JPH11300296A

JPH11300296A - 洗浄処理方法及び洗浄処理装置

Info

Publication number: JPH11300296A
Application number: JP10637598A
Authority: JP
Inventors: Naoki Shindo; 尚樹新藤; Shigenori Kitahara; 重徳北原; Hironobu Momotake; 宏展百武
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 1998-04-16
Filing date: 1998-04-16
Publication date: 1999-11-02

Abstract

(57)【要約】【課題】洗浄性能の向上及び洗浄精度の向上を図れる
ようにした洗浄処理方法及び洗浄処理装置を提供するこ
と。【解決手段】半導体ウエハＷを収容する処理槽３０
と、処理槽３０と薬液タンク３６とを接続する薬液供給
管路３５と、処理槽３０と純水供給源３１とを接続する
純水供給管路３３と、を具備する洗浄処理装置におい
て、薬液供給管路３５と純水供給管路３３とを開閉弁３
４を介して接続し、純水供給管路３３にヒータ３７を介
設する。これにより、所定温度の処理液で洗浄処理例え
ばエッチング処理を行った後、処理液の温度より低い温
度のリンス液でリンス処理を行うことで、エッチングの
均一性を向上させることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、例えば半導体ウ
エハやＬＣＤ用ガラス基板等の被処理体を処理液及びリ
ンス液に浸漬して洗浄する洗浄処理方法及び洗浄処理装
置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】一般に、半導体製造装置の製造工程にお
いては、半導体ウエハやＬＣＤ用ガラス等の被処理体
（以下にウエハ等という）を例えばアンモニア水（ＮＨ
4ＯＨ）やフッ化水素酸（ＨＦ）等の薬液（処理液）や
リンス液（例えば純水やオゾン水）等の洗浄液が貯留さ
れた洗浄槽に順次浸漬して洗浄を行う洗浄処理方法が広
く採用されている。

【０００３】従来のこの種の洗浄処理装置として、同一
の処理槽内にリンス液（例えば純水，オゾン水）や、リ
ンス液に薬液（例えばＨＦ）を混入した希釈液｛例えば
希釈フッ化水素酸（ＤＨＦ）｝を順次貯留して、これら
リンス液、希釈液にウエハ等を浸漬して洗浄処理する、
いわゆるワンパス方式の装置が知られている。この洗浄
処理装置によれば、リンス液中に所定量の薬液を混入し
た希釈液（例えばＤＨＦ）を処理槽内に貯留し、この希
釈液（ＤＨＦ）中にウエハ等を浸漬して、エッチング処
理、例えばウエハ表面に付着したパーティクルの除去や
化学的，物理的に吸着したＮｉ，Ｃｒ等の重金属あるい
は自然酸化膜等を除去することができる。その後、処理
槽内に供給されるリンス液中にウエハを浸漬して、ウエ
ハ表面に付着する薬液を除去することができる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
この種の洗浄処理においては、処理液として薬液（例え
ばＨＦ）とリンス液（例えば純水）とを混合した希釈液
を使用するため、エッチング処理時の処理液の温度と、
リンス処理時のリンス液の温度がほぼ同じとなる。した
がって、エッチング処理後に、処理液を排出する一方、
リンス液をすることにより、処理液の濃度が徐々に希釈
されるが、その間においてもエッチング反応が行われる
ため、エッチングの均一性が損なわれるという問題があ
った。

【０００５】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、処理液による洗浄処理後に、処理液の温度より低い
温度のリンス液にてリンス処理して、洗浄性能の向上及
び洗浄精度の向上を図れるようにした洗浄処理方法及び
洗浄処理装置を提供することを目的とするものである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の洗浄処理方法は、処理槽内にて所定温度
の処理液に被処理体を接触させて洗浄処理を行った後、
連続して上記処理槽内にて上記処理液の温度より低い温
度のリンス液に上記被処理体を接触させてリンス処理を
行う、ことを特徴とするものである（請求項１）。

