JPH0474420A - 洗浄装置及び洗浄方法 - Google Patents
洗浄装置及び洗浄方法Info
- Publication number
- JPH0474420A JPH0474420A JP18822790A JP18822790A JPH0474420A JP H0474420 A JPH0474420 A JP H0474420A JP 18822790 A JP18822790 A JP 18822790A JP 18822790 A JP18822790 A JP 18822790A JP H0474420 A JPH0474420 A JP H0474420A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cleaning
- cleaning tank
- wafer
- water
- hot water
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 136
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 23
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 119
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 21
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 16
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 58
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 45
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 13
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 abstract description 7
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 16
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 10
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 7
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000008213 purified water Substances 0.000 description 5
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 150000004968 peroxymonosulfuric acids Chemical class 0.000 description 4
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000013020 steam cleaning Methods 0.000 description 2
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011328 necessary treatment Methods 0.000 description 1
- -1 nitrate ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔目次〕
・概要
・産業上の利用分野
・従来の技術(第5図)
・発明が解決しようとする課題
・課題を解決するための手段
・作用
・実施例
■第1の実施例(第1回、第2圀2第3図)■第2の実
施例(第4図) ・発明の効果 〔概要〕 洗浄装置及び洗浄方法に関し、更に詳しく言えば、薬液
により処理した後のウェハなどの表面に残存する薬液を
除去するための洗浄装置及び洗浄方法に関し、 ウェハなどの表面に残存する薬液をより一層低減するこ
とが可能な洗浄装置及び洗浄方法を桿供することを目的
とし、 被洗浄物をの洗浄槽と、該被洗浄物を加熱する加熱手段
と、該洗浄槽内に水蒸気を放出する手段と、前記洗浄槽
内の水蒸気を排出する手段と、前記洗浄槽内に熱水及び
水を導入する手段とを含み構成する。
施例(第4図) ・発明の効果 〔概要〕 洗浄装置及び洗浄方法に関し、更に詳しく言えば、薬液
により処理した後のウェハなどの表面に残存する薬液を
除去するための洗浄装置及び洗浄方法に関し、 ウェハなどの表面に残存する薬液をより一層低減するこ
