JPH07161677A - 洗浄／エッチング装置およびその方法 - Google Patents
洗浄／エッチング装置およびその方法Info
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- JPH07161677A JPH07161677A JP30765393A JP30765393A JPH07161677A JP H07161677 A JPH07161677 A JP H07161677A JP 30765393 A JP30765393 A JP 30765393A JP 30765393 A JP30765393 A JP 30765393A JP H07161677 A JPH07161677 A JP H07161677A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体素子製造工程におけるＨＦ薬液を用い
たエッチング／洗浄処理、および超純水を用いた洗浄処
理において、薬液や純水使用量の低減すると同時に処理
時間を低減し、さらに異物付着数を低減してエッチング
の均一性を向上することのできる洗浄装置を提供する。 【構成】 洗浄槽１内に供給管５から供給される純水６
の液流を整流する整流板８、９と、キャリア３と洗浄槽
１の側壁間の流れを制限してウェハ２間の流速を速める
邪魔板１０とを設ける。なお、上記整流板と邪魔板の数
は１枚または複数とし、整流板には多数の孔を設け、邪
魔板にキャリア３を落し込む大孔を設ける。
たエッチング／洗浄処理、および超純水を用いた洗浄処
理において、薬液や純水使用量の低減すると同時に処理
時間を低減し、さらに異物付着数を低減してエッチング
の均一性を向上することのできる洗浄装置を提供する。 【構成】 洗浄槽１内に供給管５から供給される純水６
の液流を整流する整流板８、９と、キャリア３と洗浄槽
１の側壁間の流れを制限してウェハ２間の流速を速める
邪魔板１０とを設ける。なお、上記整流板と邪魔板の数
は１枚または複数とし、整流板には多数の孔を設け、邪
魔板にキャリア３を落し込む大孔を設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造工程に
おけるシリコンウェハ等の薄板状基板をウェット洗浄あ
るいはウェットエッチング処理する際に用いるウェット
洗浄／エッチング装置の構造に係り、とくに異物除去効
率を高め、異物付着数を低減し，エッチング均一性を高
めたウェット洗浄／エッチング装置および洗浄／エッチ
ング方法に関する。
おけるシリコンウェハ等の薄板状基板をウェット洗浄あ
るいはウェットエッチング処理する際に用いるウェット
洗浄／エッチング装置の構造に係り、とくに異物除去効
率を高め、異物付着数を低減し，エッチング均一性を高
めたウェット洗浄／エッチング装置および洗浄／エッチ
ング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のオーバーフロー型ウェット洗浄装
置においては、図５に示すごとくエッチング・洗浄処理
におけるＨＦ薬液、あるいは水洗処理における超純水等
を、矢印７に示すように洗浄槽１内の下方から上方に流
し、さらに、洗浄槽１内に多数の小さな孔を有する１枚
の整流板８を設けて、その上にシリコンウェハ等のウエ
ハ２を積載したキャリア３を載せる構造となっていた。
置においては、図５に示すごとくエッチング・洗浄処理
におけるＨＦ薬液、あるいは水洗処理における超純水等
を、矢印７に示すように洗浄槽１内の下方から上方に流
し、さらに、洗浄槽１内に多数の小さな孔を有する１枚
の整流板８を設けて、その上にシリコンウェハ等のウエ
ハ２を積載したキャリア３を載せる構造となっていた。
【０００３】特開昭５８−４８４２３号公報には、従
来、上記整流板８上に均一に設けられていた小孔の分布
を基板２に近い部分ほど大きくし、基板２の表面により
多くの水を供給するようにして洗滌水の量を減らし、洗
浄効果を高めることが開示されている。また、特開平４
−５６３２１号公報には、複数の上記整流板８を重ね、
