JPS5887832A - 半導体処理装置 - Google Patents
半導体処理装置Info
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- JPS5887832A JPS5887832A JP18641281A JP18641281A JPS5887832A JP S5887832 A JPS5887832 A JP S5887832A JP 18641281 A JP18641281 A JP 18641281A JP 18641281 A JP18641281 A JP 18641281A JP S5887832 A JPS5887832 A JP S5887832A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、半導体襞盾工桿口おいてウェハ（二対して
エツチングまたは水洗時の処理を行なうための半導体処
理装置に関する。
エツチングまたは水洗時の処理を行なうための半導体処
理装置に関する。
一般（二手導体製造工程において、ウエノ・の表ｉｔ
ｌニパターンを影成する（二は、ホトエツチング処理を
行なう。このホトエツチング工程では、々＼光および殴
）像倖、ウェハ原曲ケエッチング液（二よって舌５．択
エツナングして＞’）ｔ ｇ４のパターンをイｈる。さ
らに、ウェハ表間のｌＩ５れを臼去するために、純水等
を用い−ＣＣ水洗鞘付「う。
ｌニパターンを影成する（二は、ホトエツチング処理を
行なう。このホトエツチング工程では、々＼光および殴
）像倖、ウェハ原曲ケエッチング液（二よって舌５．択
エツナングして＞’）ｔ ｇ４のパターンをイｈる。さ
らに、ウェハ表間のｌＩ５れを臼去するために、純水等
を用い−ＣＣ水洗鞘付「う。
このような牛ｚＨ体処ｆｑ＋−１−程でｊｊ１通當人危
幼年を胚める等のため（二、１百ｌ ｆｔ、！＋（二様
Ｉ捗（のウェハ（二対してエツチングおよび水洗等の処
１４１４を行７丁「う。
幼年を胚める等のため（二、１百ｌ ｆｔ、！＋（二様
Ｉ捗（のウェハ（二対してエツチングおよび水洗等の処
１４１４を行７丁「う。
具体的には、弔１図に示すようｔ「へヤリアＩノに■数
（ぜ１１えは２４秒）のウェハ１２紮肢秒し、このキャ
リア１１にＩＩｖ納した状がヒで各ウェハ１２にズ・１
して卆［＋！１１を−ｒ］ｔ「う。こ（ハへ−ヤリ了１
１ＦＢ＋１、Ｖりえはテフロン４７ＨのＩＩＩＬＩ ＃
＋、ダ１（ハλｉｊｊ廂で１１／＜ ｌｒ、に、され、
援張′・のウェハ１２を和Ｌ）に４１１４ン１１団の状
〃ビで収州でさる佃Ｉ３を愉えている。−イ乙「わちウ
ェハｚｚｔ、−ｓ、弔２図（−＋ｕ・１区）にホーＣよ
うに列えは１Ｔｎｉ都、すなわちパターンが形ハｙ、さ
れる表曲部２１ａまりｆＪその公″曲７：１Ｓ２７ ｂ
θ）１＾１辺の一部がト１３と１赫川虫して１■４１出
３が１１触１１」（二なイ）々ｎ ＜設（すられる。さ
らＣ二、十〜番・）のウェハ１２自−９レタ１１（１敗
かしたキャリア１）は、弔３凶Ｃ二小−ｆ如＜：エツチ
ング１１ｋまたは純水叫の処理液３１か供給される処理
槽３２の袷１部に設面される。この如丼僧３２は石英等
からなり、キャリア１１を支える根 加根３３を倫えている。こＱ）底＃３３は、圀えは網状
（二ｒｔｚ成されイνｈ ｏ）＊ Ｌ…孔３４ケ廟して
いる。さら（二、処理槽３２には、曲弾上部から供給さ
れる処理液３）がキャリア１１および暦辺３３の真通孔
３４を辿って外８１≦へｌケ１ｒ出するため４・冒３２
の取Ｌｂ Ｌ口３５から紳４水寺を供給することもある
。
（ぜ１１えは２４秒）のウェハ１２紮肢秒し、このキャ
リア１１にＩＩｖ納した状がヒで各ウェハ１２にズ・１
して卆［＋！１１を−ｒ］ｔ「う。こ（ハへ−ヤリ了１
１ＦＢ＋１、Ｖりえはテフロン４７ＨのＩＩＩＬＩ ＃
＋、ダ１（ハλｉｊｊ廂で１１／＜ ｌｒ、に、され、
援張′・のウェハ１２を和Ｌ）に４１１４ン１１団の状
〃ビで収州でさる佃Ｉ３を愉えている。−イ乙「わちウ
ェハｚｚｔ、−ｓ、弔２図（−＋ｕ・１区）にホーＣよ
うに列えは１Ｔｎｉ都、すなわちパターンが形ハｙ、さ
れる表曲部２１ａまりｆＪその公″曲７：１Ｓ２７ ｂ
θ）１＾１辺の一部がト１３と１赫川虫して１■４１出
３が１１触１１」（二なイ）々ｎ ＜設（すられる。さ
