KR19980033936U - 세정장치 - Google Patents
세정장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR19980033936U KR19980033936U KR2019960046874U KR19960046874U KR19980033936U KR 19980033936 U KR19980033936 U KR 19980033936U KR 2019960046874 U KR2019960046874 U KR 2019960046874U KR 19960046874 U KR19960046874 U KR 19960046874U KR 19980033936 U KR19980033936 U KR 19980033936U
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- tank
- cleaning
- processing
- liquid
- wafer
- Prior art date
Links
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 63
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 76
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 19
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 19
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 38
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 8
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/048—Overflow-type cleaning, e.g. tanks in which the liquid flows over the tank in which the articles are placed
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
세정액 등과 같은 처리액이 내부처리조로 유입되어 하부에서 상부로 흐르면서 웨이퍼보오트 내의 웨이퍼를 습식처리한 후, 내부처리조 벽 위인 외부처리조를 넘치게 되며, 외부처리조로 흘러넘친 처리액은 배출라인을 통하여 배출되어 재순환(Recirculaton)되어 사용하는 세정장치에 있어서, 본 고안의 세정장치에서는 내부처리조 저면과 측면에 각각 수직분사수단과 수평분사수단을 설치하여서, 내부처리조에서 넘쳐 흐른 처리액이 수직분사수단과 수평분사수단을 통하여 수평과 수직방향으로 다시 내부처리조 내로 재순환되는 것을 특징으로 한다.
Description
제1도는 종래의 일반적인 세정장치의 단면도이고,
제2도는 본 고안의 세정장치의 단면도이다.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
10, 20. 웨이퍼11, 21. 웨이퍼카세트
12, 22. 내부세정조13, 23. 외부세정조
14, 24. 배출라인15, 25. 처리액공급라인
16, 26-1, 26-2. 세정액분사노즐 17, 27. 흐름조절판
본 고안은 세정장치에 관한 것으로, 특히 웨이퍼 세정 시, 처리조 하부로 부터 분사되는 처리액의 흐름을 균일하게 유지하여 웨이퍼 식각율에 대한 균일도를 향상시키기에 적당한 세정장치에 관한 것이다.
반도체 디바이스의 규모축소에 따른 고집적화 추세와 이에 따른 칩 고집적화를 위한 웨이퍼의 대구경화가 점차로 이루어짐에 따라, 웨이퍼 상의 미세패턴에 대한 세정효과 증대 및 웨이퍼 주변부 세정 및 습식반응 균일성 등 세정효과가 큰 문제로 따른다. 따라서, 습식세정의 세정효과증대를 위한 보완된 여러 기술들이 제공되고 있다.
제1도는 종래의 일반적인 세정장치의 단면도로, 이하 첨부된 도면을 참조하여 설명하겠다.
종래의 세정장치는 제1도와 같이, 하부에 흐름조절판(17)이 설치되어, 흐름조절판을 통하여 유입된 처리액이 흘러넘치는 내부처리조(12)와, 내부처리조에 삽입되어 다 수의 웨이퍼가 직렬로 꽂혀진 웨이퍼보오트(11)와, 내부처리조 측벽 가장자리에 설치된 외부처리조(12)와, 외부처리조 하부에 설치되어, 넘쳐 흐른 처리액이 유출되는 배출라인(14)과, 배출라인의 일단과 연결되어, 내부처리조 내로 처리액을 공급하는 처리액공급라인(15)과, 처리액공급라인의 일단에 연결되어, 처리액이 분사되는 노즐(16)로 구성된다.
그리고 배출라인에는 보다 세정효과를 크게 하기 위하여 처리액을 가열시키는 히터가 장착되고, 또한 이때의 온도를 조절시키는 온도조절부가 설치된다.
또한, 배출라인과 처리액공급라인은 각각의 라인 내의 처리액에 포함된 불순물을 여과시키기 위한 필터와 연결설치된다.
상기와 같은 구성을 갖는 종래의 일반적인 웨이퍼 세정장치는 세정액 등과 같은 처리액이 흐름조절판을 통하여 내부처리조로 유입되어 하부에서 상부로 흐르면서 웨이퍼보오트 내의 웨이퍼를 습식처리한 후, 내부처리조 벽위를 넘치게 된다.
