CN110739247A - 一种晶圆蚀刻槽 - Google Patents

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李�杰
葛林海
赵建龙
王利强
丁高生
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Abstract

本发明公开了一种晶圆蚀刻槽，所述蚀刻槽包括：基座；基板，所述基板固定连接在所述基座上，所述基板形成水平的支撑面；外槽，所述外槽为上部开口的长方壳体，所述外槽的底部安置在所述支撑面上，所述外槽侧壁的下方开孔且与第一管路的一端连通；内槽，所述内槽为上部开口的长方壳体，所述内槽设置在所述外槽内，所述第一管路的另一端设置在所述内槽上方，所述内槽的底部开孔并与第二管路的一端连通，所述第二管路的另一端与外部连通；以及晶舟，所述晶舟内承载有多个晶圆，所述晶舟设置在所述内槽内；其中，含有氢氟酸的药液自所述内槽开口加入，将所述晶舟上的晶圆全部浸没。本发明设备能够耐受高温下晶圆蚀刻中氢氟酸的强腐蚀性。

Description

一种晶圆蚀刻槽
技术领域
本发明属于晶圆制造技术领域，具体涉及一种晶圆蚀刻槽。
背景技术
圆晶（Wafer）是指硅半导体集成电路制作所用的硅芯片，由于其形状为圆形，故称为圆晶。圆晶是生产集成电路所用的载体，一般意义晶圆多指单晶硅圆片。单晶硅圆片由普通硅砂拉制提炼，经过溶解、提纯、蒸馏一系列措施制成单晶硅棒，单晶硅棒经过抛光、切片之后，就成为了圆晶。
晶圆加工中一般包括如下步骤，先将晶圆适当清洗，再在其表面进行氧化及化学气相沉积，然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀等反复步骤，最终在晶圆上完成数层电路及元件加工与制作。
晶圆蚀刻程序中，需要用到氢氟酸，氢氟酸的强腐蚀性使得对蚀刻设备的耐腐蚀性要求很高。
发明内容
针对现有技术中存在的问题，本发明提供一种晶圆蚀刻槽，本发明的部分实施例能够实现晶圆蚀刻加工。
为实现上述目的，本发明采用以下技术方案：
一种晶圆蚀刻槽，所述蚀刻槽包括：基座；基板，所述基板固定连接在所述基座上，所述基板形成水平的支撑面；外槽，所述外槽为上部开口的长方壳体，所述外槽的底部安置在所述支撑面上，所述外槽侧壁的下方开孔且与第一管路的一端连通；内槽，所述内槽为上部开口的长方壳体，所述内槽设置在所述外槽内，所述第一管路的另一端设置在所述内槽上方，所述内槽的底部开孔并与第二管路的一端连通，所述第二管路的另一端与外部连通；以及
晶舟，所述晶舟内承载有多个晶圆，所述晶舟设置在所述内槽内；其中，含有氢氟酸的药液自所述内槽开口加入，将所述晶舟上的晶圆全部浸没，溢流而出的药液进入所述外槽后通过第一管路再进入所述内槽，最后药液自所述第二管路排出。
优选地，所述外槽内设置有固定架，用来固定所述内槽。
优选地，所述外槽的直角结构处通过焊条焊接做圆角处理。
优选地，所述蚀刻槽包括支架，所述支架分别设置在所述外槽的两侧，所述支架上设置有凹槽，所述晶舟的两侧容置在所述凹槽的中，所述晶舟能够在所述凹槽中滑动以调整晶舟位置。
优选地，所述内槽、外槽均为PTFE材料注塑制成。
优选地，所述晶舟采用PEEK材料制成。
优选地，所述基板由PVC材料制成。
优选地，所述基板与所述外槽之间夹设有隔热垫，所述隔热垫由PTFE材料制成。
与现有技术相比，本发明的有益效果为：PTFE材料能够实现注塑制造的同时抵抗氢氟酸的侵蚀，且能够耐受80-100°的高温，制成发内槽和外槽溢流循环系统能够实现对晶圆的蚀刻反应，采用PEEK材料制作的晶舟在抵抗氢氟酸的侵蚀同时因为其硬度足够，能够机加工达到稳定承载晶圆的精度，整个内槽的两面和外槽的内侧面的直角结构处均采用圆角处理，使得药液浓度均匀分布，整个药液流动顺畅，基座在高温时给外槽以支撑，防止热变形，同时通过隔热垫减少温度传递对基座的形状影响。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例的整体结构示意图。
图2为本发明实施例的俯视示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有付出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
如图1-2所示，本实施例提供一种晶圆蚀刻槽，蚀刻槽包括：基座1；基板2，基板2固定连接在基座1上，基板2形成水平的支撑面；外槽3，外槽3为上部开口的长方壳体，外槽3的底部安置在支撑面上，外槽3侧壁的下方开孔且与第一管路的一端连通；内槽4，内槽4为上部开口的长方壳体，内槽4设置在外槽3内，第一管路的另一端设置在内槽4上方，内槽4的底部开孔并与第二管路的一端连通，第二管路的另一端与外部连通；以及
晶舟5，晶舟5内承载有多个晶圆，晶舟5设置在内槽4内；其中，含有氢氟酸的药液自内槽4开口加入，将晶舟5上的晶圆全部浸没，溢流而出的药液进入外槽3后通过第一管路再进入内槽4，最后药液自第二管路排出。
外槽3内设置有固定架9，用来固定内槽4。
外槽3的直角结构6处通过焊条焊接做圆角处理。
蚀刻槽包括支架7，支架7分别设置在外槽3的两侧，支架7上设置有凹槽，晶舟5的两侧容置在凹槽的中，晶舟5能够在凹槽中滑动以调整晶舟5位置。
内槽4、外槽3均为PTFE材料注塑制成。
晶舟5采用PEEK材料制成。
基板2由PVC材料制成。
基板2与外槽3之间夹设有隔热垫8，隔热垫8由PTFE材料制成。
尽管上述实施例已对本发明作出具体描述，但是对于本领域的普通技术人员来说，应该理解为可以在不脱离本发明的精神以及范围之内基于本发明公开的内容进行修改或改进，这些修改和改进都在本发明的精神以及范围之内。

Claims (8)

1.一种晶圆蚀刻槽，其特征在于，所述蚀刻槽包括：
基座（1）；
基板（2），所述基板（2）固定连接在所述基座（1）上，所述基板（2）形成水平的支撑面；
外槽（3），所述外槽（3）为上部开口的长方壳体，所述外槽（3）的底部安置在所述支撑面上，所述外槽（3）侧壁的下方开孔且与第一管路的一端连通；
内槽（4），所述内槽（4）为上部开口的长方壳体，所述内槽（4）设置在所述外槽（3）内，所述第一管路的另一端设置在所述内槽（4）上方，所述内槽（4）的底部开孔并与第二管路的一端连通，所述第二管路的另一端与外部连通；以及
晶舟（5），所述晶舟（5）内承载有多个晶圆，所述晶舟（5）设置在所述内槽（4）内；
其中，含有氢氟酸的药液自所述内槽（4）开口加入，将所述晶舟（5）上的晶圆全部浸没，溢流而出的药液进入所述外槽（3）后通过第一管路再进入所述内槽（4），最后药液自所述第二管路排出。
2.根据权利要求1所述的晶圆蚀刻槽，其特征在于，所述外槽（3）内设置有固定架（9），用来固定所述内槽（4）。
3.根据权利要求1所述的晶圆蚀刻槽，其特征在于，所述外槽（3）的直角结构（6）处通过焊条焊接做圆角处理。
4.根据权利要求1所述的晶圆蚀刻槽，其特征在于，所述蚀刻槽包括支架（7），所述支架（7）分别设置在所述外槽（3）的两侧，所述支架（7）上设置有凹槽，所述晶舟（5）的两侧容置在所述凹槽的中，所述晶舟（5）能够在所述凹槽中滑动以调整晶舟（5）位置。
5.根据权利要求1所述的晶圆蚀刻槽，其特征在于，所述内槽（4）、外槽（3）均为PTFE材料注塑制成。
6.根据权利要求1所述的晶圆蚀刻槽，其特征在于，所述晶舟（5）采用PEEK材料制成。
7.根据权利要求1所述的晶圆蚀刻槽，其特征在于，所述基板（2）由PVC材料制成。
8.根据权利要求1所述的晶圆蚀刻槽，其特征在于，所述基板（2）与所述外槽（3）之间夹设有隔热垫（8），所述隔热垫（8）由PTFE材料制成。
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