TW446575B - Device for treating substrates in a fluid container - Google Patents

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John Oshinowo
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Steag Micro Tech Gmbh
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Description

經濟部中央橾準局負工消費合作社印装 4465?g A7 B7 五、發明説明（1 ) 本發明係關於一種在液體容器内處理基質之裝置。 此型裝置習知例如US-PS 5 275 184或本案申請人提出 之DE-A-44 13 077，在這些裝置内，液體經由一個注入開 口或一個擴散器被導入液體槽内’並且自槽的上端溢流 出。當在液體容器的底部設一個單獨入流口，則單位時 間的流入量及注入液體的速度受到限制。更甚者，不能 在容器内達到均勻的流動關係，使液體槽内欲處理的基 質或晶圓片能均勻地以液體噴射及沖洗整片基質寬度或 表面範圍。當運用一個擴散器，雖然能在液體容器内把 注入的液體較佳地分佈於整個液體表面，但單位時間的 流入量及特別是液體流入速度受到擴散器的運用而大幅 被限制住。 本發明之課題即，製造一種在液體容器内處理基質之 裝置’其能在液體容器内有最佳的流動關係，並且實現 .最大的滾動及流動速度。 此既定課題，如本發明所述，係經由一個噴嘴系統解 決，其含有多個導入液體的喷嘴。基於多個噴嘴的構造 ，被導入的液體在液體容器内具有所欲的流動關係或欲 達到的所需流動關係，而能把整片欲處理的基質以液體 均勻地沖洗及喷射。經由運用噴嘴導引液體，能以單位 時間高流入速度及高流量把液體注入到液體容器内而 達到極高流速卻維持一個層狀流動。藉此不僅改善基質 的處理，同時也縮短處理程序而提升裝置的工作效率。 依據本發明特別合宜的構造，至少有幾個噴嘴具備不 本紙張ΛΛΛΛΙ +¾时縣（CNS)从狀（
(請先Μ讀背面之注$項再填寫本頁) 訂 — 446575 A7 B7 五、發明说明（2 ) 同的喷出角度。噴嘴的喷出形狀以圓錐形為佳，但亦可 以是扇葉形’而使得液體的引入端視各情形的性質和嘴 嘴的位置，且基於在液體容器内達到一個均勻的、層狀 的液流，而使液體均句沖洗基質的考慮能被最佳化。 噴嘴主要被排列在容器的底部，並且根據一個特別合 適的實施例，是以矩陣形式分佈在容器的底部。依此方 式，液體被引入且均勻地分佈在整個液體容器的表面， 並且尤其也能夠在邊緣部位實現最佳的流動關係。 噴嘴宜被組成喷嘴群，其最好設置在不同的容器底部 區域。合適的方式是，安排一组噴嘴在中央區域及在兩 個外圍區域各設置一組喷嘴，而在個別區域的喷嘴密度 和數目可以不同。同樣也適合在各個喷嘴及/或喷嘴群 設置分離的液體供給裝置，而使得噴嘴能以不同的液壓 喷射。 依據本發明一優異的實施例，在液體容器的底部預設 一個液體注入腔與喷嘴銜接。依據本發明另一實施例， 液體注入腔針對各個喷嘴及/或喷嘴群被分割成部份空 腔。 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 位於液體容器底部的液體注入腔主要被構造成為介於 一個雙底部之間的一個夾層空間形式。 依據本發明一個特別合宜的實施例，除了喷嘴之外， 預設有任意清洗噴嘴的任意清洗開口，其亦宜以矩陣形 式設於噴嘴之間。依此方式，亦可能任意清洗介於噴嘴 和死角之間的中間區域。任意清洗開口最好亦如同喷嘴 本紙張尺度適用t國國家揉準（CNS > Α4规格（210Χ2!»7公釐） -5 - ^ 446 571 A7 B7 五 經濟部中央標孳局負工消費合作杜印褽 發明説明（3 ) 與位於下面的液體注入腔銜接。 依據本發明另一優異的實施例，液體容器的底部成斜 面，底部宜朝向中央傾斜，大致朝向液體容器的中心線 或中央點下降。依此方式，則液體容器朝下排放液體時 能快速且完全漏完。 為了快速排放液體，而在液體容器内，且特別在該容 器内的中央或中心線’預設一個具有大直徑可緊閉的開 口。在停電或其他偶發事件時，但亦與常見的製程步驟 相關’依此方式’能把在液體容器内的基質快速從處理 液’例如酸蝕劑’移開。一般在液體槽下面預設一個承 接容器’以承接快速排放出的液體。 本發明另一實施例為，除了或替代在容器底部的喷嘴 之外’在液體容器的邊壁上預設喷嘴，以此方式，方便 在侧邊或在液體底部和邊壁之間的過渡區域内導引液體 而在液體容器内流動，因此進一步地改善流動關係或 提昇液體滾動體積。 