JP2970894B2 - 洗浄装置 - Google Patents
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、洗浄装置に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、半導体製造工程においては、被
処理体、例えば半導体ウエハ表面に付着したパーティク
ル、有機汚染物、金属不純物などのコンタミネーション
或いは表面に形成された自然酸化膜などを除去するため
に洗浄装置が使用されている。この種の洗浄装置は、ウ
エハに対してアンモニア処理、水洗処理、フッ酸処理、
硫酸処理、塩酸処理、水洗処理等のように薬液処理と水
洗処理が例えば交互に順に行なわれる。
処理体、例えば半導体ウエハ表面に付着したパーティク
ル、有機汚染物、金属不純物などのコンタミネーション
或いは表面に形成された自然酸化膜などを除去するため
に洗浄装置が使用されている。この種の洗浄装置は、ウ
エハに対してアンモニア処理、水洗処理、フッ酸処理、
硫酸処理、塩酸処理、水洗処理等のように薬液処理と水
洗処理が例えば交互に順に行なわれる。
【0003】薬液処理用の洗浄装置や水洗用の洗浄装置
は、一般的には略同一構造となされ、例えば底部が略フ
ラットで全体が略矩形状に形成された洗浄槽内に薬液や
洗浄水を満たしてウエハを横並びで多数枚、例えば25
枚或いは50枚収容し、薬液を底部から供給してオーバ
ーフロー液を循環させつつ或いは洗浄水の場合にはオー
バーフローした洗浄水を循環させることなくウエハ表面
のコンタミネーションの除去を行なっていた。この場
合、ウエハ表面からコンタミネーションを効率的に除去
し、且つこれが再度ウエハ表面に付着することを防止す
るためには槽内に導入した薬液や洗浄水が乱流を生ずる
ことなく層流状態となって各ウエハ間を上方向に向けて
流れることが必要である。そのために、洗浄槽の底部に
は、これより僅かに上方へ離間させて多数の流通孔を有
する平板状の整流板が配設されており、効率的な洗浄を
行なうようになっている。
は、一般的には略同一構造となされ、例えば底部が略フ
ラットで全体が略矩形状に形成された洗浄槽内に薬液や
洗浄水を満たしてウエハを横並びで多数枚、例えば25
枚或いは50枚収容し、薬液を底部から供給してオーバ
ーフロー液を循環させつつ或いは洗浄水の場合にはオー
バーフローした洗浄水を循環させることなくウエハ表面
のコンタミネーションの除去を行なっていた。この場
合、ウエハ表面からコンタミネーションを効率的に除去
し、且つこれが再度ウエハ表面に付着することを防止す
るためには槽内に導入した薬液や洗浄水が乱流を生ずる
ことなく層流状態となって各ウエハ間を上方向に向けて
流れることが必要である。そのために、洗浄槽の底部に
は、これより僅かに上方へ離間させて多数の流通孔を有
する平板状の整流板が配設されており、効率的な洗浄を
行なうようになっている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような洗浄装置にあっては、被処理体である半導体ウ
エハが円形であるのに対して洗浄槽自体が略矩形状に形
成されていることから、例えば底部の側方においてデッ
ドスペースが生じ、全体として洗浄槽自体の容積自体が
必要以上に大きくなってしまうという問題があった。ま
た、例えば薬液により洗浄処理する場合には、この薬液
は比較的高価であることから槽からオーバーフローした
薬液は循環使用され、ある程度以上汚れが生じたら廃棄
するが、上述のように洗浄槽自体の容量が大きくなると
使用する薬液量が増加し、運転費用が大幅に増加すると
いう問題があった。
たような洗浄装置にあっては、被処理体である半導体ウ
エハが円形であるのに対して洗浄槽自体が略矩形状に形
成されていることから、例えば底部の側方においてデッ
ドスペースが生じ、全体として洗浄槽自体の容積自体が
必要以上に大きくなってしまうという問題があった。ま
た、例えば薬液により洗浄処理する場合には、この薬液
は比較的高価であることから槽からオーバーフローした
薬液は循環使用され、ある程度以上汚れが生じたら廃棄
するが、上述のように洗浄槽自体の容量が大きくなると
使用する薬液量が増加し、運転費用が大幅に増加すると
いう問題があった。
【0005】また、薬液処理されたウエハを純水などの
洗浄水で洗浄する場合には、導入された洗浄水は循環使
用されることなくオーバーフローした時点で廃棄され、
この洗浄操作は、ファイナルリンスにて槽内の洗浄水の
比抵抗値がこれに混入しているイオンが少なくて所定の
値以上になったときにウエハ表面に付着している薬液の
大部分を排除できたものとみなすまで行なわれる。従っ
て、上述のように槽自体の容量が大きいと槽内の洗浄水
が置換される速度が遅くなってしまうので所定の比抵抗
値まで達する時間が長くなってしまい、このために、多
量の洗浄水を使用しなければならないという問題点もあ
った。
洗浄水で洗浄する場合には、導入された洗浄水は循環使
用されることなくオーバーフローした時点で廃棄され、
この洗浄操作は、ファイナルリンスにて槽内の洗浄水の
比抵抗値がこれに混入しているイオンが少なくて所定の
値以上になったときにウエハ表面に付着している薬液の
大部分を排除できたものとみなすまで行なわれる。従っ
て、上述のように槽自体の容量が大きいと槽内の洗浄水
が置換される速度が遅くなってしまうので所定の比抵抗
