JPH11510965A - 流体コンテナ内で基板を処理する装置 - Google Patents
流体コンテナ内で基板を処理する装置Info
- Publication number
- JPH11510965A JPH11510965A JP9537651A JP53765197A JPH11510965A JP H11510965 A JPH11510965 A JP H11510965A JP 9537651 A JP9537651 A JP 9537651A JP 53765197 A JP53765197 A JP 53765197A JP H11510965 A JPH11510965 A JP H11510965A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fluid
- fluid container
- nozzles
- substrate
- nozzle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02052—Wet cleaning only
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J19/26—Nozzle-type reactors, i.e. the distribution of the initial reactants within the reactor is effected by their introduction or injection through nozzles
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
- B08B3/102—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration with means for agitating the liquid
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/00049—Controlling or regulating processes
- B01J2219/00051—Controlling the temperature
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
- Y10S134/902—Semiconductor wafer
Abstract
Description
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1.流体を導入するために複数のノズル(7)から成るノズル系が設けられて いることを特徴とする、流体コンテナ(1)内で基板(5)を処理する装置。 2.少なくとも若干のノズル(7)が異なった出射角度(8,9)を有してい る(第1図)、請求項1記載の装置。 3.少なくとも1つのノズル(7)が扇形の出射形態を有している、請求項1 又は2記載の装置。 4.少なくとも1つのノズル(7)が円錐形の出射形態を有している、請求項 1から3までのいずれか1項記載の装置。 5.ノズル(7)が流体コンテナ(1)の底部(2)上に配置されている(第 1図)、請求項1から4までのいずれか1項記載の装置。 6.ノズル(7)が、マトリックス状に配分して流体コンテナ(1)の底部( 2)上に配置されている(第1図)、請求項1から5までのいずれか1項記載の 装置。 7.ノズル(7)が複数のノズル群に纏められている、請求項1から6までの いずれか1項記載の装置。 8.複数のノズル群が、流体コンテナ(1)の種々異なった底部域に配置され ている、請求項1から7までのいずれか1項記載の装置。 9.1つのノズル群が底部(2)の中央域に設けられており、かつそれぞれ1 つのノズル群が、前記底部(2)の両外側域に設けられている(第2図)、請求 項1から8までのいずれか1項記載の装置。 10.個々のノズル(7)及び/又は個々のノズル群が、相互に分離した流体 供給装置を有している、請求項1から9までのいずれか1項記載の装置。 11.流体コンテナ(1)の底部(2)の下に流体供給室(12,13,14 ,15)が設けられており、該流体供給室にノズル(7)が連通している(第1 図)、請求項1から10までのいずれか1項記載の装置。 12.流体供給室が、個々のノズル(7)のため及び/又は個々のノズル群の ために複数の流体部分室(12,13,14,15)に分割されている(第1図 )、請求項11記載の装置。 13.流体供給室(12,13,14,15)が、二重底(2,16)間の中 間スペースによって形成されている(第1図)、請求項11又は12記載の装置 。 14.ノズル(7)を自由洗浄するために複数の自由洗浄オリフィス(18) が設けられている(第1図)、請求項1から13までのいずれか1項記載の装置 。 15.自由洗浄オリフィス(18)がマトリックス 状に配分して流体コンテナ(1)の底部(2)上に配置されている(第1図)、 請求項14記載の装置。 16.自由洗浄オリフィス(18)がノズル(7)間に配置されている(第1 図)、請求項14又は15記載の装置。 17.自由洗浄オリフィス(18)が、その下に位置している流体供給室(1 2,13,14,15)と連通している(第1図)、請求項14から16までの いずれか1項記載の装置。 18.流体コンテナ(1)の底部(2)が傾斜している(第1図)、請求項1 から17までのいずれか1項記載の装置。 19.底部(2)が、流体コンテナ(1)の中心へ向かって下り勾配を成して いる(第1図)、請求項18記載の装置。 20.流体コンテナ(1)から流体を迅速に放出するための吐出ポート(19 )が設けられている(第1図)、請求項1から19までのいずれか1項記載の装 置。 21.流体コンテナ(1)の下位に、流体を迅速に放出するための捕集タンク が設けられている、請求項20記載の装置。 22.複数のノズル(7)が流体コンテナ(1)の側壁(3)に設けられてい る、請求項1から21までのいずれか1項記載の装置。 23.ノズル(7)及び/又はノズル群が、種々異なった流体のために設けら れている、請求項1から22までのいずれか1項記載の装置。 24.異なった流体のために設けられたノズル(7)及び/又はノズル群に通 じる供給導管が夫々相互に分離して設けられている、請求項13記載の装置。 