JPH06224171A - ウエハ洗浄方法および装置 - Google Patents
ウエハ洗浄方法および装置Info
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- JPH06224171A JPH06224171A JP5045641A JP4564193A JPH06224171A JP H06224171 A JPH06224171 A JP H06224171A JP 5045641 A JP5045641 A JP 5045641A JP 4564193 A JP4564193 A JP 4564193A JP H06224171 A JPH06224171 A JP H06224171A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウエハ洗浄後水切りするに際し、水切りむ
らをなくして、自然酸化膜の膜厚の均一化をはかる。 【構成】 洗浄槽１のすのこ棚２上に傾斜台３を載置
して、この傾斜台３にウエハ５を装填したキャリヤ４を
載せる。この状態でエッチング、洗浄をした後に洗浄槽
１の底面に開口した配水管６から一定の速度で排水す
る。排水速度を厳密に管理するため、配水管６には排水
の調節弁７と流量計８を設ける。排水の速度は、ウエハ
５のＣＶＤ膜形成面に水面の下降にともない形成される
水膜が一様に連続する範囲内、１０００ｍｍ／分以下が
望ましい。
らをなくして、自然酸化膜の膜厚の均一化をはかる。 【構成】 洗浄槽１のすのこ棚２上に傾斜台３を載置
して、この傾斜台３にウエハ５を装填したキャリヤ４を
載せる。この状態でエッチング、洗浄をした後に洗浄槽
１の底面に開口した配水管６から一定の速度で排水す
る。排水速度を厳密に管理するため、配水管６には排水
の調節弁７と流量計８を設ける。排水の速度は、ウエハ
５のＣＶＤ膜形成面に水面の下降にともない形成される
水膜が一様に連続する範囲内、１０００ｍｍ／分以下が
望ましい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造工程におけ
るウエハの洗浄方法とその装置、特に洗浄後の水の切り
方に関するものである。
るウエハの洗浄方法とその装置、特に洗浄後の水の切り
方に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年の超大規模集積回路（ＶＬＳＩ）デ
バイスの高密度、高集積化の著しい進展は、微細加工技
術と薄膜形成技術の進歩によるものと言われている。こ
の薄膜形成技術の中で、化学反応を利用した化学的気相
成長法（ＣＶＤ）は、もっとも一般的な方法として知ら
れている。
バイスの高密度、高集積化の著しい進展は、微細加工技
術と薄膜形成技術の進歩によるものと言われている。こ
の薄膜形成技術の中で、化学反応を利用した化学的気相
成長法（ＣＶＤ）は、もっとも一般的な方法として知ら
れている。
【０００３】通常、ＣＶＤ膜を形成するウエハは、金属
汚染防止、ウエハ表面の疎水化、および自然酸化膜の膜
厚低減などのため、希フッ酸溶液でエッチング処理さ
れ、ついで水洗、乾燥される。乾燥工程直後のウエハ表
面には２〜５オングストローム程度の自然酸化膜が形成
されている。この自然酸化膜の膜厚が一枚のウエハ内で
異なると、ＣＶＤ膜形成後の酸化膜にもむらが生じて不
良品となる。したがってＣＶＤ形成前の自然酸化膜の膜
厚は、ＣＶＤ膜形成面において均一であることが要求さ
れる。ところがＣＶＤ形成前の膜厚の均一性は、疎水化
されたウエハ表面の水切り具合に大きく左右される。例
えば、水切り速度が速すぎると、水切りの際、ウエハ５
のＣＶＤ形成面５１には、ウエハ５と洗浄水の水面との
相対的移動に随伴して、一様に連続せず高低のある波形
状の不均一な水膜が生じたり、とび島様水膜が生じたり
して、水膜のあるところとないところでウエハ形成面５
１の空気に対する暴露時間にバラツキが生じる。その結
果、自然酸化膜の膜厚が変わり、ＣＶＤ形成後の酸化膜
にも筋状あるいはスポット状のむらが生じて不良品とな
るのである。
汚染防止、ウエハ表面の疎水化、および自然酸化膜の膜
厚低減などのため、希フッ酸溶液でエッチング処理さ
れ、ついで水洗、乾燥される。乾燥工程直後のウエハ表
面には２〜５オングストローム程度の自然酸化膜が形成
されている。この自然酸化膜の膜厚が一枚のウエハ内で
異なると、ＣＶＤ膜形成後の酸化膜にもむらが生じて不
良品となる。したがってＣＶＤ形成前の自然酸化膜の膜
厚は、ＣＶＤ膜形成面において均一であることが要求さ
れる。ところがＣＶＤ形成前の膜厚の均一性は、疎水化
されたウエハ表面の水切り具合に大きく左右される。例
えば、水切り速度が速すぎると、水切りの際、ウエハ５
のＣＶＤ形成面５１には、ウエハ５と洗浄水の水面との
相対的移動に随伴して、一様に連続せず高低のある波形
状の不均一な水膜が生じたり、とび島様水膜が生じたり
して、水膜のあるところとないところでウエハ形成面５
１の空気に対する暴露時間にバラツキが生じる。その結
果、自然酸化膜の膜厚が変わり、ＣＶＤ形成後の酸化膜
にも筋状あるいはスポット状のむらが生じて不良品とな
るのである。
【０００４】従来は、このようなむらを回避するため、
水洗後ＣＶＤ膜を形成しようとするウエハ面がキャリア
の溝に接触しないようにキャリアを傾けながら、手作業
により水面から水膜が途切れないように徐々にキャリヤ
ごとウエハを引き上げて、水切りをしていた。しかしな
がら、人手による引き上げではどんなに注意深く作業し
ても、水切り速度にバラツキが生じ、前述のような不均
一な水膜やとび島様の水膜が生じることは避けられず、
一枚のウエハ内で自然酸化膜の膜厚が不均一になってい
た。また、作業に熟練度が要求されるため、作業者間の
バラツキも無視できずに、ウエハごとに膜厚が異なる原
因となっていた。この結果、形成されるＣＶＤ膜形成後
の酸化膜の膜厚もバラツキ、多くの不良品が発生してい
た。
水洗後ＣＶＤ膜を形成しようとするウエハ面がキャリア
の溝に接触しないようにキャリアを傾けながら、手作業
により水面から水膜が途切れないように徐々にキャリヤ
ごとウエハを引き上げて、水切りをしていた。しかしな
がら、人手による引き上げではどんなに注意深く作業し
ても、水切り速度にバラツキが生じ、前述のような不均
一な水膜やとび島様の水膜が生じることは避けられず、
一枚のウエハ内で自然酸化膜の膜厚が不均一になってい
た。また、作業に熟練度が要求されるため、作業者間の
バラツキも無視できずに、ウエハごとに膜厚が異なる原
因となっていた。この結果、形成されるＣＶＤ膜形成後
の酸化膜の膜厚もバラツキ、多くの不良品が発生してい
た。
【０００５】なお、従来エッチング、洗浄、水洗時に、
パターンが形成される面がキャリヤ溝と接触しないよう
に、洗浄層のすのこ状底板を傾斜させた半導体処理装置
は知られている（特開昭５８−８７８３２号公報）。こ
の装置においても、処理液の取り出し口は、底板の下方
に設けられているが、具体的な水切り方法に関しては全
く言及されていない。装置的にも、すのこ状底板自体を
傾斜させるのは、洗浄槽の用途を特定してしまう欠点が
あった。
パターンが形成される面がキャリヤ溝と接触しないよう
に、洗浄層のすのこ状底板を傾斜させた半導体処理装置
は知られている（特開昭５８−８７８３２号公報）。こ
の装置においても、処理液の取り出し口は、底板の下方
に設けられているが、具体的な水切り方法に関しては全
く言及されていない。装置的にも、すのこ状底板自体を
傾斜させるのは、洗浄槽の用途を特定してしまう欠点が
あった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記のごと
き問題点を解消した水切りむらのないウエハ洗浄方法お
よび装置を提供することを目的としている。
き問題点を解消した水切りむらのないウエハ洗浄方法お
よび装置を提供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前期目的を達成した本発
明のウエハ洗浄方法は、ウエハを傾斜したキャリヤに保
持して洗浄槽内におき、洗浄後洗浄水を下から抜いて、
ウエハに対し水面を下降させながら水切りするにあた
り、ウエハ表面に随伴して形成される水膜が一様に連続
する範囲内の実質的に等速度で水面を下降させることを
特徴としている。
明のウエハ洗浄方法は、ウエハを傾斜したキャリヤに保
持して洗浄槽内におき、洗浄後洗浄水を下から抜いて、
ウエハに対し水面を下降させながら水切りするにあた
り、ウエハ表面に随伴して形成される水膜が一様に連続
する範囲内の実質的に等速度で水面を下降させることを
特徴としている。
【０００８】この場合、本発明者の知見によれば水面の
下降速度は通常の洗浄水の場合で、１０００ｍｍ／分以
下であるのが望ましい。１０００ｍｍ／分より速いと、
ウエハ表面に連続した水膜を安定して形成することは困
難である。１０００ｍｍ以下であれば遅いにこしたこと
はないが、不良箇所の完全な除去という面からいえば６
００ｍｍ／分以下であるのがさらに好ましい。
下降速度は通常の洗浄水の場合で、１０００ｍｍ／分以
下であるのが望ましい。１０００ｍｍ／分より速いと、
ウエハ表面に連続した水膜を安定して形成することは困
難である。１０００ｍｍ以下であれば遅いにこしたこと