依據本發明另一優異的實施例，噴嘴及/或喷嘴群配 屬於不同的液體。屬於不同組群的各別噴嘴及/或噴嘴 群也因此基於導管和幫浦而彼此分開，則不同的液體， 如不同的化學劑，經由配屬化學劑的噴嘴及/或噴嘴群 被導引《如此，能夠快速更換液體且不會有混雜的顧慮 ’此係只有配置到這個嘴嘴的液體流到這個別的噴嘴。 依據本發明另一優異的實施例，除了經由噴嘴導引的 液體之外’導引其他的液體，如附加的化學劑、氣體、 本紙張又度速用中國國家橾率（CNS ) A4規格（210>：23_7公釐） 經濟部中央樣準局負工消費合作社印聚 ^ 446β?Β Α7 ______Β7 _ 五、發明説明（4 ) 臭氧、水等到液體容器内。特別是為了附加引入化學劑 、氣體、臭氧或水，而在液體容器肉至少預設一個擴散 器。 本發明之一個也很合宜的實施例為，在液體容器的上 面區域’大約靠在邊壁上安排噴灑噴嘴，以清潔液體容 器及/或在同一液體容器内進行不同程序的中間，大致 是介於酸蝕、清洗及乾燥過程之間，作為基質濕潤及維 持潮濕之用。此處主要是把氣溶膠、水份、其他的化學 劑蒸氣噴灑出去，或者也喷灑從下面被導引入液體容器 的液體。 上述課題的解決方式是，在液體容器設置一個基質承 載裝置’其含有三個撐托基質的撐托部位，此可以與上 述特徵結合，但也可以與之無關。在三個位置撐托基質 則保持基質的一個確定位置，而不需在液體槽内導引。 .基質承載裝置主要能夠抬昇及降下。此處適宜的作法是 ，至少有一個撐托部位是一個刀形架，其在橫著架梁走 向具有狹縫以承載基質的邊緣部位。主要至少有一個撐 托部位，相對於至少其他的一個撐托部位，沿著垂直方 向能夠移動。為了不重複敘述，關於這個特徵此參閱本 案申請人未預先公開的文件DE-A-196 15 108和DE-A_195 46 990，以避免一再敘述，此特徵係被作為目前本發明的 物件。 依據本發明另一優異的實施例，基質承載裝置僅具有 —個約成為刀形架的撐托部位，而在液體容器至少一個 用中目«家標率（) A4祕（210XM7公釐)~~~ : ---
(請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
446575 A7 ___________ B7 五、發明説明（5 ) 邊壁的内側表面的裡面或上面預設基質的導引件。此實 施例的優點是，基質承載裝置在液體槽内沒有或僅有微 小的空間需求’因而維持小的容器體積和化學劑體積， 並且處理程序的成本，大致依照化學劑的損耗量而定， 就能夠被降低《導引件由狹缝，然而主要是架子、梢柱 及/或粒結所構成，與狹縫的結構比較，其優點為較容 易且快速被清潔，並且必要時被乾燥。當先後浸入一種 液體或注滿液體容器’則在狹缝内停留相對多的液體， 並且污染後續注入的液體。 依據本發明另一優異的實施例，在液體容器邊壁的内 侧表面具有不含導引件的區域。為了不妨礙在液體容器 内確實的導引和基質的撐托，把内侧表面沒有導引件的 區域相對於内侧表面含有導引件的區域偏移安置。例如 若在一個内侧表面區域已預設導引件，則在對面的内侧 .表面區域不必設置導引件，因為導引件在一個侧邊已足 夠了。在内側表面無導引件的區域主要預設注入開口、 噴灑噴嘴、擴散器、紫外線光源及/或超音波發射裝置 0 經濟部中央橾準局貝工消费合作社印製 本發明另一合適的實施例為，運用一個從液體槽上面 可以放置的罩蓋，其主要至少具備一個液體注入開口， 特別作為按照MARANGONI原理的乾燥處理時注入一種 液體之用。為了避免重覆敘述此實施例，特別參閱DE_A-44 13 077及未預先公開之由本案申請人提出的專利案DE_ A-195 00 239、DE-A-196 15 108及在 1996年4月 22 日申請 本紙張尺度適用中βΗ家樣丰{ CNS ) A4規格（210X297公釐） 446575 Α7 Β7 經濟部中央樣準局貝工消费合作社印1i 五、發明説明（6) 的專利案DE-A-196 15 970.9，其被作為目前本發明的物件 〇 另外合宜的是運用一個加溫及/或冷卻裝置，以加溫 及/或冷卻在液體容器内的液體，藉此能把液溫調整在 一個可選擇的最佳值。同樣使用一個紫外線光源也是合 宜，其被安置在液體容器的底部及/或邊壁上面。 本發明另一合適的實施例為，預設一個基質下止動架 ’其形式大約為一個停住框架，可以置放在基質的上邊 緣區域。為了避免在此重覆敘述，可參閱由本案申請人 在1996年4月22日申請的DE-A-196 159 70.9，其被作為目 前本發明的内容。 另外較佳的方式是一個超音波發射裝置，其主要是以 一個超音波轉換器的形式一個或多個組合到液體容器内 。就此適宜的放置位置是在由液體容器的底部和邊壁構 .成的角落，而發射方向和水平主要成45度。 