JPS6327784Y2 - - Google Patents
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- JPS6327784Y2 JPS6327784Y2 JP1980133267U JP13326780U JPS6327784Y2 JP S6327784 Y2 JPS6327784 Y2 JP S6327784Y2 JP 1980133267 U JP1980133267 U JP 1980133267U JP 13326780 U JP13326780 U JP 13326780U JP S6327784 Y2 JPS6327784 Y2 JP S6327784Y2
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- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 21
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 19
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 18
- 238000012993 chemical processing Methods 0.000 claims description 17
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 27
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
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- Weting (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、半導体装置等の部品たとえば基板を
処理する薬品処理装置の改善に係り、とくに薬品
処理中に基板を回動せしめる機構を付設した薬品
処理装置に関するものである。
処理する薬品処理装置の改善に係り、とくに薬品
処理中に基板を回動せしめる機構を付設した薬品
処理装置に関するものである。
従来の薬品処理装置では、被処理加工物を所定
のホルダーに収納し、該ホルダーを処理液を収容
してなる化学反応処理槽に浸漬して化学反応処理
加工を行なつている。ところで前記被処理加工物
たとえば半導体装置の基板表面等の処理加工は、
前記基板表面に均一に処理液を触れさせる反応処
理加工法が一般に行なわれている。したがつて前
記基板の同一面内での均一性を維持するために、
化学反応処理槽内の処理液をかく拌により流動さ
せるか、あるいは前記基板を収納してなるホルダ
ーを機械的に揺動せしめる方法がとられている。
ところが、処理液をかく拌により流動させても、
前記多数の基板の表面に処理液が均一に流通する
とは限らない。とくに前記基板を収納しているホ
ルダーと基板との接触部、および基板が相互に接
触している部分は、処理液が触れないため基板の
表面が不均一な処理面となることは周知である。
また前記基板を収納してなるホルダーごと揺動し
ても前述と同様の結果となる。したがつて基板の
表面処理は不均一となり良品率が悪い欠点があつ
た。
のホルダーに収納し、該ホルダーを処理液を収容
してなる化学反応処理槽に浸漬して化学反応処理
加工を行なつている。ところで前記被処理加工物
たとえば半導体装置の基板表面等の処理加工は、
前記基板表面に均一に処理液を触れさせる反応処
理加工法が一般に行なわれている。したがつて前
記基板の同一面内での均一性を維持するために、
化学反応処理槽内の処理液をかく拌により流動さ
せるか、あるいは前記基板を収納してなるホルダ
ーを機械的に揺動せしめる方法がとられている。
ところが、処理液をかく拌により流動させても、
前記多数の基板の表面に処理液が均一に流通する
とは限らない。とくに前記基板を収納しているホ
ルダーと基板との接触部、および基板が相互に接
触している部分は、処理液が触れないため基板の
表面が不均一な処理面となることは周知である。
また前記基板を収納してなるホルダーごと揺動し
ても前述と同様の結果となる。したがつて基板の
表面処理は不均一となり良品率が悪い欠点があつ
た。
本考案は、前記の欠点を解消すべくなされたも
ので、被処理加工物をそれぞれ非接触状態に保持
し、被処理加工物を回動せしむることに着目した
ものである。簡単に述べると本考案は、化学処理
液を収容してなる化学反応処理槽に、複数の被処
理加工物を浸漬して化学反応処理加工を行う薬品
処理装置において、前記複数の処理加工物がそれ
ぞれ非接触状態で保持され、該被処理加工物のそ
れぞれの端部が少なくとも一軸以上の回動軸に接
し、該回動軸に応動しながら処理加工を行うこと
を特徴とするものである。以下図面を参照しなが
ら本考案に係る薬品処理装置の実施例について詳
細に説明する。
ので、被処理加工物をそれぞれ非接触状態に保持
し、被処理加工物を回動せしむることに着目した
ものである。簡単に述べると本考案は、化学処理
液を収容してなる化学反応処理槽に、複数の被処
理加工物を浸漬して化学反応処理加工を行う薬品
処理装置において、前記複数の処理加工物がそれ
ぞれ非接触状態で保持され、該被処理加工物のそ
れぞれの端部が少なくとも一軸以上の回動軸に接
し、該回動軸に応動しながら処理加工を行うこと
を特徴とするものである。以下図面を参照しなが
ら本考案に係る薬品処理装置の実施例について詳
細に説明する。
第1図は、本考案をの一実施例を説明するため
の概略構成を示す斜視図で、1は耐化学薬品性の
樹脂等からなり化学処理液2を収容してなる化学
反応処理槽、3は被処理加工物4を収納する耐化
学薬品性の樹脂等からなるホルダー、5は羽根車
6による回動を前記被処理加工物4に伝達する耐
化学薬性の樹脂からなる回動軸、7は前記羽根車
6を回動せしめる耐化学薬品性の樹脂等からなる
気体吹付筒、8は前記気体吹付筒より排出され前
記羽根車6に当接する気泡である。
の概略構成を示す斜視図で、1は耐化学薬品性の
樹脂等からなり化学処理液2を収容してなる化学
反応処理槽、3は被処理加工物4を収納する耐化
学薬品性の樹脂等からなるホルダー、5は羽根車
6による回動を前記被処理加工物4に伝達する耐
化学薬性の樹脂からなる回動軸、7は前記羽根車
6を回動せしめる耐化学薬品性の樹脂等からなる
気体吹付筒、8は前記気体吹付筒より排出され前
記羽根車6に当接する気泡である。
被処理加工物4たとえば半導体装置の基板を所
定の被処理加工物収容ホルダ3に収容して、加工
目的に応じた化学処理液2を収容し、回動機構を
設けた化学反応処理槽1に浸漬して、前記被処理
加工物ホルダ3に収容した基板4の端部が、前記
回動機構の回動軸5に当接した状態で、気体吹付
筒7より排出された気泡を羽根車6に吹付ける
と、該羽根車は前記気泡の浮力により矢印A方向
に回動する。そして該羽根車6に連なる回動軸5
も矢印A方向に回動するので、該回動軸5に当接
してなる複数の基板4は矢印B方向に回動するこ
とは周知である。かくして静止した状態の化学処
理液2に回動する基板4の表面が均一に接触する
こととなるので、前記基板4の表面が均一な加工
が行なわれることになる。
定の被処理加工物収容ホルダ3に収容して、加工
目的に応じた化学処理液2を収容し、回動機構を
設けた化学反応処理槽1に浸漬して、前記被処理
加工物ホルダ3に収容した基板4の端部が、前記
回動機構の回動軸5に当接した状態で、気体吹付
筒7より排出された気泡を羽根車6に吹付ける
と、該羽根車は前記気泡の浮力により矢印A方向
に回動する。そして該羽根車6に連なる回動軸5
も矢印A方向に回動するので、該回動軸5に当接
してなる複数の基板4は矢印B方向に回動するこ
とは周知である。かくして静止した状態の化学処
理液2に回動する基板4の表面が均一に接触する
こととなるので、前記基板4の表面が均一な加工
が行なわれることになる。
第2図は、本考案に係る薬品処理装置の一実施
例を説明するための要部断面を示す正面図であり
前図と同等の部分については同一符号を付して記
した。前述したとおり回動軸5が矢印A方向に回
動するので、基板4は前記回動軸5に応動して回
転運動を行う。ところが回転運動の場合では中心
に近くなるほど動きが少なくなるので、基板4の
表面加工が若干不均一となる惧れがある。そこで
第3図のごとく回動軸9を楕円として、回転運動
を行ないながら上下運動を行わしめ均一な加工表
面を得るように改善されたものであり、回動軸9
を楕円状とした以外は前図と全く同様である。
例を説明するための要部断面を示す正面図であり
前図と同等の部分については同一符号を付して記
した。前述したとおり回動軸5が矢印A方向に回
動するので、基板4は前記回動軸5に応動して回
転運動を行う。ところが回転運動の場合では中心
に近くなるほど動きが少なくなるので、基板4の
表面加工が若干不均一となる惧れがある。そこで
第3図のごとく回動軸9を楕円として、回転運動
を行ないながら上下運動を行わしめ均一な加工表
面を得るように改善されたものであり、回動軸9
を楕円状とした以外は前図と全く同様である。
第4図は、本考案に係る薬品処理装置の回動機
構の他の実施例を説明するための斜視図で、前図
と同等の部分については同一符号を付して記し
た。10は化学薬品液2の液温を制御する循還器
系で101は液温制御器102、循還ポンプ10
3を連結する液循還パイプ、104は前記液循還
パイプ101に連なり、制御された液温の化学処
理液2の噴出口である。そして該噴出口104か
ら噴出する化学処理液2が羽根車6に突当り、該
羽根車6を介して回動軸5を回動せしめるよう配
置したものであつて、本考案の薬品処理装置も第
1図と同様、化学処理液2を収容した化学反応処
理槽1、基板4を保持した基板ホルダ3および羽
根車6をそなえた回動機構等をそなえているが、
該回動機構の羽根車6の回動を循還器系10で回
動させるようにした点に特徴を有する。したがつ
て循還器系以外の部分は第1図と全く同様であ
り、ここではこれらの部分の説明は省略する。
構の他の実施例を説明するための斜視図で、前図
と同等の部分については同一符号を付して記し
た。10は化学薬品液2の液温を制御する循還器
系で101は液温制御器102、循還ポンプ10
3を連結する液循還パイプ、104は前記液循還
パイプ101に連なり、制御された液温の化学処
理液2の噴出口である。そして該噴出口104か
ら噴出する化学処理液2が羽根車6に突当り、該
羽根車6を介して回動軸5を回動せしめるよう配
置したものであつて、本考案の薬品処理装置も第
1図と同様、化学処理液2を収容した化学反応処
理槽1、基板4を保持した基板ホルダ3および羽
根車6をそなえた回動機構等をそなえているが、
該回動機構の羽根車6の回動を循還器系10で回
動させるようにした点に特徴を有する。したがつ
て循還器系以外の部分は第1図と全く同様であ
り、ここではこれらの部分の説明は省略する。
第5図は、本考案に係る薬品処理装置の回動機
構の他の実施例を説明するための要部側断面図で
前図と同等の部分については同一符号を付して記
した。11は耐化学薬品性の樹脂12等で被覆さ
れ、化学処理液2中に配置し回動軸5に連なる内
部磁石、13はモータ14を付設し、前記内部磁
石11と対応する化学反応処理槽の外側に位置せ
しめた外部磁石である。
構の他の実施例を説明するための要部側断面図で
前図と同等の部分については同一符号を付して記
した。11は耐化学薬品性の樹脂12等で被覆さ
れ、化学処理液2中に配置し回動軸5に連なる内
部磁石、13はモータ14を付設し、前記内部磁
石11と対応する化学反応処理槽の外側に位置せ
しめた外部磁石である。
本考案の薬品処理装置も第1図と同様、化学処
理液2を収容した化学反応処理槽1、基板4を保
持した基板ホルダ3および前記基板4の回動機構
等をそなえているが、該回動機構を磁石により回
動させるようにしたものである。すなわち回動軸
5の先端に耐化学薬品性の被覆4を付設した内部
磁石11を化学反応処理槽内に配置し、該内部磁
石11と対応する化学反応処理槽1の外側で、磁
界強度が作用する位置に外部磁石13を配設して
該外部磁石13にモータ14を直結し、該モータ
14を回動させることにより外部磁石13を回転
させ、該外部磁石13と磁界結合する内部磁石1
1が回動するようにした点に特徴を有する。した
がつて回動源を磁石とした以外の部分は第1図と
全く同様であり、ここではこれらの部分の説明は
省略する。
理液2を収容した化学反応処理槽1、基板4を保
持した基板ホルダ3および前記基板4の回動機構
等をそなえているが、該回動機構を磁石により回
動させるようにしたものである。すなわち回動軸
5の先端に耐化学薬品性の被覆4を付設した内部
磁石11を化学反応処理槽内に配置し、該内部磁
石11と対応する化学反応処理槽1の外側で、磁
界強度が作用する位置に外部磁石13を配設して
該外部磁石13にモータ14を直結し、該モータ
14を回動させることにより外部磁石13を回転
させ、該外部磁石13と磁界結合する内部磁石1
1が回動するようにした点に特徴を有する。した
がつて回動源を磁石とした以外の部分は第1図と
全く同様であり、ここではこれらの部分の説明は
省略する。
なお、本実施例では被処理加物(基板)4の形
状は円形について詳述したが、円形に限らず回動
軸を複数本で構成すれば楕円形その他多角形状の
被処理加工物(基板)4の処理加工も可能であ
る。また回動軸の形状も円形に限らず、楕円形そ
の他多角形状であつても構わない。
状は円形について詳述したが、円形に限らず回動
軸を複数本で構成すれば楕円形その他多角形状の
被処理加工物(基板)4の処理加工も可能であ
る。また回動軸の形状も円形に限らず、楕円形そ
の他多角形状であつても構わない。
以上の説明から明らかなように、本考案によれ
ば、複数の被処理加工物を相互に接触させること
なく保持し、かつ被処理加工物を回動せしめて処
理加工が行えるので、加工物の表面が均一に処理
でき、高品質の表面加工が期待できるとともに、
良品率の向上に寄与する所が大である。
ば、複数の被処理加工物を相互に接触させること
なく保持し、かつ被処理加工物を回動せしめて処
理加工が行えるので、加工物の表面が均一に処理
でき、高品質の表面加工が期待できるとともに、
良品率の向上に寄与する所が大である。
第1図は本考案に係る薬品処理装置の一実施例
を説明するための概略構成を示す斜視図、第2図
は本考案に係る薬品処理装置の一実施例を説明す
るための要部断面を示す正面図、第3図は駆動軸
形の異なる実施例を説明するための要部断面を示
す正面図、第4図および第5図は本考案に係る薬
品処理装置の回動機構の他の実施例を説明するた
めの第4図は斜視図、第5図は要部側断面図であ
る。 図において、1は化学反応処理槽、2は化学処
理液、3は被処理加工物収納ホルダー、4は被処
理加工物、5および9は回動軸、6は羽根車、7
は気体吹付筒、8は気泡、10は回動機構、11
は内部磁石、12は耐化学薬品の被覆、13は外
部磁石、14:モータ、101は液循還パイプ、
102は液温制御部、103は循還ポンプ、10
4は噴出口、を示す。
を説明するための概略構成を示す斜視図、第2図
は本考案に係る薬品処理装置の一実施例を説明す
るための要部断面を示す正面図、第3図は駆動軸
形の異なる実施例を説明するための要部断面を示
