JPS61147534A - 超音波化学処理方法 - Google Patents
超音波化学処理方法Info
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- JPS61147534A JPS61147534A JP26842384A JP26842384A JPS61147534A JP S61147534 A JPS61147534 A JP S61147534A JP 26842384 A JP26842384 A JP 26842384A JP 26842384 A JP26842384 A JP 26842384A JP S61147534 A JPS61147534 A JP S61147534A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
- H01L21/3046—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting using blasting, e.g. sand-blasting
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は超音波化学処理方法に関するものである。
（従来の技術）
例えは、処理手段が洗浄である場合、被処理物の上から
ノズルにより加圧数体を吹きつけたり、プラノの回転に
より剥ぎとるように構成していた。
ノズルにより加圧数体を吹きつけたり、プラノの回転に
より剥ぎとるように構成していた。
７ＪＩＩ Ｉｆ液体による手段を具体的に説明すると、
第７図に示すように、支持筐体／の上面にケースコを固
定し、ケースコの底３に軸受具弘を設けて、断面丁字形
をしだ上面を支持面よとした回転台２を垂直に貫通して
回転自在に支持している。この回転台乙は下面を支持筐
体／の底７に設置した支持台♂の内面に螺合した支持具
りで支持している。この支持具りは真空ポンプ（図示省
略）に接続する真空用ホース１０を設け、この真空用ホ
ース１０に連通する通路ｌ／を設けている。そして、前
記回転台乙の中央上面の支持面ｊまで貫通した真空用通
路／、２を設けて通路／／と連通させ、支持面ｊに乗架
した被処理物／３を吸着保持する。又、回転台乙はプー
リ／≠を固定し、支持筐体／内に設置したモータ／りで
駆動するプーリ／乙とプーリ／弘とにベルト／７を掛け
て回転できるようになっている。そして、回転１〜てい
る被処理物／３上にノズル／♂から加圧処理液／りを噴
射して洗浄、エツチング、現１象等の処理を行うように
なっている。尚１図中、２０はドレーン抜きである。又
被処理物／３の上面にブラシを＠［ｔけ洗浄する方法も
ある。
第７図に示すように、支持筐体／の上面にケースコを固
定し、ケースコの底３に軸受具弘を設けて、断面丁字形
をしだ上面を支持面よとした回転台２を垂直に貫通して
回転自在に支持している。この回転台乙は下面を支持筐
体／の底７に設置した支持台♂の内面に螺合した支持具
りで支持している。この支持具りは真空ポンプ（図示省
略）に接続する真空用ホース１０を設け、この真空用ホ
ース１０に連通する通路ｌ／を設けている。そして、前
記回転台乙の中央上面の支持面ｊまで貫通した真空用通
路／、２を設けて通路／／と連通させ、支持面ｊに乗架
した被処理物／３を吸着保持する。又、回転台乙はプー
リ／≠を固定し、支持筐体／内に設置したモータ／りで
駆動するプーリ／乙とプーリ／弘とにベルト／７を掛け
て回転できるようになっている。そして、回転１〜てい
る被処理物／３上にノズル／♂から加圧処理液／りを噴
射して洗浄、エツチング、現１象等の処理を行うように
なっている。尚１図中、２０はドレーン抜きである。又
被処理物／３の上面にブラシを＠［ｔけ洗浄する方法も
ある。
又、ブラシで剥ぎとるその池の手段を第ｒ図に基いて説
明すると、コンベアー２／上を移動する被処理物／３の
上下を回転するブラシ、２２により剥ぎとるようになっ
ている。
明すると、コンベアー２／上を移動する被処理物／３の
上下を回転するブラシ、２２により剥ぎとるようになっ
ている。
（発明が解決しようとする間頂点）
前記従来の手段において加圧液体を噴射す−るものは、
被処理物に均等に処理液を噴射することが困難であり、
ブラ／を使用したものにおいては、処理むらがでたり、
グラブに付着した汚物てより、被処理物に傷を付けたり
する恐れがあった。
被処理物に均等に処理液を噴射することが困難であり、
ブラ／を使用したものにおいては、処理むらがでたり、
グラブに付着した汚物てより、被処理物に傷を付けたり
