JPH04186624A - 洗浄装置 - Google Patents

洗浄装置

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JPH04186624A
JPH04186624A JP2312475A JP31247590A JPH04186624A JP H04186624 A JPH04186624 A JP H04186624A JP 2312475 A JP2312475 A JP 2312475A JP 31247590 A JP31247590 A JP 31247590A JP H04186624 A JPH04186624 A JP H04186624A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、洗浄装置に関し、特に洗浄処理槽の底部から
処理液を供給する洗浄装置に関する。
（従来の技術） 従来、この種の洗浄装置として、例えば半導体ウェハ製
造装置における洗浄装置がある。
この半導体ウェハ製造装置における洗浄装置は、純水を
用いた洗浄処理や、例えばアンモニア等の化学薬品を用
いた洗浄処理等を行うようになっており、このような洗
浄処理では、洗浄処理槽の内部に複数枚の半導体ウェハ
を等間隔、例えば１ｃｍ間隔に配列して垂直に設置し、
この状態で洗浄処理槽の底部より純水やアンモニア等の
洗浄処理液を洗浄処理槽内に供給して、半導体ウェハの
洗浄処理を行うようにしている。この際、半導体ウェハ
間を洗浄処理液が上昇する際に高い洗浄効果が得られる
。
（発明か解決しようとする課題） 上記従来の半導体ウェハ製造装置における洗浄装置にあ
っては、洗浄処理槽内に洗浄処理液を供給する際、洗浄
処理槽の底部から押上げられた洗浄処理液が半導体ウェ
ハに接触すると、半導体ウェハが等間隔て配列され、し
かも半導体ウェハ間の間隔が狭いために、例えば洗浄液
供給口の位置などに依存して、各ウェハ間で均一速度で
洗浄処理液が上昇することが妨げられていた。この結果
、バッチ処理される多数枚のウエノ１の洗浄効果が悪く
均一性も得られなかった。
そこで本発明は、洗浄処理槽の底部から洗浄処理液を供
給する場合に、均一に洗浄処理液を供給することかでき
、複数の被処理体の洗浄効果及びその均一性を高めるこ
とのできる洗浄装置を提供することを、その解決課題と
している。
［発明の構成］ （課題を解決するための手段） 本発明は、洗浄処理槽の内部に、複数の被処理体を所定
間隔で略垂直方向に配設すると共に、前記洗浄処理槽の
底部より洗浄処理槽内に処理液を供給して洗浄処理を行
う洗浄装置において、前記洗浄処理槽内の底部からの処
理液の上昇速度が均一に０．５　ｃｒｎ／ｓ６ｃ以上と
なるように構成したことを特徴とする。
（作　用） 上記構成の本発明の洗浄装置は、洗浄処理槽の内部に複
数の被処理体を所定間隔て略垂直方向に配設した状態に
おいて、洗浄処理槽の底部から洗浄処理液を供給するよ
うになっている。
そして、洗浄処理液が洗浄処理槽の底部より供給される
際に、その液面の上昇速度か均一に０５　ｃｍ　／　ｓ
ｅｅ以上となるように構成したので、Ｉ・ツチ処理され
る被処理体の洗浄効果を高め、かつ、洗浄効果の均一性
を向上できる。このような手段としては、例えば洗浄処
理槽の底部に配設した多数の小孔を有する整流板を介し
て洗浄処理液を被処理体列に供給すればよい。二のとき
、洗浄処理液は拡散されて供給されるので、洗浄供給口
の位置に依存せずに、整流板の多数の小孔から洗浄処理
液か均一に被処理体側に流出し、各被処理体に均一に接
触して被処理体を均一に洗浄処理することとなる。この
とき整流板は、処理液面の上昇速度が０．５　ｃｍ／ｓ
ｅｃ以上になるように小孔の径及び数等を設定すればよ
い。
（実施例） 以下、本発明を半導体ウェハ製造装置における洗浄装置