す正面図、第4図および第5図は本考案に係る薬
品処理装置の回動機構の他の実施例を説明するた
めの第4図は斜視図、第5図は要部側断面図であ
る。 図において、1は化学反応処理槽、2は化学処
理液、3は被処理加工物収納ホルダー、4は被処
理加工物、5および9は回動軸、6は羽根車、7
は気体吹付筒、8は気泡、10は回動機構、11
は内部磁石、12は耐化学薬品の被覆、13は外
部磁石、14:モータ、101は液循還パイプ、
102は液温制御部、103は循還ポンプ、10
4は噴出口、を示す。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 化学処理液を収容してなる化学反応処理槽に
複数の被処理加工物を浸漬して化学反応処理加
工を行う薬品処理装置において、前記複数の被
処理加工物がそれぞれ非接触の状態で保持さ
れ、該被処理加工物のそれぞれの端部が少なく
とも1軸以上の回動軸に接すると共に、該回動
軸が駆動源と非接触で応動可能に構成されてお
り、該回動軸を回転させることにより、被処理
加工物が回転して処理加工を行うことを特徴と
する薬品処理装置。 (2) 前記回転軸が気泡の浮力或いは噴出する化学
処理液により回転する羽根車を介して回動せし
めることを特徴とする実用新案登録請求の範囲
第(1)項記載の薬品処理装置。 (3) 前記回動軸を磁石の吸引力により回動せしめ
ることを特徴とする実用新案登録請求の範囲第
(1)項記載の薬品処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1980133267U JPS6327784Y2 (ja) | 1980-09-19 | 1980-09-19 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1980133267U JPS6327784Y2 (ja) | 1980-09-19 | 1980-09-19 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5758435U JPS5758435U (ja) | 1982-04-06 |
JPS6327784Y2 true JPS6327784Y2 (ja) | 1988-07-27 |
Family
ID=29493492
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1980133267U Expired JPS6327784Y2 (ja) | 1980-09-19 | 1980-09-19 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6327784Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3808709B2 (ja) * | 2000-07-19 | 2006-08-16 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5093775A (ja) * | 1973-12-19 | 1975-07-26 | ||
JPS53144265A (en) * | 1977-05-23 | 1978-12-15 | Hitachi Ltd | Etching device |
JPS5433676A (en) * | 1977-08-22 | 1979-03-12 | Hitachi Ltd | Wafer processing unit |
JPS5529579A (en) * | 1979-08-16 | 1980-03-01 | Denki Kagaku Kogyo Kk | Polymerization of vinyl chloride |
-
1980
- 1980-09-19 JP JP1980133267U patent/JPS6327784Y2/ja not_active Expired
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5093775A (ja) * | 1973-12-19 | 1975-07-26 | ||
JPS53144265A (en) * | 1977-05-23 | 1978-12-15 | Hitachi Ltd | Etching device |
JPS5433676A (en) * | 1977-08-22 | 1979-03-12 | Hitachi Ltd | Wafer processing unit |
JPS5529579A (en) * | 1979-08-16 | 1980-03-01 | Denki Kagaku Kogyo Kk | Polymerization of vinyl chloride |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5758435U (ja) | 1982-04-06 |
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