する恐れがあった。
（問題点を解決するだめの手段）
本発明における超音波化学処理方法は、超音波振動する
ホーン中に処理液を流し、処理液にキャビティションを
付与し、この処理液を被処理物に噴射して被処理物にキ
ャビティションを伝達させるものである。
ホーン中に処理液を流し、処理液にキャビティションを
付与し、この処理液を被処理物に噴射して被処理物にキ
ャビティションを伝達させるものである。
（作 用）
本発明においては、被処理物の上に処理液の膜を形成し
、この膜に超音波振動するホーンを接触させて、被処理
物（で超音波エネルギーを伝達し、処理液に発生したキ
ャビティションにより汚染物の洗浄、現像、エツチング
等を行うものである。
、この膜に超音波振動するホーンを接触させて、被処理
物（で超音波エネルギーを伝達し、処理液に発生したキ
ャビティションにより汚染物の洗浄、現像、エツチング
等を行うものである。
（実施例）
本発明の第１実施例を第１，２図に示す装置の一例を用
いて具体的に説明すると、被処理物／３の上方に超音波
振動子３θにより超音波振動するホーン３／を位置ちせ
る。このホーン３／はＬ字形の処理液通路３．２を設け
、入口側に処理用パイプ３３を接続し、排出口を被処理
物／３の上面に位置させている。超音波振動子３０は発
振器３弘に接続し、一端に取付板３！を設けてシリンダ
３乙のロッド３７に固定する。
いて具体的に説明すると、被処理物／３の上方に超音波
振動子３θにより超音波振動するホーン３／を位置ちせ
る。このホーン３／はＬ字形の処理液通路３．２を設け
、入口側に処理用パイプ３３を接続し、排出口を被処理
物／３の上面に位置させている。超音波振動子３０は発
振器３弘に接続し、一端に取付板３！を設けてシリンダ
３乙のロッド３７に固定する。
シリンダ３乙は支持筐体／を載置しだ載置台３♂に設け
たポール３７に取付けた支持部材≠０に固定している。
たポール３７に取付けた支持部材≠０に固定している。
他は第７図と１司様なので同一符号を付（７、一部を省
略する。
略する。
第１実施例においては、回転台乙の支持面夕に被処理物
／３を載置し、真空用通路／２で連通ずる真空ポンプ（
図示省略）で吸引して被処理物／３を支持し、回転台乙
を回転させる。そして、シリンダ３乙によりホーン３／
を被処理物／３に／紗〜７０腑の間隔を有するように近
づけ、ホーン３／の処理液通路３２から処理液を排出さ
せ、被処理物／３の表面に処理液の膜ＩＩｔノを形成せ
しめる。ホーン３／は乙ＫＨ２〜１００ＫＨ２の超音波
振動を（７ているので、処理数の膜４Ｌ／を介して超音
波エネルギーを被処理物／３に伝えることになる。又処
理液にはホーン３／中を流れる際に超音波のキャビティ
ションが発生することになり、被処理物／３上にある汚
染物を剥離したり、現像やエツチングする場合であれば
化学反応がむらなく短時間に行える。
／３を載置し、真空用通路／２で連通ずる真空ポンプ（
図示省略）で吸引して被処理物／３を支持し、回転台乙
を回転させる。そして、シリンダ３乙によりホーン３／
を被処理物／３に／紗〜７０腑の間隔を有するように近
づけ、ホーン３／の処理液通路３２から処理液を排出さ
せ、被処理物／３の表面に処理液の膜ＩＩｔノを形成せ
しめる。ホーン３／は乙ＫＨ２〜１００ＫＨ２の超音波
振動を（７ているので、処理数の膜４Ｌ／を介して超音
波エネルギーを被処理物／３に伝えることになる。又処
理液にはホーン３／中を流れる際に超音波のキャビティ
ションが発生することになり、被処理物／３上にある汚
染物を剥離したり、現像やエツチングする場合であれば
化学反応がむらなく短時間に行える。
したがって、ソリコンウニ・・−１半導体用マスク等を
超音波でエツチングや現像或いは洗浄を行うのに適して
いる。
超音波でエツチングや現像或いは洗浄を行うのに適して
いる。
又、リンサードライヤーに応用してリンサーの純水に超
音波を当てながらリンスして乾燥することにより、より
一層の精密乾燥を行うことができる。
音波を当てながらリンスして乾燥することにより、より
一層の精密乾燥を行うことができる。
次に、第２実施例を第３図乃至第５図に基いて説明する
と、本実施例に用′ハるホーン３／は第３．４を図に示
すように、先端形状を矩形状に形成して複数個の排出口
４１２．≠２．−一一を設け、一本の処理液通路３２に
分岐路’／−３，−一−で連通し、入口は第１実施例と
同様に処理液用パイプ３３を接続している。そして、ホ
ーン３／はホーン３／′を介して超音波振動子３０に連
結している。前記ホーン３／′には振動の節部外周に鍔
部ｌＬｔ≠を設け、支持部材≠ｊに取付けている。