値まで達する時間が長くなってしまい、このために、多
量の洗浄水を使用しなければならないという問題点もあ
った。
【0006】特に、半導体ウエハの主流が6インチサイ
ズから8インチサイズに移行して大径化するに従って、
槽自体の容量も大型化し、上記した問題点の解決が強く
望まれている。本発明は、以上のような問題点に着目
し、これを有効に解決すべく創案されたものである。本
発明の目的は、洗浄槽の底部及び整流板を傾斜させて洗
浄時に乱流を生ぜしめることなく槽自体の容量を小さく
した洗浄装置を提供することにある。
ズから8インチサイズに移行して大径化するに従って、
槽自体の容量も大型化し、上記した問題点の解決が強く
望まれている。本発明は、以上のような問題点に着目
し、これを有効に解決すべく創案されたものである。本
発明の目的は、洗浄槽の底部及び整流板を傾斜させて洗
浄時に乱流を生ぜしめることなく槽自体の容量を小さく
した洗浄装置を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記問題点を
解決するために、底部に洗浄液を導入する導入口を有し
て洗浄すべき被処理体を収容する洗浄槽と、前記洗浄槽
の底部より離間させて設けられると共に前記洗浄液を通
す多数の流通孔を有し、前記導入口から導入された洗浄
液を整流しつつ前記被処理体側へ流す整流板とを備えた
洗浄装置において、前記洗浄槽の底部の両側は、上傾き
傾斜された底部傾斜部を有し、前記整流板は、前記底部
の中心部に対応して水平になされた水平整流部と、この
水平整流部の両側に設けられて前記底部傾斜部に対応し
て上向き傾斜された傾斜整流部を有するように構成した
ものである。
解決するために、底部に洗浄液を導入する導入口を有し
て洗浄すべき被処理体を収容する洗浄槽と、前記洗浄槽
の底部より離間させて設けられると共に前記洗浄液を通
す多数の流通孔を有し、前記導入口から導入された洗浄
液を整流しつつ前記被処理体側へ流す整流板とを備えた
洗浄装置において、前記洗浄槽の底部の両側は、上傾き
傾斜された底部傾斜部を有し、前記整流板は、前記底部
の中心部に対応して水平になされた水平整流部と、この
水平整流部の両側に設けられて前記底部傾斜部に対応し
て上向き傾斜された傾斜整流部を有するように構成した
ものである。
【0008】
【作用】本発明は、以上のように構成したので、洗浄槽
の底部の両側は上向き傾斜されて底部傾斜部となってお
り、これに対応する整流板の部分は同じく上向き傾斜さ
れた傾斜整流部として構成される。従って、傾斜させた
分だけ洗浄槽の全体の容量は小さくなり、被処理体を洗
浄処理するための薬液の使用量或いは洗浄用の純水の使
用量を大幅に抑制することができる。
の底部の両側は上向き傾斜されて底部傾斜部となってお
り、これに対応する整流板の部分は同じく上向き傾斜さ
れた傾斜整流部として構成される。従って、傾斜させた
分だけ洗浄槽の全体の容量は小さくなり、被処理体を洗
浄処理するための薬液の使用量或いは洗浄用の純水の使
用量を大幅に抑制することができる。
【0009】
【実施例】以下に、本発明に係る洗浄装置の一実施例を
添付図面に基づいて詳述する。図1は本発明の洗浄装置
の一実施例を示す断面図、図2は本発明の洗浄装置を示
す部分破断傾斜図、図3は図2に示す装置に使用する整
流板を示す平面図、図4は図2に示す装置の概略側断面
図、図5は図2に示す洗浄装置等が複数個集合された洗
浄装置集合ユニットを示す斜視図である。
添付図面に基づいて詳述する。図1は本発明の洗浄装置
の一実施例を示す断面図、図2は本発明の洗浄装置を示
す部分破断傾斜図、図3は図2に示す装置に使用する整
流板を示す平面図、図4は図2に示す装置の概略側断面
図、図5は図2に示す洗浄装置等が複数個集合された洗
浄装置集合ユニットを示す斜視図である。
【0010】本実施例においては、洗浄装置を薬液洗浄
装置または水洗洗浄装置に適用した場合について説明す
る。まず、本発明に係る洗浄装置等を集合させて形成し
た洗浄装置集合ユニットを図5に基づいて説明する。こ
の洗浄装置集合ユニット2は、図5に示すように、洗浄
処理前の被処理体、例えば半導体ウエハWをカセット単
位で受け取ってカセットCを保管するインプットバッフ
ァ機構4と、このインプットバッファ機構4からカセッ
ト単位で半導体ウエハWを受け取るローダ機構6と、こ
のローダ機構6からウエハ搬送装置8によって搬送され
て来る半導体ウエハWを薬液処理、水洗処理等の洗浄処
理を行なう洗浄処理機構10と、この洗浄処理機構10
によって処理された半導体ウエハWをアンロードするア
ンローダ機構12と、アンローダ機構12からカセット
単位で半導体ウエハWを受け取って保管するアウトプッ
トバッファ機構14とを備えて構成されている。
装置または水洗洗浄装置に適用した場合について説明す
る。まず、本発明に係る洗浄装置等を集合させて形成し
た洗浄装置集合ユニットを図5に基づいて説明する。こ
の洗浄装置集合ユニット2は、図5に示すように、洗浄
処理前の被処理体、例えば半導体ウエハWをカセット単
位で受け取ってカセットCを保管するインプットバッフ
ァ機構4と、このインプットバッファ機構4からカセッ
ト単位で半導体ウエハWを受け取るローダ機構6と、こ
のローダ機構6からウエハ搬送装置8によって搬送され
て来る半導体ウエハWを薬液処理、水洗処理等の洗浄処
理を行なう洗浄処理機構10と、この洗浄処理機構10