上記小孔の大きさを基板２に近い整流板ほど大きくし
て、洗滌水の層流の強度分布を一様にすることが開示さ
れている。
来、上記整流板８上に均一に設けられていた小孔の分布
を基板２に近い部分ほど大きくし、基板２の表面により
多くの水を供給するようにして洗滌水の量を減らし、洗
浄効果を高めることが開示されている。また、特開平４
−５６３２１号公報には、複数の上記整流板８を重ね、
上記小孔の大きさを基板２に近い整流板ほど大きくし
て、洗滌水の層流の強度分布を一様にすることが開示さ
れている。
【０００４】また、特開平１−５７７２１号公報には、
洗浄液をキャリア３底部の開口部からキャリア３内に集
中的に供給するようにして、洗浄槽１内の液流のデッド
スペースを低減することが開示されている。また、特開
平１−１８４９２５号公報には、側面に窓を有するキャ
リア３と洗浄槽１の側壁間の間隔を上記窓の上方部で狭
くしてキャリア３と洗浄槽１の側壁間の液流を制限し、
キャリア内側の洗浄液の流速を速めることが開示されて
いる。
洗浄液をキャリア３底部の開口部からキャリア３内に集
中的に供給するようにして、洗浄槽１内の液流のデッド
スペースを低減することが開示されている。また、特開
平１−１８４９２５号公報には、側面に窓を有するキャ
リア３と洗浄槽１の側壁間の間隔を上記窓の上方部で狭
くしてキャリア３と洗浄槽１の側壁間の液流を制限し、
キャリア内側の洗浄液の流速を速めることが開示されて
いる。
【０００５】また、特開昭６２−１２３７２３号公報に
は、開口部を有するキャリア受け台の下部に複数の流出
口を有するパイプを設け、該パイプの流出口から洗浄液
をキャリア上に配列された各ウエハに略均等に供給する
ことが開示されている。また、特開平２−４４７２７号
公報には、キャリアの側面に複数の穴を設け、洗浄液を
洗浄槽の側面と上部から流出するようにして洗浄時間を
短縮することが開示されている。
は、開口部を有するキャリア受け台の下部に複数の流出
口を有するパイプを設け、該パイプの流出口から洗浄液
をキャリア上に配列された各ウエハに略均等に供給する
ことが開示されている。また、特開平２−４４７２７号
公報には、キャリアの側面に複数の穴を設け、洗浄液を
洗浄槽の側面と上部から流出するようにして洗浄時間を
短縮することが開示されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記図５に示した従来
技術では、整流板の開口率が均一なため、ウェハ間の洗
浄液流速がキャリア／槽壁間に比べて非常に遅くなって
ウェハ間隙部の薬液や純水の置換速度が遅くなり、洗浄
効果が相対的に劣るという問題があった。また、液流が
部分的に逆流するという問題もあった。同時に、ウェハ
間およびウェハ面内の流速分布が不均一になるためエッ
チングも不均一になっていた。
技術では、整流板の開口率が均一なため、ウェハ間の洗
浄液流速がキャリア／槽壁間に比べて非常に遅くなって
ウェハ間隙部の薬液や純水の置換速度が遅くなり、洗浄
効果が相対的に劣るという問題があった。また、液流が
部分的に逆流するという問題もあった。同時に、ウェハ
間およびウェハ面内の流速分布が不均一になるためエッ
チングも不均一になっていた。
【０００７】また、特開昭５８−４８４２３公報に記載
の洗浄装置では、整流板の開口率をウエハ部で大きくし
ているためウェハ間の流速は速くなるものの、１枚の整
流板では洗浄液の整流が不十分なため局所的な渦や淀み
が生じ、高い洗浄効率が得られないという問題があっ
た。
の洗浄装置では、整流板の開口率をウエハ部で大きくし
ているためウェハ間の流速は速くなるものの、１枚の整
流板では洗浄液の整流が不十分なため局所的な渦や淀み
が生じ、高い洗浄効率が得られないという問題があっ
た。
【０００８】これに対し特開平４−５６３２１公報の洗
浄装置では、複数の整流板を用いて整流板直上の液流の
整流度を向上しているが、液流に対するウェハおよびキ
ャリアの抵抗によりウェハ間の液流速が遅くなるため、
洗浄効果の向上はあまり期待できないという問題があっ
た。
浄装置では、複数の整流板を用いて整流板直上の液流の