因為使用本發明的裝置能夠很快速裝填容器，並且在 引入液體到容器内產生一個強勁的噴嘴效應，則最好有 一個覆住液體容器的裝置，其防止液體噴射到一個既有 之主要為乾燥處理程序設置的罩蓋。 本發明裝置主要和一個液體淨化再生設備連接，在此 設備内液體或混和液被收取並被淨化再生，因此能夠被 重複使用並且主要被送回到液體容器内。 另外宜有一個隔離設備，以區隔開在排放氣内含有鹼 性和酸性的蒸氣。 -請 先 Μ 面 之 注 3 訂 冬紙》尺度適用中8躪家梯芈（CNS > Α4規格（2丨0Χ297公釐) -9 - 446575 經濟部中央標隼局月工消費合作社印裝 A7 B7 五、發明説明（7 ) 特別合宜的作法是，在處理和沖洗過程能夠在液體容 器内轉動基質。為此主要預設一個在液體容器内轉動基 質的裝置》 當使用混合液時’液體宜在放入液體容器前先行混合 0 . 本發明將在下文藉由較佳的實施例，並參閱圖式加以 說明。圖中： 圖一本發明裝置之一實施例的橫切面， 圖二圖一所示裝置之俯視圖，或從上面看入液體容器的 方向，及 圖三沿著一個相對於圖一所示圖形之橫切面旋轉90度的 切平面的一個橫切面β 從囷式可以看到，本發明裝置之液體容器丨具有一個 底部2和邊壁3。在圖一内相向對立的邊壁3上面預設狹縫 4，在狹缝内，基質片5豎立在一個基質承載裝置6上面被 導引，而基質承載裝置藉一個未圖示之驅動裝置在垂直 方向移動，並且把晶圓片5降入液體容器i内及從其内移 出。在此實施例，基質承載裝置6是由一個刀形架組成， 内有狹縫或凹痕，其在相向對立的邊壁3内以對應於導引 狹縫4之間的間距隔開排列。 如最好從圖一可以看出，在一條中心線的兩側的展部 2朝内傾斜，使得當排洩容器〗時液體在中央向流出。 底部2設置多個噴嘴7以矩陣形式排列，此可以從圖三 清楚看到。噴嘴有不同的噴嘴出口或射出角度8, 9，如圖 冬紙張尺度通用宁K国家梯準（CNS > A4規格 210X297 公漦） •10·
^' 44657^ A7 B7 五、發明説明（8〉 所不。基於不同的射出角度或由於不同的射出型，則 在整個液體容器輪廓範圍產生一個良好的均句層流，並 且基質5的整片範園均句地被從噴嘴7射出的液體喷射。 從圖一可以看出，底部2的下面構造出空腔12, 13, 14, 15，其下面被一片密閉平板16封閉住。液體經由空腔^ 至15被導引到各個和空腔銜接的嘴嘴7。 介於噴嘴7之間，在底部2内預設任意清洗開口 18，此 對應圖二在液體容器1的底部2同樣以矩陣形式分佈設置 。任意清洗開口 18自由清洗底部2介於喷嘴7之間的區域 ’並且同樣連接到在底部2下面的液體輸送空腔12至15， 以供給液體。 如圖一所示’在底部2的中央預設一個開口 19，以快 速排放液體容器1内的液體，此係在發生停電時及/或在 液體容器1内的基質5必須從液體環境，如一個酸蝕劑， ，快速脫離時的措施。當打開一個封蓋2〇時，液體即在短 時間内排放進入一個未圖示之安置在液體容器1下面的一 個承接容器。 基質承載裝置6的位置是在封蓋20的上面區域内，部 份在底部2内，並且只有一個微小部位向上突出到噴嘴開 口的上面》因此，基質承載裝置只在液體容器1内佔有一 小部份額外的空間，而使得在液體容器1内可以維持小量 的液體體積。 在邊壁3的上邊是溢流開口21，從下面注入的液體可 從此溢流開口流掉。 本紙張尺度適用中國«家揉準（CNS ) A4現格（210XW7公* ) -11 - 先 閲 .讀 背 *面 之 注 3 訂 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 446575 A7 B7 五、發明説明（9 ) 請 閲 讀 $ 以上藉由較佳實施例說明本發明的内容。然而專業人 士可在不偏離本發明的構想下，做出許多變化和設計。 例如在液體容器1上面可以放置一個罩蓋，或者在液體容 器1的邊壁3上，例如在上邊部位，設置噴灑喷嘴，以做 作為清潔容器或在各個程序和處理步驟之間噴灑基質5之 用。如上所述，也可以在液體容器1内安置超音波轉換器 、紫外線光源或轉動晶圓片5的裝置。 填 寫 訂 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 本紙張尺度逋用中國國家揉率（CNS > A4規格< 210x_2|^jfc )

Claims (1)