らＣ二、十〜番・）のウェハ１２自−９レタ１１（１敗
かしたキャリア１）は、弔３凶Ｃ二小−ｆ如＜：エツチ
ング１１ｋまたは純水叫の処理液３１か供給される処理
槽３２の袷１部に設面される。この如丼僧３２は石英等
からなり、キャリア１１を支える根 加根３３を倫えている。こＱ）底＃３３は、圀えは網状
（二ｒｔｚ成されイνｈ ｏ）＊ Ｌ…孔３４ケ廟して
いる。さら（二、処理槽３２には、曲弾上部から供給さ
れる処理液３）がキャリア１１および暦辺３３の真通孔
３４を辿って外８１≦へｌケ１ｒ出するため４・冒３２
の取Ｌｂ Ｌ口３５から紳４水寺を供給することもある
。
このようＣニキャリア１ノおよび処理槽３２からなる半
瑯俳如坤装西”を用いて、伏ｌ〜のウエノ・１２にｆｌ
シて同時にエツチングｆ、たは乃く洗等の処理を竹なう
ことができるが、未２１’Ｎに示すように彷米ではキャ
リア１ノにＩＩｙ網されるウエノ・１２が而１３に対し
て表面部２１ａまたは央面都２１ｂの一部が接触する。
瑯俳如坤装西”を用いて、伏ｌ〜のウエノ・１２にｆｌ
シて同時にエツチングｆ、たは乃く洗等の処理を竹なう
ことができるが、未２１’Ｎに示すように彷米ではキャ
リア１ノにＩＩｙ網されるウエノ・１２が而１３に対し
て表面部２１ａまたは央面都２１ｂの一部が接触する。
そのため、ウニ／Ｓされる１１１Ｉ Ｔｈ’Ｂか７１．
１３＋二長・円虫した状Ｊ＋１；でエツチングまたは水
洗等の処理を付ｌ「つたす、Ｎ合、弔４図に示す如くウ
ェハ１２の表１１１１部２１ａの一部４１がエツチング
液または純水等の、Ｊｌ胛／Ｉ・／３ノが夕１？）り込
ｆす（二処理不足となって、牛・・９休メ子の一部が不
ｆＸ九品になるｆ（どの欠点かある。
１３＋二長・円虫した状Ｊ＋１；でエツチングまたは水
洗等の処理を付ｌ「つたす、Ｎ合、弔４図に示す如くウ
ェハ１２の表１１１１部２１ａの一部４１がエツチング
液または純水等の、Ｊｌ胛／Ｉ・／３ノが夕１？）り込
ｆす（二処理不足となって、牛・・９休メ子の一部が不
ｆＸ九品になるｆ（どの欠点かある。
この発明は上記の中漬を＾、み°Ｃなされたもので、半
導体’Ｒ、ｉ ’ ］稈においてウェハ（二対し°Ｃエ
ツチングまたは水洗前の処ＪＦ１！を待なうｗ合、半暮
体素子を形成−１るウェハの表面部１− ｆｉｔ＋゛尖
な処理か行なわれる々（１＜処理Ｒ（・か均一に１１１
給されるようにして、半榊イ・１（ぶ、子の製β・不良
’ｆ ｌ！ノ１．１トして表か歩留りを太’ｌ’ｉ＋ｉ
に一回上できる半岬体処」１１」γ置を＋Ｍ有↓するこ
とを目的と−「る。
導体’Ｒ、ｉ ’ ］稈においてウェハ（二対し°Ｃエ
ツチングまたは水洗前の処ＪＦ１！を待なうｗ合、半暮
体素子を形成−１るウェハの表面部１− ｆｉｔ＋゛尖
な処理か行なわれる々（１＜処理Ｒ（・か均一に１１１
給されるようにして、半榊イ・１（ぶ、子の製β・不良
’ｆ ｌ！ノ１．１トして表か歩留りを太’ｌ’ｉ＋ｉ
に一回上できる半岬体処」１１」γ置を＋Ｍ有↓するこ
とを目的と−「る。
以−ト図曲を径比・してこのさ（°、１更の一′−リｊ
ＩＪ１ｐ、 １列について説、明−「る。弔５図（ｊこ
の光明の−’Ｉｊ ｌ／ＩＩ！ ＹＩＩＪに係る半陶休
処丼装置の桶ｌＩ’ｘ、をボすものＣｘｔり１えは石英
等からなる処理槽３２が設けら扛、この処」）［゛槽３
２（二は水′″１１…１に対して一定のブト１すθ、丙
えは１（）〜２０’セ【′反の１…氷１杉又である）上
に：４Ｊｖ ｓ １が設けられる。このｊＡ板５ノは石
英等からなり、・レロえは柄状の形状で松初の絢曲橿３
４を有している。そして、この処理槽３２１例に、複数
のウェハ１２を肢’ 和Ｉ Ｔるキャリア（」−配量１
図）１ノを数種・し、尾〃ソ５１にンわ６−「る。さら
（二、通常処理槽３２の−Ｌ部からエツチング液等の処
理液３１が供給され、この処理液３）が底板５ノの真通
孔、９４を辿って、外部へ洗出するためのル・り出し口
３５が設けられている。なお、ウェハ１２の表面をＸ洗
する際、純水等の処理液３１は、処理槽３２の増り出し
「」３５から供給されろこともある。
ＩＪ１ｐ、 １列について説、明−「る。弔５図（ｊこ
の光明の−’Ｉｊ ｌ／ＩＩ！ ＹＩＩＪに係る半陶休
処丼装置の桶ｌＩ’ｘ、をボすものＣｘｔり１えは石英