整流度を向上しているが、液流に対するウェハおよびキ
ャリアの抵抗によりウェハ間の液流速が遅くなるため、
洗浄効果の向上はあまり期待できないという問題があっ
た。
【０００９】また、特開平１−５７７２１号公報に開示
の洗浄装置では、キャリアと槽壁間の間隔を狭くして洗
浄液をキャリア(カセット)内に集中的に供給することに
より、ウェハ間の液流速を速め洗浄効率を高めることが
できるものの、キャリア／槽壁間隔が狭くなるため、キ
ャリアの出し入れ時のハンドリングが難しくなり、実用
的にはキャリア上部で槽壁との間隔を拡げる必要が生
じ、このため、液流の整流性が低下するという問題があ
った。
の洗浄装置では、キャリアと槽壁間の間隔を狭くして洗
浄液をキャリア(カセット)内に集中的に供給することに
より、ウェハ間の液流速を速め洗浄効率を高めることが
できるものの、キャリア／槽壁間隔が狭くなるため、キ
ャリアの出し入れ時のハンドリングが難しくなり、実用
的にはキャリア上部で槽壁との間隔を拡げる必要が生
じ、このため、液流の整流性が低下するという問題があ
った。
【００１０】また、特開平１−１８４９２５号公報に記
載の洗浄装置では、キャリアの窓の上部に設けた突起部
の下で、キャリア／槽壁間の流れが淀み、また、渦を形
成するという問題があり、さらに、槽構造が複雑になる
ためキャリアの大きさや形状変化に対応しにくいという
問題もあった。
載の洗浄装置では、キャリアの窓の上部に設けた突起部
の下で、キャリア／槽壁間の流れが淀み、また、渦を形
成するという問題があり、さらに、槽構造が複雑になる
ためキャリアの大きさや形状変化に対応しにくいという
問題もあった。
【００１１】上記従来技術はいずれも、高い整流性とウ
ェハ間の液流速を高めることを両立させることが困難で
あったため、十分な洗浄効率が得られなかった。また、
エッチングを行う場合には、ウェハ間やウェハ面内にお
けるエッチング液の均一性が良くないことも問題であっ
た。本特許の目的は、液流の整流性向上とウェハ間の液
流高速化とを同時に改善して洗浄効率とエッチング均一
性を高めることができる構造簡単な洗浄装置を提供する
ことにある。
ェハ間の液流速を高めることを両立させることが困難で
あったため、十分な洗浄効率が得られなかった。また、
エッチングを行う場合には、ウェハ間やウェハ面内にお
けるエッチング液の均一性が良くないことも問題であっ
た。本特許の目的は、液流の整流性向上とウェハ間の液
流高速化とを同時に改善して洗浄効率とエッチング均一
性を高めることができる構造簡単な洗浄装置を提供する
ことにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、洗浄槽内の底部洗浄液供給側に、多数の小孔を有す
る１枚以上の整流板と、洗浄するウエハを収容するキャ
リアの水平断面と同程度の大きさの大孔を有する１枚以
上の邪魔板を設ける。さらに、上記整流板の上部に上記
大孔の他に多数の小孔を設けた上記邪魔板を設け、上記
キャリアをこの邪魔板の大孔に落とし込むようにする。
に、洗浄槽内の底部洗浄液供給側に、多数の小孔を有す
る１枚以上の整流板と、洗浄するウエハを収容するキャ
リアの水平断面と同程度の大きさの大孔を有する１枚以
上の邪魔板を設ける。さらに、上記整流板の上部に上記
大孔の他に多数の小孔を設けた上記邪魔板を設け、上記
キャリアをこの邪魔板の大孔に落とし込むようにする。
【００１３】また、上記邪魔板の多数の小孔の開口率を
整流板の同開口率より小さくする。また、少なくとも上
記整流板の一枚を最上段に設け、その下に上記邪魔板を
設け、上記邪魔板に上記キャリアの水平断面と同程度の
大きさの大孔を設けるようにする。また、上記キャリア
の水平断面と同程度の大きさの大孔を有する邪魔板の大
孔にキャリアを落とし込むようにする。また、上記洗浄
装置の洗浄槽内に、半導体基板、ガラス基板、セラミッ
クス基板、金属基板等の板状基板をほぼ垂直方向に設置
して洗浄並びにエッチングを行うようにする。なお、上
記キャリアを大孔へ落とし込ませる方法として、キャリ
アが大孔を完全にふさぎ、キャリア底が下段の整流板上