によって処理された半導体ウエハWをアンロードするア
ンローダ機構12と、アンローダ機構12からカセット
単位で半導体ウエハWを受け取って保管するアウトプッ
トバッファ機構14とを備えて構成されている。
【0011】また、上記洗浄処理機構10の上方には上
記ウエハ搬送装置8によって半導体ウエハWが取り出さ
れた後の空のカセットCを洗浄、乾燥処理するカセット
洗浄・乾燥ライン18が上記洗浄処理機構10に沿って
配設されている。そして、このカセット洗浄・乾燥ライ
ン18には昇降機構20を介して空のカセットCを上記
ローダ機構6から持ち上げて供給するように構成されて
いる。また、アンローダ機構12側にも同様の昇降機構
(図示せず)が配設され、この昇降機構を介して洗浄、
乾燥後のカセットCをアンローダ機構12へ供給するよ
うに構成されている。
記ウエハ搬送装置8によって半導体ウエハWが取り出さ
れた後の空のカセットCを洗浄、乾燥処理するカセット
洗浄・乾燥ライン18が上記洗浄処理機構10に沿って
配設されている。そして、このカセット洗浄・乾燥ライ
ン18には昇降機構20を介して空のカセットCを上記
ローダ機構6から持ち上げて供給するように構成されて
いる。また、アンローダ機構12側にも同様の昇降機構
(図示せず)が配設され、この昇降機構を介して洗浄、
乾燥後のカセットCをアンローダ機構12へ供給するよ
うに構成されている。
【0012】そして、上記インプットバッファ機構4
は、外部から供給されたカセットCを載置する載置部2
2と、この載置部22のカセットCをカセット搬送機構
24によって移載し、すぐに処理できないカセットCを
一時的に保管するカセット保管部26とを備えて構成さ
れている。また、上記カセット搬送機構24は、上記載
置部22に載置されたカセットC内の半導体ウエハWを
処理する際に、カセットCを上記載置部22から上記ロ
ーダ機構6へ移載するように構成されている。そして、
このローダ機構6は半導体ウエハWのオリエンテーショ
ンフラットを例えば上側或いは下側に揃える位置合わせ
機構(図示せず)を備えて構成されている。尚、上記ア
ウトプットバッファ機構14も上記インプットバッファ
機構4と同様に構成されている。
は、外部から供給されたカセットCを載置する載置部2
2と、この載置部22のカセットCをカセット搬送機構
24によって移載し、すぐに処理できないカセットCを
一時的に保管するカセット保管部26とを備えて構成さ
れている。また、上記カセット搬送機構24は、上記載
置部22に載置されたカセットC内の半導体ウエハWを
処理する際に、カセットCを上記載置部22から上記ロ
ーダ機構6へ移載するように構成されている。そして、
このローダ機構6は半導体ウエハWのオリエンテーショ
ンフラットを例えば上側或いは下側に揃える位置合わせ
機構(図示せず)を備えて構成されている。尚、上記ア
ウトプットバッファ機構14も上記インプットバッファ
機構4と同様に構成されている。
【0013】また、上記洗浄処理機構10は、例えば、
上記ウエハ搬送装置8と、このウエハ搬送装置8のウエ
ハチャック8Aを洗浄、乾燥するチャック洗浄・乾燥処
理槽28と、このチャック洗浄・乾燥処理槽28の下流
側に順次配設され且つ半導体ウエハW表面の有機汚染
物、金属不純物或いはパーティクル等の不要物質を洗浄
により除去する薬液洗浄装置30、薬液処理後の半導体
ウエハWを水洗する二つの水洗洗浄装置32、32、上
記薬液洗浄装置30とは別の薬液処理を行う薬液洗浄装
置34、二つの水洗洗浄装置36、36と、ウエハチャ
ック8Aを洗浄、乾燥するチャック洗浄・乾燥処理槽3
8と、不純物質が除去された半導体ウエハWを例えばイ
ソプロピルアルコール(IPA)等で蒸気乾燥する乾燥
処理槽40とを備えて構成されている。そして、上記薬
液洗浄装置30、34及び水洗洗浄装置32、34は、
それぞれの処理液がオーバーフローし、そのオーバーフ
ローした処理液を排出し、或いは循環させて蓄積された
不純物を除去して循環使用するように構成されていると
共に、図1に示すように槽の底部及び整流板が上向き傾
斜される。
上記ウエハ搬送装置8と、このウエハ搬送装置8のウエ
ハチャック8Aを洗浄、乾燥するチャック洗浄・乾燥処
理槽28と、このチャック洗浄・乾燥処理槽28の下流
側に順次配設され且つ半導体ウエハW表面の有機汚染
物、金属不純物或いはパーティクル等の不要物質を洗浄
により除去する薬液洗浄装置30、薬液処理後の半導体
ウエハWを水洗する二つの水洗洗浄装置32、32、上
記薬液洗浄装置30とは別の薬液処理を行う薬液洗浄装
置34、二つの水洗洗浄装置36、36と、ウエハチャ
ック8Aを洗浄、乾燥するチャック洗浄・乾燥処理槽3
8と、不純物質が除去された半導体ウエハWを例えばイ
ソプロピルアルコール(IPA)等で蒸気乾燥する乾燥
処理槽40とを備えて構成されている。そして、上記薬
液洗浄装置30、34及び水洗洗浄装置32、34は、
それぞれの処理液がオーバーフローし、そのオーバーフ
ローした処理液を排出し、或いは循環させて蓄積された
不純物を除去して循環使用するように構成されていると
共に、図1に示すように槽の底部及び整流板が上向き傾
斜される。
【0014】そして、上記ウエハ搬送装置8は、図5に
示すように、各薬液洗浄装置30、34による影響のな
いように3台配設されている。これらの各ウエハ搬送装
置8は、例えば50枚の半導体ウエハWを一括して把持
