JP2011526084A - デュアルチャンバメガソニック洗浄器 - Google Patents
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Abstract
本明細書で説明される実施形態は、半導体デバイス製造に関し、より詳細には、複数の基板を同時に洗浄するための垂直に配置されたデュアルメガソニックモジュールに関する。一実施形態では、複数の基板を洗浄するための装置が提供される。本装置は、少なくとも1つの側壁および底を含む、越流処理流体を収集するための外部タンクを備える。処理流体を含むように適合された第1の内部モジュールは、外部タンクの中に部分的に位置付けされている。第1の内部モジュールは、基板を実質的に垂直配置で保持する1つまたは複数のローラ組立品を備える。処理流体を含むように適合された第2の内部モジュールは、外部タンクの中に部分的に位置付けされている。第2の内部モジュールは、基板を実質的に垂直配置で保持するように適合された1つまたは複数のローラ組立品を備える。各内部モジュールは、処理流体を通して基板の方へ振動エネルギーを送るように適合されたトランスデューサを含む。
Description
本発明の実施形態は、一般的に、半導体基板および同様なものなどの薄い基板を洗浄するための装置および方法に関する。より詳細には、本発明の実施形態は、メガソニックエネルギーを使用して薄い基板を洗浄することに関する。
集積回路製作プロセスの有効性は、2つの関係のある重要な要素によって評価され、この2つの要素は、デバイス歩留りと維持費(CoO)である。これらの要素は、電子デバイスを生産するためのコスト、したがって市場におけるデバイス製造業者の競争力に直接影響を及ぼすので重要である。CoOは、いくつかの要素の影響を受けるが、システムおよびチャンバの処理能力、すなわち、分かりやすくは、所望の処理シーケンスを使用して処理される時間当たりの基板数の影響を大きく受ける。CoOを低減するために、集積回路製造業者は、ツールの構造限界およびチャンバの処理時間が与えられると、可能な最大基板処理能力を実現するようにプロセスシーケンスおよびチャンバ処理時間を最適化しようと努力して多くの時間を費やすことが多い。
集積回路は、一般に、伝導性、半伝導性または絶縁性の層をシリコンウェーハ上に連続的に堆積することによって、基板上に形成される。1つの製作プロセスは、非平面表面の上に充填層を堆積させること、および非平面表面が露出されるまで充填層を平坦化することを含む。例えば、パターニングされた絶縁層上に伝導性充填層を堆積させて、絶縁層中の溝または穴を埋めることができる。次に、充填層は、絶縁層の突出パターンが露出されるまで研磨される。平坦化後、絶縁層の突出パターン間に残っている伝導層の部分が、基板上の薄膜回路間の伝導路を実現するビア、プラグおよび配線を形成する。その上、平坦化は、フォトリソグラフィのために基板表面を平坦化するのに必要である。
化学機械研磨(CMP)は、1つの受け入れられた平坦化法である。この平坦化法は、一般に、基板がキャリアまたは研磨ヘッドに取り付けられることを必要とする。基板の露出表面は、回転研磨ディスクパッドまたはベルトパッドに押し付けられる。研磨パッドは、「標準」パッドか固定研磨パッドかのどちらかであってもよい。標準パッドは、耐久性のあるざらざらした表面を持つが、固定研磨パッドは、封じ込め媒体中に保持された研磨粒子を持っている。キャリアヘッドは、基板を研磨パッドに押し付けるように基板に制御可能な負荷を与える。少なくとも1つの化学反応剤および標準パッドが使用される場合、研磨粒子を含んだ研磨スラリが、研磨パッドの表面に供給される。
研磨後、ウェーハ処理またはデバイス処理中でも、従来、スラリ残留物は、洗浄流体のタンク中に沈めることによって、音波エネルギーを与えられた洗浄流体もしくは水洗流体をスプレイすることによって、または剛毛もしくはスポンジ状材料から作られたブラシを使用するスクラビングデバイスによってなどで、ウェーハ表面から取り除かれる。これらの従来の洗浄デバイスは、ウェーハ端部に付着するスラリ残留物の実質的な部分を除去するが、それにもかかわらずスラリ粒子は残り、その後の処理中に欠陥を生成する。特に、その後の処理は、スラリ残留物をウェーハ端部からウェーハの前面に再分散させて、欠陥を生じさせることが分かっている。
したがって、高基板処理能力を実現しながらCoOを低減する、基板表面から残留物を除去する方法および装置が必要である。
本明細書で説明される実施形態は、メガソニックエネルギーを使用して薄い基板を洗浄する方法および装置を提供する。メガソニックエネルギーは、800と2000KHzの間の周波数で起きる一種の音響エネルギーである。一実施形態では、複数の基板を洗浄するための装置が提供される。本装置は、少なくとも1つの側壁および底を含む、越流処理流体を収集するための外部タンクを備える。処理流体および基板を含むように特定の寸法に作られた第1の内部メガソニックモジュール、第1の内部メガソニックモジュールは外部タンクの中に部分的に位置付けされている。第1の内部メガソニックモジュールは、基板を実質的に垂直配置で保持するように位置付けされた1つまたは複数のローラ組立品、および処理流体を通して基板の方へ振動エネルギーを送るように第1の内部メガソニックモジュール中に位置付けされたトランスデューサを備える。処理流体および基板を含むように特定の寸法に作られた第2の内部メガソニックモジュール、第2の内部メガソニックモジュールは外部タンクの中に部分的に位置付けされている。第2の内部メガソニックモジュールは、基板を実質的に垂直配置で保持するように位置付けされた1つまたは複数のローラ組立品、および処理流体を通して基板の方へ振動エネルギーを送るように第2の内部メガソニックモジュール中に位置付けされたトランスデューサを備える。