に載る場合と載らない場合、および、キャリアと大孔の
縁の間に隙間を空け、キャリア底が整流板上に載る場合
の３通りがある。
整流板の同開口率より小さくする。また、少なくとも上
記整流板の一枚を最上段に設け、その下に上記邪魔板を
設け、上記邪魔板に上記キャリアの水平断面と同程度の
大きさの大孔を設けるようにする。また、上記キャリア
の水平断面と同程度の大きさの大孔を有する邪魔板の大
孔にキャリアを落とし込むようにする。また、上記洗浄
装置の洗浄槽内に、半導体基板、ガラス基板、セラミッ
クス基板、金属基板等の板状基板をほぼ垂直方向に設置
して洗浄並びにエッチングを行うようにする。なお、上
記キャリアを大孔へ落とし込ませる方法として、キャリ
アが大孔を完全にふさぎ、キャリア底が下段の整流板上
に載る場合と載らない場合、および、キャリアと大孔の
縁の間に隙間を空け、キャリア底が整流板上に載る場合
の３通りがある。
【００１４】
【作用】多数の小孔を有する１枚以上の整流板は、１枚
では不完全になる液流の整流化を向上させる。すなわ
ち、下側整流板ではその小孔を介して液の出入りが発生
するが、上段の整流板を設けることによりその上部にお
ける整流化がほぼ完全になる。また、上下に隣接する整
流板間の上記小孔の位置を相互にずらせることが上記整
流化に効果的に作用する。
では不完全になる液流の整流化を向上させる。すなわ
ち、下側整流板ではその小孔を介して液の出入りが発生
するが、上段の整流板を設けることによりその上部にお
ける整流化がほぼ完全になる。また、上下に隣接する整
流板間の上記小孔の位置を相互にずらせることが上記整
流化に効果的に作用する。
【００１５】また、邪魔板にキャリアの水平断面と同程
度の大きさの大孔を設けることにより、キャリアをこの
邪魔板の大孔に落とし込んで装着容易にすると同時に、
従来装置ではウェハ間およびキャリアの液流抵抗により
処理液の大部分がキャリアと洗浄層の側壁を流れてウェ
ハ間にはほとんど流れなかった点を改善し、ウェハ間の
流速を速めて洗浄効果を高める。
度の大きさの大孔を設けることにより、キャリアをこの
邪魔板の大孔に落とし込んで装着容易にすると同時に、
従来装置ではウェハ間およびキャリアの液流抵抗により
処理液の大部分がキャリアと洗浄層の側壁を流れてウェ
ハ間にはほとんど流れなかった点を改善し、ウェハ間の
流速を速めて洗浄効果を高める。
【００１６】また、上記邪魔板に設けた整流板より開口
率が低い多数の小孔はキャリアと槽壁間の液流を規制
し、結果的にキャリア端のウェハとキャリアの間の液流
をきれいに整流する。また、整流板間に邪魔板を挟むよ
うにする場合は、この邪魔板の大孔部の流速を速め、キ
ャリアと槽壁間の流速を遅めるので、特開昭５８−４８
４２３号公報に記載の方法より液流の整流化効果を高め
るまた、整流板を用いず、一枚の邪魔板の大孔部にキャ
リアを落し込む方法は、整流板を用いる場合に比べ整流
化は良くないが図５に示す従来装置や特開昭５８−４８
４２３号公報に記載のものより整流化は良く、ウエハ間
の液流が早くなる。また、上記洗浄装置の洗浄槽内に、
半導体基板、ガラス基板、セラミックス基板、金属基板
等の板状基板をほぼ垂直方向に設置することにより、薬
液・純水使用量が低減され、洗浄効率、エッチング効率
が向上し、素子歩留りが向上する。
率が低い多数の小孔はキャリアと槽壁間の液流を規制
し、結果的にキャリア端のウェハとキャリアの間の液流
をきれいに整流する。また、整流板間に邪魔板を挟むよ
うにする場合は、この邪魔板の大孔部の流速を速め、キ
ャリアと槽壁間の流速を遅めるので、特開昭５８−４８
４２３号公報に記載の方法より液流の整流化効果を高め
るまた、整流板を用いず、一枚の邪魔板の大孔部にキャ
リアを落し込む方法は、整流板を用いる場合に比べ整流
化は良くないが図５に示す従来装置や特開昭５８−４８
４２３号公報に記載のものより整流化は良く、ウエハ間
の液流が早くなる。また、上記洗浄装置の洗浄槽内に、
半導体基板、ガラス基板、セラミックス基板、金属基板
等の板状基板をほぼ垂直方向に設置することにより、薬