する左右一対のウエハチャック8Aと、このウエハチャ
ック8Aを昇降させると共に前後方向で進退動させる駆
動機構(図示せず)と、上記処理槽28乃至40に沿っ
て配設された搬送ベース8Bとを備え、上記搬送ベース
8Bに沿って往復移動するように構成されている。
示すように、各薬液洗浄装置30、34による影響のな
いように3台配設されている。これらの各ウエハ搬送装
置8は、例えば50枚の半導体ウエハWを一括して把持
する左右一対のウエハチャック8Aと、このウエハチャ
ック8Aを昇降させると共に前後方向で進退動させる駆
動機構(図示せず)と、上記処理槽28乃至40に沿っ
て配設された搬送ベース8Bとを備え、上記搬送ベース
8Bに沿って往復移動するように構成されている。
【0015】また、上記洗浄装置、例えば上記薬液洗浄
装置30は、図4に示すように、高温に加熱されたアン
モニア水等の処理液を貯留する矩形状の洗浄槽42と、
この洗浄槽42内に配設されて半導体ウエハWを例えば
50枚垂直に保持するウエハ保持具44と、このウエハ
保持具44のやや下方すなわち底部よりやや上方に配設
され且つ多数の流通孔46を有する整流板48と、この
整流板48へ下方から薬液などの洗浄液を供給する供給
配管50とを備えて構成されている。また、上記供給配
管50は上記洗浄槽42の底部52の2箇所の導入口5
4、54から洗浄液を供給するように構成され、更に、
各導入口54、54のやや上方には分散板56、56が
配設され、これらの分散板56、56によって上記整流
板48の全面に向けて洗浄液を分散するように構成され
ている。また、上記整流板48は、底部52より起立し
た支柱58により底部52から離間させて支持される。
装置30は、図4に示すように、高温に加熱されたアン
モニア水等の処理液を貯留する矩形状の洗浄槽42と、
この洗浄槽42内に配設されて半導体ウエハWを例えば
50枚垂直に保持するウエハ保持具44と、このウエハ
保持具44のやや下方すなわち底部よりやや上方に配設
され且つ多数の流通孔46を有する整流板48と、この
整流板48へ下方から薬液などの洗浄液を供給する供給
配管50とを備えて構成されている。また、上記供給配
管50は上記洗浄槽42の底部52の2箇所の導入口5
4、54から洗浄液を供給するように構成され、更に、
各導入口54、54のやや上方には分散板56、56が
配設され、これらの分散板56、56によって上記整流
板48の全面に向けて洗浄液を分散するように構成され
ている。また、上記整流板48は、底部52より起立し
た支柱58により底部52から離間させて支持される。
【0016】具体的には、図1及び図2に示すように上
記洗浄槽42の底部52の両側は、洗浄槽42の幅方
向、すなわちウエハWの面拡がり方向に沿って例えば角
度θ1で上向き傾斜されて底部傾斜部60を構成してい
る。図示例にあっては底部中央部が水平になされている
が、これを形成することなく底部中央から直接上向きに
傾斜された底部を形成してもよい。そして、この底部5
2よりも僅かな距離L1、例えば20mm上方に位置さ
れた整流板48も上記底部52と同様に変形され、底部
52の中心部に対応する部分は水平になされた水平整流
部48Aとして形成され、この両側は上記底部傾斜部6
0に対応させて同じく角度θ2で上向き傾斜された傾斜
整流部48Bとして構成されている。この場合、各傾斜
角度θ1、θ2は、好ましくは同じ角度、例えば30度
に設定して平行にし、流路面積が一定になるようにす
る。このように底部52及び整流板48の両側を上向き
傾斜させることにより槽内のデッドスペースを少なくし
て槽内容積を少なくすることが可能となる。
記洗浄槽42の底部52の両側は、洗浄槽42の幅方
向、すなわちウエハWの面拡がり方向に沿って例えば角
度θ1で上向き傾斜されて底部傾斜部60を構成してい
る。図示例にあっては底部中央部が水平になされている
が、これを形成することなく底部中央から直接上向きに
傾斜された底部を形成してもよい。そして、この底部5
2よりも僅かな距離L1、例えば20mm上方に位置さ
れた整流板48も上記底部52と同様に変形され、底部
52の中心部に対応する部分は水平になされた水平整流
部48Aとして形成され、この両側は上記底部傾斜部6
0に対応させて同じく角度θ2で上向き傾斜された傾斜
整流部48Bとして構成されている。この場合、各傾斜
角度θ1、θ2は、好ましくは同じ角度、例えば30度
に設定して平行にし、流路面積が一定になるようにす
る。このように底部52及び整流板48の両側を上向き
傾斜させることにより槽内のデッドスペースを少なくし
て槽内容積を少なくすることが可能となる。
【0017】そして、図3に示すように上記整流板48
の水平整流部48には、水平部流通孔46Aが例えば4
列で槽長さ方向に例えば31個形成され、また各傾斜整
流部48B、48Bには、傾斜部流通孔46Bが例えば
3列で横長さ方向に例えば11個形成されている。この
場合、水平部流通孔46Aの直径D1は例えば5.6m
mに設定され、傾斜部流通孔46Bの直径D2は例えば
3.4mmに設定され、従って、整流板48の水平流路
部48Aの全水平部流通孔46Aの面積といずれか一方
の傾斜整流部48Bの全傾斜部流通孔46Bの面積の比
は10:1程度に設定されることになる。ここで、上記
全流通孔の面積比、流通孔の総数及び洗浄槽42の底部
傾斜部60及び傾斜整流部48Bの傾斜角度θ1、θ2