그리고 외부처리조로 흘러넘친 처리액은 배출라인을 통하여 배출되어 재순환(Recirculation)되어 사용되어 진다.
다음은 종래의 세정장치를 통하여 웨이퍼가 세정되는 과정을 상세히 살펴보면, 우선 펌프를 온(ON) 동작시킴에 따라 배출라인(14)에 내재된 처리액이 처리액공급라인(15)쪽으로 유입되며, 이때 처리액의 온도는 히터에 의해 가열되며 온도조절부에서 적정온도로 유지시킨다.
그리고 배출라인(14) 내의 처리액과 처리액공급부에서 공급되는 처리액은 혼합되어, 또는 배출라인 내의 처리액 만이 필터를 통하여 불순물이 여과되어, 노즐을 통하여 내부처리조(12) 하부로 부터 공급되어진다.
여기에서 세정액은 노즐(16)을 통하여 내부세정조 저면의 중앙으로 부터 공급되어 차오르고, 흐름조절판(17)을 통하여 웨이퍼와 웨이퍼 사이로 순환되며, 이러한 세정액 순환으로 인하여 웨이퍼 표면과 세정액이 반응하여 세정공정이 진행된다.
그리고 내부세정조(12) 하단에서 웨이퍼보오트 내의 웨이퍼가 직립되며, 노즐(16)의 표면에는 다 수의 홀이 형성되며, 이때 홀은 일정크기로 등간격으로 분포되고, 이러한 홀을 통하여 세정액이 분사된다.
또한, 내부세정조(12) 내로 유입된 세정액은 일정수위 이상으로 차오르면 오버플로워방식으로 외부세정조(13)로 넘치게 되며, 이때 오버플로워링(OVERFIOWING)된 세정액은 외부세정조(13)의 하단에 형성된 배출라인을 통하여 장치 밖으로 배출되거나 또는 처리액공급라인(15)을 통하여 불순물이 필터링된 후, 다시 내부세정조(12) 내로 유입된다.
그러나 종래의 세정장치에서는 처리액의 재순환 과정에서 내부처리조에 와류가 형성됨에 따라 웨이퍼 세정 시 균일하게 웨이퍼 전면세정이 이루어지지 않으며, 즉 웨이퍼 전면에 세정균일도가 고르지 못하고 또한, 여기에서 발생되는 파티클이 원활하게 배출되지 못한다.
본 고안은 이러한 문제점을 해결고자 안출된 것으로, 내부세정조 하부에 설치되어, 세정액을 분사시키는 분사수단을 개선하여 웨이퍼의 세정효과를 높이고, 또한 세정균일도를 향상시키는 세정장치를 그 목적으로 한다.
따라서 세정액 등과 같은 처리액이 흐름조절판을 통하여 내부처리조로 유입되어 하부에서 상부로 흐르면서 웨이퍼보오트 내의 웨이퍼를 습식처리한 후, 내부처리조 벽 위인 외부처리조를 넘치게 되며, 외부처리조로 흘러넘친 처리액은 배출라인을 통하여 배출되어 재순환(Recirculation)되어 사용되는 세정장치에 있어서, 본 고안의 세정장치에서는 내부처리조 저면과 측면에 각각 수직분사수단과 수평분사수단을 설치하여서, 내부처리조에서 넘쳐 흐른 처리액이 수직분사수단과 수평분사수단을 통하여 수평과 수직방향으로 다시 내부처리조 내로 재순환되는 것을 특징으로 한다.
제2도는 본 고안의 세정장치의 단면도로, 이하 첨부된 도면을 참고로 하여 본 고안의 세정장치를 설명하겠다.
본 고안의 세정장치는 하부에 흐름조절판(27)이 설치되어, 흐름조절판을 통하여 유입된 처리액이 흘러넘치는 내부처리조(22)와, 내부처리조에 삽입되어 다 수의 웨이퍼가 직렬로 꽂혀진 웨이퍼보오트(21)와, 내부처리조 측벽 가장자리에 설치된 외부처리조(23)와, 외부처리조 하부에 설치되어, 넘쳐흐른 처리액이 유출되는 배출라인(24)과, 일측에 배출라인에 연결설치되어, 내부처리조 내부에 처리액을 공급시키는 처리액공급라인(25)과, 처리액공급라인에 연결되고, 내부처리조 저면에 설치되어 수직방향으로 처리액이 분사되는 다 수의 수직분사수단(26-1)과, 처리액공급라인에 연결되고, 내부처리조 측면에 설치되어 수평방향으로 처리액이 분사되는 다 수의 수평분사수단(26-2)으로 구성된다.