25.付加的な流体が、流体コンテナ(1)内へ導入される、請求項1から2 4までのいずれか1項記載の装置。 26.付加的な流体が化学薬剤、ガス、オゾン及び/又は水である、請求項2 5記載の装置。 27.付加的な流体が少なくとも1つのディフューザを介して導入される、請 求項25又は26記載の装置。 28.複数のスプレーノズルが、流体コンテナ(1)の上部域の側壁に配置さ れている、請求項1から27までのいずれか1項記載の装置。 29.スプレーノズルが、個々の処理プロセス間で化学薬剤を噴入するために 設けられている、請求項28記載の装置。 30.基板受容装置(6)を有する流体コンテナ(1)内で基板(3)を処理 する装置において、基板受容装置(6)が、基板(5)を保持するための3つの 保持域を有していることを特徴とする、流体コンテナ内で基板を処理する装置。 31.基板受容装置(6)が昇降可能である、請求項30記載の装置。 32.少なくとも1つの保持域がナイフ状ウェブであり、該ナイフ状ウェブが 、基板周縁域を受容するために前記ナイフ状ウェブの長手方向に対して直角な横 方向の複数のスリットを有している、請求項30又は31記載の装置。 33.少なくとも1つの保持域が、少なくとも1つの別の保持域に対して相対 的に垂直方向に可動である、請求項30から32までのいずれか1項記載の装置 。 34.1つの基板受容装置(6)を有する流体コンテナ(1)内で基板(3) を処理する装置において、基板受容装置(6)が1つの保持域を有し、かつ流体 コンテナ(1)の少なくとも1つの側壁(3)の内面に基板(5)用のガイド( 4)が設けられていること(第1図)を特徴とする、流体コンテナ内で基板を処 理する装置。 35.ガイドがスリット、ウェブ、ピン及び/又は凸部によって形成されてい る、請求項34記載の装置。 36.流体コンテナ(1)の側壁の内面が、ガイドのない領域を有している、 請求項34又は35記載の装置。 37.ガイドのない内面領域が、ガイドを有する内 面領域に対してずらして配置されている、請求項34から36までのいずれか1 項記載の装置。 38.ガイドのない内面領域が、入口オリフィス、スプレーノズル、ディフュ ーザ、紫外線光源及び/又はメガソニック発射装置を有している、請求項34か ら37までのいずれか1項記載の装置。 39.流体コンテナ(1)をカバーする装置が設けられている、請求項34か ら38までのいずれか1項記載の装置。 40.基板(5)の上縁域に載設される少なくとも1つの基板保持条片が設け られている、請求項34から39までのいずれか1項記載の装置。 41.流体コンテナ(1)上に被せ可能なフードが設けられている、請求項3 4から40までのいずれか1項記載の装置。 42.フードが少なくとも1つの流体入口オリフィスを有している、請求項4 1記載の装置。 43.フードを介して流入される流体が、マランゴニの原理に従って動作する 乾燥プロセスのために設けられている、請求項41又は42記載の装置。 44.流体コンテナ(1)内で流体を加熱及び/又は冷却するための加熱装置 及び/又は冷却装置が設けられている、請求項34から43までのいずれか1項 記載の装置。 45.流体調製装置が設けられている、請求項34 から44までのいずれか1項記載の装置。 46.排気中に含有されたアルカリ性及び酸性蒸気を分離するための分離装置 が設けられている、請求項34から45までのいずれか1項記載の装置。 47.紫外線源が、流体コンテナ(1)の底部(2)及び/又は側壁(3)に 配置されている、請求項34から46までのいずれか1項記載の装置。 48.少なくとも1つのメガソニック発射装置が設けられている、請求項34 から47までのいずれか1項記載の装置。 49.メガソニック発射装置が、流体コンテナ(1)の、底部(2)と側壁( 3)とによって形成された角隅に配置されている、請求項48記載の装置。 50.流体コンテナ(1)内で基板(5)を回動する装置が設けられている、 請求項34から49までのいずれか1項記載の装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1996116402 DE19616402C2 (de) | 1996-04-24 | 1996-04-24 | Vorrichtung zum Behandeln von Substraten in einem Fluid-Behälter |
DE19616402.8 | 1996-04-24 | ||
PCT/EP1997/001580 WO1997040524A1 (de) | 1996-04-24 | 1997-03-27 | Vorrichtung zum behandeln von substraten in einem fluid-behälter |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11510965A true JPH11510965A (ja) | 1999-09-21 |
JP3493030B2 JP3493030B2 (ja) | 2004-02-03 |
Family
ID=7792328
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP53765197A Expired - Fee Related JP3493030B2 (ja) | 1996-04-24 | 1997-03-27 | 流体容器内で基板を処理する装置 |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US5921257A (ja) |
EP (1) | EP0895655B1 (ja) |
JP (1) | JP3493030B2 (ja) |
KR (1) | KR100316823B1 (ja) |
AT (1) | ATE259989T1 (ja) |
DE (2) | DE19655219C2 (ja) |
ID (1) | ID16694A (ja) |
MY (1) | MY132460A (ja) |
TW (1) | TW446575B (ja) |