とが可能な洗浄装置及び洗浄方法を桿供することを目的
とし、 被洗浄物をの洗浄槽と、該被洗浄物を加熱する加熱手段
と、該洗浄槽内に水蒸気を放出する手段と、前記洗浄槽
内の水蒸気を排出する手段と、前記洗浄槽内に熱水及び
水を導入する手段とを含み構成する。
[産業上の利用分野]
本発明は、洗浄装置及び洗浄方法に関し、更に詳しく言
えば、薬液により処理した後のウェハなどの表面に残存
する薬液を除去するための洗浄装置及び洗浄方法に関す
る。
えば、薬液により処理した後のウェハなどの表面に残存
する薬液を除去するための洗浄装置及び洗浄方法に関す
る。
〔従来の技術]
従来、ウェハの酸化や拡散等の前処理として金属粒子や
有機物及び塵の除去を目的として硝酸ボイル、過硫酸ボ
イル或いは水酸化アンモニウム/過酸化水素混合液など
の前処理を行っている。
有機物及び塵の除去を目的として硝酸ボイル、過硫酸ボ
イル或いは水酸化アンモニウム/過酸化水素混合液など
の前処理を行っている。
第5図は、このようなウェハの前処理に用いる流水洗浄
装置の構成図である。
装置の構成図である。
同図において、4はウェハの洗浄を行うために薬液又は
純水が満たされる洗浄槽、6は洗浄槽4底部に設けられ
た純水を洗浄槽4内に導入する導入口で、この導入口6
に薬液又は純水を導くための導入管5が接続されている
。また、9は洗浄槽4内に設置されたウェハ保持具で、
洗浄されるウェハ10が載置されている。更に、7は導
入口6から導入された薬液又は純水を通流させる通流孔
8が設けられ、ウェハ保持具9を支持するための支持板
、1は洗浄槽4からオーバフローした薬液又は純水を溜
め、更に排出口3から排出管2を介して排出する容器で
ある。
純水が満たされる洗浄槽、6は洗浄槽4底部に設けられ
た純水を洗浄槽4内に導入する導入口で、この導入口6
に薬液又は純水を導くための導入管5が接続されている
。また、9は洗浄槽4内に設置されたウェハ保持具で、
洗浄されるウェハ10が載置されている。更に、7は導
入口6から導入された薬液又は純水を通流させる通流孔
8が設けられ、ウェハ保持具9を支持するための支持板
、1は洗浄槽4からオーバフローした薬液又は純水を溜
め、更に排出口3から排出管2を介して排出する容器で
ある。
次に、第5図を参照しながら洗浄方法について説明する
。
。
まず、洗浄槽4内で硝酸ボイル、過硫酸ボイル或いは水
酸化アンモニウム/過酸化水素混合液処理などを順次、
又は必要な処理のみ行う。次いで、処理後、薬液を洗浄
槽4内から除去する。なお、複数の薬液処理を行う場合
、次の薬液処理を行う前に、使った薬液をウェハ10表
面から除去するために純水洗浄を行う。
酸化アンモニウム/過酸化水素混合液処理などを順次、
又は必要な処理のみ行う。次いで、処理後、薬液を洗浄
槽4内から除去する。なお、複数の薬液処理を行う場合
、次の薬液処理を行う前に、使った薬液をウェハ10表
面から除去するために純水洗浄を行う。
このようにして必要な薬液処理が全て終わった後に、最
終的にウェハ10表面に残存するこれらの薬液を除去す
るために、洗浄槽4内に底部の導入管5から純水を導入
し、流水洗浄を行う。このとき、ウェハ10には常に新
しい純水が供給されるように洗浄後の純水は洗浄層4か
ら溢れ出るようにしている。
終的にウェハ10表面に残存するこれらの薬液を除去す
るために、洗浄槽4内に底部の導入管5から純水を導入
し、流水洗浄を行う。このとき、ウェハ10には常に新
しい純水が供給されるように洗浄後の純水は洗浄層4か
ら溢れ出るようにしている。
そして、所定の時間経過した後、洗浄槽4からウェハ1
0を取り出し、乾燥すると前処理が完了する。
0を取り出し、乾燥すると前処理が完了する。
(発明が解決しようとする課題〕
ところで、近年の半導体装置の微細化に伴い、ウェハ1
表面に残存する薬液のシミが重大な影響を及ぼすように
なってきている。即ち、次の酸化や拡散などの工程で酸
化膜のピンホールの発生や拡散の一部欠如の原因となり
、製造の歩留りを低下させるという問題が生している。
表面に残存する薬液のシミが重大な影響を及ぼすように
なってきている。即ち、次の酸化や拡散などの工程で酸
化膜のピンホールの発生や拡散の一部欠如の原因となり
、製造の歩留りを低下させるという問題が生している。
本発明は、かかる従来の問題点等に鑑みてなされたもの
で、ウェハなどの表面に残存する薬液をより一層低減す
ることが可能な洗浄装置及び洗浄方法を提供することを
目的とするものである。
で、ウェハなどの表面に残存する薬液をより一層低減す
ることが可能な洗浄装置及び洗浄方法を提供することを
目的とするものである。
上記課題は、第1に、被洗浄物の洗浄槽と、該被洗浄物
を加熱する加熱手段と、該洗浄槽内に水蒸気を放出する