【０００７】この発明において、上記処理液は所定濃度
の薬液を単独で使用してもよいが、好ましくは上記処理
液として、薬液とリンス液の希釈液を使用する方がよい
（請求項２）。

【０００８】また、この発明の第１の洗浄処理装置は、
被処理体を収容する処理槽と、上記処理槽と薬液供給源
とを接続する薬液供給管路と、上記処理槽とリンス液供
給源とを接続するリンス液供給管路と、を具備し、薬液
とリンス液を混合した処理液に上記被処理体を接触させ
て洗浄処理を行った後、上記リンス液に上記被処理体を
接触させてリンス処理を行う洗浄処理装置において、上
記薬液供給管路と上記リンス液供給管路とを開閉手段を
介して接続し、上記リンス液供給管路に加熱手段を介設
してなり、上記洗浄処理時には、上記開閉手段により上
記薬液と、上記加熱手段により加熱された上記リンス液
が混合されて上記処理槽に供給される、ことを特徴とす
るものである（請求項３）。

【０００９】また、この発明の第２の洗浄処理装置は、
被処理体を収容する処理槽と、上記処理槽と薬液供給源
とを接続する薬液供給管路と、上記処理槽とリンス液供
給源とを接続するリンス液供給管路と、を具備し、薬液
とリンス液を混合した処理液に上記被処理体を接触させ
て洗浄処理を行った後、上記リンス液に上記被処理体を
接触させてリンス処理を行う洗浄処理装置において、上
記薬液供給管路と上記リンス液供給管路とを開閉手段を
介して接続し、上記リンス液供給管路に冷却手段を介設
してなり、上記リンス処理時には、上記冷却手段により
冷却された上記リンス液が上記処理槽に供給される、こ
とを特徴とするものである（請求項４）。

【００１０】また、この発明の第３の洗浄処理装置は、
被処理体を収容する処理槽と、上記処理槽と薬液供給源
とを接続する薬液供給管路と、上記処理槽とリンス液供
給源とを接続するリンス液供給管路と、を具備し、薬液
とリンス液を混合した処理液に上記被処理体を接触させ
て洗浄処理を行った後、上記リンス液に上記被処理体を
接触させてリンス処理を行う洗浄処理装置において、上
記薬液供給管路と上記リンス液供給管路とを開閉手段を
介して接続し、上記リンス液供給管路に切換手段を介し
て分岐管を接続すると共に、各分岐管に、それぞれ加熱
手段又は冷却手段を介設してなる、ことを特徴とする
（請求項５）。

【００１１】この発明によれば、処理槽内にて所定温度
の処理液を被処理体に接触させて洗浄処理を行った後、
連続して処理槽内にて処理液より温度の低いリンス液を
被処理体に接触させることで、リンス処理時に、処理液
による処理反応を低下させることができる。したがっ
て、処理反応（例えばエッチング反応）を均一にするこ
とができる。

【００１２】また、処理液として、薬液とリンス液を混
合した希釈液を使用することで、処理液とリンス液の温
度管理を容易にすることができると共に、配管系統を簡
略化することができ、かつ装置の小型化を図ることがで
きる。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下に、この発明の実施の形態を
図面に基づいて詳細に説明する。この実施形態では半導
体ウエハの洗浄処理システムに適用した場合について説
明する。

【００１４】図１はこの発明に係る洗浄処理装置を適用
した洗浄処理システムの一例を示す概略平面図である。

【００１５】上記洗浄処理システムは、被処理基板であ
る半導体ウエハＷ（以下にウエハという）を水平状態に
収納する容器例えばキャリア１を搬入、搬出するための
搬入・搬出部２と、ウエハＷを薬液、洗浄液等の液処理
すると共に乾燥処理する処理部３と、搬入・搬出部２と
処理部３との間に位置してウエハＷの受渡し、位置調整
及び姿勢変換等を行うインターフェース部４とで主に構
成されている。