に適用した実施例について、図面を参照して説明する。
第１図において、本実施例の半導体ウェハの洗浄装置は
、３つの洗浄処理ユニット１０．１２゜１４を組合せて
構成されている。また、搬入側の処理ユニット１０には
ローダ１６が接続され、搬出側の処理ユニット１４には
アンローダ１８が接続されており、さらに洗浄処理ユニ
ット１０，１２間及び洗浄処理ユニット１２．１４間に
、３ユニツトのいずれかに含まれる水中ローダ２０が配
設されている。
搬入側の洗浄処理ユニット１０は、中心位置に半導体ウ
ェハ２２搬送用の回転搬送アーム２４を配設すると共に
、その周囲でローダ１６の正面及び回転搬送アーム２４
の左隣に各々２つの洗浄処理槽２６．２８を配設するよ
うにしている。本実施例においては、洗浄処理槽２６は
アンモニア処理を行う薬品処理槽として用いられ、洗浄
処理槽２８は水洗処理を行うクイック・ダンプ・リンス
（ＱＤＲ）処理槽として用いられている。
中央の洗浄処理ユニット１２は、中心位置に配設した回
転搬送アーム２４の周囲て左右両側に水中６−ダ２０を
位置させ、その間の前後位置に各々２つの洗浄処理槽３
０．３２を配設するようにしている。本実施例の、洗浄
処理槽３０はフッ酸処理を行なう薬品処理槽として用い
られ、また洗浄処理槽３２は水洗オーバーフロー処理槽
として用いられている。
搬出側の洗浄処理ユニット１４は、中心位置に配設した
回転搬送アーム２４の周囲て、アンローダ１８の正面側
に洗浄処理槽３４を配設すると共に、回転搬送アーム２
４の右隣に乾燥処理槽３６を配設するようにしている。
本実施例では、洗浄処理ＷＩ３４は水洗ファイナルリン
ス槽として用いられている。
そして、２つのキャリア４８上に載置された各々２５枚
ずつの半導体ウェハ２２がローダ１６に搬送されてくる
と、ローダ１６上で所謂オリフラ合せ機構によって半導
体ウェハ２２のオリフラ合せがなされた後、突き上げ機
構により半導体ウェハ２２が持上げられかつ寄せ合わせ
られるようになっている。
次いで、回転搬送アーム２４が作動して、ローダ１６上
から半導体ウェハ２２のみを取り出し、洗浄処理槽２６
へ半導体ウェハ２２のみを受渡して洗浄処理を行った後
洗浄処理槽２６より半導体ウェハ２２を受は取って洗浄
処理槽２８．水中ローダ２０へと送り順次洗浄処理を施
す。
その後、中間の処理ユニット１２及び搬出側の処理ユニ
ット１４の回転搬送アーム２０にて、洗浄処理槽３０．
３２．水中ローダ２０洗浄処理槽３４、乾燥処理槽３６
へと搬送してそれぞれ洗浄処理あるいは乾燥処理を施し
た後、アンローダ１８に送られ、半導体ウェハ２２が２
つのキャリア４８に分けて搭載され、搬出されるように
なっている。
また、純水を用いてクイック・ダンプ・リンス（ＱＤＲ
）処理を行う洗浄処理槽２８や、アンモニア処理を行う
洗浄処理槽２６は、耐薬品性ボート６０上に等間隔、例
えば、ｌｃｖ間隔て半導体ウェハ２２を例えば５０枚載
置した状態で半導体ウェハ２２を収容するようになって
おり、その底部には純水やアンモニア等の洗浄処理液を
供給するための処理液供給口６２が設けられている（第
３図参照）。ボート６０に配列するウェハは、少なくと
も処理面が露８する側にダミーウェハを配列してもよい
し、適宜の位置にモニタウェハを配列してもよい。
また、洗浄処理槽２６．２８の上部外周には、第２図及
び第３図に示すように処理液供給口６２より供給された
処理液かオーバーフローした場合　　′のドレイン６４
が形成されている。
そして、この洗浄処理槽２６．２８の底部には、洗浄処
理液面を０．５ｃＩＩ／ｓｅｅ以上の速度で均一に上昇
させるように例えば２枚の整流板６６が配設されている
。この整流板６６は、洗浄処理液を十分に拡散して整流
するための多数の小孔６８を備えている。上記処理液面
を上記速度で上昇させる手段は整流板６６に限らす他の