他の実施形態では、複数の基板を洗浄するための装置が提供される。本装置は外部タンクを備える。垂直壁を持つ第1の内部メガソニックモジュールは外部タンクと結合されている。垂直壁を持つ第2の内部メガソニックモジュールは外部タンクと結合されている。各内部メガソニックモジュールは、基板を実質的に垂直配置で壁と壁の間に支持するように位置付けされた複数の回転可能ローラ組立品と、メガソニックエネルギーを基板に向けて送り出すようにローラ組立品より下に位置付けされたトランスデューサとを備える。
さらに他の実施形態では、複数の基板を処理する方法が提供される。本方法は、各基板を別個の垂直処理チャンバの中へ導入するステップを含み、各垂直処理チャンバは、処理流体および基板を含むように特定の寸法に作られた内部メガソニックモジュールを備えるものであり、内部メガソニックモジュールは処理流体および基板を含むように特定の寸法に作られ、内部メガソニックモジュールは外部タンクの中に部分的に位置付けされ、内部メガソニックモジュールは、基板を実質的に垂直配置で保持するように位置付けされた1つまたは複数のローラ組立品、および処理流体を通して基板の方へ振動エネルギーを送るように内部メガソニックモジュール中に位置付けされたトランスデューサを備えるものであり、さらに、基板を各内部メガソニックモジュール中で回転させるステップと、内部タンクの下方から基板の方へメガソニックエネルギーを送るステップと、を含む。
本発明の上に列挙された特徴を詳細に理解することができるように、上に簡単に概要を示された本発明のより詳細な説明を、実施形態を参照することによって行うことができ、その実施形態のいくつかは、添付の図面に示されている。しかし、留意されるべきことであるが、添付の図面は、ただこの発明の典型的な実施形態を示すだけであり、したがって、この発明の範囲を限定するものと考えるべきでない。なぜなら、本発明は、他の同等に効果的な実施形態を認めることができるからである。
理解を容易にするために、可能である場合には、図に共通な同一要素を示すために同一参照数字が使用されている。考えられることであるが、一実施形態で開示された要素が、明確な詳説なしに他の実施形態で有利に利用されることがある。
本発明の実施形態は、半導体デバイス製造に関し、より詳細には、複数の基板を洗浄するための垂直配置デュアルメガソニックモジュールに関する。1つまたは複数のトランスデューサが、垂直配置基板の主表面に対して実質的に平行に方向付けされたメガソニック振動を発生することができる。
ある実施形態では、デュアルメガソニックモジュールの垂直配置は、基板の表面全体にわたった振動エネルギーのより一様な分布を可能にする。改善されたエネルギー分布によって、より小さなワット数を加えることができるようになる。その結果として、より小さなワット数は、モジュールのローラおよび他の構成要素の磨耗を減少させ、それによってCoOを低減する。
その上、システム内の他の研磨モジュールおよび/または洗浄モジュールは基板を垂直の状態で処理するので、一般に、単一ロボットが、研磨および洗浄システムのモジュール全ての要求に応えることができる。
本明細書で説明される実施形態は、半導体基板のCMP後の洗浄の背景で説明されるが、本方法および装置が半導体回路製作シーケンスの他の部分ならびに非半導体用途で使用できることは、理解されるべきである。本明細書で説明される実施形態を実施することができる特定の装置は限定されないが、カリフォルニア州サンタクララのApplied Materials Inc.より販売されているREFLEXION
LkCMPシステムおよびMIRRA MESA(登録商標)システムで本発明を実施するのが特に有利である。その上、他の製造業者から入手できるCMPシステムも本明細書で説明される実施形態の恩恵を受ける可能性がある。本明細書で説明される実施形態は、また、2009年4月9日に出願されたA POLISHING SYSTEM HAVING A TRACKという名称の米国特許出願番号第12/420,996号に記載されたオーバーヘッド環状トラックシステムを含めて、オーバーヘッド環状トラックシステムで実施することができる。
LkCMPシステムおよびMIRRA MESA(登録商標)システムで本発明を実施するのが特に有利である。その上、他の製造業者から入手できるCMPシステムも本明細書で説明される実施形態の恩恵を受ける可能性がある。本明細書で説明される実施形態は、また、2009年4月9日に出願されたA POLISHING SYSTEM HAVING A TRACKという名称の米国特許出願番号第12/420,996号に記載されたオーバーヘッド環状トラックシステムを含めて、オーバーヘッド環状トラックシステムで実施することができる。