【００１６】上記搬入・搬出部２は、洗浄処理システム
の一側端部にはキャリア搬入部５ａとキャリア搬出部５
ｂが併設されると共に、ウエハの受渡し部６が設けられ
ている。この場合、キャリア搬入部５ａとウエハ受渡し
部６との間には図示しない搬送機構が配設されており、
この搬送機構によってキャリア１がキャリア搬入部５ａ
からウエハ受渡し部６へ搬送されるように構成されてい
る。

【００１７】また、キャリア搬出部５ｂとウエハ受渡し
部６には、それぞれキャリアリフタ（図示せず）が配設
され、このキャリアリフタによって空のキャリア１を搬
入・搬出部２上方に設けられたキャリア待機部（図示せ
ず）への受け渡し及びキャリア待機部からの受け取りを
行うことができるように構成されている。この場合、キ
ャリア待機部には、水平方向（Ｘ，Ｙ方向）及び垂直方
向（Ｚ方向）に移動可能なキャリア搬送ロボット（図示
せず）が配設されており、このキャリア搬送ロボットに
よってウエハ受渡し部６から搬送された空のキャリア１
を整列すると共に、キャリア搬出部５ｂへ搬出し得るよ
うになっている。また、キャリア待機部には、空キャリ
アだけでなく、ウエハＷが収納された状態のキャリア１
を待機させておくことも可能である。

【００１８】上記ウエハ受渡し部６は、上記インターフ
ェース部４に開口しており、その開口部には蓋開閉装置
７が配設されている。この蓋開閉装置７によってキャリ
ア１の蓋体（図示せず）が開放あるいは閉塞されるよう
になっている。したがって、ウエハ受渡し部６に搬送さ
れた未処理のウエハＷを収納するキャリア１の蓋体を蓋
開閉装置７によって取り外してキャリア１内のウエハＷ
を搬出可能にし、全てのウエハＷが搬出された後、再び
蓋開閉装置７によって蓋体を閉塞することができる。ま
た、キャリア待機部からウエハ受渡し部６に搬送された
空のキャリア１の蓋体を蓋開閉装置７によって取り外し
てキャリア１内へのウエハＷを搬入可能にし、全てのウ
エハＷが搬入された後、再び蓋開閉装置７によって蓋体
を閉塞することができる。なお、ウエハ受渡し部６の開
口部近傍には、キャリア１内に収納されたウエハＷの枚
数を検出するマッピングセンサ８が配設されている。

【００１９】上記インターフェース部４には、複数枚例
えば２５枚のウエハＷを水平状態に保持すると共に、ウ
エハ受渡し部６のキャリア１との間でウエハＷを受け渡
す水平搬送手段例えばウエハ搬送アーム９と、複数枚例
えば５０枚のウエハＷを所定間隔をおいて垂直状態に保
持する図示しないピッチチェンジャと、ウエハ搬送アー
ム９とピッチチェンジャとの間に位置して、複数枚例え
ば２５枚のウエハＷを水平状態と垂直状態とに変換する
姿勢変換手段例えば姿勢変換装置１０と、垂直状態に姿
勢変換されたウエハＷに設けられたノッチ（図示せず）
を検出する位置検出手段例えばノッチアライナ（図示せ
ず）が配設されている。また、インターフェース部４に
は、処理部３と連なる搬送路１６が設けられており、こ
の搬送路１にウエハ搬送手段例えばウエハ搬送チャック
１５が移動自在に配設されている。