그리고 수직분사수단과 수평분사수단으로는 노즐이 사용되며, 이때 수평분사수단(26-2)은 양측면에 각각 하나 이상의 노즐이 형성된다.
그리고 배출라인(24)에는 보다 세정효과를 크게 하기 위하여 처리액을 가열시키는 히터가 장착되고, 또한 이때의 온도를 조절시키는 온도조절부가 설치된다.
또한, 배출라인(24)과 처리액공급라인(25)은 각각의 라인 내의 처리액에 포함된 불순물을 여과시키기 위한 필터와 연결설치된다.
이와 같이 구성된 본 고안의 세정장치에서 웨이퍼를 세정시키는 처리액인 세정액이 순환되는 과정을 살펴보면, 우선, 펌프를 온(ON) 동작시킴에 따라 배출라인에 내재된 처리액이 처리액공급라인(25) 쪽으로 유입되며, 이때 처리액의 온도는 히터에 의해 가열되며 온도조절부에서 적정온도로 유지시킨다.
그리고 배출라인(24) 내의 처리액과 처리액공급부에서 공급되는 처리액은 혼합되어, 또는 배출라인 내의 처리액 만이 필터를 통하여 불순물이 여과된 후, 수평분사수단과 수직분사수단을 통하여 내부처리조 저면 측면으로 부터 공급되어진다.
즉, 내부처리조(22) 내에 공급되는 세정액은 노즐을 통하여 내부세정조 저면의 중앙과 양측면으로 부터 공급되어 차오르고, 흐름조절판을 통과하여 웨이퍼와 웨이퍼 사이로 순환되며, 이러한 처리액의 순환으로 인하여 웨이퍼 표면과 처리액이 반응하여 세정공정이 개시된다.
그리고 내부세정조에 입조된 웨이퍼보오트(21)는 그 내부에 다 수의 웨이퍼(20)가 적재되는 데, 이때 각각의 웨이퍼는 직립되며, 수평분사수단(26-2)과 수직분사수단(26-1)인 노즐의 표면에는 다 수의 홀이 형성되며, 이때 홀은 일정크기로 등간격으로 분포되고, 이러한 홀을 통하여 세정액이 균등하게 분사된다.
또한, 내부세정조 내로 유입된 세정액은 일정수위 이상으로 차오르면 오버플로워방식으로 외부세정조로 넘치게 되며, 이때 오버플로워링된 세정액은 외부세정조의 하부에 형성된 배출라인(24)을 통하여 장치 밖으로 배출되거나 또는 처리액공급라인(25)을 통하여 불순물이 필터링된 후, 다시 내부세정조 내로 재유입된다.
상기에서 살펴본 바와 같이, 본 고안의 세정장치는 처리액의 재순환 과정에서 내부처리조에 와류가 형성됨에 따라 웨이퍼 세정 시 균일하게 웨이퍼 전면 세정이 이루어지지 않아 웨이퍼 전면에 세정균일도가 고르지 못하고 또한, 여기에서 발생되는 파티클이 원활하게 배출되지 못했던 종래의 장치에 비해, 본 고안의 세정장치에서는 내부처리조에서 넘쳐 흐른 처리액이 수직분사수단과 수평분사수단을 통하여 수평과 수직방향으로 다시 내부처리조 내로 재순환되어 와류발생이 방지된다.
그에 따라 본 고안의 세정장치에서는 웨이퍼 세정효과의 증대를 가져온다.
또한, 처리액의 보다 원활한 순환을 시도함으로써 웨이퍼 센터의 프로파일 특성을 극복할 수 있으며 내부처리조 내의 이물질을 오버플로워링시키어 밖으로 배출시키는 비율이 커지고, 웨이퍼의 전체적인 세정균일도를 향상시키어 안정된 세정공정을 진행시킬 수 있다.