液・純水使用量が低減され、洗浄効率、エッチング効率
が向上し、素子歩留りが向上する。
【００１７】
【実施例】〔実施例 １〕図１は本発明による洗浄装置
実施例の断面図である。本実施例では、２枚の整流板と
１枚の邪魔板を組み合わせて用いる。即ち、整流板８の
下に整流板９を設け、さらに、整流板８上部のキャリア
３の開口部端と洗浄層１の側壁間に邪魔板１０を設け、
邪魔板１０の大孔にキャリア３を落とし込み、キャリア
は整流板８の上に載る構造とする。
実施例の断面図である。本実施例では、２枚の整流板と
１枚の邪魔板を組み合わせて用いる。即ち、整流板８の
下に整流板９を設け、さらに、整流板８上部のキャリア
３の開口部端と洗浄層１の側壁間に邪魔板１０を設け、
邪魔板１０の大孔にキャリア３を落とし込み、キャリア
は整流板８の上に載る構造とする。
【００１８】整流板８と同９の孔径を例えば１０ｍｍ
φ、同孔間隔を１０ｍｍとし、また、すると、邪魔板１
０の孔径を３ｍｍφとして、邪魔板１０の孔の単位面積
当たりの開口率を整流板のそれより小さくする。２枚の
整流板８、９の孔の上下方向位置をずらして整流板９の
孔の上下位置で出入りする液を整流板８により遮り、整
流板８の上部でほぼ完全な整流化が行われるようにす
る。なお、整流板の数を必要に応じてさらに増やして上
記整流化をさらに完全化することもできる。
φ、同孔間隔を１０ｍｍとし、また、すると、邪魔板１
０の孔径を３ｍｍφとして、邪魔板１０の孔の単位面積
当たりの開口率を整流板のそれより小さくする。２枚の
整流板８、９の孔の上下方向位置をずらして整流板９の
孔の上下位置で出入りする液を整流板８により遮り、整
流板８の上部でほぼ完全な整流化が行われるようにす
る。なお、整流板の数を必要に応じてさらに増やして上
記整流化をさらに完全化することもできる。
【００１９】また、邪魔板１０がない場合には、キャリ
ア３と洗浄槽１の側壁間の間隔よりウェハ間隔が通常狭
いため、ウェハおよびキャリア部の流体抵抗が相対的に
増大して処理液がキャリア３と洗浄槽１の側壁間に多く
流れて肝心のウェハ間にほとんど流れないという問題
を、邪魔板１０を設けることにより改善することができ
る。
ア３と洗浄槽１の側壁間の間隔よりウェハ間隔が通常狭
いため、ウェハおよびキャリア部の流体抵抗が相対的に
増大して処理液がキャリア３と洗浄槽１の側壁間に多く
流れて肝心のウェハ間にほとんど流れないという問題
を、邪魔板１０を設けることにより改善することができ
る。
【００２０】すなわち、邪魔板１０が上記キャリア３と
洗浄槽１の側壁間の液流を妨げるので、既に整流板８と
９によりきれいに整流化された液が図１の流線７に示す
ようにキャリア３の開口部からキャリア３内に集中的に
流れ込んでウェハ２間の流速を速め、洗浄効率を高め
る。なお、上記流線７は底面が２５０ｍｍ×２２０ｍｍ
の洗浄槽１内に６インチφのガラスウェハ２を収容し
て、洗浄液の代わりにミルクを用いて液流を可視化して
求めたものである。
洗浄槽１の側壁間の液流を妨げるので、既に整流板８と
９によりきれいに整流化された液が図１の流線７に示す
ようにキャリア３の開口部からキャリア３内に集中的に
流れ込んでウェハ２間の流速を速め、洗浄効率を高め
る。なお、上記流線７は底面が２５０ｍｍ×２２０ｍｍ
の洗浄槽１内に６インチφのガラスウェハ２を収容し
て、洗浄液の代わりにミルクを用いて液流を可視化して
求めたものである。
【００２１】また、邪魔板１０の上記大孔にキャリア３
を楽に落とし込めるので、邪魔板１０は構造簡単なキャ
リア３のガイドとして極めて有効である。図２は、超純
水洗浄によるシリコンウェハの比抵抗回復実験結果であ
る。シリコンウェハを塩酸：超純水の容量比が１：１０
の水溶液に５分間浸漬した後、超純水中に１０秒間ディ
ップし、次いで図１に示した処理槽１中で流速１０Ｌ／
分の超純水により水洗して比抵抗の回復時間を測定し
た。この結果、図５に示した従来の洗浄装置における１
４ＭΩ・ｃｍまでの比抵抗回復時間を図２に示すように
略半分以下(４０％)に短縮できることがわかった。
を楽に落とし込めるので、邪魔板１０は構造簡単なキャ