【００２０】一方、上記処理部３には、ウエハＷに付着
するパーティクルや有機物汚染物を除去する第１の処理
ユニット１１と、ウエハＷに付着する金属汚染物を除去
する第２の処理ユニット１２と、ウエハＷに付着する化
学酸化膜を除去すると共に乾燥処理する洗浄・乾燥処理
ユニット１３及びチャック洗浄ユニット１４が直線状に
配列されており、第１及び第２の処理ユニット１１，１
２と洗浄乾燥処理ユニット１３にこの発明に係る洗浄処
理装置が用いられている。なお、各ユニット１１〜１４
と対向する位置に設けられた搬送路１６に、Ｘ，Ｙ方向
（水平方向）、Ｚ方向（垂直方向）及び回転（θ）可能
な上記ウエハ搬送チャック１５が配設されている。ま
た、搬送路路１６と反対側の各ユニット１１〜１４と対
向する位置には、薬液タンクや配管機器類を収容する収
容部１７が形成されている。

【００２１】次に、この発明に係る洗浄処理装置につい
て説明する。

【００２２】◎第一実施形態図２はこの発明に係る洗浄処理装置の第一実施形態を示
す概略断面図である。上記洗浄処理装置２０は、処理液
例えばフッ化水素酸（ＨＦ）の希釈液（ＤＨＦ）やリン
ス液例えば純水等を貯留すると共に、処理液あるいはリ
ンス液中に被処理体例えば半導体ウエハＷ（以下にウエ
ハという）を浸漬してその表面を洗浄する処理槽３０
と、この処理槽３０内に配設されて処理槽３０内に洗浄
液を供給する洗浄液供給手段例えば洗浄液供給ノズル３
２と、この洗浄液供給ノズル３２とリンス液供給源例え
ば純水供給源３１とを接続するリンス液供給管路例えば
純水供給管３３と、この純水供給管３３に、開閉手段例
えば切換開閉弁３４を介して接続される薬液供給管路例
えば薬液供給管３５を介して洗浄液供給ノズル３２に接
続される薬液液供給源例えばＨＦ供給タンク３６と、純
水供給管３３における純水供給源３１側に介設される加
熱手段例えばヒータ３７とを具備してなる。また、純水
供給管３３における純水供給源３１側には、流量調整開
閉弁３８が介設され、薬液供給管３５には、薬液供給手
段としてのポンプ３９が介設されている。また、処理槽
３０の底部に設けられた排出口４０に接続する排液管４
１には開閉手段例えば開閉バルブ４２が介設されてい
る。

【００２３】この場合、処理槽３０は、洗浄液を貯留す
る内槽３０ａと、この内槽３０ａの開口部の外方縁部を
覆う外槽３０ｂとで構成されており、外槽３０ｂの底部
に設けられた排出口４３に開閉バルブ４４を介設したド
レン管４５が接続されている。なお、処理槽３０内には
昇降可能なウエハボート２１が配設されている。このウ
エハボート２１は、上記ウエハ搬送チャック１５から受
け取った複数枚例えば５０枚のウエハＷを処理槽３０内
に搬送し、処理後のウエハＷを上方へ搬送して再びウエ
ハ搬送チャック１５に受け渡すように構成されている。
また、処理槽３０の上部外側には、処理槽３０の内槽３
０ａ内の純水の比抵抗を測定する比抵抗計２２が、バル
ブ２２ａを介設した導出管２２ｂを介して内槽３０ａに
接続されている。なお、この比抵抗計２２は、処理槽３
０内に薬液（例えばＤＨＦ）が供給されている場合に
は、バルブ２２ａが閉じられるようになっている。

【００２４】次に、上記のように構成される洗浄処理装
置２０による洗浄処理の手順について説明する。まず、
ヒータ３７を駆動し、流量調整開閉弁３８を開いて純水
供給源３１から処理槽３０内に純水を供給すると共に、
ポンプ３９を駆動して純水中に種定量のＨＦを注入混合
させて、所定温度例えば３１℃の処理液としてのＤＨＦ
を生成する。そして、ウエハＷをＤＨＦに浸漬して、ウ
エハＷ表面に付着する酸化膜や金属汚染物を除去（エッ
チング処理）して、ウエハＷ表面に付着する処理液を除
去する。

【００２５】所定時間、エッチング処理を行った後、ポ
ンプ３９の駆動を停止すると共に、ヒータ３７の駆動を
停止して、純水供給源３１から例えば２５℃の純水のみ
を処理槽３０内に供給し、ウエハＷをリンス処理する。

【００２６】このように、所定温度例えば３１℃のＤＨ
ＦによってウエハＷのエッチング処理を行った後、ＤＨ
Ｆの温度より低い温度例えば２５℃の純水を処理槽３０
内に供給すると、リンス開始と同時に処理槽３０内の温
度が低下するため、エッチング反応速度がリンス開始と
共に低下して、処理液によるエッチングの均一性を向上
させることができる。

【００２７】◎第二実施形態図３はこの発明に係る洗浄処理装置の第二実施形態を示
す概略断面図である。第二実施形態は、上記第一実施形
態の加熱手段であるヒータ３７に代えて冷却手段例えば
クーラ４７を純水供給管３３に介設した場合である。こ
の場合、クーラ４７は、例えば純水供給管３３を包囲す
るジャッケット４８に、冷媒例えば恒温液体を循環供給
する冷媒供給管４９を接続した構造とすることができ
る。

【００２８】なお、第二実施形態において、その他の部
分は上記第一実施形態と同じであるので、同一部分には
同一符号を付して、その説明は省略する。

【００２９】次に、第二実施形態の洗浄処理装置を用い
た洗浄処理の手順の一例について説明する。まず、クー
ラ４７を停止した状態で、流量調整開閉弁３８を開いて
純水供給源３１から処理槽３０内に純水を供給すると共
に、ポンプ３９を駆動して純水中に種定量のＨＦを注入
混合させて、処理液としてのＤＨＦを生成する。そし
て、ウエハＷをＤＨＦに浸漬して、ウエハＷ表面に付着
する酸化膜や金属汚染物を除去（エッチング処理）す
る。

【００３０】所定時間、エッチング処理を行った後、ポ
ンプ３９の駆動を停止すると共に、クーラ４７を駆動し
て、冷却された純水のみを処理槽３０内に供給し、ウエ
ハＷをリンス処理して、ウエハＷ表面に付着する処理液
を除去する。

【００３１】このように、ＤＨＦによってウエハＷのエ
ッチング処理を行った後、ＤＨＦの温度より低い温度の
純水を処理槽３０内に供給すると、リンス開始と同時に
処理槽３０内の温度が低下するため、エッチング反応速
度がリンス開始と共に低下して、処理液によるエッチン
グの均一性を向上させることができる。したがって、外
気温度が高い雰囲気で洗浄処理を行う場合においても、
エッチングの均一性の維持を図ることができる。

【００３２】◎第三実施形態図４はこの発明に係る洗浄処理装置の第三実施形態を示
す概略断面図である。第三実施形態は、上記純水供給管
３３に切換手段例えば切換弁５０を介して分岐管５１，
５２を接続し、一方の分岐管５１に加熱手段例えばヒー
タ３７を介設すると共に、他方の分岐管５２に冷却手段
例えばクーラ４７を介設した場合である。なお、第三実
施形態において、その他の部分は、上記第一実施形態及
び第二実施形態と同じであるので、同一部分には同一符
号を付して、その説明は省略する。

【００３３】上記のように構成することにより、例え
ば、洗浄処理の外気雰囲気が常温以下のときは、切換弁
５０をヒータ３７側の分岐管５１に切り換えると共に、
ヒータ３７を駆動することにより、処理液を生成する純
水を所定温度に暖めて処理槽３０側に供給して、洗浄処
理例えばエッチング処理を行うことができる。このよう
にして、エッチング処理を行った後、ヒータ３７の駆動
を停止すると共に、ポンプ３９の駆動を停止して、加熱
されてない純水のみを処理槽３０内に供給して、リンス
処理を行うことができる。

【００３４】また、洗浄処理の外気雰囲気が常温よりも
高い場合には、切換弁５０をクーラ４７側の分岐管５２
に切り換えて、クーラ３７を停止した状態で、処理液を
生成する純水を処理槽３０内に供給して、洗浄処理例え
ばエッチング処理を行うことができる。このようにし
て、エッチング処理を行った後、クーラ４７を駆動する
と共に、ポンプ３９の駆動を停止して、冷却された純水
のみを処理槽３０内に供給して、リンス処理を行うこと
ができる。

【００３５】上記のように、外気の温度雰囲気に応じて
処理液及び又はリンス液の温度を適宜調整する、すなわ
ち、外気の温度雰囲気が常温以下である場合には、処理
液の温度を高め、また、外気の温度雰囲気が常温以上で
ある場合にはリンス液の温度を下げるようにすることに
より、洗浄処理の外気雰囲気に関係なく、洗浄処理例え
ばエッチング処理を効率よく行うことができる。

【００３６】◎その他の実施形態上記実施形態では、この発明に係る洗浄処理装置が第２
の処理ユニット１２に適用される場合について説明した
が、第１の処理ユニット１１や洗浄・乾燥処理ユニット
１３にも適用できることは勿論である。また、処理液に
アンモニア過水を使用することにより、例えばテトラエ
トキシシラン（ＴＥＯＳ）のエッチング処理にも使用す
ることができる。

【００３７】また、上記実施形態では、この発明の洗浄
処理装置及び洗浄処理方法を半導体ウエハの洗浄処理シ
ステムに適用した場合について説明したが、半導体ウエ
ハ以外のＬＣＤ用ガラス基板等にも適用できることは勿
論である。

【００３８】

【実施例】以下に、洗浄処理（エッチング処理）時の処
理液の温度と、リンス処理時のリンス液温度とを、同じ
状態にした比較例と、処理液の温度に対してリンス液の
温度を低くした実施例とを比較したの実験例について説
明する。

【００３９】☆実験条件［比較例］・試料（ウエハ）１枚目、２５枚目、５０枚目・処理液：ＤＨＦ１：２００１５５ｓｅｃ・リンス液：純水２０ｌ（リットル）／ｍｉｎ
（分）・ショット数：６０ｃｃ／ｍｉｎ・ショット時間：１５５ｓｅｃ・処理液（ＤＨＦ）温度：３１．２℃ ・リンス液（純水）温度：３１．２℃ ［実施例］・試料（ウエハ）１枚目、２５枚目、５０枚目・処理液：ＤＨＦ１：２００１５５ｓｅｃ・リンス液：純水２０ｌ（リットル）／ｍｉｎ
（分）・ショット数：６０ｃｃ／ｍｉｎ・ショット時間：１５５ｓｅｃ・処理液（ＤＨＦ）温度：３１．２℃→２５℃（リンス
処理時温度）上記条件で、図５に示すウエハＷの１７の測定ポイント
について、エッチング特性を調べたところ、比較例では
表１に示す結果が得られ、実施例では表２に示す結果が
得られた。

【００４０】

【表１】

【表２】上記実験の結果、比較例では、エッチング量の平均が３
０．５１Å、最大エッチング量が３２．２９Å、最小エ
ッチング量が２９．５１Åであり、最大と最小の差（レ
ンジ）が２．７８Åとかなり大きかった。これに対し、
実施例では、エッチング量の平均が３０．７４Å、最大
エッチング量が３１．７０Å、最小エッチング量が２
９．９０Åであり、最大と最小の差（レンジ）が１．８
０Åと、３１℃の純水でリンス処理した比較例に比べて
差が少ない。したがって、エッチング処理時の処理液の
温度より低い温度のリンス液（純水）を用いてリンス処
理することにより、エッチングの均一性が図れることが
判った。

【００４１】

【発明の効果】以上に説明したように、この発明によれ
ば、処理槽内にて所定温度の処理液を被処理体に接触さ
せて洗浄処理を行った後、連続して処理槽内にて処理液
より温度の低いリンス液を被処理体に接触させること
で、リンス処理時に、処理液による処理反応を低下させ
ることができるで、処理反応（例えばエッチング反応）
を均一にすることができる。したがって、洗浄性能の向
上及び洗浄精度の向上を図ることができる。

【００４２】また、処理液として、薬液とリンス液を混
合した希釈液を使用することで、処理液とリンス液の温
度管理を容易にすることができると共に、配管系統を簡
略化することができ、かつ装置の小型化を図ることがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明に係る洗浄処理装置を適用した洗浄処
理システムの概略平面図である。

【図２】この発明に係る洗浄処理装置の第一実施形態を
示す概略断面図である。

【図３】この発明に係る洗浄処理装置の第二実施形態を
示す概略断面図である。

【図４】この発明に係る洗浄処理装置の第三実施形態を
示す概略断面図である。

【図５】エッチング特性の評価実験におけるウエハの測
定ポイントを示す説明図である。

【符号の説明】

Ｗ半導体ウエハ（被処理体）３０処理槽３１純水供給源３２洗浄液供給ノズル３３純水供給管（リンス液供給管路）３４切換開閉弁（開閉手段）３５薬液供給管（薬液供給管路）３６ＨＦ供給タンク薬液供給源３７ヒータ（加熱手段）４７クーラ（冷却手段）５０切換弁（切換手段）５１，５２分岐管

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】処理槽内にて所定温度の処理液に被処理
体を接触させて洗浄処理を行った後、連続して上記処理
槽内にて上記処理液の温度より低い温度のリンス液に上
記被処理体を接触させてリンス処理を行う、ことを特徴
とする洗浄処理方法。
【請求項２】請求項１記載の洗浄処理方法において、上記処理液が、薬液とリンス液の希釈液である、ことを
特徴とする洗浄処理方法。
【請求項３】被処理体を収容する処理槽と、上記処理
槽と薬液供給源とを接続する薬液供給管路と、上記処理
槽とリンス液供給源とを接続するリンス液供給管路と、
を具備し、薬液とリンス液を混合した処理液に上記被処
理体を接触させて洗浄処理を行った後、上記リンス液に
上記被処理体を接触させてリンス処理を行う洗浄処理装
置において、上記薬液供給管路と上記リンス液供給管路とを開閉手段
を介して接続し、上記リンス液供給管路に加熱手段を介
設してなり、上記洗浄処理時には、上記開閉手段により
上記薬液と、上記加熱手段により加熱された上記リンス
液が混合されて上記処理槽に供給される、ことを特徴と
する洗浄処理装置。
【請求項４】被処理体を収容する処理槽と、上記処理
槽と薬液供給源とを接続する薬液供給管路と、上記処理
槽とリンス液供給源とを接続するリンス液供給管路と、
を具備し、薬液とリンス液を混合した処理液に上記被処
理体を接触させて洗浄処理を行った後、上記リンス液に
上記被処理体を接触させてリンス処理を行う洗浄処理装
置において、上記薬液供給管路と上記リンス液供給管路とを開閉手段
を介して接続し、上記リンス液供給管路に冷却手段を介
設してなり、上記リンス処理時には、上記冷却手段によ
り冷却された上記リンス液が上記処理槽に供給される、
ことを特徴とする洗浄処理装置。
【請求項５】被処理体を収容する処理槽と、上記処理
槽と薬液供給源とを接続する薬液供給管路と、上記処理
槽とリンス液供給源とを接続するリンス液供給管路と、
を具備し、薬液とリンス液を混合した処理液に上記被処
理体を接触させて洗浄処理を行った後、上記リンス液に
上記被処理体を接触させてリンス処理を行う洗浄処理装
置において、上記薬液供給管路と上記リンス液供給管路とを開閉手段
を介して接続し、上記リンス液供給管路に切換手段を介
して分岐管を接続すると共に、各分岐管に、それぞれ加
熱手段又は冷却手段を介設してなる、ことを特徴とする
洗浄処理装置。