  1. 446575 Α8 Β8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申讀利範圍JL86104566號卷利案申諸卷利篏面瘀芷t 1. 一種在液體容器(1)内處理基質(5)之裝置，具有一喷嘴 系統含有多個噴嘴(7)以導入液體’其噴嘴(7)被安置分 佈在一容器的底部(2)上面，其特徵為，液體容器(!）的 底部(2)被作成斜面並且因而朝向液體容器(1)的中央部 位下斜，至少幾個喷嘴(7)具有不同的噴射角度(8, 9), 至少有一噴嘴(7)具有一扇葉形的喷射形狀，至少有一 噴嘴(7)具有一圓錐形的噴射形狀，且喷嘴(7)被組合成 為噴嘴群。 2. 根據申請專利範圍第〖項所述之裝置，其特徵為，喷嘴 群設置在液體容器(1)的不同底部區域》 3. 根據申請專利範固第1項所述之裝置，其特徵為，設置 一組噴嘴群在中央區域，及分別各一組喷嘴群在底部(2) 的兩個外圍區域。 4. 根據申請專利範圍第1項所述之裝置，其特徵為，個別 的喷嘴(7)及/或個別的噴嘴群具有彼此分開的液體供 給裝置。 5_根據申請專利範圍第1項所述之裝置，其特徵為，在液 體容器⑴的底部(2)下面設置一液體輸送空腔(12, 13, 14, 15)，和喷嘴⑺銜接。 6.根據申請專利範圍第5項所述之裝置，其特徵為，液體 輸送空腔依個別的喷嘴Ρ)及/或個別的喷嘴群，而被 區分成液體區隔空腔(12, 13, 14,15)。 ij!il -裝 i — * . <請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂· --線' 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公爱） -13- U6575 Mi 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 7. 根據申請專利範圍第5項所述之裝置，其特徵為，液體 輸送空腔(12, 13, 14, 15)由一介於一雙底部(2, 16)的夾層 空間所構成。 8. —種在液體容器(1)内處理基質(5)之裝置，具有一喷嘴 系統含有多個噴嘴(7)以導入液體，其噴嘴(7)被安置分 佈在一容器的底部(2)上面，其特徵為，預設任意清洗 開口（18)以自由沖洗噴嘴(7)，其任意清洗開口（18)以矩 陣形式排列，設置在液體容器(1)的底部(2)，任意清洗 開口（18)設置於噴嘴⑺之間，且任意清洗開口（18)和位 於下面的液體輸送空腔(12,13,14, 15)銜接。 9_ 一種在液體容器⑴内處理基質(5)之裝置，具有—喷嘴 系統含有多個噴嘴(7)以導入液體，其噴嘴(7)被安置分 佈在一容器的底部(2)上面，其特徵為，在液體容器(1) 的邊壁(3)旁邊設置噴嘴(7)，喷嘴(7)及/或噴嘴群係為 不同的液體而設置，且設置彼此分離的導管連接到為不 同的液體而設置的噴嘴(7)及/或喷嘴群，將附加的液 體導入液體容器(1)内，附加的液體是化學劑、氣體、 臭氧及/或水，且附加的液體係經由至少一擴散器導 入。 10· —種在液體容器(1)内處理基質(5)之裝置，具有一噴嘴 系統含有多個噴嘴(7)以導入液體，其噴嘴(7)被安置分 佈在一容器的底部(2)上面’其特徵為，喷濃喷嘴被安 置在邊壁上’並且主要位於液體容器(丨）的上面部位， 且預設喷ί麗嘴嘴，以在個別的處理步驟間喷麗出化學
    I I -----I I ! ' 11 * C請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂_ - --線· -14- A8BSC8DB 446575 六、申請專利範圍 劑。 11_根據申請專利範圍第1項所述之裝置，其特徵為，一撐 托基質(5)的基質承載裝置(6)。 12. 根據申請專利範圍第8項所述之裝置，其特徵為，一撐 托基質(5)的基質承載裝置(6)。 13. 根據申請專利範圍第9項所述之裝置，其特徵為，一撐 托基質(5)的基質承載裝置 14. 根據申請專利範圍第1〇項所述之裝置，其特徵為，一 撐托基質(5)的基質承載裝置⑹》 15. 根據申請專利範圍第u項所述之裝置，其特徵為，基 質承載裝置(6)具有三個撐托部位。 16. 根據申請專利範圍第丨丨項所述之裝置，其特徵為，基 質承載裝置(6)可以抬升及下降。 17·根據申請專利範圍第^項所述之裝置，其特徵為，至 少一撐托部位是一個刀形架，其在橫著架梁走向具有狭 缝以承載基質的邊緣部位。 18_根據申請專利範圍第u項所述之裝置，其特徵為，至 少一撐托部位相對於至少一其他的撐托部位沿著垂直方 向能夠移動。 19. 根據申請專利範園第丨丨項所述之裝置，其特徵為，基 質承載裝置(6)具有一撐托部位，並且在液體容器(1)至 少一邊壁(3)的内側的裏面或上面預設基質的導引件 (4)。 20. 根據申請專利範圍第19項所述之裝置，其特徵為，導 本紙張尺度適用中0困家株準（CNb:「A4規格咖χ挪公釐）-- -15- !!}裝 i • * (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 .