はないが、不良箇所の完全な除去という面からいえば６
００ｍｍ／分以下であるのがさらに好ましい。
【０００９】本発明のウエハ洗浄装置は、洗浄槽のすの
こ棚上にウエハを保持したキャリヤ載せ用の傾斜台を着
脱自在に載置し、洗浄槽のすのこ棚より下方に開口する
排水口を備えた配水管を取り付け、配水管に排水の調節
弁と流量計を設けたことを特徴としている。傾斜台の角
度θは５〜１５度、好ましくは１０度前後である。ま
た、調節弁と流量計は、本発明の洗浄方法における厳密
な排水速度の管理に不可欠である。
こ棚上にウエハを保持したキャリヤ載せ用の傾斜台を着
脱自在に載置し、洗浄槽のすのこ棚より下方に開口する
排水口を備えた配水管を取り付け、配水管に排水の調節
弁と流量計を設けたことを特徴としている。傾斜台の角
度θは５〜１５度、好ましくは１０度前後である。ま
た、調節弁と流量計は、本発明の洗浄方法における厳密
な排水速度の管理に不可欠である。
【００１０】
【作用】本発明では、ウエハ洗浄後の水切りに際し、作
業者がウエハを持ち上げるのではなく、洗浄水を下から
抜いて水面を下降させ、この下降速度を一定の範囲内で
実質的に等速で行なうことにより、疎水性化されたウエ
ハ表面に形成される水膜が途切れて不均一になったりと
び島様となって自然酸化膜の形成にバラツキが生じ、筋
むらやスポット状の斑点が残ることがない。また、洗浄
水の抜き取り速度は、流量計と調節弁で厳密に管理でき
るので、作業者によるバラツキもなく、管理も容易であ
る。
業者がウエハを持ち上げるのではなく、洗浄水を下から
抜いて水面を下降させ、この下降速度を一定の範囲内で
実質的に等速で行なうことにより、疎水性化されたウエ
ハ表面に形成される水膜が途切れて不均一になったりと
び島様となって自然酸化膜の形成にバラツキが生じ、筋
むらやスポット状の斑点が残ることがない。また、洗浄
水の抜き取り速度は、流量計と調節弁で厳密に管理でき
るので、作業者によるバラツキもなく、管理も容易であ
る。
【００１１】
【実施例１】図１は、本発明のウエハ洗浄方法に使用す
るウエハ洗浄装置の一例を示す。図１において、洗浄槽
１の底部には、多数の孔２１を備えたすのこ棚２を設け
てある。すのこ棚２の上には、水平面に対して１０度の
角度θを有する傾斜台３が着脱自在に載置されている。
傾斜台３には多数の孔３１が穿設されており、その底部
端面には滑り止め板３２を突設してある。傾斜台３は水
を通す多数の孔３１を備えており、それ自体すのこ棚２
の役目を果たし得るので、場合によってはすのこ棚２を
省略することもできる。洗浄槽１の底板には排水管６の
排水口６１が開設されている。この排水管６には、排水
量の調節弁７と流量計８を取り付けてある。調節弁７に
は、電磁弁が好適である。
るウエハ洗浄装置の一例を示す。図１において、洗浄槽
１の底部には、多数の孔２１を備えたすのこ棚２を設け
てある。すのこ棚２の上には、水平面に対して１０度の
角度θを有する傾斜台３が着脱自在に載置されている。
傾斜台３には多数の孔３１が穿設されており、その底部
端面には滑り止め板３２を突設してある。傾斜台３は水
を通す多数の孔３１を備えており、それ自体すのこ棚２
の役目を果たし得るので、場合によってはすのこ棚２を
省略することもできる。洗浄槽１の底板には排水管６の
排水口６１が開設されている。この排水管６には、排水
量の調節弁７と流量計８を取り付けてある。調節弁７に
は、電磁弁が好適である。
【００１２】
【実施例２】図１の装置を用いて、以下のとおり４イン
チのシリコンウエハを洗浄、水切りした。すなわちキャ
リヤ４の溝４１に２５枚のシリコンウエハ５を各々装填
し、ハンドル４２を持って洗浄槽１内の傾斜台３上に載
置した。このとき、シリコンウエハ５の常圧ＣＶＤ膜形
成面５１は傾斜台３の高い方に位置するようにした。キ
ャリヤ４の傾斜により、図２に示すように、シリコンウ
エハ５は溝４１の低い方に片寄りし、常圧ＣＶＤ膜形成
面５１の反対側のみが溝４１と接触して保持され、常圧
ＣＶＤ形成面５１は全面洗浄水と接触することができ
た。この状態で一定時間洗浄後、最後の洗浄用純水をス
イッチ（図示せず）等の操作により、排水管６の調節弁
７を開いて排水口６１から排水した。排水は流量計８に
あらかじめ設定された表１に示す排水速度で行なった。
チのシリコンウエハを洗浄、水切りした。すなわちキャ
リヤ４の溝４１に２５枚のシリコンウエハ５を各々装填
し、ハンドル４２を持って洗浄槽１内の傾斜台３上に載
置した。このとき、シリコンウエハ５の常圧ＣＶＤ膜形
成面５１は傾斜台３の高い方に位置するようにした。キ
ャリヤ４の傾斜により、図２に示すように、シリコンウ
エハ５は溝４１の低い方に片寄りし、常圧ＣＶＤ膜形成
面５１の反対側のみが溝４１と接触して保持され、常圧
ＣＶＤ形成面５１は全面洗浄水と接触することができ
た。この状態で一定時間洗浄後、最後の洗浄用純水をス
イッチ（図示せず）等の操作により、排水管６の調節弁
７を開いて排水口６１から排水した。排水は流量計８に
あらかじめ設定された表１に示す排水速度で行なった。
【００１３】各速度での水膜の均一性は、水切りしたシ
リコンウエハ５を乾燥した後の自然酸化膜の状態によっ
て判定した。すなわち、水膜の不均一にもとづく酸化膜
上の筋むらとスポット状の斑点を目視で判定、その数を
カウントした。結果は、表１および図３のグラフに示
す。
リコンウエハ５を乾燥した後の自然酸化膜の状態によっ
て判定した。すなわち、水膜の不均一にもとづく酸化膜
上の筋むらとスポット状の斑点を目視で判定、その数を
カウントした。結果は、表１および図３のグラフに示
す。
【００１４】
【表１】
【００１５】表１および図３において、排水速度が１０
００ｍｍ／分以下になると、ウエハの欠点がほとんどな
くなり、６００ｍｍ／分では全く発生しないことが確認
された。
００ｍｍ／分以下になると、ウエハの欠点がほとんどな
くなり、６００ｍｍ／分では全く発生しないことが確認
された。
【００１６】表１から明らかなように、本発明に相当す
るテスト１および２では、水膜状態はすべて良好で、一
枚当たり酸化膜厚のバラツキおよび各ウエハ間のバラツ
キともに極めて小さかった。これに対し、排水速度の速
すぎるテスト３以降では、いずれも水膜状態が悪く、酸
化膜の欠点も多かった。
るテスト１および２では、水膜状態はすべて良好で、一
枚当たり酸化膜厚のバラツキおよび各ウエハ間のバラツ
キともに極めて小さかった。これに対し、排水速度の速
すぎるテスト３以降では、いずれも水膜状態が悪く、酸
化膜の欠点も多かった。
【００１７】
【発明の効果】本発明によれば、ウエハ洗浄後の水切り
を一定の速度で行なうことにより、下記の効果が得られ
た。 （１）．水切り後、疎水化されたウエハのＣＶＤ膜形成
面上生じる自然酸化膜の膜厚が均一になる。 （２）．その結果、ＣＶＤ膜形成後の酸化膜の膜厚も均
一になり、不良品の発生が著しく減少する。 （３）．傾斜台を着脱自在に載置することにより、既存
の洗浄槽をそのまま利用できる。 （４）．ウエハ洗浄装置に排水調節弁と流量計を取り付
けることにより、水切り速度の厳密な管理が容易にな
る。
を一定の速度で行なうことにより、下記の効果が得られ
た。 （１）．水切り後、疎水化されたウエハのＣＶＤ膜形成
面上生じる自然酸化膜の膜厚が均一になる。 （２）．その結果、ＣＶＤ膜形成後の酸化膜の膜厚も均
一になり、不良品の発生が著しく減少する。 （３）．傾斜台を着脱自在に載置することにより、既存
の洗浄槽をそのまま利用できる。 （４）．ウエハ洗浄装置に排水調節弁と流量計を取り付
けることにより、水切り速度の厳密な管理が容易にな
る。
【図１】本発明のウエハ洗浄装置の一例を示す側断面図
である。
である。
【図２】図１のウエハ洗浄装置で、傾斜したキャリヤに
ウエハを保持した状態を示す一部切り欠き側断面図であ
る。
ウエハを保持した状態を示す一部切り欠き側断面図であ
る。
【図３】実施例２によるシリコンウエハの酸化膜不良率
を示すグラフである。
を示すグラフである。
１ 洗浄槽 ２ すのこ棚 ２１ 孔 ３ 傾斜台 ３１ 孔 ３２ 滑り止め板 ４ キャリヤ ４１ 溝 ４２ ハンドル ５ ウエハ ５１ ＣＶＤ膜形成面 ６ 配水管 ６１ 排水口 ７ 調節弁 ８ 流量計
Claims (4)
- 【請求項１】 ウエハを傾斜したキャリヤに保持して洗
浄槽内におき、洗浄後洗浄水を下から抜いて、ウエハに
対し水面を下降させながら水切りするにあたり、ウエハ
表面に随伴して形成される水膜が一様に連続する範囲内
の実質的に等速度で、水面を下降させることを特徴とす
るウエハ洗浄方法。 - 【請求項２】 水面の下降速度が１０００ｍｍ／分以下
である請求項１記載のウエハ洗浄方法。 - 【請求項３】 水面の下降速度が６００ｍｍ／分以下で
ある請求項１記載のウエハ洗浄方法。 - 【請求項４】 洗浄槽のすのこ棚上にウエハを保持した
キャリヤ載せ用の傾斜台を着脱自在に載置し、洗浄槽の
すのこ棚より下方に開口する排水口を備えた配水管を取
り付け、配水管に排水の調節弁と流量計を設けたことを
特徴とするウエハ洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5045641A JPH06224171A (ja) | 1993-01-25 | 1993-01-25 | ウエハ洗浄方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5045641A JPH06224171A (ja) | 1993-01-25 | 1993-01-25 | ウエハ洗浄方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06224171A true JPH06224171A (ja) | 1994-08-12 |
Family
ID=12725002
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5045641A Pending JPH06224171A (ja) | 1993-01-25 | 1993-01-25 | ウエハ洗浄方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06224171A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09283488A (ja) * | 1996-04-12 | 1997-10-31 | Lg Semicon Co Ltd | 半導体ウェハ洗浄装置 |
| JP2000098313A (ja) * | 1998-09-17 | 2000-04-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
| WO2005034116A1 (en) * | 2003-09-12 | 2005-04-14 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Sensing media speed |
| JP2021084058A (ja) * | 2019-11-27 | 2021-06-03 | 三菱電機株式会社 | 洗浄乾燥方法および洗浄乾燥装置 |
| CN116053188A (zh) * | 2023-01-13 | 2023-05-02 | 江苏亚电科技有限公司 | 一种圆片倾斜旋转的承载装置及圆片清洗干燥方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5887832A (ja) * | 1981-11-20 | 1983-05-25 | Toshiba Corp | 半導体処理装置 |
| JPH0443639A (ja) * | 1990-06-11 | 1992-02-13 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1993
- 1993-01-25 JP JP5045641A patent/JPH06224171A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5887832A (ja) * | 1981-11-20 | 1983-05-25 | Toshiba Corp | 半導体処理装置 |
| JPH0443639A (ja) * | 1990-06-11 | 1992-02-13 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09283488A (ja) * | 1996-04-12 | 1997-10-31 | Lg Semicon Co Ltd | 半導体ウェハ洗浄装置 |
| JP2000098313A (ja) * | 1998-09-17 | 2000-04-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
| WO2005034116A1 (en) * | 2003-09-12 | 2005-04-14 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Sensing media speed |
| JP2021084058A (ja) * | 2019-11-27 | 2021-06-03 | 三菱電機株式会社 | 洗浄乾燥方法および洗浄乾燥装置 |
| CN116053188A (zh) * | 2023-01-13 | 2023-05-02 | 江苏亚电科技有限公司 | 一种圆片倾斜旋转的承载装置及圆片清洗干燥方法 |
| CN116053188B (zh) * | 2023-01-13 | 2023-06-02 | 江苏亚电科技有限公司 | 一种圆片倾斜旋转的承载装置及圆片清洗干燥方法 |
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