手段と、前記洗浄槽内の水蒸気を前記洗浄槽の外へ排出
する手段と、前3ピ洗浄槽内に熱水及び水を導入する手
段とを存することを特Φとする洗浄装置によって解決さ
れ、 第2に、洗浄槽内に被洗浄物を設置する工程と、加熱手
段により前記被洗浄物を加熱しながら前記洗浄槽内に水
蒸気を放出し、前記被洗浄物を該水蒸気に曝すとともに
、該被洗浄物をil!遇した水蒸気を洗浄槽内の水蒸気
排出手段ムこより前記洗浄槽の外へ排出する工程と、前
記洗浄槽内に熱水を導入し、前記被洗浄物を洗浄する工
程とを有することを特徴とする洗浄方法によって解決さ
れる。
を加熱する加熱手段と、該洗浄槽内に水蒸気を放出する
手段と、前記洗浄槽内の水蒸気を前記洗浄槽の外へ排出
する手段と、前3ピ洗浄槽内に熱水及び水を導入する手
段とを存することを特Φとする洗浄装置によって解決さ
れ、 第2に、洗浄槽内に被洗浄物を設置する工程と、加熱手
段により前記被洗浄物を加熱しながら前記洗浄槽内に水
蒸気を放出し、前記被洗浄物を該水蒸気に曝すとともに
、該被洗浄物をil!遇した水蒸気を洗浄槽内の水蒸気
排出手段ムこより前記洗浄槽の外へ排出する工程と、前
記洗浄槽内に熱水を導入し、前記被洗浄物を洗浄する工
程とを有することを特徴とする洗浄方法によって解決さ
れる。
本発明の洗浄装置によれば、被洗浄物を加熱する加熱手
段と、該洗浄槽内に水蒸気を放出する手段とを有してい
るので、加熱手段により被洗浄物から蒸発しやすい薬液
をガス化し、水蒸気を放出してこのガスを水蒸気に熔解
する。更に、洗浄槽内の水蒸気を排出する手段を備えて
いるので、再度被洗浄物に付着しないように薬液を溶解
した水蒸気を直ちに排出することができる。
段と、該洗浄槽内に水蒸気を放出する手段とを有してい
るので、加熱手段により被洗浄物から蒸発しやすい薬液
をガス化し、水蒸気を放出してこのガスを水蒸気に熔解
する。更に、洗浄槽内の水蒸気を排出する手段を備えて
いるので、再度被洗浄物に付着しないように薬液を溶解
した水蒸気を直ちに排出することができる。
また、熱水を導入する手段を有しているので、被洗浄物
に残存する蒸発しにくい薬液を溶解し、除去することが
できる。
に残存する蒸発しにくい薬液を溶解し、除去することが
できる。
従って、水蒸気及び熱水による洗浄を組合せて効果的な
洗浄を行うことができる。
洗浄を行うことができる。
更に、本発明の洗浄方法によれば、加熱手段により被洗
浄物を加熱しながら被洗浄物を水蒸気に曝した後、水蒸
気を洗浄槽の外へ排出し、更に被洗浄物を熱水で洗浄し
ているので、被洗浄物を薬液により処理した後にこの方
法を適用すれば、被洗浄物の表面から薬液を効果的に除
去することができる。
浄物を加熱しながら被洗浄物を水蒸気に曝した後、水蒸
気を洗浄槽の外へ排出し、更に被洗浄物を熱水で洗浄し
ているので、被洗浄物を薬液により処理した後にこの方
法を適用すれば、被洗浄物の表面から薬液を効果的に除
去することができる。
以上のように、水蒸気による洗浄と熱水による洗浄とを
組み合わせてウェハ等の表面に残存する薬液等を洗浄す
ることにより、効果的に薬液の除去を行うことができる
。
組み合わせてウェハ等の表面に残存する薬液等を洗浄す
ることにより、効果的に薬液の除去を行うことができる
。
〔実施例]
以下、図面を参照しながら本発明の実施例について説明
する。
する。
■第1の実施例
第1図及び第2閃は、本発明の洗浄装置の第1の実施例
の構成を示す図である。
の構成を示す図である。
第1図は水蒸気洗浄を行うための洗浄装置の構成を示す
図で、図中符号11は洗浄槽、13は洗浄に用いられた
後の純水を洗浄槽ll外に排出するため洗浄槽11底部
に設けられた排水口で、排水管12を介して洗浄槽11
の外部へ洗浄後の純水等を排出する。また、14はウェ
ハ保持具16を支持し、洗浄後の純水を排水口13のあ
る洗浄槽11の底部に導くための通流孔15が設けられ
た支持板である。
図で、図中符号11は洗浄槽、13は洗浄に用いられた
後の純水を洗浄槽ll外に排出するため洗浄槽11底部
に設けられた排水口で、排水管12を介して洗浄槽11
の外部へ洗浄後の純水等を排出する。また、14はウェ
ハ保持具16を支持し、洗浄後の純水を排水口13のあ
る洗浄槽11の底部に導くための通流孔15が設けられ
た支持板である。
17はウェハ保持具16に保持され、洗浄されるウェハ
で、これらが被洗浄物となる。
で、これらが被洗浄物となる。
19は水蒸気を噴出する噴出板で、噴出板19の内部へ
水蒸気を導入する管20と、導入された水蒸気を噴出板
面全体に送るための通流路21とを有し、これらが水蒸
気を放出する手段を構成する。
水蒸気を導入する管20と、導入された水蒸気を噴出板
面全体に送るための通流路21とを有し、これらが水蒸