等からなる処理槽３２が設けら扛、この処」）［゛槽３
２（二は水′″１１…１に対して一定のブト１すθ、丙
えは１（）〜２０’セ【′反の１…氷１杉又である）上
に：４Ｊｖ ｓ １が設けられる。このｊＡ板５ノは石
英等からなり、・レロえは柄状の形状で松初の絢曲橿３
４を有している。そして、この処理槽３２１例に、複数
のウェハ１２を肢’ 和Ｉ Ｔるキャリア（」−配量１
図）１ノを数種・し、尾〃ソ５１にンわ６−「る。さら
（二、通常処理槽３２の−Ｌ部からエツチング液等の処
理液３１が供給され、この処理液３）が底板５ノの真通
孔、９４を辿って、外部へ洗出するためのル・り出し口
３５が設けられている。なお、ウェハ１２の表面をＸ洗
する際、純水等の処理液３１は、処理槽３２の増り出し
「」３５から供給されろこともある。
このような半寒体処坤装置（二おいて、・丙えはアｆ−
ｔｉ＝収納して、このキャリアト≠を処刑博３２の底；
ｆｉｘ ５１上に設面する。そして、処理槽３２の上部
からフッ酊寺からなるエツチング液である処理１１り３
１を供給すると、処理液３）はギヤリア１１（ハ）の複
数のウェハ１２の表面部、すナワちパターンを形成する
ために蕗光および％＋、Ｊ、 ｉ家等の処理を弛した山
ｌＲ，ｌｌに）Ｓｔ応して、選択工て弗［Ｉｆ１肖５２
１ｂ、”’４−’／’、ｆわち半導イア１１素子を）［
／成し１ない曲部の一部が晶１３と接触して固定される
。
ｔｉ＝収納して、このキャリアト≠を処刑博３２の底；
ｆｉｘ ５１上に設面する。そして、処理槽３２の上部
からフッ酊寺からなるエツチング液である処理１１り３
１を供給すると、処理液３）はギヤリア１１（ハ）の複
数のウェハ１２の表面部、すナワちパターンを形成する
ために蕗光および％＋、Ｊ、 ｉ家等の処理を弛した山
ｌＲ，ｌｌに）Ｓｔ応して、選択工て弗［Ｉｆ１肖５２
１ｂ、”’４−’／’、ｆわち半導イア１１素子を）［
／成し１ない曲部の一部が晶１３と接触して固定される
。
したがって、処乃！液３）がキャリア１１１伺（二有央
給された場合、ウェハ１２の表面：”ｒｌ’＋ ２１
ａは、全て無接触の状態であるため、月−（二処理准３
１が供給され、処Ｊ：ｉｌｊ不足の部分が生することな
く確実（二第択エツチング婚の処理が行なわれる。なお
、上記処理液３］が純水寺の場合も同株で、ウェハ１２
の表面部２１ａ（：はルｊ−に純刀く青が１数示合され
、確実（三水ｂヒ々Ｊ・の処ｆ！１４を？ｒなうことが
できる。
給された場合、ウェハ１２の表面：”ｒｌ’＋ ２１
ａは、全て無接触の状態であるため、月−（二処理准３
１が供給され、処Ｊ：ｉｌｊ不足の部分が生することな
く確実（二第択エツチング婚の処理が行なわれる。なお
、上記処理液３］が純水寺の場合も同株で、ウェハ１２
の表面部２１ａ（：はルｊ−に純刀く青が１数示合され
、確実（三水ｂヒ々Ｊ・の処ｆ！１４を？ｒなうことが
できる。
以上詳述したようほこの発明によ太しは、半導イ本装逍
工程Ｃ二おいて、１Ｍ数のウエノ１（二対して工ツサン
クまたは水洗寺の処理を？”ｒなう場合、各ウェハの処
理の必ザな表面部に処理液が均一に＠（給できるように
して、ウェハの表面部の処理ｆ ｌｉ４＋冥ｉ：″−石
４「うことかできる。したがって、ウェハの衣曲部（二
処理不足が生することを１カ止して、＃導体素子の表層
不良の発生を防ぎ、半碑体鉄かの歩留りを太ｌｔ’Ｍ
ｉ二回上できるものである。
工程Ｃ二おいて、１Ｍ数のウエノ１（二対して工ツサン
クまたは水洗寺の処理を？”ｒなう場合、各ウェハの処
理の必ザな表面部に処理液が均一に＠（給できるように
して、ウェハの表面部の処理ｆ ｌｉ４＋冥ｉ：″−石
４「うことかできる。したがって、ウェハの衣曲部（二
処理不足が生することを１カ止して、＃導体素子の表層
不良の発生を防ぎ、半碑体鉄かの歩留りを太ｌｔ’Ｍ
ｉ二回上できるものである。
４回出ｌのＷＪ１ルな柳、明
第１図は従来のキャリアの構１ｒ′ｖ、を示す斜視図、
弔２区はその升−面図、第３図は従来の半導体処理装置
−の懐）フシ。図、弔４図は欽米のウェハの格成図、弔
５図はこの発明の−￥Ｉ７１＋！り１］に係る半導体処
理装置の栖）成因、第６図はそのキャリアの平面図であ
る。
弔２区はその升−面図、第３図は従来の半導体処理装置
−の懐）フシ。図、弔４図は欽米のウェハの格成図、弔
