JPS61228629A - ウエハ等薄板体の表面処理装置 - Google Patents
ウエハ等薄板体の表面処理装置Info
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- JPS61228629A JPS61228629A JP7150185A JP7150185A JPS61228629A JP S61228629 A JPS61228629 A JP S61228629A JP 7150185 A JP7150185 A JP 7150185A JP 7150185 A JP7150185 A JP 7150185A JP S61228629 A JPS61228629 A JP S61228629A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
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- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
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- H01L21/67086—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、例えば半導体ウェハのエツチング等の表面
処理におけるウェハ等薄板体の表面処理装置の改良に関
する本のである。
処理におけるウェハ等薄板体の表面処理装置の改良に関
する本のである。
半導体装置を製造するに際して、その基板たるウェハの
処理工程には、ウエノ〜を化学的にエツチングしてその
構成材料たるシリコンや８１０ｇを代表とする酸化膜を
エツチングしたり、Ａｌなどの電極部分を選択エツチン
グする操作が不可欠である。そして、化学的エツチング
は古典的にはエッチャントを構成する硝酸系統の酸化剤
で材料が酸化さね、同じ〈エッチャントを構成する弗酸
系統で酸化膜を溶解して、これを繰返してエツチングを
進めることで知られている。
処理工程には、ウエノ〜を化学的にエツチングしてその
構成材料たるシリコンや８１０ｇを代表とする酸化膜を
エツチングしたり、Ａｌなどの電極部分を選択エツチン
グする操作が不可欠である。そして、化学的エツチング
は古典的にはエッチャントを構成する硝酸系統の酸化剤
で材料が酸化さね、同じ〈エッチャントを構成する弗酸
系統で酸化膜を溶解して、これを繰返してエツチングを
進めることで知られている。
この場合、工業的にはエツチングは速く且つ平均に、し
かも微細パターンを損うことなく進める事が重要であり
、更には危険な薬液を人体から隔離する為に自動搬送機
構によるウェハのハンドリングも重要になって来ている
。
かも微細パターンを損うことなく進める事が重要であり
、更には危険な薬液を人体から隔離する為に自動搬送機
構によるウェハのハンドリングも重要になって来ている
。
そして、具体的に速いエツチングには、前述した様に速
い酸化と、速やかな酸化膜除去が必要であり、ウェハに
エッチャントを付着させた状態で空気中に漂し空気中の
酸素を積極的に吸収することで酸化を律促させる手段が
とられる。
い酸化と、速やかな酸化膜除去が必要であり、ウェハに
エッチャントを付着させた状態で空気中に漂し空気中の
酸素を積極的に吸収することで酸化を律促させる手段が
とられる。
ところで、微細パターンを損う条件としてパターンへの
気泡付着が挙げらｈる。特に、写真製版過穆での酸化膜
のエツチングでは、一般に弗酸と弗化アンモニウムとの
緩衝溶液がエッチャントとして使われるが、このエッチ
ャントは粘性が高く。
気泡付着が挙げらｈる。特に、写真製版過穆での酸化膜
のエツチングでは、一般に弗酸と弗化アンモニウムとの