気を放出する手段を構成する。
更に、22は板面を冷却することにより使用済みの水蒸
気を液化す、る液化板で、冷却水を液化板22の内部へ
導入する管23と、導入された冷却水を液化板22全体
に配送するための通流路24とを有し、これらが水蒸気
を排出する手段を構成する。
気を液化す、る液化板で、冷却水を液化板22の内部へ
導入する管23と、導入された冷却水を液化板22全体
に配送するための通流路24とを有し、これらが水蒸気
を排出する手段を構成する。
また、25はウェハ保持具16及びウェハ17を加熱し
、これらの表面に残存する薬液を蒸発させるための赤外
線ヒータ、36a、36bは赤外線ヒータ25に電気を
導くリード線で、これらが加熱手段を構成する。
、これらの表面に残存する薬液を蒸発させるための赤外
線ヒータ、36a、36bは赤外線ヒータ25に電気を
導くリード線で、これらが加熱手段を構成する。
更に、第2図は第1の実施例に係る熱水洗浄を行う洗浄
装置の構成を示す図で、図中符号26は被洗浄物に付着
する薬液を熔解し、洗浄するため、熱水を被洗浄物に躍
りぼかせるンヤヮーで、熱水をンヤワー26の板の内部
へ導入する管27と、導入された熱水を板面全体に送る
ための通流1!I37とを有し、これらが熱水又は水を
導入する手段を構成する。
装置の構成を示す図で、図中符号26は被洗浄物に付着
する薬液を熔解し、洗浄するため、熱水を被洗浄物に躍
りぼかせるンヤヮーで、熱水をンヤワー26の板の内部
へ導入する管27と、導入された熱水を板面全体に送る
ための通流1!I37とを有し、これらが熱水又は水を
導入する手段を構成する。
また、38は洗浄の程度を監視するために洗浄後の熱水
の抵抗率や導電率を測定する測定器である。
の抵抗率や導電率を測定する測定器である。
なお、第2図の他の符号については、第1図と同し符号
で示す・ものは第1図と同しものを示す。
で示す・ものは第1図と同しものを示す。
以上のように、本発明の洗浄装置の第1の実施例によれ
ば、ウェハ17を加熱する赤外線ヒータ25と、該洗浄
槽11内に水蒸気を放出する手段とを有しているので、
ウェハ17から定発しやすい薬液をガス化し、このガス
を水蒸気に熔解することができる。更に、洗浄槽】1内
の水蒸気を液化する液化板22を備えているので、再度
被洗浄物に付着しないように薬液のガスを溶解した水蒸
気を直ちに液化し、排出することができる。
ば、ウェハ17を加熱する赤外線ヒータ25と、該洗浄
槽11内に水蒸気を放出する手段とを有しているので、
ウェハ17から定発しやすい薬液をガス化し、このガス
を水蒸気に熔解することができる。更に、洗浄槽】1内
の水蒸気を液化する液化板22を備えているので、再度
被洗浄物に付着しないように薬液のガスを溶解した水蒸
気を直ちに液化し、排出することができる。
また、熱水を被洗浄物に降り注がせるシャワー26を有
しているので、蒸発しにくい薬液、例えば硝酸や硫酸を
熔解し、除去することができる。
しているので、蒸発しにくい薬液、例えば硝酸や硫酸を
熔解し、除去することができる。
以上のように、水蒸気による洗浄と熱水による洗浄とを
組み合わせてウェハ等の表面に残存する薬液等を洗浄す
ることにより、効果的に薬液の除去を行うことができる
。
組み合わせてウェハ等の表面に残存する薬液等を洗浄す
ることにより、効果的に薬液の除去を行うことができる
。
次に、第1図及び第2図を参照しながら本発明の洗浄方
法の第1の実施例について説明する。硝酸ボイル、過硫
酸ボイル或いは水酸化アンモニウム/過酸化水素混合液
などの前処理を行った後のウェハ表面に残存する薬液を
除去するためにウェハ洗浄を行う場合について説明する
。
法の第1の実施例について説明する。硝酸ボイル、過硫
酸ボイル或いは水酸化アンモニウム/過酸化水素混合液
などの前処理を行った後のウェハ表面に残存する薬液を
除去するためにウェハ洗浄を行う場合について説明する
。
まず、金属粒子や有機物及び塵の除去を目的として硝酸
ボイル、過硫酸ボイル或いは水酸化アンモニウム/過酸
化水素混合液処理などを順次行う。
ボイル、過硫酸ボイル或いは水酸化アンモニウム/過酸
化水素混合液処理などを順次行う。
又は場合により必要な処理のみ行う、なお、複数の薬液
処理を行う場合、次の薬液処理を行う前に、使った薬液
をウェハ17表面から除去するために純水洗浄を行う。
処理を行う場合、次の薬液処理を行う前に、使った薬液
をウェハ17表面から除去するために純水洗浄を行う。
このようにして必要な薬液処理が全て終わった後に、最
終的にウェハ】7表面に残存するこれらの薬液を除去す
るために、ウェハ保持具16に載置したウェハ17を洗
浄槽11内に設置する。次いで、洗浄槽11の上部に設