５図はこの発明の−￥Ｉ７１＋！り１］に係る半導体処
理装置の栖）成因、第６図はそのキャリアの平面図であ
る。
１１・・・キャリア、１２・・・ウェハ、１３・・・前
１．９２・・妨理槽１．”１３，５１・・厄セマ。
１．９２・・妨理槽１．”１３，５１・・厄セマ。
Claims (1)
- 複数のウェハのそれぞれを所足の間隔をもって相互（＝
無援触（二なる如く区ｔ１！１＋ １．各ウェハの衣血
部または裏面部の少ｔｒ くとも一部を接触して複数の
ウェハを並タリ（二収納する茜を備えたキャリアと、袈
数の貫通孔を壱して上記キャリアが水平面（二対して一
足の伸度をもって設置される好機を備え、半導体処理液
が供給される処理槽とを具備してなることを特徴とする
半導体処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18641281A JPS5887832A (ja) | 1981-11-20 | 1981-11-20 | 半導体処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18641281A JPS5887832A (ja) | 1981-11-20 | 1981-11-20 | 半導体処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5887832A true JPS5887832A (ja) | 1983-05-25 |
Family
ID=16187959
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18641281A Pending JPS5887832A (ja) | 1981-11-20 | 1981-11-20 | 半導体処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5887832A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58158440U (ja) * | 1982-04-16 | 1983-10-22 | 沖電気工業株式会社 | ウエハ洗浄装置 |
| JPS60111041U (ja) * | 1983-12-28 | 1985-07-27 | 株式会社東芝 | 半導体ウエ−ハの洗浄装置 |
| JPS63162528U (ja) * | 1987-04-10 | 1988-10-24 | ||
| JPS63285938A (ja) * | 1987-05-19 | 1988-11-22 | Koujiyundo Silicon Kk | 洗浄装置 |
| JPH06224171A (ja) * | 1993-01-25 | 1994-08-12 | Kyushu Komatsu Denshi Kk | ウエハ洗浄方法および装置 |
-
1981
- 1981-11-20 JP JP18641281A patent/JPS5887832A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58158440U (ja) * | 1982-04-16 | 1983-10-22 | 沖電気工業株式会社 | ウエハ洗浄装置 |
| JPS60111041U (ja) * | 1983-12-28 | 1985-07-27 | 株式会社東芝 | 半導体ウエ−ハの洗浄装置 |
| JPS63162528U (ja) * | 1987-04-10 | 1988-10-24 | ||
| JPH051075Y2 (ja) * | 1987-04-10 | 1993-01-12 | ||
| JPS63285938A (ja) * | 1987-05-19 | 1988-11-22 | Koujiyundo Silicon Kk | 洗浄装置 |
| JPH06224171A (ja) * | 1993-01-25 | 1994-08-12 | Kyushu Komatsu Denshi Kk | ウエハ洗浄方法および装置 |
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