図1は、本明細書で説明される一実施形態に従ってデュアルメガソニックタンク洗浄器146を備える化学機械研磨システム100の一実施形態の平面図である。化学機械研磨システム100は、工場インタフェース102、洗浄器104、および研磨モジュール106を含む。ウェットロボット108は、工場インタフェース102と研磨モジュール106の間で基板170を搬送するために設けられている。
工場インタフェース102は、一般に、1つまたは複数のカセット114と1つまたは複数の搬送プラットフォーム116の間で基板170を搬送するように構成されたドライロボット110を含む。図1に示された実施形態では、4つの基板収納カセット114が示されている。ドライロボット110は、ロボット110を工場インタフェース102内で横方向に位置付けするためにレールまたはトラック112に取り付けられることがあり、それによって、ドライロボット110の動く範囲を広げている。その上、ドライロボット110は、洗浄器104から基板を受け取り、きれいな基板を基板収納カセット114に戻すように構成されている。
研磨モジュール106は、複数の研磨ステーション(図示されていない)を含み、この研磨ステーションで、基板は、1つまたは複数の研磨ヘッド(図示されていない)に保持されている間に研磨される。1つの例示の研磨モジュールは、2009年4月25日に出願されたHIGH THROUGHPUT CHEMICAL MECHANICAL POLISHING SYSTEMという名称の米国特許出願番号第12/427,411号で説明されている。
処理された基板は、ウェットロボットによって研磨モジュール106から洗浄器104へ搬送される。洗浄器104は、一般に、シャトル140および1つまたは複数の洗浄モジュール144を含む。シャトル140は、ウェットロボット108から1つまたは複数の洗浄モジュール144への処理された基板のハンドオフを容易にする搬送機構142を含む。処理された基板は、オーバーヘッド搬送機構(図1に示されていない)によって、シャトル140から1対の洗浄モジュール144を通して搬送される。オーバーヘッド搬送機構の例示の実施形態は、2008年4月15日に出願された、2009年4月25日に出願されたHIGH THROUGHPUT CHEMICAL MECHANICAL POLISHING SYSTEMという名称の米国特許出願番号第12/427,411号の図7A〜7Dおよび対応する本文で説明されている。
洗浄モジュール144は、一般に、1つまたは複数のメガソニック洗浄器、1つまたは複数のブラシボックス、1つまたは複数のスプレイジェットボックス、および1つまたは複数の乾燥器を含む。図1に示された実施形態では、1つまたは複数の洗浄モジュール144の各々は、デュアルメガソニックタンク洗浄器146、4つのブラシボックスモジュール148、スプレイジェットボックスモジュール150、および乾燥器152を含む。乾燥器152を出る乾燥された基板は、乾燥された基板170を1つのウェーハ収納カセット114の空のスロットに戻すドライロボット110で回収するために水平配置に回転される。本発明の恩恵を受けるように適合される可能性のある洗浄モジュールの1つの実施形態は、カリフォルニア州サンタクララにあるApplied Materials,Inc.から入手することができるDESICA(登録商標)である。
基板の存在の検出、基板の上げ/下げ、基板の引渡しもしくは取出し(ロボットによる)の制御、乾燥中における乾燥蒸気の送出/供給、および/または同様なものなどの乾燥モジュールの動作を制御するために、制御装置190が使用されることがある。制御装置190は、1つまたは複数のマイクロプロセッサ、マイクロコンピュータ、マイクロコントローラ、専用ハードウェアまたは論理、同じようなものの組合せなどを含むことがある。
図2A〜2Bは、それぞれ、メガソニックエネルギーを使用して複数の基板を同時に洗浄するために利用されることがあるデュアルメガソニックタンク洗浄器146の一実施形態の透視図および断面図である。デュアルメガソニックタンク洗浄器146は、垂直内部メガソニックモジュール210、220から溢れ出る処理流体の越流受け容器として機能するように適合された外部タンク230と結合され、互いに隣接して位置付けされた2つの垂直配置内部メガソニックモジュール210、220を含む。外部タンク230および垂直内部メガソニックモジュール210、220は、ポリビニルジフロライド(PVDF)または処理化学現象と共存可能な任意の他の材料のような材料を含むことができる。一実施形態では、垂直内部メガソニックモジュールは、溶接のような付着技術を使用して単一組立品を形成するように外部タンク230と結合されることがある。垂直内部メガソニックモジュール210、220は、垂直内部メガソニックモジュール210、220が外部タンク230の底224より下に部分的に延びるように、外部タンク230と結合されることがある。
図示された実施形態では、垂直内部メガソニックモジュール210、220は、各垂直内部メガソニックモジュール210、220のそれぞれの前壁212が互いに平行でかつそれぞれの後壁(この図には示されていない)が互いに平行であるように、並んで位置付けされている。一実施形態では、垂直内部メガソニックモジュール210、220は、垂直軸に対して僅かに角度を付けられることがあり、例えばいくつかの実施形態では1と1.5度の間、また他の実施形態では8から10度までの角度を付けられることがある。メガソニックモジュール210、220は、各々、ベース240に結合され、このベース240は、各メガソニックモジュール210、220の支持を実現し、また垂直メガソニックモジュール210、220の流体入口および出口用マニホルドとしても機能する。デュアルメガソニックタンク洗浄装置146は、共通ベース板260を含み、この共通ベース板260にメガソニックモジュール210、220が個々に取り付けられている。デュアルメガソニックタンク洗浄器146は、さらに、外部タンク230の上端226に結合された一体化排気マニホルド270を含む。一実施形態では、排気マニホルド270は、1つまたは複数の蒸気を大気中に排気するための排気ポート275を持っている。一実施形態では、デュアルメガソニックタンク洗浄器146は、排気マニホルド270上に位置付けするためのカバー組立品280を含む。カバー組立品280は、メガソニックモジュール210、220から炎が出るのを妨げるだけでなく、メガソニックモジュール210、220の内部を保護するのに役立つ。カバー組立品280は、また、基板が入ることおよび出ることを可能にするようにカバー組立品280に対して滑動する滑動部分282を含む。
図2Bは、本発明の一実施形態に従った、後壁が取り除かれた状態の図2Aのデュアルメガソニックタンク洗浄器146の一実施形態の断面透視図である。メガソニックモジュール210、220は、モジュール210、220がデュアルメガソニックタンク洗浄器146中で使用されることがある垂直配置で示されている。各メガソニックモジュール210、220は、前壁212と、後壁306(この図には示されていない)と、側壁216と、処理領域の底を画定するトランスデューサ218とによって画定されるメガソニック処理領域214を含む。
メガソニック処理領域214は、処理流体および基板290を保持するのに十分な内部体積を画定する幅寸法および深さ寸法を有している。一実施形態では、基板は処理流体中に部分的に浸される。他の実施形態では、基板は処理流体中に完全に浸される。前壁212および後壁306の上端に堰222が形成されて、メガソニック処理領域214中の流体が外部タンク230の中に溢れ出ることができるようになっている。堰222および側壁216は、基板搬送組立品が各メガソニックモジュール210、220の中へ、また各メガソニックモジュール210、220から外へ少なくとも1つの基板を搬送することができるように特定の寸法に作られた開口を画定している。
図3は、側壁216が取り除かれた状態の垂直メガソニックモジュールの一実施形態の部分断面図であり、図4は、後壁306が取り除かれた状態の垂直メガソニックモジュールの一実施形態の部分断面図である。図3および図4を参照して、メガソニック処理領域214を処理流体で満たすように構成された入口マニホルド302は、各メガソニックモジュール210、220のベース240に形成されている。入口マニホルド302は、トランスデューサ218より上の前壁212および後壁306に形成された、メガソニック領域214に通じている複数の穴304を有している。一実施形態では、穴304は、基板290の位置より下のメガソニック処理領域214中に処理流体を送り出すように角度を付けられている。流体をメガソニック処理領域214に供給するために、入口ポート(図示されていない)および流体供給294が入口マニホルド302と結合されている。
図2、3および4を参照して、処理中に、処理流体は、流体供給294および入口マニホルド302から流入して、複数の穴304を経由して底からメガソニック処理領域214を満たすことができる。メガソニック処理領域214は、処理流体で適切なレベルまで満たされることがある。一実施形態では、処理領域214は、処理流体中への基板290の完全な浸漬を可能にするレベルまで処理流体で満たされることがある。他の実施形態では、処理領域214は、処理流体中への基板290の部分的な浸漬を可能にするレベルまで処理流体で満たされることがある。処理流体は、脱イオン水(DIW)、1つもしくは複数の溶剤、標準洗浄1(SC1)のような洗浄化学現象、界面活性剤、酸、塩基、または基板を乾燥しならびに/もしくは基板から膜および/もしくは粒子を洗い流すのに有用な任意の他の化学薬品を含むことができる。
処理流体がメガソニック処理領域214を満たし、堰222に達したときに、処理流体は堰222から外部タンク230の中へ溢れ出る。第1のメガソニックモジュール210および第2のメガソニックモジュール220からの越流処理流体が、第1のメガソニックモジュール210と第2のメガソニックモジュール220の間の、外部タンク230の中心にある出口ポート232に向かって流れるように、外部タンク230は、中心に向かって内側へ傾斜している。出口ポート232は、ポンプシステム(図示されていない)に接続されることがある。一実施形態では、出口ポート232は、洗浄流体の除去、排出、または再利用を容易にするように負圧容器に向けて経路を設定されることがある。使用された処理流体は、加熱され、濾過され、再循環させて垂直メガソニックモジュール210、220に戻すために調整される。したがって、外部タンク230は、第1のメガソニックモジュール210と第2のメガソニックモジュール220の両方に共通な流体再循環システムを実現する。一実施形態では、外部タンク230は、約4リットルと約5リットルの間の処理流体を保持するように特定の寸法に作られる。一実施形態では、外部タンク230は、約4.6リットルの処理流体を保持するように特定の寸法に作られる。
外部タンク230は、また、外部タンク230内の処理流体のレベルを検出するための複数の流体レベルセンサ234を含むことがある。処理流体のレベルが低いとき、流体レベルセンサ234は、デュアルメガソニックタンク146にもっと多くの処理流体を送り出すように流体供給294に信号を送るために帰還ループ中で使用されることがある。図2Aの実施形態では4つの流体レベルセンサ234が示されているが、任意の数の流体レベルセンサ234が外部タンク230に含まれることがある。
メガソニックトランスデューサ218は、メガソニック処理領域214より下の、垂直メガソニックタンク210、220のベース240中に配置されている。一実施形態では、メガソニックトランスデューサ218は、メガソニック処理領域214の底を画定する。他の実施形態では、メガソニックトランスデューサ218は、ベース240の窓の後ろに配置される。一実施形態では、メガソニックトランスデューサ218は、フランジ320によって所定の位置に保持される。一実施形態では、トランスデューサ218は、u字状チャネル318の中に位置付けされる(図3を参照されたし)。一実施形態では、u字状チャネル318は、ベースモジュール240の一体化部分として形成される。一実施形態では、u字状チャネル318は、フランジ320(図3を参照されたし)をベースモジュール240に結合することによって形成されることがあり、u字状チャネルはベースモジュール240とフランジ320の間に画定される。フランジ320は、垂直メガソニックモジュール210、220をベースモジュール240から取り除く必要なしに、トランスデューサ218に容易にアクセスできるようにする。
図3を参照して、一実施形態では、ガスケット316(図3を参照されたし)がトランスデューサ218を囲繞して、処理流体がメガソニック処理領域214から漏れるのを妨げている。一実施形態では、ガスケット316は、単一部品の閉環ガスケットであることがある。一実施形態では、ガスケット316は、ガスケットが取り付け時に伸び、その後トランスデューサ218に合うように収縮するような材料を含む。一実施形態では、ガスケット316は複数の部品を含むことがある。一実施形態では、ガスケット316は、DuPont Performance Elastomers L.L.C.から入手できるKalrez(登録商標)のようなパーフルオロエラストマー材料を含む。
メガソニックトランスデューサ218は、メガソニックエネルギーをメガソニック処理領域214に供給するように構成されている。メガソニックトランスデューサ218は、例えば、圧電アクチュエータ、または所望の振幅のメガソニック周波数の振動を発生することができる任意の他の適切な機構を使用して実現されることがある。メガソニックトランスデューサ218は、メガソニックエネルギーをメガソニック処理領域214中へ送るように方向付けされた単一トランスデューサ、または複数のトランスデューサのアレイを含むことがある。メガソニックトランスデューサ218が、メガソニック処理領域214の処理流体中へエネルギーを送るとき、アコースティックストリーミング、すなわち微小バブルの流れが処理流体の中に誘起されることがある。アコースティックストリーミングは、処理される基板からの汚染物の除去を促進し、除去された粒子を処理流体中で動いている状態にしておくので、除去された粒子の基板表面への再付着を防止する。トランスデューサ218は、メガソニックエネルギーを基板290の端に対して垂直な方向に、または垂直からある角度に送るように構成されることがある。一実施形態では、メガソニックトランスデューサ218は、洗浄される基板290の直径に長さがほぼ等しいように特定の寸法に作られる。したがって、基板290の表面の各部分は、洗浄プロセス中に、等しい量のメガソニックエネルギーを受ける。トランスデューサ218は、一般に、RF電力供給292に結合される。
2つのトランスデューサ218は、メガソニックモジュール210、220ごとに1つが示されているが、もっと少ないまたはもっと多くのトランスデューサが使用されることがある。例えば、第3のトランスデューサ(図示されない)が、第1のメガソニックモジュール210と第2のメガソニックモジュール220の間に配置されて、第1のメガソニックモジュール210と第2のメガソニックモジュール220の両方にメガソニックエネルギーを送ることがある。一実施形態では、第3のトランスデューサは、処理流体中に全部または部分的に沈められて外部タンク230中に配置されることがある。第3のトランスデューサは、基板の主表面に対して実質的に平行な側面から基板290に衝突する振動エネルギーを発生するように方向付けされることがある。トランスデューサ218は、長方形に形作られるように示されているが、本明細書で説明される実施形態に関して任意の形のトランスデューサが使用されることがあることを理解すべきである。
その上、2つのトランスデューサ218が一緒に使用される必要はない。例えば、第1のメガソニックモジュール210のトランスデューサ218は、単独で使用されることがあり、または第2のメガソニックモジュール220のトランスデューサ218と異なるパワーレベルで使用されることがある。制御装置190は、トランスデューサ218の動作を制御するように適合されることがある。各トランスデューサ218は、連続して、周期的に、または任意の適切なサイクル時間でエネルギーを供給することがある。
一実施形態では、トランスデューサ218は、トランスデューサ板310と結合された空気冷却マニホルド308を使用して空冷されることがある。空気冷却マニホルド308は、空気のような冷却流体をメガソニックトランスデューサ218の裏側に向けて送るためのいくつかの穴403を持つ1本の管を含むことがある。一実施形態では、この管は、処理流体と反応しないアルミニウムまたは任意の他の適切な材料を含む。この管は、溶接または任意の他の適切な付着技術によってトランスデューサ板310と結合されることがある。一般的に、大きなトランスデューサは、動作するのにかなりの量のエネルギーを必要とし、したがって動作中にかなりの量の熱を発生する。処理中にトランスデューサ218を空冷できる能力は、トランスデューサ接着剤および周辺材料に悪影響を及ぼすのを妨げ、したがって、メガソニックトランスデューサ218の寿命を延ばし、さらに全体的なシステム保守を軽減する。
図4を参照すると、メガソニックモジュール210、220のベース240は、また、流体入口312および流体出口314を含む。処理後、DI水または他の適切な流体を、入口312を通して流してタンクにどっと流して洗い、その後出口314を通して排出して、処理領域が取入れマニホルドからのきれいな水洗流体で再び満たされるようにすることができる。一実施形態では、メガソニックモジュール210、220の底402は、メガソニックモジュール210、220の水洗および洗浄を可能にするように流体入口312と流体出口314の間で傾斜している。一実施形態では、メガソニックモジュール210、220の底402は、約1度と約3度の間で、例えば約1.5度で傾斜している。
図5は、図2Aのデュアルメガソニックタンク洗浄器の一実施形態の底面図であり、ベース板260の一実施形態を示している。ベース板260は、2つの取外し可能なトランスデューサ板310を含む。各トランスデューサ板310の取外しによって、保守または取替えのために各トランスデューサ218に容易にアクセスすることができるようになる。トランスデューサ板310は、各トランスデューサ218のインタフェース接続を保持して、システムの下側からRF電力供給292を接続するために容易にアクセスすることができるようにする。
図2Bを参照すると、ローラ組立品202、204がトランスデューサ218より上に位置付けされて、垂直方向で基板290をトランスデューサ218と一直線上に支持している。ローラ組立品202、204は、回転可能であり、好ましくは各々、最小接触で基板を支持するために、v字状溝610を持つ回転可能な車輪を含む。ローラ組立品202、204は、各メガソニックモジュール210、220の前壁212と後壁306の間に延びている。ローラ組立品202、204は、メガソニック処理領域214中に位置付けされた基板を支持しかつ回転させるために使用される。一実施形態では、図2Aおよび2Bに示されたローラ組立品202、204は、垂直から約55度と65度の間で、約110度と約130度の間の間隔をあけて配置されることがある。一実施形態では、図2Aおよび2Bに示されたローラ組立品202、204は、基板に対する優れた支持を実現し、また各メガソニック処理領域214に基板290を置きまたは取り出すために使用される基板グリッパ組立品のための隙間も実現するために、垂直から59度で、約118度の間隔をあけて配置されることがある。約118度の間隔は、基板の端部により多くの摩擦を与え、この摩擦は基板が回転することなく滑るのを妨げることが分かった。
グリッパ組立品は、メガソニック処理領域214中にロードされるまたはメガソニック処理領域214からアンロードされる基板に接触しおよび/または支持するために、1つまたは複数のパッド、挟み具(pincers)または他の掴み面を含むことがある。いくつかの実施形態では、基板はメガソニック処理領域214に対して上げられるか下げられるので、グリッパは、レールまたは他の案内などによって垂直方向に動くように適合されることがある。
ローラ組立品202、204に位置付けされた基板290に接触しかつ安定化するために、安定化機構206が位置付けされている。安定化機構206は、基板290の側面に接触しかつ基板290が、ローラ組立品202、204に接して回転するとき、ぐらぐらするのを十分に減少させまたは妨げるために、任意の点に位置付けすることができる。
ベース板260上または任意の他の適切な位置に配置されることがあるモータ208は、ローラ組立品202、204の一方または両方に動作可能に結合される。一実施形態では、別個の駆動機構が各ローラ組立品202、204に含まれることがある。他の実施形態では、第1のローラ組立品202だけが駆動され、第2のローラ組立品204は、アイドラとして受動的に回転することがある。
図6は、メガソニックタンクの一実施形態の部分断面図であり、ローラ組立品の一実施形態を示す。ローラ組立品202は、基板290を支持するように適合されたローラ602、モータ208に結合されることがある歯車604、および歯車604をローラ602と結合するシャフト612を含む。いくつかの実施形態では、両方の組のローラおよび/または各組の1つだけのローラを駆動するために、ただ1つのモータが使用されることがある。一実施形態では、ローラ組立品202は、基板290がメガソニック処理領域214の中心に位置付けされるように位置付けされ、例えば、基板と前壁212の間の距離および基板と後壁306の間の距離は、距離Xである。一実施形態では、距離Xは約10mmと約20mmの間である。一実施形態では、距離Xは約15mmである。基板を処理領域214の中心に位置付けすることで、基板に対してエネルギーおよび処理流体を一様に分布させることができるようになる。ローラ組立品202は、後壁306と前壁212の間のメガソニック処理領域214の全幅に延びて、基板290がメガソニック処理領域214の中へ落ちトランスデューサ218を損傷させるのを妨げている。一実施形態では、ローラ602は、後壁306に形成された凹部608の中に延びている。凹部608は、ローラ602の回転を可能にするように特定の寸法に作られるが、またローラ602が凹部608から滑り出るのを妨げるに足るだけしっかりローラ602を保持している。ローラ602は後壁306と磁気的に結合されることがある。ローラ602は溝610を有し、この溝610は、図示のようにv字状であることがあり、またはu字状など違った風に形作られることがある。ローラ602と接触したとき、溝610は基板290の端を掴み、したがって、基板290がローラの回転と共に回転するようになる。図示のように、ローラ602と基板290の間にギャップ630が存在する。ローラ組立品202のシャフト612は、メガソニック処理領域214の前壁212の開口を通って延びている。シャフト612と開口の間の体積を封止するように、シャフト封止材616が開口中に位置付けされている。
制御装置190は、モータ208に結合され、ローラ組立品202の動きおよび/または回転を制御することができる。制御装置190は、また、ローラ組立品202の回転を監視する回転センサ(図示されない)から信号を受け取ることがあり、基板の回転速度の表示を行う。例えば、ローラ組立品202の1つまたは複数が磁石(図示されない)を含むことがあり、磁石の回転が、ローラおよび基板の回転速度を示すために使用されることがある。
図2Aを参照すると、基板センサ250は、支持部材252など介して前壁212に結合されることがある。センサ250は、基板表面がセンサの前または近傍に位置しているかどうかを決定するように適合された赤外センサまたは他の適切なセンサを含むことができる。いくつかの実施形態では、基板センサ250は、垂直活性位置と水平不活性位置の間を回転できることがある。
垂直メガソニックモジュールの例示の動作
動作状態では、本発明のいくつかの実施形態に従って、第1のメガソニックモジュール210および第2のメガソニックモジュール220は、基板全体を沈めるために十分な流体を含む。基板290が各対応するメガソニックモジュール210、220のローラ組立品202、204に位置付けされたとき、基板290は、トランスデューサ218と一直線上にあり、かつメガソニック処理領域214の中心に置かれている。
動作状態では、本発明のいくつかの実施形態に従って、第1のメガソニックモジュール210および第2のメガソニックモジュール220は、基板全体を沈めるために十分な流体を含む。基板290が各対応するメガソニックモジュール210、220のローラ組立品202、204に位置付けされたとき、基板290は、トランスデューサ218と一直線上にあり、かつメガソニック処理領域214の中心に置かれている。
動作状態では、トランスデューサ218は、エネルギーを与えられ、メガソニック速度で振動し始める。トランスデューサ218は、約300ワットと500ワットの間などの約200ワットから約1,000ワットまでの電力範囲の電力、例えば400ワットを供給されることがある。したがって、メガソニックエネルギーは流体に結合され、流体を通って上方に進んで、主基板表面に平行に進み、少なくとも基板290の端面に接触する。モータ208はエネルギーを与えられ、第1のローラ組立品202を回転させて、基板290が回転するようにする。基板290が回転するときに、これと共に第2のローラ組立品204が受動的に回転し、したがって、基板を損傷するかもしれない滑りも減少させながら第2のローラ組立品204と基板290の間の不必要な摩擦の発生を防ぐ。安定化機構206が基板290の端部に接触して、基板290がぐらぐらするのを減らし、ことによると防止する。
基板290が所望の回転数を終えた後で、ロボットが基板290を他の洗浄ステーションまたは乾燥器に搬送し、新しい基板290を第1のローラ組立品202および第2のローラ組立品204に位置付けする。
一実施形態では、メガソニックモジュール210およびメガソニックモジュール220での各基板290の洗浄サイクルは、同時に起きるように同期をとられる。他の実施形態では、各基板290の洗浄サイクルはずれている。
前述のものは本発明の実施形態に向けられているが、本発明の他のおよびさらに進んだ実施形態が、本発明の基本的な範囲から逸脱することなしに考案されることがあり、本発明の範囲は、次の特許請求の範囲によって決定される。
Claims (15)
- 複数の基板を洗浄するための装置であって、
少なくとも1つの側壁および底を含む、越流処理流体を収集するための外部タンクと、
処理流体および基板を含むように特定の寸法に作られた第1の内部メガソニックモジュールであって、前記外部タンクの中に部分的に位置付けされ、
前記基板を実質的に垂直配置で保持するように位置付けされた1つまたは複数のローラ組立品、および
前記処理流体を通して前記基板の方へ振動エネルギーを送るように前記第1の内部メガソニックモジュール中に位置付けされたトランスデューサ、を含む第1の内部メガソニックモジュールと、
処理流体および基板を含むように特定の寸法に作られた第2の内部メガソニックモジュールであって、部分的に前記外部タンクの中に位置付けされ、
前記基板を実質的に垂直配置で保持するように位置付けされた1つまたは複数のローラ組立品、および
前記処理流体を通して前記基板の方へ振動エネルギーを送るように前記第2の内部メガソニックモジュール中に位置付けされたトランスデューサ、を含む第2の内部メガソニックモジュールと
を備える、装置。 - 前記第1の内部メガソニックモジュールのそれぞれの前壁と前記第2の内部メガソニックモジュールのそれぞれの前壁が互いに平行で、かつ前記第1の内部メガソニックモジュールのそれぞれの後壁と前記第2の内部メガソニックモジュールのそれぞれの後壁が互いに平行であるように、前記第1の内部メガソニックモジュールと前記第2の内部メガソニックモジュールが、前記外部タンクの中にほぼ垂直に並んで配置されている、請求項1に記載の装置。
- 前記第1の内部メガソニックモジュールおよび前記第2の内部メガソニックモジュールが、各々、前記処理流体および所望のサイズの前記基板を保持するのに十分な内部体積を画定する幅寸法および深さ寸法を有する処理領域を備える、請求項1に記載の装置。
- 前記外部タンクは、処理流体が前記外部タンクの中心に向かって徐々に流れ去ることができるように角度を付けられている、請求項1に記載の装置。
- 前記外部タンク、前記第1の内部メガソニックモジュールおよび前記第2の内部メガソニックモジュールが、単一組立品を形成する、請求項1に記載の装置。
- 前記第1および第2の内部メガソニックモジュールが、前記外部タンクの底より下に部分的に延びている、請求項1に記載の装置。
- 前記トランスデューサが、前記第1の内部メガソニックモジュールの処理領域の底を画定し、さらに、前記垂直配置基板の主表面に対して実質的に平行な方向にメガソニックエネルギーを送るように位置付けされている、請求項1に記載の装置。
- 前記トランスデューサは、洗浄されるべき前記基板の直径に長さがほぼ等しくなるように特定の寸法に作られている、請求項1に記載の装置。
- 前記1つまたは複数のローラ組立品の少なくとも1つが、前記内部メガソニックモジュールの前記それぞれの前壁と前記それぞれの後壁の間に延びている、請求項1に記載の装置。
- 各内部メガソニックモジュールが、さらに、基板安定化機構を備える、請求項9に記載の装置。
- 前記第1の内部メガソニックモジュールおよび前記第2の内部メガソニックモジュールが、共通のベース板に取り付けられ、前記トランスデューサが前記共通ベース板と結合されている、請求項1に記載の装置。
- 前記第1の内部メガソニックモジュールおよび前記第2の内部メガソニックモジュールが、各々、前記モジュールの水洗および洗浄を可能にするように流体入口および流体出口を有する、請求項11に記載の装置。
- 各内部メガソニックモジュールの底が、水洗流体および洗浄流体の流出を可能にするように前記流体入口と前記流体出口の間で傾斜している、請求項12に記載の装置。
- 前記第1の内部メガソニックモジュールおよび前記第2の内部メガソニックモジュールが、各々、処理流体を前記内部モジュールの中へ送り出すための複数の角度の付いた穴を持つ垂直壁を有し、前記複数の角度の付いた穴が、前記複数のローラ組立品より下にある、請求項1に記載の装置。
- 複数の基板を処理する方法であって、
各垂直処理チャンバが少なくとも部分的に外部タンクの中に収納されており、各垂直処理チャンバが、
処理流体および基板を含むように特定の寸法に作られた内部メガソニックモジュールを備え、前記内部メガソニックモジュールが前記外部タンクの中に部分的に位置付けされており、前記内部メガソニックモジュールが、
前記基板を実質的に垂直配置で保持するように位置付けされた1つまたは複数のローラ組立品、および
前記処理流体を通して前記基板の方へ振動エネルギーを送るように前記内部メガソニックモジュール中に位置付けされたトランスデューサ、を含む、別個の垂直処理チャンバの中へ各基板を導入し、
前記基板を各内部メガソニックモジュール中で回転させ、
前記内部タンクの下方から前記基板の方へメガソニックエネルギーを送る
ことを含む、方法。
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