置された赤外線ヒータ(加熱装置)25によりウェハ1
7を加熱するとともに、純水を加熱して水蒸気を発生さ
せ、管20で洗浄槽11内の噴出板19に導く。そして
、噴出板19内部の通流路21により水蒸気を噴出板1
9全面に送り、不図示の板面に設けられた孔から洗浄槽
11内に放出する。このとき、ウェハ17表面から蒸発
して洗浄槽11内を浮遊している水酸化アンモニウムが
水蒸気に溶解する。更に、水蒸気を放出する側壁以外の
側壁に冷却水により冷却された液化板22が設けられて
いるので、ウェハ17を通過した水酸化アンモニウムを
含む水蒸気は直ちに液化し、通流孔15を通り排水口1
3から排出される。これにより、使用済みの水蒸気が再
度ウェハ17に付着しないようにすることができる。
終的にウェハ】7表面に残存するこれらの薬液を除去す
るために、ウェハ保持具16に載置したウェハ17を洗
浄槽11内に設置する。次いで、洗浄槽11の上部に設
置された赤外線ヒータ(加熱装置)25によりウェハ1
7を加熱するとともに、純水を加熱して水蒸気を発生さ
せ、管20で洗浄槽11内の噴出板19に導く。そして
、噴出板19内部の通流路21により水蒸気を噴出板1
9全面に送り、不図示の板面に設けられた孔から洗浄槽
11内に放出する。このとき、ウェハ17表面から蒸発
して洗浄槽11内を浮遊している水酸化アンモニウムが
水蒸気に溶解する。更に、水蒸気を放出する側壁以外の
側壁に冷却水により冷却された液化板22が設けられて
いるので、ウェハ17を通過した水酸化アンモニウムを
含む水蒸気は直ちに液化し、通流孔15を通り排水口1
3から排出される。これにより、使用済みの水蒸気が再
度ウェハ17に付着しないようにすることができる。
次に、ガス化しにくい硫酸イオン(30,2−)や硝酸
イオン(NO,−)を除去するため、洗浄P!11の上
部にシャワー25を設置し、シャワー26から熱水をウ
ェハ17又はウェハ保持具16に降り注がせる。このと
き、ウェハ17には常に新しい熱水が供給され、薬液を
溶解した使用済みの熱水は排水口13より排出される。
イオン(NO,−)を除去するため、洗浄P!11の上
部にシャワー25を設置し、シャワー26から熱水をウ
ェハ17又はウェハ保持具16に降り注がせる。このと
き、ウェハ17には常に新しい熱水が供給され、薬液を
溶解した使用済みの熱水は排水口13より排出される。
排出された熱水は洗浄の程度を監視するために抵抗率又
は導電率が測定される。
は導電率が測定される。
次いで、洗浄仕上げを行うため、常温の純水を洗浄槽I
I底部の不図示の導入管から導入する。
I底部の不図示の導入管から導入する。
このとき、比抵抗計又は導電率針により洗浄槽11から
溢れ出る純水の抵抗率又は導電率を測定する。そして、
抵抗率が18MΩcm以上、又は導電率が5μs以下に
なるまで洗浄を続ける。通常この時間は60分程度とな
る。例えば、硫酸の残量と抵抗率との相関間係を調査し
た結果を第3図に示す。これによれば、抵抗率がIOM
Ωc11以上になれば図面上硫酸の残留はほとんどなく
なるが、通常、抵抗率が18MΩcI11以上又は導電
率が5μs以下になるとき洗浄を止めるようにしている
。
溢れ出る純水の抵抗率又は導電率を測定する。そして、
抵抗率が18MΩcm以上、又は導電率が5μs以下に
なるまで洗浄を続ける。通常この時間は60分程度とな
る。例えば、硫酸の残量と抵抗率との相関間係を調査し
た結果を第3図に示す。これによれば、抵抗率がIOM
Ωc11以上になれば図面上硫酸の残留はほとんどなく
なるが、通常、抵抗率が18MΩcI11以上又は導電
率が5μs以下になるとき洗浄を止めるようにしている
。
その後、ウェハ17を取り出して乾燥すると、前処理が
完了する。
完了する。
以上のように、本発明の洗浄方法の第1の実施例によれ
ば、赤外線ヒータ25によりウェハ17などを加熱しな
がらウェハ17などを水蒸気に曝した後、水蒸気を液化
して洗浄槽11の外へ排出し、更にウェハI7などを熱
水で洗浄しているので、ウェハ17を薬液により処理し
た後にこの方法を通用すれば、ウェハ17の表面に残存
する薬液を効果的に除去することができる。
ば、赤外線ヒータ25によりウェハ17などを加熱しな
がらウェハ17などを水蒸気に曝した後、水蒸気を液化
して洗浄槽11の外へ排出し、更にウェハI7などを熱
水で洗浄しているので、ウェハ17を薬液により処理し
た後にこの方法を通用すれば、ウェハ17の表面に残存
する薬液を効果的に除去することができる。
これにより、次の酸化や拡散などの工程で酸化膜のピン
ホールの発生や拡散の一部欠如等の原因を除去すること
ができるので、製造歩留りの向上を図ることができる。
ホールの発生や拡散の一部欠如等の原因を除去すること
ができるので、製造歩留りの向上を図ることができる。
なお、薬液処理に対応して水蒸気洗浄のみ或いは熱水洗
浄のみを行ってもよい。
浄のみを行ってもよい。
また、実施例では、水蒸気の排出の手段として、冷却し
た液化板22により使用済みの水蒸気を液化することに
より行っているが、吸気口を設けて使用済みの水蒸気を
排出することも可能である。
た液化板22により使用済みの水蒸気を液化することに
より行っているが、吸気口を設けて使用済みの水蒸気を
排出することも可能である。
■第2の実施例
また、第4図は本発明の洗浄方法の第2の実施例の用い
られる熱水による洗浄装置を示す。即ち、第1の実施例
では、熱水を導入する手段としてシャワーが設けられて
いるが、第2の実施例では洗浄槽31の底部に熱水の導
入口33及びこの導入口33に熱水を導く導入管32が
設けられている。
られる熱水による洗浄装置を示す。即ち、第1の実施例
では、熱水を導入する手段としてシャワーが設けられて
いるが、第2の実施例では洗浄槽31の底部に熱水の導
入口33及びこの導入口33に熱水を導く導入管32が
設けられている。
また第1図に図示されていない洗浄層31の外側に洗浄
槽から溢れる使用済の熱水を受ける容器28と、この容
器2日に溜まる熱水を外部に排出するための排水口30
と、排水口30に接続する排水管29とが図示されてい
る。
槽から溢れる使用済の熱水を受ける容器28と、この容
器2日に溜まる熱水を外部に排出するための排水口30
と、排水口30に接続する排水管29とが図示されてい
る。
次に、この洗浄装置を用いて行う第2の実施例の洗浄方
法について第1図及び第4図を参照しながら説明する。
法について第1図及び第4図を参照しながら説明する。
まず、第1図の洗浄装置を用いて水蒸気による洗浄が終
了した後、第1図に示す噴出板19及び液化板22を取
り除く。
了した後、第1図に示す噴出板19及び液化板22を取
り除く。
その後、第4図に示すように洗浄槽31の底部の導入口
33から熱水を導入しながら、洗浄槽31上部から溢れ
させ、洗浄槽31の外側の容器28の排水口30から使
用済みの熱水を排出する。
33から熱水を導入しながら、洗浄槽31上部から溢れ
させ、洗浄槽31の外側の容器28の排水口30から使
用済みの熱水を排出する。
このとき、排水管29に設置された抵抗率又は導電率測
定器38により使用済みの熱水の抵抗率などを監視する
こともできる。
定器38により使用済みの熱水の抵抗率などを監視する
こともできる。
続いて、洗浄仕上げを行うため、常温の純水を同し導入
管32から導入する。このとき、比抵抗計又は導電率計
により洗浄[31から溢れ出る純水の抵抗率又は導電率
を測定する。そして、抵抗率が18M0cm以上、又は
導電率が5μs以下になるまで洗浄を続ける。この値を
達成できたら洗浄を止める。
管32から導入する。このとき、比抵抗計又は導電率計
により洗浄[31から溢れ出る純水の抵抗率又は導電率
を測定する。そして、抵抗率が18M0cm以上、又は
導電率が5μs以下になるまで洗浄を続ける。この値を
達成できたら洗浄を止める。
その後、ウェハ17を取り出して乾燥すると、前処理が
完了する。
完了する。
以上のように、第2の実施例の洗浄方法によっても、ウ
ェハ17やウェハ保持具16の表面から薬液を効果的に
除去することができる。
ェハ17やウェハ保持具16の表面から薬液を効果的に
除去することができる。
〔発明の効果]
以上のように、本発明の洗浄装置及び洗浄方法番こよれ
ば、水蒸気による洗浄と熱水による洗浄とを組み合わせ
てウェハ等の表面に残存する薬液等を洗゛浄することに
より、効果的に薬液の除去を行うことができる。
ば、水蒸気による洗浄と熱水による洗浄とを組み合わせ
てウェハ等の表面に残存する薬液等を洗゛浄することに
より、効果的に薬液の除去を行うことができる。
これにより、次の酸化や拡散などの工程で酸化膜のピン
ホールの発注や拡散の一部欠如等の原因を除去すること
ができるので、製造歩留りの向上を図ることができる。
ホールの発注や拡散の一部欠如等の原因を除去すること
ができるので、製造歩留りの向上を図ることができる。
第1図は、本発明の第1及び第2の実施例に係る洗浄装
置の斜視図、 第2図は、本発明の第1の実施例に係る洗浄装置の斜視
図、 第3図は、硫酸の残留と洗浄済の純水の抵抗率との相関
を示す図、 第4図は、本発明の第2の実施例に係る洗浄装置の斜視
図、 第5図は、従来例の洗浄装置の斜視図である。 〔符号の説明] 1.28・・・容器、 2.12.29・・・排水管、 3.13.30・・・排水口、 4.11.31・・・洗浄槽、 5・・・導入管、 6・・・導入口、 7.14.34・・・支持板、 8.15.35・・・通流孔、 9.16・・・ウェハ保持具、 10.17・・・ウェハ、 16・・・ウェハ保持具(被洗浄物)、17・・・ウェ