線 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 ABaD 446575 六、申請專利範圍 引件由狹縫、架子、梢柱及/或粒結所構成。 21. 根據申請專利範圍第19項所述之裝置，其特徵為，液 體槽(1)的邊壁(3)的内侧表面具有不含導引件的區域。 22. 根據申請專利範圓第21項所述之裝置，其特徵為，内 侧表面不含導引件的區域相對於内侧表面含有導引件的 區域被偏移安置。 23. 根據申請專利範圍第21項所述之裝置，其特徵為，内 側表面不含導引件的區域設有注入開口，噴灑喷嘴，擴 散器’紫外線光源及/或超音波發射裝置❶ 24. 根據申請專利範圍第1項所述之裝置，其特徵為，一覆 蓋住液體容器(1)的裝置〇 25. 根據申請專利範圍第1項所述之裝置，其特徵為，至少 一基質停住框架，其套放在基質(5)的上邊緣區域。 26. 根據申請專利範圍第1項所述之裝置，其特徵為，一可 以放置在液體槽(1)上面的軍蓋。 27. 根據申請專利範圍第26項所述之裝置，其特徵為，軍 蓋具有至少一液雜注入開口 β 28. 根據申請專利範園第27項所述之裝置，其特徵為’經 由罩蓋注入的液體是為應用Marangoni原理作乾燥處理 所需者。 29. 根據申請專利範園第丨項所述之裝置，其特徵為’一加 溫及/或冷卻裝置，以加溫及/或冷卻在液體容器(1) 内的液體。 30. 根據申請專利範園第1項所述之裝置，其特徵為，一液 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4规格（210 X 297公« ) -16- (請先閲讀背面之注$項再填窝本頁) 訂 --線- 經濟部智慧財產局員工消t合作社印製 4465 75 m gi _ 六、 I?請專利範圍 體淨化再生設備。 31. 根據申請專利範圍第30項所述之裝置，其特徵為，一 隔離設備’以區隔開在排放氣内含有鹼性和酸性的蒸 氣。 32. 根據申請專利範圍第〗項所述之裝置，其特徵為，一紫 外線光源，其被安置在液體容器(1)的底部(2)及/或邊 壁(3)上面。 33. 根據申請專利範圍第丨項所述之裝置，其特徵為，至少 一超音波發射裝置。 34. 根據申請專利範圍第33項所述之裝置，其特徵為，超 音波發射裝置被安置在由液體容器(1)的底部(2)和邊壁 (3)所構成的角落。 35. 根據申請專利範園第1項所述之裝置.，其特徵為’一在 液體容器(1)内轉動基質(5)的裝置。 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 適 度 尺 張 紙 本 準 裸 家 釐 公I 2 X 10 (2 格 規
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116222199A (zh) * 2023-03-03 2023-06-06 上海至纯洁净系统科技股份有限公司 一种解决马兰格尼干燥模组震动造成颗粒污染的优化装置

Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19616400C2 (de) * 1996-04-24 2001-08-30 Steag Micro Tech Gmbh Vorrichtung zum Behandeln von Substraten in einem Fluid-Behälter
DE19742680B4 (de) * 1997-09-26 2006-03-02 Siltronic Ag Reinigungsverfahren für scheibenförmiges Material
US6273107B1 (en) * 1997-12-05 2001-08-14 Texas Instruments Incorporated Positive flow, positive displacement rinse tank
US5913981A (en) * 1998-03-05 1999-06-22 Micron Technology, Inc. Method of rinsing and drying semiconductor wafers in a chamber with a moveable side wall
US6372051B1 (en) * 1998-12-04 2002-04-16 Texas Instruments Incorporated Positive flow, positive displacement rinse tank
US6539963B1 (en) 1999-07-14 2003-04-01 Micron Technology, Inc. Pressurized liquid diffuser
TW434668B (en) * 2000-01-27 2001-05-16 Ind Tech Res Inst Wafer rinse apparatus and rinse method of the same
US6418945B1 (en) * 2000-07-07 2002-07-16 Semitool, Inc. Dual cassette centrifugal processor
US6840250B2 (en) * 2001-04-06 2005-01-11 Akrion Llc Nextgen wet process tank
US6564469B2 (en) * 2001-07-09 2003-05-20 Motorola, Inc. Device for performing surface treatment on semiconductor wafers
US20030192570A1 (en) * 2002-04-11 2003-10-16 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for wafer cleaning
US20030192577A1 (en) * 2002-04-11 2003-10-16 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for wafer cleaning
DE10313692B4 (de) * 2003-03-26 2005-06-23 Werner Rietmann Verfahren zur Oberflächen-und/oder Tiefenbehandlung von zumindest einem Halbleitersubstrat und Tauchbadvorrichtung dazu
US7582180B2 (en) * 2004-08-19 2009-09-01 Micron Technology, Inc. Systems and methods for processing microfeature workpieces
DE102004053337A1 (de) * 2004-11-04 2006-05-11 Steag Hama Tech Ag Verfahren und Vorrichtung zum Behandeln von Substraten und Düseneinheit hierfür
US7819079B2 (en) 2004-12-22 2010-10-26 Applied Materials, Inc. Cartesian cluster tool configuration for lithography type processes
US7699021B2 (en) 2004-12-22 2010-04-20 Sokudo Co., Ltd. Cluster tool substrate throughput optimization
US7651306B2 (en) 2004-12-22 2010-01-26 Applied Materials, Inc. Cartesian robot cluster tool architecture
US7396412B2 (en) 2004-12-22 2008-07-08 Sokudo Co., Ltd. Coat/develop module with shared dispense
US7798764B2 (en) 2005-12-22 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool
KR100644054B1 (ko) * 2004-12-29 2006-11-10 동부일렉트로닉스 주식회사 세정 장치 및 게이트 산화막의 전세정 방법
US8070884B2 (en) * 2005-04-01 2011-12-06 Fsi International, Inc. Methods for rinsing microelectronic substrates utilizing cool rinse fluid within a gas enviroment including a drying enhancement substance
ES2268974B2 (es) * 2005-06-16 2007-12-01 Universidad Politecnica De Madrid Reactor epitaxial para la produccion de obleas a gran escala.
TWI259110B (en) * 2005-09-22 2006-08-01 Delta Electronics Inc Ultrasonic cleaning system and method
US7694688B2 (en) 2007-01-05 2010-04-13 Applied Materials, Inc. Wet clean system design
US7950407B2 (en) * 2007-02-07 2011-05-31 Applied Materials, Inc. Apparatus for rapid filling of a processing volume
DE102009035341A1 (de) * 2009-07-23 2011-01-27 Gebr. Schmid Gmbh & Co. Vorrichtung zur Reinigung von Substraten an einem Träger
DE102010028883A1 (de) * 2010-05-11 2011-11-17 Dürr Ecoclean GmbH Prozessbehälter
CA2856196C (en) 2011-12-06 2020-09-01 Masco Corporation Of Indiana Ozone distribution in a faucet
CA2992280C (en) 2015-07-13 2022-06-21 Delta Faucet Company Electrode for an ozone generator
JP6441198B2 (ja) * 2015-09-30 2018-12-19 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
CA2946465C (en) 2015-11-12 2022-03-29 Delta Faucet Company Ozone generator for a faucet
JP6664952B2 (ja) * 2015-12-17 2020-03-13 東レエンジニアリング株式会社 塗布器洗浄装置及び塗布装置
CN108463437B (zh) 2015-12-21 2022-07-08 德尔塔阀门公司 包括消毒装置的流体输送系统
SE539074C2 (en) * 2016-04-21 2017-04-04 Spinchem Ab A reactor comprising a nozzle for cleaning fluid, a kit and a method
JP2018126697A (ja) * 2017-02-09 2018-08-16 新オオツカ株式会社 層流超音波洗浄装置
JP6836980B2 (ja) * 2017-10-11 2021-03-03 株式会社荏原製作所 基板洗浄方法
JP6985957B2 (ja) 2018-02-21 2021-12-22 キオクシア株式会社 半導体処理装置
JP7381370B2 (ja) * 2020-03-05 2023-11-15 キオクシア株式会社 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
KR102566668B1 (ko) * 2021-06-02 2023-08-17 주식회사 아이에스티이 표시장치의 기판을 퍼지하기 위한 디퓨저 구조체

Family Cites Families (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3964957A (en) * 1973-12-19 1976-06-22 Monsanto Company Apparatus for processing semiconductor wafers
JPS5271871A (en) * 1975-12-11 1977-06-15 Nec Corp Washing apparatus
US4132567A (en) * 1977-10-13 1979-01-02 Fsi Corporation Apparatus for and method of cleaning and removing static charges from substrates
JPS586633A (ja) * 1981-07-03 1983-01-14 Pioneer Electronic Corp 送受信システム
JPS5861632A (ja) * 1981-10-07 1983-04-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 洗浄槽
JPS59199477A (ja) * 1983-04-25 1984-11-12 住友電気工業株式会社 ウエハ−ボツクス
US4671206A (en) * 1983-06-20 1987-06-09 Hoppestad Lamont I Article support rack
US4577650A (en) * 1984-05-21 1986-03-25 Mcconnell Christopher F Vessel and system for treating wafers with fluids
US4753258A (en) * 1985-08-06 1988-06-28 Aigo Seiichiro Treatment basin for semiconductor material
US4795497A (en) * 1985-08-13 1989-01-03 Mcconnell Christopher F Method and system for fluid treatment of semiconductor wafers
US4676008A (en) * 1986-05-16 1987-06-30 Microglass, Inc. Cage-type wafer carrier and method
JP2717408B2 (ja) * 1988-03-16 1998-02-18 株式会社トプコン 直線性誤差補正機能を有する光波測距装置
US4858764A (en) * 1988-06-20 1989-08-22 Hughes Aircraft Company Adjustable carrier device for ceramic substrates and the like
JP2733771B2 (ja) * 1988-07-29 1998-03-30 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 液体による処理装置
JPH02113331U (zh) * 1989-02-27 1990-09-11
US5000795A (en) * 1989-06-16 1991-03-19 At&T Bell Laboratories Semiconductor wafer cleaning method and apparatus
US5149244A (en) * 1989-08-18 1992-09-22 Applied Materials, Inc. Apparatus for aligning wafers within a semiconductor wafer cassette
JPH03116731A (ja) * 1989-09-28 1991-05-17 Dan Kagaku:Kk 半導体ウエハ用移送装置
JPH03184337A (ja) * 1989-11-13 1991-08-12 Applied Materials Inc 物品の指定表面から汚染粒子を除去する方法
JPH03228329A (ja) * 1990-02-02 1991-10-09 Nec Corp ウェハー処理装置
JPH03231428A (ja) * 1990-02-07 1991-10-15 Hitachi Cable Ltd 半導体ウエハの洗浄方法
JPH0480924A (ja) * 1990-07-24 1992-03-13 Sony Corp 半導体ウエハの洗浄装置および洗浄方法
US5069235A (en) * 1990-08-02 1991-12-03 Bold Plastics, Inc. Apparatus for cleaning and rinsing wafers
JPH0499025A (ja) * 1990-08-07 1992-03-31 Nec Kyushu Ltd 水洗装置
US5090432A (en) * 1990-10-16 1992-02-25 Verteq, Inc. Single wafer megasonic semiconductor wafer processing system
US5275184A (en) * 1990-10-19 1994-01-04 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Apparatus and system for treating surface of a wafer by dipping the same in a treatment solution and a gate device for chemical agent used in the apparatus and the system
JP2901098B2 (ja) * 1991-04-02 1999-06-02 東京エレクトロン株式会社 洗浄装置および洗浄方法
US5488964A (en) * 1991-05-08 1996-02-06 Tokyo Electron Limited Washing apparatus, and washing method
JPH0555191A (ja) * 1991-08-26 1993-03-05 Hitachi Ltd 洗浄槽
JPH05102118A (ja) * 1991-10-07 1993-04-23 Mitsubishi Electric Corp 半導体ウエハの水洗方法および水洗槽
JP2696017B2 (ja) * 1991-10-09 1998-01-14 三菱電機株式会社 洗浄装置及び洗浄方法
JP2920165B2 (ja) * 1991-11-29 1999-07-19 エス・イー・エス株式会社 枚葉洗浄用オーバーフロー槽
JPH05190525A (ja) * 1992-01-17 1993-07-30 Fujitsu Ltd 洗浄装置
JP3254716B2 (ja) * 1992-03-17 2002-02-12 ソニー株式会社 ウェーハ洗浄装置
JPH05267262A (ja) * 1992-03-23 1993-10-15 Sony Corp 半導体ウェーハ洗浄装置
JPH05291228A (ja) * 1992-04-07 1993-11-05 Fujitsu Ltd ウェーハ洗浄装置及び洗浄方法
JPH05304131A (ja) * 1992-04-27 1993-11-16 Nec Kyushu Ltd 半導体基板の薬液処理装置
JP2690851B2 (ja) * 1992-09-18 1997-12-17 大日本スクリーン製造株式会社 浸漬型基板処理装置
JPH06196466A (ja) * 1992-10-27 1994-07-15 Sony Corp ウェハ洗浄装置
JP3194209B2 (ja) * 1992-11-10 2001-07-30 東京エレクトロン株式会社 洗浄処理装置
KR960002763B1 (ko) * 1992-12-24 1996-02-26 금성일렉트론주식회사 반도체 세정방법 및 세정용액
JP3003016B2 (ja) * 1992-12-25 2000-01-24 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び処理方法
US5503171A (en) * 1992-12-26 1996-04-02 Tokyo Electron Limited Substrates-washing apparatus
US5383484A (en) * 1993-07-16 1995-01-24 Cfmt, Inc. Static megasonic cleaning system for cleaning objects
JP2888409B2 (ja) * 1993-12-14 1999-05-10 信越半導体株式会社 ウェーハ洗浄槽
DE4413077C2 (de) * 1994-04-15 1997-02-06 Steag Micro Tech Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur chemischen Behandlung von Substraten
US5672212A (en) * 1994-07-01 1997-09-30 Texas Instruments Incorporated Rotational megasonic cleaner/etcher for wafers
US5520205A (en) * 1994-07-01 1996-05-28 Texas Instruments Incorporated Apparatus for wafer cleaning with rotation
DE19546990C2 (de) * 1995-01-05 1997-07-03 Steag Micro Tech Gmbh Anlage zur chemischen Naßbehandlung
US5593505A (en) * 1995-04-19 1997-01-14 Memc Electronic Materials, Inc. Method for cleaning semiconductor wafers with sonic energy and passing through a gas-liquid-interface
DE19637875C2 (de) * 1996-04-17 1999-07-22 Steag Micro Tech Gmbh Anlage zur Naßbehandlung von Substraten
DE19703646C2 (de) * 1996-04-22 1998-04-09 Steag Micro Tech Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Behandeln von Substraten in einem Fluid-Behälter

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116222199A (zh) * 2023-03-03 2023-06-06 上海至纯洁净系统科技股份有限公司 一种解决马兰格尼干燥模组震动造成颗粒污染的优化装置

Also Published As

Publication number Publication date
ID16694A (id) 1997-10-30
KR100316823B1 (ko) 2002-02-19
DE19655219C2 (de) 2003-11-06
EP0895655B1 (de) 2004-02-18
WO1997040524A1 (de) 1997-10-30
DE19654903C2 (de) 1998-09-24
JP3493030B2 (ja) 2004-02-03
US5921257A (en) 1999-07-13
DE19654903A1 (de) 1997-11-13
JPH11510965A (ja) 1999-09-21
ATE259989T1 (de) 2004-03-15
KR20000010575A (ko) 2000-02-15
MY132460A (en) 2007-10-31
US5992431A (en) 1999-11-30
EP0895655A1 (de) 1999-02-10

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