は上記値に限定されないのは勿論である。
の水平整流部48には、水平部流通孔46Aが例えば4
列で槽長さ方向に例えば31個形成され、また各傾斜整
流部48B、48Bには、傾斜部流通孔46Bが例えば
3列で横長さ方向に例えば11個形成されている。この
場合、水平部流通孔46Aの直径D1は例えば5.6m
mに設定され、傾斜部流通孔46Bの直径D2は例えば
3.4mmに設定され、従って、整流板48の水平流路
部48Aの全水平部流通孔46Aの面積といずれか一方
の傾斜整流部48Bの全傾斜部流通孔46Bの面積の比
は10:1程度に設定されることになる。ここで、上記
全流通孔の面積比、流通孔の総数及び洗浄槽42の底部
傾斜部60及び傾斜整流部48Bの傾斜角度θ1、θ2
は上記値に限定されないのは勿論である。
【0018】また、洗浄槽42及び整流板48の材質
は、使用する洗浄液の種類に依存し、例えば、反応性の
強い硫酸やアンモニア水等を使用する薬液洗浄装置の場
合にはともに耐蝕性に強い石英等を使用し、純水を使用
する水洗洗浄装置の場合にはポリ塩化ビニール等を使用
することができる。特に、材料として石英を用いる場合
には、この加工性が非常に劣ることから寸法出し等が困
難となり、洗浄槽42の内壁42Aと脱着可能に設けら
れる整流板48の端面とを密接させることはできず、こ
れらの間には、例えば距離1mm程度の僅かな間隙Sが
発生することは避けられない。
は、使用する洗浄液の種類に依存し、例えば、反応性の
強い硫酸やアンモニア水等を使用する薬液洗浄装置の場
合にはともに耐蝕性に強い石英等を使用し、純水を使用
する水洗洗浄装置の場合にはポリ塩化ビニール等を使用
することができる。特に、材料として石英を用いる場合
には、この加工性が非常に劣ることから寸法出し等が困
難となり、洗浄槽42の内壁42Aと脱着可能に設けら
れる整流板48の端面とを密接させることはできず、こ
れらの間には、例えば距離1mm程度の僅かな間隙Sが
発生することは避けられない。
【0019】また、傾斜整流部18B、18Bに形成さ
れる傾斜部流通孔46Bの穿設方向Yは、洗浄槽42の
高さ方向ではなく傾斜整流部18Bの面方向に対して略
直交する方向となるように設定するのが好ましく、この
ように形成することにより、この流通孔46Bにおける
流通を円滑ならしめることが可能となる。尚、図4中の
符号62は洗浄槽42の上端周縁部に設けたオーバフロ
ー槽であり、オーバフローした洗浄液は必要に応じて循
環使用されたり、使用されなかったりし、また、純水に
よるファイナルリンス時には、このオーバフロー液の比
抵抗値が測定されることになる。
れる傾斜部流通孔46Bの穿設方向Yは、洗浄槽42の
高さ方向ではなく傾斜整流部18Bの面方向に対して略
直交する方向となるように設定するのが好ましく、この
ように形成することにより、この流通孔46Bにおける
流通を円滑ならしめることが可能となる。尚、図4中の
符号62は洗浄槽42の上端周縁部に設けたオーバフロ
ー槽であり、オーバフローした洗浄液は必要に応じて循
環使用されたり、使用されなかったりし、また、純水に
よるファイナルリンス時には、このオーバフロー液の比
抵抗値が測定されることになる。
【0020】次に、本実施例の動作について説明する。
まず、25枚単位でカセットCに収納された半導体ウエ
ハWをインプットバッファ機構4の載置部22へ供給す
ると、カセット搬送機構24が駆動して供給されたカセ
ットCを2個単位でローダ機構6へ移載する。そして、
その後に供給されたカセットCについてはカセット搬送
機構24によって保管部26へ移載し、保管部26でそ
の後のカセットCの半導体ウエハWを一時的に保管す
る。
まず、25枚単位でカセットCに収納された半導体ウエ
ハWをインプットバッファ機構4の載置部22へ供給す
ると、カセット搬送機構24が駆動して供給されたカセ
ットCを2個単位でローダ機構6へ移載する。そして、
その後に供給されたカセットCについてはカセット搬送
機構24によって保管部26へ移載し、保管部26でそ
の後のカセットCの半導体ウエハWを一時的に保管す
る。
【0021】上記ローダ機構6に2個のカセットCが供
給されると、ローダ機構6が駆動して2個のカセットC
内の半導体ウエハWのオリエンテーションフラットを一
方向に揃えて50枚の半導体ウエハWを位置決めする一
方、ウエハ搬送装置8が駆動してウエハチャック8Aを
チャック洗浄・乾燥処理槽28内に移動させてウエハチ
ャック8Aを洗浄、乾燥してローダ機構6の半導体ウエ
ハWを受け取る態勢に入る。その後、ローダ機構6が駆
動して2個のカセットCから半導体ウエハWを一括して
持ち上げながら各カセットCの半導体ウエハWを近づけ
ると、ウエハ搬送装置8が駆動してウエハチャック8A
で50枚の半導体ウエハWを把持する。半導体ウエハW
を把持したウエハチャック8Aは、ウエハ搬送装置8の
駆動によって搬送ベース8Bに沿って薬液洗浄装置30
へ移動した後、その位置でウエハチャック8Aを下降さ
せて薬液洗浄装置30内のウエハ保持具(図示せず)へ
50枚の半導体ウエハWを引き渡して処理液に浸漬す
る。この薬液洗浄装置30では供給配管50から洗浄液
を供給しているため、供給された洗浄液は2箇所の導入
口54、54の分散板56、56によって整流板48の
全面に分散され、整流板48の各流通孔46から略均等
に半導体ウエハW側へ流入する。
給されると、ローダ機構6が駆動して2個のカセットC
内の半導体ウエハWのオリエンテーションフラットを一
方向に揃えて50枚の半導体ウエハWを位置決めする一
方、ウエハ搬送装置8が駆動してウエハチャック8Aを
チャック洗浄・乾燥処理槽28内に移動させてウエハチ
ャック8Aを洗浄、乾燥してローダ機構6の半導体ウエ
ハWを受け取る態勢に入る。その後、ローダ機構6が駆
動して2個のカセットCから半導体ウエハWを一括して
持ち上げながら各カセットCの半導体ウエハWを近づけ
ると、ウエハ搬送装置8が駆動してウエハチャック8A
で50枚の半導体ウエハWを把持する。半導体ウエハW
を把持したウエハチャック8Aは、ウエハ搬送装置8の
駆動によって搬送ベース8Bに沿って薬液洗浄装置30
へ移動した後、その位置でウエハチャック8Aを下降さ
せて薬液洗浄装置30内のウエハ保持具(図示せず)へ
50枚の半導体ウエハWを引き渡して処理液に浸漬す
る。この薬液洗浄装置30では供給配管50から洗浄液
を供給しているため、供給された洗浄液は2箇所の導入
口54、54の分散板56、56によって整流板48の
全面に分散され、整流板48の各流通孔46から略均等
に半導体ウエハW側へ流入する。
【0022】この際、分散板56により分散された洗浄
液は整流板48の水平整流部48Aに到達して水平部流
通孔46Aを上方へ通過する一方、上向き傾斜された底
部傾斜部60と傾斜整流部48Bとの間の流路を流れて
行き、ここに形成される傾斜部流通孔46BをウエハW
方向に向けて通過して行く。流通孔を通過した洗浄液は
ウエハ間を層流状態となって流れて行き、ウエハ表面に
付着する各種のパーティクル等の不純物を洗浄除去する
こととなる。洗浄槽42からオーバフローした洗浄液は
本実施例のように薬液処理を行う時には、浄化後、底部
の供給配管50へ導いて循環使用し、水洗洗浄装置のよ
うに純水による洗浄の場合にはオーバフローした洗浄水
をそのまま廃棄する。
液は整流板48の水平整流部48Aに到達して水平部流
通孔46Aを上方へ通過する一方、上向き傾斜された底
部傾斜部60と傾斜整流部48Bとの間の流路を流れて
行き、ここに形成される傾斜部流通孔46BをウエハW
方向に向けて通過して行く。流通孔を通過した洗浄液は
ウエハ間を層流状態となって流れて行き、ウエハ表面に
付着する各種のパーティクル等の不純物を洗浄除去する
こととなる。洗浄槽42からオーバフローした洗浄液は
本実施例のように薬液処理を行う時には、浄化後、底部
の供給配管50へ導いて循環使用し、水洗洗浄装置のよ
うに純水による洗浄の場合にはオーバフローした洗浄水
をそのまま廃棄する。
【0023】ここで、本実施例においては洗浄槽42の
底部52の両側を上向き傾斜させて底部傾斜部60を形
成すると共にこれに対応させて整流板48の両側も上向
き傾斜させて傾斜整流部48Bを形成したので洗浄槽4
2自体の全体容量をその分だけ減少させることが可能と
なり、従って、使用する薬液や純水などの洗浄液の使用
量を大幅に減少させることが可能となる。8インチウエ
ハの洗浄装置を例にとると、本発明装置によると、従来
装置と比較して約1割程度その容量を減少させることが
できた。
底部52の両側を上向き傾斜させて底部傾斜部60を形
成すると共にこれに対応させて整流板48の両側も上向
き傾斜させて傾斜整流部48Bを形成したので洗浄槽4
2自体の全体容量をその分だけ減少させることが可能と
なり、従って、使用する薬液や純水などの洗浄液の使用
量を大幅に減少させることが可能となる。8インチウエ
ハの洗浄装置を例にとると、本発明装置によると、従来
装置と比較して約1割程度その容量を減少させることが
できた。
【0024】また、洗浄液が置換される時間が早くな
り、従って、効率の良い洗浄を行うことができる。例え
ば、本実施例を水洗洗浄装置に適用した場合には、ウエ
ハの洗浄度を検査するオーバフロー洗浄水の比抵抗値が
短時間で所定の値、例えば15MΩに達し、効率の良い
水洗を行うことができる。この状態は図6に示される。
図中において曲線Aは本発明による装置を用いた場合の
特性を少し、曲線Bは従来装置を用いた場合の特性を示
す。純水によるファイナルリンス完了を示す例えば比抵
抗値15MΩに到達する時間は、曲線Aに示す本発明装
置による場合の方が従来装置の曲線Bの場合と比較して
かなり早いことが判明する。
り、従って、効率の良い洗浄を行うことができる。例え
ば、本実施例を水洗洗浄装置に適用した場合には、ウエ
ハの洗浄度を検査するオーバフロー洗浄水の比抵抗値が
短時間で所定の値、例えば15MΩに達し、効率の良い
水洗を行うことができる。この状態は図6に示される。
図中において曲線Aは本発明による装置を用いた場合の
特性を少し、曲線Bは従来装置を用いた場合の特性を示
す。純水によるファイナルリンス完了を示す例えば比抵
抗値15MΩに到達する時間は、曲線Aに示す本発明装
置による場合の方が従来装置の曲線Bの場合と比較して
かなり早いことが判明する。
【0025】また、整流板48を傾斜させることなくこ
れをフラットな平面状に形成することも考えられるが、
この場合には整流板48と、底部傾斜部60との間に形
成される流路面積が次第に狭くなるために整流板の端部
と槽内壁42Aとの間に形成される間隙Sを通って流れ
る洗浄液の流量が相対的に多くなり、槽内を上昇する洗
浄液に乱流が起こり易くなって好ましくない。これに対
して、本実施例にあっては上述のように底部傾斜部60
と傾斜整流部48Bとを同じ角度θ1、θ2で傾斜させ
ているので液流れ方向の流路面積は同一となり、この結
果、洗浄液は傾斜部流通孔46BをウエハW方向へ円滑
に通過し、槽内壁42Aと整流板の端部との間隙Sを流
れる液量を大幅に抑制でき、乱流の発生を大幅に抑制す
ることができる。この際、傾斜部流通孔46Bの穿設方
向Yは槽高さ方向ではなくこの整流板の面に対して略直
角に設定されていることから、洗浄液をこの流通孔46
Bに対して一層円滑に流すことができ、乱流の発生を一
層抑制することができる。尚、この傾斜部流通孔46B
の穴径を過度に大きく設定すると、ウエハ内側への洗浄
液の巻き込みが多くなり、正常な洗浄が行えなくなって
好ましくなく、全水平部流通孔46Aの面積と1つの傾
斜整流部48Bの全傾斜部流通孔46Bの面積の比は、
好ましくは30:1以下程度に設定する。
れをフラットな平面状に形成することも考えられるが、
この場合には整流板48と、底部傾斜部60との間に形
成される流路面積が次第に狭くなるために整流板の端部
と槽内壁42Aとの間に形成される間隙Sを通って流れ
る洗浄液の流量が相対的に多くなり、槽内を上昇する洗
浄液に乱流が起こり易くなって好ましくない。これに対
して、本実施例にあっては上述のように底部傾斜部60
と傾斜整流部48Bとを同じ角度θ1、θ2で傾斜させ
ているので液流れ方向の流路面積は同一となり、この結
果、洗浄液は傾斜部流通孔46BをウエハW方向へ円滑
に通過し、槽内壁42Aと整流板の端部との間隙Sを流
れる液量を大幅に抑制でき、乱流の発生を大幅に抑制す
ることができる。この際、傾斜部流通孔46Bの穿設方
向Yは槽高さ方向ではなくこの整流板の面に対して略直
角に設定されていることから、洗浄液をこの流通孔46
Bに対して一層円滑に流すことができ、乱流の発生を一
層抑制することができる。尚、この傾斜部流通孔46B
の穴径を過度に大きく設定すると、ウエハ内側への洗浄
液の巻き込みが多くなり、正常な洗浄が行えなくなって
好ましくなく、全水平部流通孔46Aの面積と1つの傾
斜整流部48Bの全傾斜部流通孔46Bの面積の比は、
好ましくは30:1以下程度に設定する。
【0026】上述のように薬液洗浄装置30での半導体
ウエハWの処理が終了すると、上述の場合とは逆の動作
によってウエハ搬送装置8のウエハチャック8Aがウエ
ハ保持具44から半導体ウエハWを一括して受け取り、
次の水洗洗浄装置32のウエハ保持具へ移載して上述と
同様の動作によって水洗処理を行い、更に次の水洗洗浄
装置44で同様の水洗処理を行って洗浄処理を完了す
る。その後、必要に応じて薬液処理及び水洗処理が繰り
返し行われて、洗浄処理後のウエハWはアウトプットバ
ッファ機構14を介して次工程へカセット単位で排出さ
れる。尚、上記実施例にあっては、主として薬液洗浄装
置について説明したが、水洗洗浄装置にも同様に適用し
得るのは勿論である。
ウエハWの処理が終了すると、上述の場合とは逆の動作
によってウエハ搬送装置8のウエハチャック8Aがウエ
ハ保持具44から半導体ウエハWを一括して受け取り、
次の水洗洗浄装置32のウエハ保持具へ移載して上述と
同様の動作によって水洗処理を行い、更に次の水洗洗浄
装置44で同様の水洗処理を行って洗浄処理を完了す
る。その後、必要に応じて薬液処理及び水洗処理が繰り
返し行われて、洗浄処理後のウエハWはアウトプットバ
ッファ機構14を介して次工程へカセット単位で排出さ
れる。尚、上記実施例にあっては、主として薬液洗浄装
置について説明したが、水洗洗浄装置にも同様に適用し
得るのは勿論である。
【0027】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の洗浄装置
によれば次のように優れた作用効果を発揮することがで
きる。洗浄槽の底部を傾斜させると共にこれに対応させ
て整流板も傾斜させるようにしたので、洗浄槽の容量が
小さくなったにもかかわらず、洗浄時における洗浄液に
乱流を生ぜしめることなくこれを整流状態で被処理体表
面に接触させることができ、洗浄効率を高く維持したま
ま洗浄槽の容量を小さくすることができる。従って、薬
液や純水などの洗浄液の使用量を削減することができ、
ランニングコストを大幅に削減することができる。ま
た、洗浄槽内の洗浄液の置換速度が速いので迅速な洗浄
を行うことができ、特に純水による洗浄の場合には比抵
抗値の回復を速めることができる。また、導入口の上方
に整流板を設けることによって導入された洗浄液を効率
的に分散させるようにしたので、洗浄液の分散が促進さ
れて洗浄効率を高くできるので、その分、洗浄液の使用
量を抑制することができる。
によれば次のように優れた作用効果を発揮することがで
きる。洗浄槽の底部を傾斜させると共にこれに対応させ
て整流板も傾斜させるようにしたので、洗浄槽の容量が
小さくなったにもかかわらず、洗浄時における洗浄液に
乱流を生ぜしめることなくこれを整流状態で被処理体表
面に接触させることができ、洗浄効率を高く維持したま
ま洗浄槽の容量を小さくすることができる。従って、薬
液や純水などの洗浄液の使用量を削減することができ、
ランニングコストを大幅に削減することができる。ま
た、洗浄槽内の洗浄液の置換速度が速いので迅速な洗浄
を行うことができ、特に純水による洗浄の場合には比抵
抗値の回復を速めることができる。また、導入口の上方
に整流板を設けることによって導入された洗浄液を効率
的に分散させるようにしたので、洗浄液の分散が促進さ
れて洗浄効率を高くできるので、その分、洗浄液の使用
量を抑制することができる。
【図1】本発明の洗浄装置の一実施例を示す断面図であ
る。
る。
【図2】本発明の洗浄装置を示す部分破断斜視図であ
る。
る。
【図3】図2に示す装置に使用する整流板を示す平面図
である。
である。
【図4】図2に示す装置の概略側断面図である。
【図5】図2に示す洗浄装置等が複数個集合された洗浄
装置集合ユニットを示す斜視図である。
装置集合ユニットを示す斜視図である。
【図6】本発明装置と従来装置とによる洗浄時の比抵抗
値の変化を示すグラフである。
値の変化を示すグラフである。
30、34 薬液洗浄装置 32、36 水洗洗浄装置 42 洗浄槽 46 流通孔 46A 水平部流通孔 46B 傾斜部流通孔 48 整流板 48A 水平整流板 48B 傾斜整流板 52 底部 54 導入口 56 分散板 60 底部傾斜部 W 半導体ウエハ(被処理体)
Claims (3)
- 【請求項1】 底部に洗浄液を導入する導入口を有して
洗浄すべき被処理体を収容する洗浄槽と、前記洗浄槽の
底部より離間させて設けられると共に前記洗浄液を通す
多数の流通孔を有し、前記導入口から導入された洗浄液
を整流しつつ前記被処理体側へ流す整流板とを備えた洗
浄装置において、前記洗浄槽の底部の両側は、上傾き傾
斜された底部傾斜部を有し、前記整流板は、前記底部の
中心部に対応して水平になされた水平整流部と、この水
平整流部の両側に設けられて前記底部傾斜部に対応して
上向き傾斜された傾斜整流部を有するように構成したこ
とを特徴とする洗浄装置。 - 【請求項2】 前記底部傾斜部は、前記傾斜整流部に対
して平行になされていることを特徴とする請求項1記載
の洗浄装置。 - 【請求項3】 前記導入口の上方には、前記導入口より
導入される前記洗浄液を前記整流板の下方の全面に向け
て分散させる分散板が設けられることを特徴とする請求
項1また2記載の洗浄装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10503793A JP2970894B2 (ja) | 1993-04-07 | 1993-04-07 | 洗浄装置 |
US08/172,419 US5503171A (en) | 1992-12-26 | 1993-12-22 | Substrates-washing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10503793A JP2970894B2 (ja) | 1993-04-07 | 1993-04-07 | 洗浄装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06295896A JPH06295896A (ja) | 1994-10-21 |
JP2970894B2 true JP2970894B2 (ja) | 1999-11-02 |
Family
ID=14396817
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10503793A Expired - Fee Related JP2970894B2 (ja) | 1992-12-26 | 1993-04-07 | 洗浄装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2970894B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6616774B2 (en) * | 1997-12-26 | 2003-09-09 | Spc Electronics | Wafer cleaning device and tray for use in wafer cleaning device |
JP3118443B2 (ja) * | 1997-12-26 | 2000-12-18 | 島田理化工業株式会社 | ウェーハ洗浄装置 |
JP2007105626A (ja) * | 2005-10-13 | 2007-04-26 | Ses Co Ltd | 基板処理装置 |
JP7002969B2 (ja) * | 2018-03-19 | 2022-01-20 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
DE102018214167A1 (de) | 2018-08-22 | 2020-02-27 | Meiko Maschinenbau Gmbh & Co. Kg | Reinigungssystem und Verfahren zur Reinigung von Reinigungsgut |
CN117038514B (zh) * | 2023-08-11 | 2024-04-30 | 无锡亚电智能装备有限公司 | 一种具有整流板的刻蚀清洗槽 |
-
1993
- 1993-04-07 JP JP10503793A patent/JP2970894B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH06295896A (ja) | 1994-10-21 |
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