リア３のガイドとして極めて有効である。図２は、超純
水洗浄によるシリコンウェハの比抵抗回復実験結果であ
る。シリコンウェハを塩酸：超純水の容量比が１：１０
の水溶液に５分間浸漬した後、超純水中に１０秒間ディ
ップし、次いで図１に示した処理槽１中で流速１０Ｌ／
分の超純水により水洗して比抵抗の回復時間を測定し
た。この結果、図５に示した従来の洗浄装置における１
４ＭΩ・ｃｍまでの比抵抗回復時間を図２に示すように
略半分以下(４０％)に短縮できることがわかった。
【００２２】〔実施例 ２〕図３に本発明による他の洗
浄装置実施例の断面図である。実施例１の場合と同様の
２枚の整流板８および９を用い、邪魔板１１をキャリア
３の下部に設けるようにする。この結果、邪魔板１１の
上記大孔にキャリアを落とし込む深さが実施例１より浅
くなるが、この大孔を構造簡単なキャリア３のガイドと
して同様に利用することができる。なお、邪魔板１１と
キャリア３間の間隔を５ｍｍとし、整流板８、９および
邪魔板１０の孔径と孔間隔は実施例１の場合と同様にす
る。
浄装置実施例の断面図である。実施例１の場合と同様の
２枚の整流板８および９を用い、邪魔板１１をキャリア
３の下部に設けるようにする。この結果、邪魔板１１の
上記大孔にキャリアを落とし込む深さが実施例１より浅
くなるが、この大孔を構造簡単なキャリア３のガイドと
して同様に利用することができる。なお、邪魔板１１と
キャリア３間の間隔を５ｍｍとし、整流板８、９および
邪魔板１０の孔径と孔間隔は実施例１の場合と同様にす
る。
【００２３】実施例１の場合と同様にしてシリコンウェ
ハの比抵抗回復実験を行った結果、図５に示した従来の
洗浄装置における１４ＭΩ・ｃｍまでの比抵抗回復時間
を略６０％まで短縮することができた。なお、邪魔板１
１とキャリア３間の間隔を狭め、キャリア３が整流板８
から浮いているようにしても同様の効果が得られた。
ハの比抵抗回復実験を行った結果、図５に示した従来の
洗浄装置における１４ＭΩ・ｃｍまでの比抵抗回復時間
を略６０％まで短縮することができた。なお、邪魔板１
１とキャリア３間の間隔を狭め、キャリア３が整流板８
から浮いているようにしても同様の効果が得られた。
【００２４】〔実施例 ３〕本実施例では実施例２で用
いた２枚の整流板を１枚にする。なお、この１枚の整流
板と邪魔板１１の孔径と孔間隔は実施例１の場合と同様
である。実施例１の場合と同様にしてシリコンウェハの
比抵抗回復実験を行った結果、図５に示した従来の洗浄
装置における１４ＭΩ・ｃｍまでの比抵抗回復時間を略
８５％まで短縮することができた。また、この１枚の整
流板も除いて邪魔板１１のみとした場合でも、図５に示
した従来装置より短い比抵抗回復時間が得られた。
いた２枚の整流板を１枚にする。なお、この１枚の整流
板と邪魔板１１の孔径と孔間隔は実施例１の場合と同様
である。実施例１の場合と同様にしてシリコンウェハの
比抵抗回復実験を行った結果、図５に示した従来の洗浄
装置における１４ＭΩ・ｃｍまでの比抵抗回復時間を略
８５％まで短縮することができた。また、この１枚の整
流板も除いて邪魔板１１のみとした場合でも、図５に示
した従来装置より短い比抵抗回復時間が得られた。
【００２５】〔実施例 ４〕図４は２枚の整流板８、９
の間に邪魔板１２を挟み、邪魔板の大孔の上部の整流板
上にウェハを積載したキャリアを載置するようにした本
発明による洗浄装置実施例の断面図である。この洗浄装
置においても、図５に示した従来の洗浄装置における１
４ＭΩ・ｃｍまでの比抵抗回復時間を短縮することがで
きた。なお、本発明は半導体ウエハに限らず、ガラス基
板、セラミックス基板、金属基板等の板状基板全般の洗
浄並びにエッチングに適用出来ることはいうまでもな
い。
の間に邪魔板１２を挟み、邪魔板の大孔の上部の整流板
上にウェハを積載したキャリアを載置するようにした本
発明による洗浄装置実施例の断面図である。この洗浄装
置においても、図５に示した従来の洗浄装置における１
４ＭΩ・ｃｍまでの比抵抗回復時間を短縮することがで
きた。なお、本発明は半導体ウエハに限らず、ガラス基
板、セラミックス基板、金属基板等の板状基板全般の洗
浄並びにエッチングに適用出来ることはいうまでもな
い。
【００２６】
【発明の効果】本発明により、シリコンウェハのＨＦ薬
液によるエッチング処理や洗浄処理、および超純水を用
いた水洗処理を行う洗浄／エッチング装置の薬液や純水
使用量を低減し、処理時間を短縮して処理効率を向上す
ることができる。また、異物付着数の低減やエッチング
の均一性を向上して素子歩留りを向上することができ
る。
液によるエッチング処理や洗浄処理、および超純水を用
いた水洗処理を行う洗浄／エッチング装置の薬液や純水
使用量を低減し、処理時間を短縮して処理効率を向上す
ることができる。また、異物付着数の低減やエッチング
の均一性を向上して素子歩留りを向上することができ
る。
【図１】本発明による洗浄装置実施例の概略構造を示す
断面図である。
断面図である。
【図２】本発明による洗浄装置の洗浄効果を従来装置と
比較して示すデータである。
比較して示すデータである。
【図３】本発明による他の洗浄装置実施例の概略構造を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図４】本発明による他の洗浄装置実施例の概略構造を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図５】従来の洗浄装置の概略断面図である。
１…洗浄槽、２…ウエハ、３…キャリア、４…反射板、
５…給水管、６…純水、７…流線、８、９…整流板、１
０、１１、１２…邪魔板。
５…給水管、６…純水、７…流線、８、９…整流板、１
０、１１、１２…邪魔板。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/306 (72)発明者 秦 和博 東京都小平市上水本町五丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体事業部内 (72)発明者 野口 雄二 東京都小平市上水本町五丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体事業部内 (72)発明者 舟橋 倫正 東京都小平市上水本町五丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体事業部内 (72)発明者 伊藤 勝彦 東京都小平市上水本町五丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体事業部内
Claims (8)
- 【請求項１】 洗浄／エッチング装置において、槽内の
底部洗浄／エッチング液供給側に、多数の小孔を有する
１枚以上の整流板と、洗浄する板状基板を収容するキャ
リアの水平断面と同程度の大きさの大孔を有する１枚以
上の邪魔板を設けたことを特徴とする洗浄／エッチング
装置。 - 【請求項２】 請求項１において、上記整流板のそれぞ
れに設けた小孔の位置を互いに隣接する整流板間で相互
にずらせたことを特徴とする洗浄／エッチング装置。 - 【請求項３】 請求項１または２において、邪魔板に上
記大孔の他に多数の小孔を設け、これを上記整流板の上
部に設けて上記キャリアを邪魔板の大孔に落とし込むよ
うにしたことを特徴とする洗浄／エッチング装置。 - 【請求項４】 請求項３において、上記邪魔板の多数の
小孔の単位面積当たりの開口率を整流板の同開口率より
小さくしたことを特徴とする洗浄／エッチング装置。 - 【請求項５】 請求項１または２において、少なくとも
上記整流板の一枚を最上段に設け、その下に上記邪魔板
を設けたことを特徴とする洗浄／エッチング装置。 - 【請求項６】 請求項５において、上記邪魔板に上記キ
ャリアの水平断面と同程度の大きさの大孔を設けたこと
を特徴とする洗浄／エッチング装置。 - 【請求項７】 洗浄／エッチング装置において、槽内に
多数の小孔とキャリアの水平断面と同程度の大きさの一
つの大孔を有する１枚の邪魔板を設け、この邪魔板の該
大孔にキャリアを落し込むようにしたことを特徴とする