平滑化供給手段でもよい。
また、この整流板６６は、処理液面の上昇速度が０．５
　ｃｍ／ｓｅｃ以上になるように設定しである。例えば
、直径１．５１１１の小孔６８を、約４．８ｍｍのピッ
チで設けている。この孔数及びピッチは上下２枚の整流
板６６．６６で異なるように設定しても良い。また中央
部と周辺部で穴径ピッチを変えてもよい。また、拡散効
果９通過速度の関係から、整流板６６を１枚あるいは３
枚以上とすることもてきる。
次に、上記整流板を用いた洗浄処理の状態を説明すると
、まず洗浄処理液供給部（図示せず）から洗浄処理液を
洗浄処理槽２６．２８に圧送供給する。この場合、圧送
供給された洗浄処理液は、洗浄処理槽２６．２８の底部
に設けた処理液供給口６２から洗浄処理槽２６．２８内
に送り込まれる。
次いて、洗浄処理槽２６．２８内に送り込まれた洗浄処
理液は、２枚の整流板６６の多数の小孔６８を通過して
、ボート６０上の半導体ウェハ２２側に均一に送り込ま
れる。
そして、半導体ウェハ２２側に均一に送り込まれた洗浄
処理液は、複数の半導体ウェハ２２に均一に接触して、
各半導体ウェハ２２を均一に洗浄処理することとなる。
即ち、整流板６６を通過した洗浄処理液は、各半導体ウ
ェハ２２間に均一に入り込んで、半導体ウェハ２２と接
触し、しかも洗浄処理液に係る剪断力が小さくなるため
、洗浄処理液が半導体ウェハ２２の外側に回り込んでし
まうようなこともない。
さらに、上記整流板６６は、処理液面の上昇速度か０．
５　ｃｍ／ｓｅｅ以上になるように設定しであるので、
洗浄処理速度も十分な速度をもって処理できるものであ
る。
洗浄処理槽２６．’２８よりオーバーフローした洗浄処
理液は、上部のドレイン６４より排出されることとなる
。
次いて、洗浄処理槽２６，２８から洗浄処理液を抜き出
せば、洗浄処理が終了する。なお、この洗浄処理液の抜
出し時にも、洗浄処理かなされる。
そして、ボート６０を洗浄処理槽より引上げて、新しい
半導体ウェハ２２を載置したボート６ｏを洗浄処理槽内
に挿入すれば、次の洗浄処理の準備が完了する。
なお、整流板６６の小孔６８の直径及びピッチは、上記
の例に限らず、洗浄処理槽の条件に合せて変更し得るも
のである。上記実施例では半導体ウェハの洗浄について
説明したが、ＬＣＤ基板、プリント基板など洗浄であれ
ばいずれに適用してもよい。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明の洗浄装置は、底部から洗
浄処理液の液面の上昇速度が均一に０５（イ）／ｓｅｅ
以上になるように設定しであるので、被処理体に均一に
処理液を接触させて洗浄効果を高め、かつ、被処理体を
均一に洗浄処理することとができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例に係る洗浄装置の全体的構成
を示す平面図、 第２図は第１図の洗浄処理槽の状態を示す斜視図、 第３図は洗浄処理槽の断面図である。 ２８・・・洗浄処理槽、 ６２・・・純水供給口、 ６４・・・ドレイン、 ６６・・・純水供給部、 ６８・貯水槽、 ７０・・・加圧装置。 代理人　弁理士　井　　上　　　−（他１名）第２図 第３図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）洗浄処理槽の内部に、複数の被処理体を所定間隔
    で略垂直方向に配設すると共に、前記洗浄処理槽の底部
    より洗浄処理槽内に処理液を供給して洗浄処理を行う洗
    浄装置において、 前記洗浄処理槽内の底部からの処理液の上昇速度が均一
    に０．５ｃｍ／ｓｅｃ以上となるように構成したことを
    特徴とする洗浄装置。
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