Claims (1)
- 다 수개의 웨이퍼가 장착된 웨이퍼보오트가 입조되고, 처리액이 유입되어 넘쳐흐르는 내부처리조와,상기 내부처리조 측벽 가장자리에 설치된 외부처리조와,상기 외부처리조 하부에 설치되어, 넘쳐흐른 처리액이 배출되는 배출라인과,상기 배출라인이 일측에 연결설치되고, 상기 내부처리조 내부에 처리액을 공급시키는 처리액공급라인과,상기 처리액공급라인에 연결되며, 내부처리조 저면에 설치되어 수직방향으로 처리액이 분사되는 다 수의 수직분사수단과,상기 처리액공급라인에 연결되며, 내부처리조 양측면에 설치되어 수평방향으로 처리액이 분사되는 다 수의 수평분사수단이 구비되어져서, 상기 내부처리조에서 넘쳐 흐른 처리액이 상기 수직분사수단과 수평분사수단을 통하여 수평과 수직방향으로 다시 내부처리조 내로 재순환되는 것이 특징인 웨이퍼 세정장치.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019960046874U KR19980033936U (ko) | 1996-12-10 | 1996-12-10 | 세정장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019960046874U KR19980033936U (ko) | 1996-12-10 | 1996-12-10 | 세정장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR19980033936U true KR19980033936U (ko) | 1998-09-05 |
Family
ID=53988168
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR2019960046874U KR19980033936U (ko) | 1996-12-10 | 1996-12-10 | 세정장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR19980033936U (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030021300A (ko) * | 2001-09-05 | 2003-03-15 | 동부전자 주식회사 | 뱃치 타입 웨이퍼 세정장치의 약액 세정조 |
| KR100640527B1 (ko) * | 2005-12-28 | 2006-11-01 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 웨이퍼 세정장치 |
-
1996
- 1996-12-10 KR KR2019960046874U patent/KR19980033936U/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030021300A (ko) * | 2001-09-05 | 2003-03-15 | 동부전자 주식회사 | 뱃치 타입 웨이퍼 세정장치의 약액 세정조 |
| KR100640527B1 (ko) * | 2005-12-28 | 2006-11-01 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 웨이퍼 세정장치 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100195334B1 (ko) | 세정장치 | |
| KR100226548B1 (ko) | 웨이퍼 습식 처리 장치 | |
| US6532976B1 (en) | Semiconductor wafer cleaning apparatus | |
| KR19980033936U (ko) | 세정장치 | |
| KR20080051930A (ko) | 기판 가이드 및 이를 구비하는 기판 세정 장치 | |
| KR20070033129A (ko) | 웨이퍼용 척 세정장치 | |
| KR100593672B1 (ko) | 웨이퍼 세척 장치 | |
| KR0157920B1 (ko) | 반도체 웨이퍼의 세정방법 | |
| JPS6072234A (ja) | 半導体ウエハ−の水洗装置 | |
| JP4227694B2 (ja) | ウエハーの表面処理装置 | |
| KR0161865B1 (ko) | 제트노즐을 이용한 반도체웨이퍼 세정장치 | |
| KR200177330Y1 (ko) | 반도체 웨이퍼 세정장치(apparatus for cleansing semiconductor wafer) | |
| KR19980016812A (ko) | 반도체 웨이퍼의 세정조 | |
| KR200159379Y1 (ko) | 튜브 가열장치 | |
| KR200153811Y1 (ko) | 반도체 장치의 케미컬 베스 | |
| KR19990086185A (ko) | 다양한 크기의 분출구가 형성된 순수 공급관을 갖춘 웨이퍼 세정조 | |
| JPS63227792A (ja) | チタンストリップ表面の均一酸洗方法及びその装置 | |
| KR200177282Y1 (ko) | 반도체 세정장비용 세정조의 세정액 주입구 구조 | |
| KR100187443B1 (ko) | 반도체설비의 케미컬 순환공급장치 | |
| KR200326692Y1 (ko) | 반도체웨이퍼의세정용기 | |
| KR19980067783U (ko) | 반도체 웨이퍼 세정장치 | |
| KR100665654B1 (ko) | 웨트 스테이션용 웨이퍼 가이드 | |
| KR200188822Y1 (ko) | 습식공정장치 | |
| KR100897549B1 (ko) | 처리액 공급유닛, 그리고 이를 구비하는 기판 처리 장치 및방법 | |
| KR0179781B1 (ko) | 반도체 웨이퍼 세정장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid |