JPS61164226A - 半導体ウエ−ハ洗浄装置 - Google Patents
半導体ウエ−ハ洗浄装置Info
- Publication number
- JPS61164226A JPS61164226A JP494285A JP494285A JPS61164226A JP S61164226 A JPS61164226 A JP S61164226A JP 494285 A JP494285 A JP 494285A JP 494285 A JP494285 A JP 494285A JP S61164226 A JPS61164226 A JP S61164226A
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- JP
- Japan
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- wafer
- medical fluid
- chemical
- processing tank
- chemical solution
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
- H01L21/3046—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting using blasting, e.g. sand-blasting
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産 上のり 野
この発明は、半導体ウェーハを洗浄する際に用いて最適
な半導体ウェーハ洗浄装置に関するものである。
な半導体ウェーハ洗浄装置に関するものである。
良釆弘炎り
半導体ウェーハ（以下、ウェーハという）の洗浄は、ウ
ェーハ製造、デバイス製造の各方面での不可欠な作業の
一つである。この洗浄に際し、つＴ−八を保持するため
にボートなどの治具を使用している。
ェーハ製造、デバイス製造の各方面での不可欠な作業の
一つである。この洗浄に際し、つＴ−八を保持するため
にボートなどの治具を使用している。
一明が解決しようとする間 か
このため、ウェーハとボートどの接触部分およびその付
近は、洗浄効率が悪く、しばしば汚れを残すもとどなっ
ている。また、ボートなどからのウェーハに対する逆汚
染の可能性が無視できない。
近は、洗浄効率が悪く、しばしば汚れを残すもとどなっ
ている。また、ボートなどからのウェーハに対する逆汚
染の可能性が無視できない。
これらの問題は特に、ウェーハデバイスの高機能化、高
品質化に伴いますまず重要になってきている。
品質化に伴いますまず重要になってきている。
ｌ監理１友
この発明は上記問題点を解決するためになされたもので
あり、ウェーハの洗浄に際してボートを使用ぽずに、し
かもウェーハを薬液以外のものに接触させることをなく
すことにより、ウェーへの洗浄効率を向上することがで
きる半導体ウェーハ洗浄装置を提供することを目的とす
る。
あり、ウェーハの洗浄に際してボートを使用ぽずに、し
かもウェーハを薬液以外のものに接触させることをなく
すことにより、ウェーへの洗浄効率を向上することがで
きる半導体ウェーハ洗浄装置を提供することを目的とす
る。
免」塵１１
したがって、この目的を達成するためにこの発明は、半
導体ウェーハ洗浄処理用の薬液を収容する処理槽と、こ
の処理構内の薬液を排出して再び処理槽内にもどす薬液
循環系と、処理構内にもどされた薬液に所定の制御流を
与えて処理槽内の半導体ウェーハを浮遊させる薬液流制
御体と、を備える半導体ウェーハ洗浄装置を要旨として
いる。
導体ウェーハ洗浄処理用の薬液を収容する処理槽と、こ
の処理構内の薬液を排出して再び処理槽内にもどす薬液
循環系と、処理構内にもどされた薬液に所定の制御流を
与えて処理槽内の半導体ウェーハを浮遊させる薬液流制
御体と、を備える半導体ウェーハ洗浄装置を要旨として
いる。
問題点を 決するための手
処理槽１内に収容された薬液りを、排出して再び処理槽
１内に戻す薬液循環系６を処理槽１に付設し、しかも処
理槽１内にもどされた薬液りに、所定の制御流を与えて
処理槽１内のウェーハＷを浮遊させる薬液流制御体１Ｏ
を処理槽１内に設置する。
１内に戻す薬液循環系６を処理槽１に付設し、しかも処
理槽１内にもどされた薬液りに、所定の制御流を与えて
処理槽１内のウェーハＷを浮遊させる薬液流制御体１Ｏ
を処理槽１内に設置する。
Ｌ脂
つ■−ハＷの洗浄に際り、で、薬液流制御体１０により
薬液りは所定の制御流が与えられ、ウェーハＷは処理槽
１内に浮遊され、薬液Ｉ−以外のものに非接触で洗浄さ
れる。
薬液りは所定の制御流が与えられ、ウェーハＷは処理槽
１内に浮遊され、薬液Ｉ−以外のものに非接触で洗浄さ
れる。
丸り１上
第１図および第２図はこの発明の洗浄装量を示しており
、１は上部開口型の処理槽である。この処理槽１の内径
は、つＩ−ハＷの径より大きく設定しである。この処理
槽１は、右底形の円筒体て・、たとえば材質は薬液りに
対する耐蝕性のよいテフロンや石英でできている。
、１は上部開口型の処理槽である。この処理槽１の内径
は、つＩ−ハＷの径より大きく設定しである。この処理
槽１は、右底形の円筒体て・、たとえば材質は薬液りに
対する耐蝕性のよいテフロンや石英でできている。
ウェーハＷの洗浄処即用の薬液１−とじては、たとえば
ｒ Ｎ Ｈ４０１−１、１−１２０２，１−（２０混液
」、「コリン、１」２０２．Ｈ２０混液」、ｒ ｌ−（
ＣＱ 、 Ｈｚ ０２ 、 ｌ−＋２０混液」などが採
用できる。
ｒ Ｎ Ｈ４０１−１、１−１２０２，１−（２０混液
」、「コリン、１」２０２．Ｈ２０混液」、ｒ ｌ−（
ＣＱ 、 Ｈｚ ０２ 、 ｌ−＋２０混液」などが採
用できる。
処理槽１の上部には、薬液りの第１排出口２が設けられ
、下部には注入口３が設けられている。さらに、底板４
の中央部には第２排出口５が形成されている。この第１
排出口２の内径は好ましくは７〜３０ｍｍに設定され、
第２排出口５の内径は好ましくは処理ウェーハ径の１／
２０〜１／／１程度すなわち５〜５Ｑｍｍに設定されて
いる。また注入口３の内径は好ましくは１０〜３Ｑｍｍ
に設定されている。
、下部には注入口３が設けられている。さらに、底板４
の中央部には第２排出口５が形成されている。この第１
排出口２の内径は好ましくは７〜３０ｍｍに設定され、
第２排出口５の内径は好ましくは処理ウェーハ径の１／
２０〜１／／１程度すなわち５〜５Ｑｍｍに設定されて
いる。また注入口３の内径は好ましくは１０〜３Ｑｍｍ
に設定されている。
処理槽１の側部には、薬液循環系６がイ」設されている
。この薬液循環系６は、処理槽１内の薬液りを処理槽１
の外に一度排出し再び処理槽１の中にもどす役割をはた
すものである。
。この薬液循環系６は、処理槽１内の薬液りを処理槽１
の外に一度排出し再び処理槽１の中にもどす役割をはた
すものである。
薬液循環系６の管路７は、第１排出口２と第２排出口５
を接続している。一方、管路８は第１排出口２と注入口
３を接続し、途中にポンプ９が介在しである。管路７．
８は、その材質としてたとえばテフロン、石英が用いら
れ、薬液ｌ−に対して耐蝕性の優れたものとなっている
。ポンプ９は、その送出能力が１０〜３０Ｑ／ｍｉｎ程
度に設定され、注入口３から入る薬液りの流（イ）は３
〜１０Ｑ ／ｍｉｎ程度に設定されている。
を接続している。一方、管路８は第１排出口２と注入口
３を接続し、途中にポンプ９が介在しである。管路７．
８は、その材質としてたとえばテフロン、石英が用いら
れ、薬液ｌ−に対して耐蝕性の優れたものとなっている
。ポンプ９は、その送出能力が１０〜３０Ｑ／ｍｉｎ程
度に設定され、注入口３から入る薬液りの流（イ）は３
〜１０Ｑ ／ｍｉｎ程度に設定されている。
処理槽１には、底板４に対向して、薬液流制御体１０が
設りられている。薬液流制御体１０の外縁が処理槽１の
内壁に固定してあり、その中央イζ」近は遮蔽体１１に
にり底板４に対して固定されている。遮蔽体１１は、実
施例では円筒形であり、第２排出口５を囲んでいる。こ
の薬液流制御体１０および遮蔽体１１は、その材質とし
ては薬液１−に対して耐蝕性の優れたたとえばテフロン
、石英などが採用されている。
設りられている。薬液流制御体１０の外縁が処理槽１の
内壁に固定してあり、その中央イζ」近は遮蔽体１１に
にり底板４に対して固定されている。遮蔽体１１は、実
施例では円筒形であり、第２排出口５を囲んでいる。こ
の薬液流制御体１０および遮蔽体１１は、その材質とし
ては薬液１−に対して耐蝕性の優れたたとえばテフロン
、石英などが採用されている。
薬液流制御体１０は多数のふき出し孔１２ａ 、１２ｂ
、 １２ｃ １１２ｄともどし孔１３ａ、１４．ａを
有している。ふき出し孔１２ａ〜１２ｄは、遮蔽体１１
より外側に、しかも実施例では放射状に配列されている
。Ｊ：たもどし孔１３ａ、１’ｌａは、遮蔽体１１の内
側に位回され、ふき出し孔１２ａ〜１２ｄと同様に放射
状に配列されている。
、 １２ｃ １１２ｄともどし孔１３ａ、１４．ａを
有している。ふき出し孔１２ａ〜１２ｄは、遮蔽体１１
より外側に、しかも実施例では放射状に配列されている
。Ｊ：たもどし孔１３ａ、１’ｌａは、遮蔽体１１の内
側に位回され、ふき出し孔１２ａ〜１２ｄと同様に放射
状に配列されている。
ふぎ出し孔１２ａ〜１２ｄは、その垂直線に対する傾き
角度、ずなわち設定角度がθ１、θ２、θ３、θ４に設
定されている。この設定角度は、その大小関係が０１〉
θ２〉θ３〉θ４になっている。このふき出し孔１２８
〜１２ｄの設定角度は、第１図の矢印で示すように注入
口３から注入された薬液りを、各ふき出し孔１２ａ〜１
２ｄを経てウェーハＷの外周縁部方向にふき出させるこ
とができるような角度に設定されている。
角度、ずなわち設定角度がθ１、θ２、θ３、θ４に設
定されている。この設定角度は、その大小関係が０１〉
θ２〉θ３〉θ４になっている。このふき出し孔１２８
〜１２ｄの設定角度は、第１図の矢印で示すように注入
口３から注入された薬液りを、各ふき出し孔１２ａ〜１
２ｄを経てウェーハＷの外周縁部方向にふき出させるこ
とができるような角度に設定されている。
もどし孔１３ａ、１４ａの角度は、設定角−７一
度θ５、θＧに設定されており、その大小関係がθ６〉
０５にイｆつている。設定角度θ６．０５は、ふさ・出
し孔１２ａ〜１２ｄからふき出した薬液「の一部がウェ
ーハＷの底面側に当たり、再び第２排出口５側にり−み
やかにもどるような角度に設定しである。
０５にイｆつている。設定角度θ６．０５は、ふさ・出
し孔１２ａ〜１２ｄからふき出した薬液「の一部がウェ
ーハＷの底面側に当たり、再び第２排出口５側にり−み
やかにもどるような角度に設定しである。
次に」二記構成にＪ−る作用を順次説明Ｊ−る。
まず、処理槽１内に薬液りを渦たし、ポンプ９を作動さ
けるとともにつ■−ハＷを薬液り中に入れる。
けるとともにつ■−ハＷを薬液り中に入れる。
薬液１はポンプ９の吸引力により第１排出口２から管路
８、ポンプ９を経て注入口３よりふぎ出し孔１２ａ〜１
２ｄ側に送られる。
８、ポンプ９を経て注入口３よりふぎ出し孔１２ａ〜１
２ｄ側に送られる。
そして薬液りは、ふき出し孔１２ａ〜１２（１よりふき
出Ｉ）て、ウェーハＷを薬液１−中に浮遊させるととも
に、ふき出された薬液りの一部がウェーハＷの底面側に
当たり、もどし孔１３ａ、１４．８を介して第２排出口
５側にもどされる。第２排出口５にもどされた薬液１−
は、管路７、管路８、ポンプ９を経て注入口３よりふぎ
出し孔１２ａ〜１２ｄ側に送られる。
出Ｉ）て、ウェーハＷを薬液１−中に浮遊させるととも
に、ふき出された薬液りの一部がウェーハＷの底面側に
当たり、もどし孔１３ａ、１４．８を介して第２排出口
５側にもどされる。第２排出口５にもどされた薬液１−
は、管路７、管路８、ポンプ９を経て注入口３よりふぎ
出し孔１２ａ〜１２ｄ側に送られる。
この時、第２排出口５からもどされた薬液りは、管路８
において第１排出口２側に吸入された薬液りと合流して
注入口３に送られる。
において第１排出口２側に吸入された薬液りと合流して
注入口３に送られる。
、 このように、薬液りをポンプ９を介して循環させる
ことが出来、ふき出し孔１２ａ〜１２ｄからふき出させ
た薬液りの制御流により、ウェーハＷは抗力が与えられ
て浮遊され、しかもそのふき出された薬液りの一部がも
どし孔１３ａ、１４．ａ側にもどされるので、つ工−ハ
Ｗの浮遊状態は安定する。
ことが出来、ふき出し孔１２ａ〜１２ｄからふき出させ
た薬液りの制御流により、ウェーハＷは抗力が与えられ
て浮遊され、しかもそのふき出された薬液りの一部がも
どし孔１３ａ、１４．ａ側にもどされるので、つ工−ハ
Ｗの浮遊状態は安定する。
したがって、ウェーハＷは、薬液り以外のものに接触す
ることがなく、薬液しにより洗浄される。しかもウェー
ハＷは、薬液１−の制御流により、適度の揺動作用を受
け、ウェー−９＝ ハＷの汚れの洗郡効果を一部げることができる。
ることがなく、薬液しにより洗浄される。しかもウェー
ハＷは、薬液１−の制御流により、適度の揺動作用を受
け、ウェー−９＝ ハＷの汚れの洗郡効果を一部げることができる。
割１九り
第３図はこの発明の実施例２を示している。
実施例２では、管路８にフィルタ１５を設貿したもので
あり、その仙の部分は実施例１ど同じである。
あり、その仙の部分は実施例１ど同じである。
このようにすることで、薬液循環系６により、処理槽１
内の薬液］−を循環する場合に、ウェーハＷから離脱し
た汚れをフィルタ１５にＪ：り吸着できるので、薬液り
を常に汚れのない新しい状態に保つことかできるどとも
に、薬液流制御体１０や処理槽１の底板４に汚れ成分が
堆積するのを防ぐことができる。
内の薬液］−を循環する場合に、ウェーハＷから離脱し
た汚れをフィルタ１５にＪ：り吸着できるので、薬液り
を常に汚れのない新しい状態に保つことかできるどとも
に、薬液流制御体１０や処理槽１の底板４に汚れ成分が
堆積するのを防ぐことができる。
ところで、この発明はすでに述べた実施例１．２に限定
されるものではなく、種々の変形例が考えられる。たと
えば、ふき出し孔ともどし孔の数は実施例に限らず、多
くても少なくてもよい。ふき出し孔どもどじ孔を放射状
に配列するのではなく、薬液流制御体の全体にわたって
もどし孔とふき出し孔を設りるようにしてもＪ：い。さ
らに、処理槽の形状は、ウェーハの形状に合せて、たと
えば円形でなくてもウェーハの形に合せて半円形などの
伯の形にしてもよい。
されるものではなく、種々の変形例が考えられる。たと
えば、ふき出し孔ともどし孔の数は実施例に限らず、多
くても少なくてもよい。ふき出し孔どもどじ孔を放射状
に配列するのではなく、薬液流制御体の全体にわたって
もどし孔とふき出し孔を設りるようにしてもＪ：い。さ
らに、処理槽の形状は、ウェーハの形状に合せて、たと
えば円形でなくてもウェーハの形に合せて半円形などの
伯の形にしてもよい。
発」Ｕと級Ｉ−
以上説明したことから明らかなように、ウェーハの洗浄
処理に際して、ウェーハを処理槽内の薬液に浮遊させて
洗浄することができるので、ウェーハを薬液以外のもの
に接触させることがなくしかも逆汚染のおそれが全くな
く、ウェーハの大口径化高品位化にも対応して洗浄効率
を茗しく向上できる優れた効果がある。
処理に際して、ウェーハを処理槽内の薬液に浮遊させて
洗浄することができるので、ウェーハを薬液以外のもの
に接触させることがなくしかも逆汚染のおそれが全くな
く、ウェーハの大口径化高品位化にも対応して洗浄効率
を茗しく向上できる優れた効果がある。
第１図はこの発明の実施例１を示す断面図、第２図は実
施例１の一部切欠斜視図、第３図はこの発明の実施例２
を示寸断面図である。 １・・・処理槽 ２・・・第１排出口 ３・・・注入口 ５・・・第２排出口 ６・・・薬液循環系 ９・・・ポンプ １０・・・話液流制御体 １２ａ〜１２ｄ ・・・ふき出し孔 １３ａ、１４ａ−−・もどし孔 １−・・・薬液
施例１の一部切欠斜視図、第３図はこの発明の実施例２
を示寸断面図である。 １・・・処理槽 ２・・・第１排出口 ３・・・注入口 ５・・・第２排出口 ６・・・薬液循環系 ９・・・ポンプ １０・・・話液流制御体 １２ａ〜１２ｄ ・・・ふき出し孔 １３ａ、１４ａ−−・もどし孔 １−・・・薬液
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体ウェーハ洗浄処理用の薬液を収容す る処理槽と、この処理槽内の薬液を排出して再び処理槽
内にもどす薬液循環系と、処理槽内にもどされた薬液に
所定の制御流を与えて処理槽内の半導体ウェーハを浮遊
させる薬液流制御体と、を備える半導体ウェーハ洗浄装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP494285A JPS61164226A (ja) | 1985-01-17 | 1985-01-17 | 半導体ウエ−ハ洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP494285A JPS61164226A (ja) | 1985-01-17 | 1985-01-17 | 半導体ウエ−ハ洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61164226A true JPS61164226A (ja) | 1986-07-24 |
Family
ID=11597624
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP494285A Pending JPS61164226A (ja) | 1985-01-17 | 1985-01-17 | 半導体ウエ−ハ洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61164226A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63156323A (ja) * | 1986-12-19 | 1988-06-29 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造におけるウエハ洗浄装置 |
| US5154199A (en) * | 1987-04-27 | 1992-10-13 | Semitool, Inc. | Semiconductor processor draining |
| US6062239A (en) * | 1998-06-30 | 2000-05-16 | Semitool, Inc. | Cross flow centrifugal processor |
| US6125863A (en) * | 1998-06-30 | 2000-10-03 | Semitool, Inc. | Offset rotor flat media processor |
-
1985
- 1985-01-17 JP JP494285A patent/JPS61164226A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63156323A (ja) * | 1986-12-19 | 1988-06-29 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造におけるウエハ洗浄装置 |
| US5154199A (en) * | 1987-04-27 | 1992-10-13 | Semitool, Inc. | Semiconductor processor draining |
| US6062239A (en) * | 1998-06-30 | 2000-05-16 | Semitool, Inc. | Cross flow centrifugal processor |
| US6125863A (en) * | 1998-06-30 | 2000-10-03 | Semitool, Inc. | Offset rotor flat media processor |
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