洗浄装置
US5551986A (en) * 1995-02-15 1996-09-03 Taxas Instruments Incorporated Mechanical scrubbing for particle removal

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