緩衝溶液がエッチャントとして使われるが、このエッチ
ャントは粘性が高く。
エツチング中に発生するガスがウエノ１表面から離脱し
に（く、若し、完全にガスが離脱しなかった場合は、そ
の部分はパターン欠陥となる。
に（く、若し、完全にガスが離脱しなかった場合は、そ
の部分はパターン欠陥となる。
又、Ａｌ１唖の燐酸などによるエツチングでも盛んに水
素ガスか発生するので、ウェハ表面から効率よ（離脱さ
せないと当然エツチングのバラツキを生じてパターン欠
陥を招く。そして、こねらの場合も、ウェハを積極的に
揺動させたり、一旦エツチャントより空気中に出したり
して気泡を破裂させ、再びエッチャントに没する方法が
最も効果が高いのである。
素ガスか発生するので、ウェハ表面から効率よ（離脱さ
せないと当然エツチングのバラツキを生じてパターン欠
陥を招く。そして、こねらの場合も、ウェハを積極的に
揺動させたり、一旦エツチャントより空気中に出したり
して気泡を破裂させ、再びエッチャントに没する方法が
最も効果が高いのである。
さて、この様な産業的要請に対し、従来ｔ−ｔ＠４図の
ようにエツチング槽（ｔ＋にウェハ（２）を多数収容し
たバスケット（３１を浸漬し、搬送ロボット（４）の腕
（４ａ）にてバスケットのへ／Ｉ″ル（３ａ）を掴んで
上下動作させ、所定時間のエツチングが終ると腕（４１
！Ｌ）を太き（上昇させ、搬送ロボット（４１のキャス
タ（４０）を介してレール（４ｂ）上を水槽（６１側へ
移行させて、再び腕（４ａ）の上下動作にて水洗する方
法が一般的に行なわれていた。
ようにエツチング槽（ｔ＋にウェハ（２）を多数収容し
たバスケット（３１を浸漬し、搬送ロボット（４）の腕
（４ａ）にてバスケットのへ／Ｉ″ル（３ａ）を掴んで
上下動作させ、所定時間のエツチングが終ると腕（４１
！Ｌ）を太き（上昇させ、搬送ロボット（４１のキャス
タ（４０）を介してレール（４ｂ）上を水槽（６１側へ
移行させて、再び腕（４ａ）の上下動作にて水洗する方
法が一般的に行なわれていた。
従来装置は以上のように構成されているので、ウェハ（
２）に付着した気泡を除去しようとすると、極めて大き
な腕（４ａ）のストロークを必要として装備が大型化す
るほか、ストロークが大きいと、それだけ小刻みな上下
動作は出来ず、緩慢となって均一なエツチング性を欠（
こと、上下動作を速くするとウェハ（２１がバスケット
（３）の底部に強く当って、バスケット（３）及びウェ
ハ（２）の損傷が起ること、構造上、比較的重いワーク
を上下動作させるには、長い腕（４ａ）の為に無理が伴
うこと等の問題があって、専ら洗浄用として機能してい
る場合が多かった。
２）に付着した気泡を除去しようとすると、極めて大き
な腕（４ａ）のストロークを必要として装備が大型化す
るほか、ストロークが大きいと、それだけ小刻みな上下
動作は出来ず、緩慢となって均一なエツチング性を欠（
こと、上下動作を速くするとウェハ（２１がバスケット
（３）の底部に強く当って、バスケット（３）及びウェ
ハ（２）の損傷が起ること、構造上、比較的重いワーク
を上下動作させるには、長い腕（４ａ）の為に無理が伴
うこと等の問題があって、専ら洗浄用として機能してい
る場合が多かった。
本発明はこのような不具合事項を解決するためになされ
たもので、ウェハ等薄板体を確実に表面処理できるウェ
ハ等薄板体の表面処理装置を得ることを目的とするもの
である。
たもので、ウェハ等薄板体を確実に表面処理できるウェ
ハ等薄板体の表面処理装置を得ることを目的とするもの
である。
この発明に係るウェハ等薄板体の表面処理装置は１表面
処理槽内に収容された時に液面付近に位置される回転軸
、この回転軸に装着さり、ウェハ等薄板体を上記回転軸
の軸心から径方向に離れた位置に保持する保持部材、及
び上記回転軸を回転駆動する駆動手段を備えたものであ
る。
処理槽内に収容された時に液面付近に位置される回転軸
、この回転軸に装着さり、ウェハ等薄板体を上記回転軸
の軸心から径方向に離れた位置に保持する保持部材、及
び上記回転軸を回転駆動する駆動手段を備えたものであ
る。
この発明におけるウェー・笠薄板体は、回転軸が表面処
理槽内で液面付近に位置さね、この回転軸にはウェハを
軸心から径方向に離間した位置に保持する保持部材が装
着さｈており、回転軸が回転駆動されることにより、ウ
ェハは液中・気中と交互に接触される。
理槽内で液面付近に位置さね、この回転軸にはウェハを
軸心から径方向に離間した位置に保持する保持部材が装
着さｈており、回転軸が回転駆動されることにより、ウ
ェハは液中・気中と交互に接触される。
第１図、第２図及び第３図は本発明の一実施例を示す断
面図及び斜視図である。同図において、（６）は略円筒
形の回転体から々るウェハ（２）の保持体で、ウェハ（
２）を最低３点で保持するように珠算状の保持具（ｅａ
）（６ｂ）（６ｃ） （６ｄ） （ａｅ）及び（６ｆ）
か取りつけである。第２図において、（６ｂ）と（６Ｃ
）及び（６ｅ）と（６ｆ）の保持具はそｈぞれ１体とな
って保持体（６）の内面に設けた案内溝（ａｇ） （６
ｈ） （６１）及び（６ｊ）を介してウェハ（２；の直
径に適応出来るようにしてあり、例えば（６ｂ）と（６
ｃ）から成る保持具にウェハ（２）を載置して案内溝（
６ｇ）及び（６１）を通すと、（６ｂ）と（６ｃ）とを
あらかじめ固定している固定具（６ｋ）の外側に突き出
°した案内突起（６ｔ）と係合して位置関係が合うよう
になっている。
面図及び斜視図である。同図において、（６）は略円筒
形の回転体から々るウェハ（２）の保持体で、ウェハ（
２）を最低３点で保持するように珠算状の保持具（ｅａ
）（６ｂ）（６ｃ） （６ｄ） （ａｅ）及び（６ｆ）
か取りつけである。第２図において、（６ｂ）と（６Ｃ
）及び（６ｅ）と（６ｆ）の保持具はそｈぞれ１体とな
って保持体（６）の内面に設けた案内溝（ａｇ） （６
ｈ） （６１）及び（６ｊ）を介してウェハ（２；の直
径に適応出来るようにしてあり、例えば（６ｂ）と（６
ｃ）から成る保持具にウェハ（２）を載置して案内溝（
６ｇ）及び（６１）を通すと、（６ｂ）と（６ｃ）とを
あらかじめ固定している固定具（６ｋ）の外側に突き出
°した案内突起（６ｔ）と係合して位置関係が合うよう
になっている。
また、 （６ｍ）及び（６ｎ）Ｆｉ回転軸を支承する穴
であり、少な（とも一方は内面が方形になって回転力を
受けやすいようにしである。
であり、少な（とも一方は内面が方形になって回転力を
受けやすいようにしである。
（８ａ） （８’ｂ）は保持体（６１０支承穴（ａｎ）
（６ｎ）に一端側が取りつけらねた一対の腕、（９ａ
）ｆｌこの腕（８ａ）（ｅｂ）の他端側か固定さｈた外
筒軸を構咬、する反転軸、α１）＃−ｔベルト（ホ）と
反転用プーリー＋１０１を介して反転軸（９ａ）に回転
力を与える反転駆動用モーター、ａ２は動力伝達ギヤで
、反転軸（９ａ）の中に設けらｈた回転軸Ｏｆ１と保持
体（６１とを連結している。α１ｔ′ｉ回転駆動用モー
ターで、回転用プーリーＱ４とベルトｆ２Ｄを介して回
転動力を回転体（６）に伝達してウェハ（２）に回転運
動を与えているようになっている。
（６ｎ）に一端側が取りつけらねた一対の腕、（９ａ
）ｆｌこの腕（８ａ）（ｅｂ）の他端側か固定さｈた外
筒軸を構咬、する反転軸、α１）＃−ｔベルト（ホ）と
反転用プーリー＋１０１を介して反転軸（９ａ）に回転
力を与える反転駆動用モーター、ａ２は動力伝達ギヤで
、反転軸（９ａ）の中に設けらｈた回転軸Ｏｆ１と保持
体（６１とを連結している。α１ｔ′ｉ回転駆動用モー
ターで、回転用プーリーＱ４とベルトｆ２Ｄを介して回
転動力を回転体（６）に伝達してウェハ（２）に回転運
動を与えているようになっている。
なお、回転駆動用モータαｈａ、反転軸（９ａ） 、反
転用プーリー（則１回転用プーリーα◆９回転軸α９゜
ベル）６９（財）で駆動手段を構成している。
転用プーリー（則１回転用プーリーα◆９回転軸α９゜
ベル）６９（財）で駆動手段を構成している。
また、モーターαυ及び（２）以外の各構成材料は塩化
ビニール樹脂、テフロン等の耐酸性材料が好ましいＯ 上記のように構成されたものにおいては、エツチング槽
ｌｉｔ内で社、第１図、第３図のようにエツチング液（
例えば硝崎＋弗＃）＋７１に没するように保持体（６）
が浸漬さｈている。ここで、回転駆動用モーターα３Ｆ
ｓベルト（２）１回転量プーリーα弔９回転軸Ｏａ、動
力伝達ギヤ（２）を介して保持体（６）を２０〜１１０
０ＲＰで回転させており、ウェハ（２１表面での液の環
流は促魂されることになり、エツチングが均一に実権さ
れる。しかも、ウェハ（２）は空気中とエツチング液中
とに交互に接触されウェハ１２Ｊに付着した気泡が除去
されると共に時化等の反応が促進される。
ビニール樹脂、テフロン等の耐酸性材料が好ましいＯ 上記のように構成されたものにおいては、エツチング槽
ｌｉｔ内で社、第１図、第３図のようにエツチング液（
例えば硝崎＋弗＃）＋７１に没するように保持体（６）
が浸漬さｈている。ここで、回転駆動用モーターα３Ｆ
ｓベルト（２）１回転量プーリーα弔９回転軸Ｏａ、動
力伝達ギヤ（２）を介して保持体（６）を２０〜１１０
０ＲＰで回転させており、ウェハ（２１表面での液の環
流は促魂されることになり、エツチングが均一に実権さ
れる。しかも、ウェハ（２）は空気中とエツチング液中
とに交互に接触されウェハ１２Ｊに付着した気泡が除去
されると共に時化等の反応が促進される。
このように、この構成では気液接触効果を意識的に高め
るよう、配慮した為、１つの保持体（６）当り３／１６
インチのピッチでウェハ（２）を２５枚×２列−５０枚
を一度に詰めてエツチングしても何ら気泡残留などの問
題は生じなかった。
るよう、配慮した為、１つの保持体（６）当り３／１６
インチのピッチでウェハ（２）を２５枚×２列−５０枚
を一度に詰めてエツチングしても何ら気泡残留などの問
題は生じなかった。
つまり、この構成は一度に多数枚のウニＩ・を処理する
のに適していると云え、量産Ｃζ向いている。
のに適していると云え、量産Ｃζ向いている。
次に、回転駆動用モーターＱηを回転させると、その回
転力はベルト曽１反転プーリー（璽〔を介して反転軸（
９ａ）に伝達される。このため、この反転軸（９ａ）に
一端が結合された腕（８ａ） （Ｅｂ）が回転し、保持
体（６）はエツチング槽（１）から水槽（５１へ素早く
搬送さね、＠に水槽（６１内ではエツチング！（１１囚
と同様に保持体（６）が回転さね、ウェハ（２）表面で
の純水の環流が促進さり、水洗効果ガ向上する。
転力はベルト曽１反転プーリー（璽〔を介して反転軸（
９ａ）に伝達される。このため、この反転軸（９ａ）に
一端が結合された腕（８ａ） （Ｅｂ）が回転し、保持
体（６）はエツチング槽（１）から水槽（５１へ素早く
搬送さね、＠に水槽（６１内ではエツチング！（１１囚
と同様に保持体（６）が回転さね、ウェハ（２）表面で
の純水の環流が促進さり、水洗効果ガ向上する。
ところで、この発明は半導体ウェハの搬送について述べ
たが、ウェハ以外の薄板体、例えば水晶基板、ガラス基
板、レンズ等のエツチング洗浄処理等にかける搬送装置
として利用で告ることは勿論である。
たが、ウェハ以外の薄板体、例えば水晶基板、ガラス基
板、レンズ等のエツチング洗浄処理等にかける搬送装置
として利用で告ることは勿論である。
〔発明の効果〕
この発明は以上のように、表面処理槽内に収容さｈた時
に液面付近に位置される回転軸、この回転軸に装着され
、ウェハ等薄板体を上記回転軸の軸心から径方向に離れ
た位置に保持する保持部材。
に液面付近に位置される回転軸、この回転軸に装着され
、ウェハ等薄板体を上記回転軸の軸心から径方向に離れ
た位置に保持する保持部材。
及びト記回転軸を回転駆動する駆動手段を備えたので、
ウェハを表面処理液に出入りさせ、気液接触効果を促進
させ、ウェハに付着した気泡を確実に除去でき、パター
ン欠陥を防止できる効果があり、しかも、多数相のウェ
ハを一度に処理することも可能となり、更に社、エツチ
ング反応速度を促進することも可能となり、表面処理時
間を大幅に短縮できる効果がある。
ウェハを表面処理液に出入りさせ、気液接触効果を促進
させ、ウェハに付着した気泡を確実に除去でき、パター
ン欠陥を防止できる効果があり、しかも、多数相のウェ
ハを一度に処理することも可能となり、更に社、エツチ
ング反応速度を促進することも可能となり、表面処理時
間を大幅に短縮できる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例を示す斜視図、第２図及び
第３図は本発明の一実権例を示す要部の断面図及び斜視
図、第４図は従来装酵を示す斜視図である。 図において、 Ｉｌｌはエツチング槽、（２１ハウエバ
、（６１は氷槽、（６）は保持体、 （８ａ） （ｇ
ｂ）ｉ腕、Ｑ葎ｔｊ回転嘔動用モータ、ａ４ｆｉ回転用
プーリー、αＦｊは回転軸。 （２）はベルトである。 な訃、各図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
第３図は本発明の一実権例を示す要部の断面図及び斜視
図、第４図は従来装酵を示す斜視図である。 図において、 Ｉｌｌはエツチング槽、（２１ハウエバ
、（６１は氷槽、（６）は保持体、 （８ａ） （ｇ
ｂ）ｉ腕、Ｑ葎ｔｊ回転嘔動用モータ、ａ４ｆｉ回転用
プーリー、αＦｊは回転軸。 （２）はベルトである。 な訃、各図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 表面処理槽内に収容された時に液面付近に位置される回
転軸、この回転軸に装着され、ウェハ等薄板体を上記回
転軸の軸心から径方向に離れた位置に保持する保持部材
、及び上記回転軸を回転駆動する駆動手段を備えたウェ
ハ等薄板体の表面処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7150185A JPS61228629A (ja) | 1985-04-02 | 1985-04-02 | ウエハ等薄板体の表面処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7150185A JPS61228629A (ja) | 1985-04-02 | 1985-04-02 | ウエハ等薄板体の表面処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61228629A true JPS61228629A (ja) | 1986-10-11 |
Family
ID=13462484
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7150185A Pending JPS61228629A (ja) | 1985-04-02 | 1985-04-02 | ウエハ等薄板体の表面処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61228629A (ja) |
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1985
- 1985-04-02 JP JP7150185A patent/JPS61228629A/ja active Pending
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