洗浄／エッチング装置。 - 【請求項８】 請求項１〜６に記載の洗浄／エッチング
装置の槽内に、半導体基板、ガラス基板、セラミックス
基板、金属基板等の板状基板をほぼ垂直方向に設置して
洗浄並びにエッチングを行う洗浄／エッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30765393A JP3223020B2 (ja) | 1993-12-08 | 1993-12-08 | 洗浄／エッチング装置およびその方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30765393A JP3223020B2 (ja) | 1993-12-08 | 1993-12-08 | 洗浄／エッチング装置およびその方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07161677A true JPH07161677A (ja) | 1995-06-23 |
| JP3223020B2 JP3223020B2 (ja) | 2001-10-29 |
Family
ID=17971637
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30765393A Expired - Lifetime JP3223020B2 (ja) | 1993-12-08 | 1993-12-08 | 洗浄／エッチング装置およびその方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3223020B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6616774B2 (en) * | 1997-12-26 | 2003-09-09 | Spc Electronics | Wafer cleaning device and tray for use in wafer cleaning device |
| US7524396B2 (en) | 2004-02-12 | 2009-04-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Object processing apparatus and processing method |
| JP2010040758A (ja) * | 2008-08-05 | 2010-02-18 | Toshiba Mobile Display Co Ltd | 基板処理装置 |
| WO2021048983A1 (ja) * | 2019-09-12 | 2021-03-18 | キオクシア株式会社 | 基板処理装置 |
| US20230271229A1 (en) * | 2020-07-30 | 2023-08-31 | Sumco Corporation | Method of cleaning work and cleaning system for work |
-
1993
- 1993-12-08 JP JP30765393A patent/JP3223020B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| US11469127B2 (en) | 2019-09-12 | 2022-10-11 | Kioxia Corporation | Substrate processing device |
| US20230271229A1 (en) * | 2020-07-30 | 2023-08-31 | Sumco Corporation | Method of cleaning work and cleaning system for work |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3223020B2 (ja) | 2001-10-29 |
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