WO (1) | WO1997040524A1 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017069383A (ja) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
JP2017109180A (ja) * | 2015-12-17 | 2017-06-22 | 東レエンジニアリング株式会社 | 塗布器洗浄装置及び塗布装置 |
WO2018146837A1 (ja) * | 2017-02-09 | 2018-08-16 | 新オオツカ株式会社 | 層流超音波洗浄装置 |
Families Citing this family (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19616400C2 (de) * | 1996-04-24 | 2001-08-30 | Steag Micro Tech Gmbh | Vorrichtung zum Behandeln von Substraten in einem Fluid-Behälter |
DE19742680B4 (de) * | 1997-09-26 | 2006-03-02 | Siltronic Ag | Reinigungsverfahren für scheibenförmiges Material |
US6273107B1 (en) * | 1997-12-05 | 2001-08-14 | Texas Instruments Incorporated | Positive flow, positive displacement rinse tank |
US5913981A (en) * | 1998-03-05 | 1999-06-22 | Micron Technology, Inc. | Method of rinsing and drying semiconductor wafers in a chamber with a moveable side wall |
US6372051B1 (en) * | 1998-12-04 | 2002-04-16 | Texas Instruments Incorporated | Positive flow, positive displacement rinse tank |
US6539963B1 (en) | 1999-07-14 | 2003-04-01 | Micron Technology, Inc. | Pressurized liquid diffuser |
TW434668B (en) * | 2000-01-27 | 2001-05-16 | Ind Tech Res Inst | Wafer rinse apparatus and rinse method of the same |
US6418945B1 (en) * | 2000-07-07 | 2002-07-16 | Semitool, Inc. | Dual cassette centrifugal processor |
US6840250B2 (en) * | 2001-04-06 | 2005-01-11 | Akrion Llc | Nextgen wet process tank |
US6564469B2 (en) * | 2001-07-09 | 2003-05-20 | Motorola, Inc. | Device for performing surface treatment on semiconductor wafers |
US20030192570A1 (en) * | 2002-04-11 | 2003-10-16 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for wafer cleaning |
US20030192577A1 (en) * | 2002-04-11 | 2003-10-16 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for wafer cleaning |
DE10313692B4 (de) * | 2003-03-26 | 2005-06-23 | Werner Rietmann | Verfahren zur Oberflächen-und/oder Tiefenbehandlung von zumindest einem Halbleitersubstrat und Tauchbadvorrichtung dazu |
US7582180B2 (en) * | 2004-08-19 | 2009-09-01 | Micron Technology, Inc. | Systems and methods for processing microfeature workpieces |
DE102004053337A1 (de) * | 2004-11-04 | 2006-05-11 | Steag Hama Tech Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Behandeln von Substraten und Düseneinheit hierfür |
US7819079B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-10-26 | Applied Materials, Inc. | Cartesian cluster tool configuration for lithography type processes |
US7651306B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-01-26 | Applied Materials, Inc. | Cartesian robot cluster tool architecture |
US7699021B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-04-20 | Sokudo Co., Ltd. | Cluster tool substrate throughput optimization |
US7255747B2 (en) | 2004-12-22 | 2007-08-14 | Sokudo Co., Ltd. | Coat/develop module with independent stations |
US7798764B2 (en) | 2005-12-22 | 2010-09-21 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool |
KR100644054B1 (ko) * | 2004-12-29 | 2006-11-10 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 세정 장치 및 게이트 산화막의 전세정 방법 |
US8070884B2 (en) * | 2005-04-01 | 2011-12-06 | Fsi International, Inc. | Methods for rinsing microelectronic substrates utilizing cool rinse fluid within a gas enviroment including a drying enhancement substance |
ES2268974B2 (es) * | 2005-06-16 | 2007-12-01 | Universidad Politecnica De Madrid | Reactor epitaxial para la produccion de obleas a gran escala. |
TWI259110B (en) * | 2005-09-22 | 2006-08-01 | Delta Electronics Inc | Ultrasonic cleaning system and method |
US7694688B2 (en) | 2007-01-05 | 2010-04-13 | Applied Materials, Inc. | Wet clean system design |
US7950407B2 (en) * | 2007-02-07 | 2011-05-31 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for rapid filling of a processing volume |
DE102009035341A1 (de) * | 2009-07-23 | 2011-01-27 | Gebr. Schmid Gmbh & Co. | Vorrichtung zur Reinigung von Substraten an einem Träger |
DE102010028883A1 (de) * | 2010-05-11 | 2011-11-17 | Dürr Ecoclean GmbH | Prozessbehälter |
CA3085086C (en) | 2011-12-06 | 2023-08-08 | Delta Faucet Company | Ozone distribution in a faucet |
US10767270B2 (en) | 2015-07-13 | 2020-09-08 | Delta Faucet Company | Electrode for an ozone generator |
CA2946465C (en) | 2015-11-12 | 2022-03-29 | Delta Faucet Company | Ozone generator for a faucet |
WO2017112795A1 (en) | 2015-12-21 | 2017-06-29 | Delta Faucet Company | Fluid delivery system including a disinfectant device |
SE1650535A1 (en) * | 2016-04-21 | 2017-04-04 | Spinchem Ab | A reactor comprising a nozzle for cleaning fluid, a kit and a method |
JP6836980B2 (ja) * | 2017-10-11 | 2021-03-03 | 株式会社荏原製作所 | 基板洗浄方法 |
JP6985957B2 (ja) | 2018-02-21 | 2021-12-22 | キオクシア株式会社 | 半導体処理装置 |
JP7381370B2 (ja) * | 2020-03-05 | 2023-11-15 | キオクシア株式会社 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
KR102566668B1 (ko) * | 2021-06-02 | 2023-08-17 | 주식회사 아이에스티이 | 표시장치의 기판을 퍼지하기 위한 디퓨저 구조체 |
Family Cites Families (52)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3964957A (en) * | 1973-12-19 | 1976-06-22 | Monsanto Company | Apparatus for processing semiconductor wafers |
JPS5271871A (en) * | 1975-12-11 | 1977-06-15 | Nec Corp | Washing apparatus |
US4132567A (en) * | 1977-10-13 | 1979-01-02 | Fsi Corporation | Apparatus for and method of cleaning and removing static charges from substrates |
JPS586633A (ja) * | 1981-07-03 | 1983-01-14 | Pioneer Electronic Corp | 送受信システム |
JPS5861632A (ja) * | 1981-10-07 | 1983-04-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 洗浄槽 |
JPS59199477A (ja) * | 1983-04-25 | 1984-11-12 | 住友電気工業株式会社 | ウエハ−ボツクス |
US4671206A (en) * | 1983-06-20 | 1987-06-09 | Hoppestad Lamont I | Article support rack |
US4577650A (en) * | 1984-05-21 | 1986-03-25 | Mcconnell Christopher F | Vessel and system for treating wafers with fluids |
US4753258A (en) * | 1985-08-06 | 1988-06-28 | Aigo Seiichiro | Treatment basin for semiconductor material |
US4795497A (en) * | 1985-08-13 | 1989-01-03 | Mcconnell Christopher F | Method and system for fluid treatment of semiconductor wafers |
US4676008A (en) * | 1986-05-16 | 1987-06-30 | Microglass, Inc. | Cage-type wafer carrier and method |
JP2717408B2 (ja) * | 1988-03-16 | 1998-02-18 | 株式会社トプコン | 直線性誤差補正機能を有する光波測距装置 |
US4858764A (en) * | 1988-06-20 | 1989-08-22 | Hughes Aircraft Company | Adjustable carrier device for ceramic substrates and the like |
JP2733771B2 (ja) * | 1988-07-29 | 1998-03-30 | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 | 液体による処理装置 |
JPH02113331U (ja) * | 1989-02-27 | 1990-09-11 | ||
US5000795A (en) * | 1989-06-16 | 1991-03-19 | At&T Bell Laboratories | Semiconductor wafer cleaning method and apparatus |
US5149244A (en) * | 1989-08-18 | 1992-09-22 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for aligning wafers within a semiconductor wafer cassette |
JPH03116731A (ja) * | 1989-09-28 | 1991-05-17 | Dan Kagaku:Kk | 半導体ウエハ用移送装置 |
EP0428983A3 (en) * | 1989-11-13 | 1991-12-11 | Applied Materials, Inc. | Particle removal from surfaces by pressure change |
JPH03228329A (ja) * | 1990-02-02 | 1991-10-09 | Nec Corp | ウェハー処理装置 |
JPH03231428A (ja) * | 1990-02-07 | 1991-10-15 | Hitachi Cable Ltd | 半導体ウエハの洗浄方法 |
JPH0480924A (ja) * | 1990-07-24 | 1992-03-13 | Sony Corp | 半導体ウエハの洗浄装置および洗浄方法 |
US5069235A (en) * | 1990-08-02 | 1991-12-03 | Bold Plastics, Inc. | Apparatus for cleaning and rinsing wafers |
JPH0499025A (ja) * | 1990-08-07 | 1992-03-31 | Nec Kyushu Ltd | 水洗装置 |
US5090432A (en) * | 1990-10-16 | 1992-02-25 | Verteq, Inc. | Single wafer megasonic semiconductor wafer processing system |
US5275184A (en) * | 1990-10-19 | 1994-01-04 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Apparatus and system for treating surface of a wafer by dipping the same in a treatment solution and a gate device for chemical agent used in the apparatus and the system |
JP2901098B2 (ja) * | 1991-04-02 | 1999-06-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 洗浄装置および洗浄方法 |
US5488964A (en) * | 1991-05-08 | 1996-02-06 | Tokyo Electron Limited | Washing apparatus, and washing method |
JPH0555191A (ja) * | 1991-08-26 | 1993-03-05 | Hitachi Ltd | 洗浄槽 |
JPH05102118A (ja) * | 1991-10-07 | 1993-04-23 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体ウエハの水洗方法および水洗槽 |
JP2696017B2 (ja) * | 1991-10-09 | 1998-01-14 | 三菱電機株式会社 | 洗浄装置及び洗浄方法 |
JP2920165B2 (ja) * | 1991-11-29 | 1999-07-19 | エス・イー・エス株式会社 | 枚葉洗浄用オーバーフロー槽 |
JPH05190525A (ja) * | 1992-01-17 | 1993-07-30 | Fujitsu Ltd | 洗浄装置 |
JP3254716B2 (ja) * | 1992-03-17 | 2002-02-12 | ソニー株式会社 | ウェーハ洗浄装置 |
JPH05267262A (ja) * | 1992-03-23 | 1993-10-15 | Sony Corp | 半導体ウェーハ洗浄装置 |
JPH05291228A (ja) * | 1992-04-07 | 1993-11-05 | Fujitsu Ltd | ウェーハ洗浄装置及び洗浄方法 |
JPH05304131A (ja) * | 1992-04-27 | 1993-11-16 | Nec Kyushu Ltd | 半導体基板の薬液処理装置 |
JP2690851B2 (ja) * | 1992-09-18 | 1997-12-17 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 浸漬型基板処理装置 |
JPH06196466A (ja) * | 1992-10-27 | 1994-07-15 | Sony Corp | ウェハ洗浄装置 |
JP3194209B2 (ja) * | 1992-11-10 | 2001-07-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 洗浄処理装置 |
KR960002763B1 (ko) * | 1992-12-24 | 1996-02-26 | 금성일렉트론주식회사 | 반도체 세정방법 및 세정용액 |
JP3003016B2 (ja) * | 1992-12-25 | 2000-01-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及び処理方法 |
US5503171A (en) * | 1992-12-26 | 1996-04-02 | Tokyo Electron Limited | Substrates-washing apparatus |
US5383484A (en) * | 1993-07-16 | 1995-01-24 | Cfmt, Inc. | Static megasonic cleaning system for cleaning objects |
JP2888409B2 (ja) * | 1993-12-14 | 1999-05-10 | 信越半導体株式会社 | ウェーハ洗浄槽 |
DE4413077C2 (de) * | 1994-04-15 | 1997-02-06 | Steag Micro Tech Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur chemischen Behandlung von Substraten |
US5520205A (en) * | 1994-07-01 | 1996-05-28 | Texas Instruments Incorporated | Apparatus for wafer cleaning with rotation |
US5672212A (en) * | 1994-07-01 | 1997-09-30 | Texas Instruments Incorporated | Rotational megasonic cleaner/etcher for wafers |
DE19546990C2 (de) * | 1995-01-05 | 1997-07-03 | Steag Micro Tech Gmbh | Anlage zur chemischen Naßbehandlung |
US5593505A (en) * | 1995-04-19 | 1997-01-14 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method for cleaning semiconductor wafers with sonic energy and passing through a gas-liquid-interface |
DE19637875C2 (de) * | 1996-04-17 | 1999-07-22 | Steag Micro Tech Gmbh | Anlage zur Naßbehandlung von Substraten |
DE19703646C2 (de) * | 1996-04-22 | 1998-04-09 | Steag Micro Tech Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zum Behandeln von Substraten in einem Fluid-Behälter |
-
1996
- 1996-04-24 DE DE19655219A patent/DE19655219C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1996-04-24 DE DE19654903A patent/DE19654903C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1996-12-06 US US08/762,199 patent/US5921257A/en not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-03-27 WO PCT/EP1997/001580 patent/WO1997040524A1/de active IP Right Grant
- 1997-03-27 EP EP97915453A patent/EP0895655B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1997-03-27 JP JP53765197A patent/JP3493030B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1997-03-27 AT AT97915453T patent/ATE259989T1/de not_active IP Right Cessation
- 1997-03-27 KR KR1019980708443A patent/KR100316823B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1997-04-09 MY MYPI97001552A patent/MY132460A/en unknown
- 1997-04-10 TW TW086104566A patent/TW446575B/zh not_active IP Right Cessation
- 1997-04-22 ID IDP971344A patent/ID16694A/id unknown
-
1998
- 1998-04-07 US US09/056,586 patent/US5992431A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017069383A (ja) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
JP2017109180A (ja) * | 2015-12-17 | 2017-06-22 | 東レエンジニアリング株式会社 | 塗布器洗浄装置及び塗布装置 |
WO2018146837A1 (ja) * | 2017-02-09 | 2018-08-16 | 新オオツカ株式会社 | 層流超音波洗浄装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20000010575A (ko) | 2000-02-15 |
ID16694A (id) | 1997-10-30 |
EP0895655A1 (de) | 1999-02-10 |
US5992431A (en) | 1999-11-30 |
KR100316823B1 (ko) | 2002-02-19 |
US5921257A (en) | 1999-07-13 |
MY132460A (en) | 2007-10-31 |
JP3493030B2 (ja) | 2004-02-03 |
DE19655219C2 (de) | 2003-11-06 |
ATE259989T1 (de) | 2004-03-15 |
WO1997040524A1 (de) | 1997-10-30 |
DE19654903C2 (de) | 1998-09-24 |
EP0895655B1 (de) | 2004-02-18 |
TW446575B (en) | 2001-07-21 |
DE19654903A1 (de) | 1997-11-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH11510965A (ja) | 流体コンテナ内で基板を処理する装置 | |
US6351924B1 (en) | Method and device for sterilizing and filling packing containers | |
US4286541A (en) | Applying photoresist onto silicon wafers | |
US7198351B2 (en) | Ink jet recording apparatus | |
JP5243426B2 (ja) | 洗浄機内において瓶または類似の容器を処理する方法および洗浄機 | |
JPS649861B2 (ja) | ||
KR920002510B1 (ko) | 직물의 처리장치 | |
KR100742678B1 (ko) | 기판의 처리 장치 | |
US5902383A (en) | Dust collection apparatus having packed tower | |
WO1998033207A1 (en) | Alcohol vapor dryer system | |
US4756322A (en) | Means for restoring the initial cleanness conditions in a quartz tube used as a reaction chamber for the production of integrated circuits | |
KR20020063157A (ko) | 기판 처리 장치 | |
JPH0958635A (ja) | 無菌充填包装装置及び無菌充填包装装置の殺菌方法 | |
JP2001000514A (ja) | 滅菌装置 | |
KR102042590B1 (ko) | 세정액 균등분사를 이용하여 세정대상물의 독립세정이 가능한 Flux 크리너 시스템 | |
JP4091997B2 (ja) | 殺菌剤ガス化装置 | |
KR100822371B1 (ko) | 처리액 분사장치 및 방법, 그리고 상기 장치를 구비하는기판 처리 설비 | |
KR101980437B1 (ko) | 관리효율이 향상된 웨이퍼 자동 관리 장치용 챔버 | |
JP2003299715A (ja) | 加熱むらを防止することのできる加熱殺菌装置 | |
KR19980015716A (ko) | 반도체설비의 화학약품 공급장치 | |
JP3430453B2 (ja) | 洗浄装置及び洗浄方法 | |
JP3926533B2 (ja) | 処理装置 | |
JP2648700B2 (ja) | 多槽浸漬型洗壜機の白濁壜発生防止装置 | |
JPS6053850A (ja) | 医用マイクロプレ−トの洗浄装置 | |
JPH0958633A (ja) | 包装材料の殺菌方法及び殺菌装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
S633 | Written request for registration of reclamation of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313633 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081114 Year of fee payment: 5 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |