JPS59166675A - エツチング装置 - Google Patents
エツチング装置Info
- Publication number
- JPS59166675A JPS59166675A JP4090283A JP4090283A JPS59166675A JP S59166675 A JPS59166675 A JP S59166675A JP 4090283 A JP4090283 A JP 4090283A JP 4090283 A JP4090283 A JP 4090283A JP S59166675 A JPS59166675 A JP S59166675A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hydrogen fluoride
- reaction chamber
- substrate
- etching
- gasified
- Prior art date
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- Pending
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発明の技術分野
本発明はエツチング装置に係り、特に弗化水素気化ガス
を用いてシリコン酸化膜（Ｓｉ、０２）をエツチングす
るためのエツチング装置に関するものである。
を用いてシリコン酸化膜（Ｓｉ、０２）をエツチングす
るためのエツチング装置に関するものである。
（′ｂ）従来技術と問題点
従来半導体ウェーハ、たとえばシリコン基板上の酸化膜
（Ｓｉ、０２）をエツチング除去する前処理装置として
は第１図に示すごとく複数の処理槽、た列に水洗槽３が
配設され、前記半導体ウェーハ４が所定間隙に複数載置
されたホルダー治具５を該薬品槽ｌ内に所定時間浸漬（
ｄｉｐ）して処理を行ない、上下左右に運動する機構に
より、前記ホル記半導体ウェーハ４を水洗洗浄し前処理
されるように構成されている。しかしながら通常使用さ
れる弗酸中のゴミなどが半導体ウェーハの表面に付ある
。
（Ｓｉ、０２）をエツチング除去する前処理装置として
は第１図に示すごとく複数の処理槽、た列に水洗槽３が
配設され、前記半導体ウェーハ４が所定間隙に複数載置
されたホルダー治具５を該薬品槽ｌ内に所定時間浸漬（
ｄｉｐ）して処理を行ない、上下左右に運動する機構に
より、前記ホル記半導体ウェーハ４を水洗洗浄し前処理
されるように構成されている。しかしながら通常使用さ
れる弗酸中のゴミなどが半導体ウェーハの表面に付ある
。
（Ｃ） 発明の目的
本発明の目的はかかる問題点に鑑みなされたもので弗化
水素気化ガスによるエツチング処理によって均一に、か
つ清浄な半導体表面の形成が可能なエツチング装置の提
供にある。
水素気化ガスによるエツチング処理によって均一に、か
つ清浄な半導体表面の形成が可能なエツチング装置の提
供にある。
（ｄ） 発明の構成
その目的を達成するため本発明のエツチング装置は、弗
化水素気化ガス発生容器と、回転可能な被処理基板載置
台を有する反応室と、前記弗化水素気化ガス発生容器と
反応室とを連結する弗化水素気化ガス流通路とを設け、
該弗化水素気化ガスを反応室内に導入して前記被処理基
板表面に当て、前記被処理基板を回転させながらエツチ
ングするようにしたことを特徴とする。
化水素気化ガス発生容器と、回転可能な被処理基板載置
台を有する反応室と、前記弗化水素気化ガス発生容器と
反応室とを連結する弗化水素気化ガス流通路とを設け、
該弗化水素気化ガスを反応室内に導入して前記被処理基
板表面に当て、前記被処理基板を回転させながらエツチ
ングするようにしたことを特徴とする。
（ｅ） 発明の実施例
以下本発明の実施例について図面を参照して説明する。
第２図は本発明の一実施例のエツチング装置の模式的概
略構成図である。
略構成図である。
同図において弗化水素（ＨＦ ）気化ガス発生容器１０
は耐弗酸材質のポリエチレン製の容器からなりギアリア
ガヌ導入管１１と、該キアリアガスとともに反応室１２
内に弗化水素気化ガスの流通路としてのテフロンパイプ
よりなる連結管１３が設けられ、該ガス導入管１１及び
連結管１８にはそれぞれ開閉パｌレプ１４・１５が付設
されている。
は耐弗酸材質のポリエチレン製の容器からなりギアリア
ガヌ導入管１１と、該キアリアガスとともに反応室１２
内に弗化水素気化ガスの流通路としてのテフロンパイプ
よりなる連結管１３が設けられ、該ガス導入管１１及び
連結管１８にはそれぞれ開閉パｌレプ１４・１５が付設
されている。
前記反応室１２内には被処理基板１６を載置する被処理
基板載置台１７が設けられており回転可能に構成されて
いる。前記反応室１２の上蓋１８と下蓋１９とはバッキ
ング２０を介して気密封止され、上蓋１８の上部には前
記弗化水素気化ガヌを導入する連結管１３と上蓋１８を
開閉可能にするフレキシブルなジャバラ管２１によって
ｔＨｉｌ：ｈており、下蓋１９の下部には排気管２２が
設けられ排気ダクトによ−って排気されている。又連結
管１３の途中には図示したように希釈ガス用導入管２３
が連結され、該導入管２３には開閉パルプ２４が付設さ
れている。かかるように構成されたエツチング装置を用
いて被処理基板１６たとえば半導体基板に形成されたシ
リコン酸化膜（Ｓ’ＬＯ２）をエツチング処理する場合
には、まず弗化水素気化ガス発生容器１０内に所定量の
濃弗酸溶液を収容し、反応室１２内の被処理基板載置台
１７上に前記半導体基板の被処理基板１７を載置してチ
ャッキン１１よりたとえば窒素ガスを約１００”４’ｍ
ｉ、ｎの流量にて弗化水素気化ガス発生容器ＩＯ内に導
入して該弗化水素気化ガス発生容器１０内に収容された
濃弗酸水溶液表面上をバススル−（ｐａｓ ８ ｔｈｒ
ｏｕｇｈ ）して気化蒸発する弗化水素気化ガスと共に
連結管１３を通じて反応室１２内に導入する。次いで所
望のエツチングレートを得るために希釈ガス導入管２３
より同じく窒素ガヌを所定流量反応室１２内に導入して
回転している被処理基板１６上のシリコン酸化膜をエツ
チング除去する。被処理基板処理後、開閉バＩレプ１４
・１５・２４を閉じて載置台１７の回転を停止し、エツ
チング処理が完了する。
基板載置台１７が設けられており回転可能に構成されて
いる。前記反応室１２の上蓋１８と下蓋１９とはバッキ
ング２０を介して気密封止され、上蓋１８の上部には前
記弗化水素気化ガヌを導入する連結管１３と上蓋１８を
開閉可能にするフレキシブルなジャバラ管２１によって
ｔＨｉｌ：ｈており、下蓋１９の下部には排気管２２が
設けられ排気ダクトによ−って排気されている。又連結
管１３の途中には図示したように希釈ガス用導入管２３
が連結され、該導入管２３には開閉パルプ２４が付設さ
れている。かかるように構成されたエツチング装置を用
いて被処理基板１６たとえば半導体基板に形成されたシ
リコン酸化膜（Ｓ’ＬＯ２）をエツチング処理する場合
には、まず弗化水素気化ガス発生容器１０内に所定量の
濃弗酸溶液を収容し、反応室１２内の被処理基板載置台
１７上に前記半導体基板の被処理基板１７を載置してチ
ャッキン１１よりたとえば窒素ガスを約１００”４’ｍ
ｉ、ｎの流量にて弗化水素気化ガス発生容器ＩＯ内に導
入して該弗化水素気化ガス発生容器１０内に収容された
濃弗酸水溶液表面上をバススル−（ｐａｓ ８ ｔｈｒ
ｏｕｇｈ ）して気化蒸発する弗化水素気化ガスと共に
連結管１３を通じて反応室１２内に導入する。次いで所
望のエツチングレートを得るために希釈ガス導入管２３
より同じく窒素ガヌを所定流量反応室１２内に導入して
回転している被処理基板１６上のシリコン酸化膜をエツ
チング除去する。被処理基板処理後、開閉バＩレプ１４
・１５・２４を閉じて載置台１７の回転を停止し、エツ
チング処理が完了する。
（ｆ） 発明の詳細
な説明したごとく本発明の一実施例のエツチング装置を
用いることによって一定の窒素キアリアガヌによって気
イし蒸発した非常に清浄な弗化水素気化ガスを回転して
いる被処理基板上に流すことにより均一性のよい又清浄
なエツチングが可能となり半導体装置の品質向上に効果
がある。
用いることによって一定の窒素キアリアガヌによって気
イし蒸発した非常に清浄な弗化水素気化ガスを回転して
いる被処理基板上に流すことにより均一性のよい又清浄
なエツチングが可能となり半導体装置の品質向上に効果
がある。
第１図は従来の前処理装置、第２図は本発明の一実施例
のエツチング装置の模式的概略構成図である。 図においてｌＯは弗化水素気化ガヌ発生容器、１２は反
応室、１３は連結管、１６は被処理基板、１７は被処理
基板載置台を示す。
のエツチング装置の模式的概略構成図である。 図においてｌＯは弗化水素気化ガヌ発生容器、１２は反
応室、１３は連結管、１６は被処理基板、１７は被処理
基板載置台を示す。
Claims (1)
- 弗化水素気化ガス発生容器と、回転可能な被処理基板載
置台を有する反応室と、前記弗化水素気化ガス発生容器
と反応室とを連結する弗化水素気化ガス流通路とを設け
、該弗化水素気化ガスを反応室内に導入して前記被処理
基板表面に当て、前記被処理基板を回転させながらエツ
チングするようにしたことを特徴とするエツチング装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4090283A JPS59166675A (ja) | 1983-03-11 | 1983-03-11 | エツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4090283A JPS59166675A (ja) | 1983-03-11 | 1983-03-11 | エツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59166675A true JPS59166675A (ja) | 1984-09-20 |
Family
ID=12593437
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4090283A Pending JPS59166675A (ja) | 1983-03-11 | 1983-03-11 | エツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59166675A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61248525A (ja) * | 1985-04-26 | 1986-11-05 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| WO1991017967A1 (en) * | 1990-05-15 | 1991-11-28 | Semitool, Inc. | Dynamic semiconductor wafer processing using homogeneous chemical vapors |
| US5073232A (en) * | 1988-07-20 | 1991-12-17 | Hashimoto Chemical Industries Co., Ltd. | Method of anhydrous hydrogen fluoride etching |
| JPH0422123A (ja) * | 1990-05-17 | 1992-01-27 | Sharp Corp | シリコン酸化膜のエッチング方法 |
| US5173152A (en) * | 1989-10-02 | 1992-12-22 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Method for selectively removing an insulating film |
| US5238500A (en) * | 1990-05-15 | 1993-08-24 | Semitool, Inc. | Aqueous hydrofluoric and hydrochloric acid vapor processing of semiconductor wafers |
| US5332445A (en) * | 1990-05-15 | 1994-07-26 | Semitool, Inc. | Aqueous hydrofluoric acid vapor processing of semiconductor wafers |
| US5348619A (en) * | 1992-09-03 | 1994-09-20 | Texas Instruments Incorporated | Metal selective polymer removal |
| US5954911A (en) * | 1995-10-12 | 1999-09-21 | Semitool, Inc. | Semiconductor processing using vapor mixtures |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54125144A (en) * | 1978-03-24 | 1979-09-28 | Toshiba Corp | Treating device using hydrogen fluoride-containing gas |
| JPS5819479A (ja) * | 1981-07-29 | 1983-02-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | エツチング方法およびその装置 |
-
1983
- 1983-03-11 JP JP4090283A patent/JPS59166675A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54125144A (en) * | 1978-03-24 | 1979-09-28 | Toshiba Corp | Treating device using hydrogen fluoride-containing gas |
| JPS5819479A (ja) * | 1981-07-29 | 1983-02-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | エツチング方法およびその装置 |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61248525A (ja) * | 1985-04-26 | 1986-11-05 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US5073232A (en) * | 1988-07-20 | 1991-12-17 | Hashimoto Chemical Industries Co., Ltd. | Method of anhydrous hydrogen fluoride etching |
| US5100495A (en) * | 1988-07-20 | 1992-03-31 | Hashimoto Chemical Industries Co., Ltd. | Dry etching apparatus with diluted anhydrous hydrogen fluoride gas generator |
| US5173152A (en) * | 1989-10-02 | 1992-12-22 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Method for selectively removing an insulating film |
| WO1991017967A1 (en) * | 1990-05-15 | 1991-11-28 | Semitool, Inc. | Dynamic semiconductor wafer processing using homogeneous chemical vapors |
| US5232511A (en) * | 1990-05-15 | 1993-08-03 | Semitool, Inc. | Dynamic semiconductor wafer processing using homogeneous mixed acid vapors |
| US5238500A (en) * | 1990-05-15 | 1993-08-24 | Semitool, Inc. | Aqueous hydrofluoric and hydrochloric acid vapor processing of semiconductor wafers |
| US5332445A (en) * | 1990-05-15 | 1994-07-26 | Semitool, Inc. | Aqueous hydrofluoric acid vapor processing of semiconductor wafers |
| JPH0422123A (ja) * | 1990-05-17 | 1992-01-27 | Sharp Corp | シリコン酸化膜のエッチング方法 |
| US5348619A (en) * | 1992-09-03 | 1994-09-20 | Texas Instruments Incorporated | Metal selective polymer removal |
| USRE36006E (en) * | 1992-09-03 | 1998-12-22 | Fsi International, Inc. | Metal selective polymer removal |
| US5954911A (en) * | 1995-10-12 | 1999-09-21 | Semitool, Inc. | Semiconductor processing using vapor mixtures |
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