ハ(被洗浄物)、 19・・・噴出板(水蒸気を放出する手段)、20・・
・管(水蒸気を放出する手段)、21・・・通流路(水
蒸気を放出する手段)、22・・・液化板(水茅気を排
出する手段)、23・・・管(水蒸気を排出する手段)
、24・・・通流路(水蒸気を排出する手段)、25・
・・赤外線ヒータ(加熱手段)、26・・・シャワー(
熱水又は水を導入する手段)27・・・管(熱水又は水
を導入する手段)、28・・・容器、 32・・・導入管(熱水又は水を導入する手段)、33
・・・導入口(熱水又は水を導入する手段)、36a、
36b−・・リード線(加熱手段)、37・・・通流路
(熱水又は水を導入する手段)、38・・・抵抗率又は
S電率測定器。
置の斜視図、 第2図は、本発明の第1の実施例に係る洗浄装置の斜視
図、 第3図は、硫酸の残留と洗浄済の純水の抵抗率との相関
を示す図、 第4図は、本発明の第2の実施例に係る洗浄装置の斜視
図、 第5図は、従来例の洗浄装置の斜視図である。 〔符号の説明] 1.28・・・容器、 2.12.29・・・排水管、 3.13.30・・・排水口、 4.11.31・・・洗浄槽、 5・・・導入管、 6・・・導入口、 7.14.34・・・支持板、 8.15.35・・・通流孔、 9.16・・・ウェハ保持具、 10.17・・・ウェハ、 16・・・ウェハ保持具(被洗浄物)、17・・・ウェ
ハ(被洗浄物)、 19・・・噴出板(水蒸気を放出する手段)、20・・
・管(水蒸気を放出する手段)、21・・・通流路(水
蒸気を放出する手段)、22・・・液化板(水茅気を排
出する手段)、23・・・管(水蒸気を排出する手段)
、24・・・通流路(水蒸気を排出する手段)、25・
・・赤外線ヒータ(加熱手段)、26・・・シャワー(
熱水又は水を導入する手段)27・・・管(熱水又は水
を導入する手段)、28・・・容器、 32・・・導入管(熱水又は水を導入する手段)、33
・・・導入口(熱水又は水を導入する手段)、36a、
36b−・・リード線(加熱手段)、37・・・通流路
(熱水又は水を導入する手段)、38・・・抵抗率又は
S電率測定器。
Claims (2)
- (1)被洗浄物の洗浄槽と、 該被洗浄物を加熱する加熱手段と、 該洗浄槽内に水蒸気を放出する手段と、 前記洗浄槽内の水蒸気を前記洗浄槽の外へ排出する手段
と、 前記洗浄槽内に熱水及び水を導入する手段とを有するこ
とを特徴とする洗浄装置。 - (2)洗浄槽内に被洗浄物を設置する工程と、加熱手段
により前記被洗浄物を加熱しながら前記洗浄槽内に水蒸
気を放出し、前記被洗浄物を該水蒸気に曝すとともに、
該被洗浄物を通過した水蒸気を洗浄槽内の水蒸気排出手
段により前記洗浄槽の外へ排出する工程と、前記洗浄槽
内に熱水を導入し、前記被洗浄物を洗浄する工程とを有
することを特徴とする洗浄方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18822790A JPH0474420A (ja) | 1990-07-17 | 1990-07-17 | 洗浄装置及び洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18822790A JPH0474420A (ja) | 1990-07-17 | 1990-07-17 | 洗浄装置及び洗浄方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0474420A true JPH0474420A (ja) | 1992-03-09 |
Family
ID=16220007
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18822790A Pending JPH0474420A (ja) | 1990-07-17 | 1990-07-17 | 洗浄装置及び洗浄方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0474420A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0621242U (ja) * | 1992-08-11 | 1994-03-18 | 株式会社金門製作所 | 超純水加温装置 |
US5393347A (en) * | 1991-07-23 | 1995-02-28 | Pct Systems, Inc. | Method and apparatus for removable weir overflow bath system with gutter |
US6072414A (en) * | 1997-03-19 | 2000-06-06 | Matsushita Electric Industrial | Dynamic focus circuit |
JP2007123523A (ja) * | 2005-10-27 | 2007-05-17 | Ebara Corp | 研磨方法及び研磨装置、並びに電解研磨装置 |
JP2008294328A (ja) * | 2007-05-28 | 2008-12-04 | Sony Corp | 基板洗浄方法および基板洗浄装置 |
-
1990
- 1990-07-17 JP JP18822790A patent/JPH0474420A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5393347A (en) * | 1991-07-23 | 1995-02-28 | Pct Systems, Inc. | Method and apparatus for removable weir overflow bath system with gutter |
JPH0621242U (ja) * | 1992-08-11 | 1994-03-18 | 株式会社金門製作所 | 超純水加温装置 |
US6072414A (en) * | 1997-03-19 | 2000-06-06 | Matsushita Electric Industrial | Dynamic focus circuit |
JP2007123523A (ja) * | 2005-10-27 | 2007-05-17 | Ebara Corp | 研磨方法及び研磨装置、並びに電解研磨装置 |
JP2008294328A (ja) * | 2007-05-28 | 2008-12-04 | Sony Corp | 基板洗浄方法および基板洗浄装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6328809B1 (en) | Vapor drying system and method | |
JP3448613B2 (ja) | 乾燥装置 | |
EP0782889B1 (en) | Method and apparatus for washing or for washing-drying substrates | |
JP3277404B2 (ja) | 基板洗浄方法及び基板洗浄装置 | |
US6430840B1 (en) | Method of and apparatus for drying a wafer using isopropyl alcohol | |
KR20060061827A (ko) | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 | |
JP2004535662A (ja) | メガ帯域システム | |
TW502332B (en) | Substrate processing unit | |
JP3146841B2 (ja) | ウエーハのリンス装置 | |
JPH0474420A (ja) | 洗浄装置及び洗浄方法 | |
JP2006080547A (ja) | 処理装置及び処理方法 | |
JPS61148820A (ja) | 処理方法 | |
JP3817093B2 (ja) | 処理装置及び処理方法 | |
KR100564582B1 (ko) | 전자 소자 기판의 표면 처리 장치 및 이를 이용한 표면처리 방법 | |
US6360756B1 (en) | Wafer rinse tank for metal etching and method for using | |
US20030136429A1 (en) | Vapor cleaning and liquid rinsing process vessel | |
JP2001271188A (ja) | 基板処理装置 | |
WO2006030560A1 (ja) | 基板処理法及び基板処理装置 | |
JP2001237211A (ja) | 基板処理装置 | |
JPH09162156A (ja) | 処理方法及び処理装置 | |
JP6099996B2 (ja) | オゾン水を用いた洗浄方法及び洗浄装置 | |
KR100593672B1 (ko) | 웨이퍼 세척 장치 | |
JP2922194B1 (ja) | 洗浄物の乾燥装置 | |
JP3277625B2 (ja) | ウエハ洗浄装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP3671115B2 (ja) | 基板洗浄方法および基板洗浄装置 |