と、本実施例に用′ハるホーン３／は第３．４を図に示
すように、先端形状を矩形状に形成して複数個の排出口
４１２．≠２．−一一を設け、一本の処理液通路３２に
分岐路’／−３，−一−で連通し、入口は第１実施例と
同様に処理液用パイプ３３を接続している。そして、ホ
ーン３／はホーン３／′を介して超音波振動子３０に連
結している。前記ホーン３／′には振動の節部外周に鍔
部ｌＬｔ≠を設け、支持部材≠ｊに取付けている。
前記ホーン３／はローラコンベアーｌ／Ｌｚ上を移動す
る被処理物／３に近づけてセットし、第１実施例と同様
に排出ログ２．ｌＡ２．−−一から処理液を排出して被
処理物／３上に処理液の肪Ｊ≠／を形成ぜしめ、この膜
４ｔ／を介し２て被処尚、第５図中３４’は発振器、≠
乙はモータ≠７で駆動する鎖車で、ローラコンベアー≠
乙の末端に設けた鎖車≠♂を駆動するようになって、
いる。
る被処理物／３に近づけてセットし、第１実施例と同様
に排出ログ２．ｌＡ２．−−一から処理液を排出して被
処理物／３上に処理液の肪Ｊ≠／を形成ぜしめ、この膜
４ｔ／を介し２て被処尚、第５図中３４’は発振器、≠
乙はモータ≠７で駆動する鎖車で、ローラコンベアー≠
乙の末端に設けた鎖車≠♂を駆動するようになって、
いる。
次に、第３実施例を第６図に示す連１１胱処理手段につ
いて説明すると、ホーン３／は第２実施例のものを使用
する。漸／槽夕０．７．ｉ！槽ｊ／、高３槽！、２、漸
≠槽３３、漸ｊ槽！≠を並列て設置し、各種にローラコ
ンベアーｔＩ−乙を貫通状態に設置して被処理物／３を
移動させる。そして、名／槽夕０、＆２檜！／及び高３
槽ｊ２においてはローラコンベアー≠乙上方及びローラ
間にホーン３／が位置するように支持部材ｌ／ｌｊをセ
ットし、高／槽夕０において被処理物／３を洗浄する際
にはホーン３／の排出口≠２．−一一から洗剤を表裏に
吹付けて洗浄する。筋２槽ｊ／においては、排出口≠２
．−一一から純水を吹付けてすすぎを行い、／Ｖ、、３
槽夕２においては純水にて更にすすぎを行い、應≠槽に
おいではエアーナイフｊｊにより液切りを行いｊｆｎ
３槽よ弘において熟眠乾燥を行う。
いて説明すると、ホーン３／は第２実施例のものを使用
する。漸／槽夕０．７．ｉ！槽ｊ／、高３槽！、２、漸
≠槽３３、漸ｊ槽！≠を並列て設置し、各種にローラコ
ンベアーｔＩ−乙を貫通状態に設置して被処理物／３を
移動させる。そして、名／槽夕０、＆２檜！／及び高３
槽ｊ２においてはローラコンベアー≠乙上方及びローラ
間にホーン３／が位置するように支持部材ｌ／ｌｊをセ
ットし、高／槽夕０において被処理物／３を洗浄する際
にはホーン３／の排出口≠２．−一一から洗剤を表裏に
吹付けて洗浄する。筋２槽ｊ／においては、排出口≠２
．−一一から純水を吹付けてすすぎを行い、／Ｖ、、３
槽夕２においては純水にて更にすすぎを行い、應≠槽に
おいではエアーナイフｊｊにより液切りを行いｊｆｎ
３槽よ弘において熟眠乾燥を行う。
尚、現像を行う際には、瓜／槽！Ｏにて現像液を吹付け
、扁２槽ｊ／において処理液を、瓜３、槽！、２におい
て純水を吹付ければよいものである。
、扁２槽ｊ／において処理液を、瓜３、槽！、２におい
て純水を吹付ければよいものである。
本発明においては、処理液を介して被処理物に超音波エ
ネルギーを伝達し、更に処理液にキャヒテインヨンを発
生させるので、処理が硬実で且つ均一に行うことができ
る。
ネルギーを伝達し、更に処理液にキャヒテインヨンを発
生させるので、処理が硬実で且つ均一に行うことができ
る。
又、ホーン中に処理液を流すので、ホーンの冷却を行う
ことができる。
ことができる。
第１図は本発明に係る超音波化学処理方法の第１実施例
に用いる装置の要部を示す断面図、第２図は全体の配置
を示す一部を切欠いた正面図、第３図は第２実施例に用
いる装置のホーンのみを示す側面図、第≠図はその正面
図、第５図は処理状態を示す正面図、第６図は第３実施
例の配置を示す正面図、第７図は従来の一例を示す断面
図、第ｒ図は他の例を示す正面図である。 尚、図中７３・・・被処理物、３／・・・ホーン、弘／
・・・処理液の膜である。 特許出願人 島田哩化工業株式会社 第８図 第４馬
に用いる装置の要部を示す断面図、第２図は全体の配置
を示す一部を切欠いた正面図、第３図は第２実施例に用
いる装置のホーンのみを示す側面図、第≠図はその正面
図、第５図は処理状態を示す正面図、第６図は第３実施
例の配置を示す正面図、第７図は従来の一例を示す断面
図、第ｒ図は他の例を示す正面図である。 尚、図中７３・・・被処理物、３／・・・ホーン、弘／
・・・処理液の膜である。 特許出願人 島田哩化工業株式会社 第８図 第４馬
Claims (1)
- 超音波振動するホーン中に処理液を流し、処理液にキャ
ビティションを付与し、この処理液を被処理物に噴射し
て被処理物にキャビティションを伝達させることを特徴
とする超音波化学処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26842384A JPS61147534A (ja) | 1984-12-21 | 1984-12-21 | 超音波化学処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26842384A JPS61147534A (ja) | 1984-12-21 | 1984-12-21 | 超音波化学処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61147534A true JPS61147534A (ja) | 1986-07-05 |
Family
ID=17458276
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26842384A Pending JPS61147534A (ja) | 1984-12-21 | 1984-12-21 | 超音波化学処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61147534A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63305517A (ja) * | 1987-06-05 | 1988-12-13 | Puretetsuku:Kk | バ−型洗浄ノズル |
| JPH01175233A (ja) * | 1987-12-29 | 1989-07-11 | Nec Corp | ウェット装置 |
| JPH02966A (ja) * | 1988-06-06 | 1990-01-05 | Nec Corp | レチクル洗浄装置 |
| JPH04305927A (ja) * | 1991-02-19 | 1992-10-28 | Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd | 洗浄装置 |
| US7287537B2 (en) * | 2002-01-29 | 2007-10-30 | Akrion Technologies, Inc. | Megasonic probe energy director |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5825237A (ja) * | 1981-05-15 | 1983-02-15 | ジ−・シ−・エ−・コ−ポレ−シヨン | 半導体ウエハをクリーニングする装置 |
-
1984
- 1984-12-21 JP JP26842384A patent/JPS61147534A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5825237A (ja) * | 1981-05-15 | 1983-02-15 | ジ−・シ−・エ−・コ−ポレ−シヨン | 半導体ウエハをクリーニングする装置 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63305517A (ja) * | 1987-06-05 | 1988-12-13 | Puretetsuku:Kk | バ−型洗浄ノズル |
| JPH01175233A (ja) * | 1987-12-29 | 1989-07-11 | Nec Corp | ウェット装置 |
| JPH02966A (ja) * | 1988-06-06 | 1990-01-05 | Nec Corp | レチクル洗浄装置 |
| JPH04305927A (ja) * | 1991-02-19 | 1992-10-28 | Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd | 洗浄装置 |
| US7287537B2 (en) * | 2002-01-29 | 2007-10-30 | Akrion Technologies, Inc. | Megasonic probe energy director |
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