JPH11204476A - 洗浄処理装置及び洗浄処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 薬液とリンス液の供給系を簡素化すると共
に、薬液濃度を一定にして、洗浄性能の向上及び洗浄精
度の向上を図れるようにすること。 【解決手段】 半導体ウエハＷが浸漬される洗浄液を貯
留する処理槽３０と、互いに混合されて洗浄液を生成す
る薬液及びリンス液の供給系と、を具備する洗浄処理装
置において、薬液の供給系とリンス液の供給系とを別系
統に形成し、処理槽３０の底部にバブラ３３を配設する
と共に、このバブラ３３をＮ2ガス供給源４３に接続す
る。これにより、処理槽３０内に供給された薬液とリン
ス液をＮ2ガスのバブリングによって撹拌して、洗浄液
の濃度を一定にすることができ、薬液濃度を一定にした
状態で、半導体ウエハＷの洗浄処理を行うことができ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、例えば半導体ウ
エハやＬＣＤ用ガラス基板等の被処理体を薬液や純水等
の洗浄液に浸漬して洗浄する洗浄処理装置及び洗浄処理
方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】一般に、半導体製造装置の製造工程にお
いては、半導体ウエハやＬＣＤ用ガラス等の被処理体
（以下にウエハ等という）を例えばアンモニア水（ＮＨ
4ＯＨ）やフッ化水素酸（ＨＦ）等の薬液やリンス液
（例えば純水やオゾン水）等の洗浄液が貯留された洗浄
槽に順次浸漬して洗浄を行う洗浄処理方法が広く採用さ
れている。

【０００３】従来のこの種の洗浄処理装置として、同一
の処理槽内にリンス液（例えば純水，オゾン水）や、リ
ンス液に薬液（例えばＨＦ）を混入した希釈液｛例えば
希釈フッ化水素酸（ＤＨＦ）｝を順次貯留して、これら
リンス液、希釈液にウエハ等を浸漬して洗浄処理する、
いわゆるワンパス方式の装置が知られている。この洗浄
処理装置によれば、リンス液中に所定量の薬液を混入し
た希釈液（例えばＤＨＦ）を処理槽内に貯留し、この希
釈液（ＤＨＦ）中にウエハ等を浸漬して、ウエハ表面に
付着したパーティクルの除去や化学的，物理的に吸着し
たＮｉ，Ｃｒ等の重金属あるいは自然酸化膜等を除去す
ることができる。その後、処理槽内に供給されるリンス
液中にウエハを浸漬して、ウエハ表面に付着する薬液を
除去することができる。なお、この種の洗浄処理におい
て、洗浄液の薬液濃度を一定に調整することが洗浄性能
を高める上で好ましい。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
この種の洗浄処理装置においては、処理槽内にリンス液
（例えば純水）を供給する供給ラインに薬液（例えばＨ
Ｆ）を注入して、混合した希釈液（例えばＤＨＦ）を処
理槽へ供給する１系統の供給方式を採用するため、配管
系統が複雑となるばかりか、リンス液（純水）の流量が
変動すると、それに伴なって薬液濃度が変動してしま
い、洗浄性能及び洗浄精度が低下するという問題があっ
た。

【０００５】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、薬液とリンス液の供給系を簡素化すると共に、薬液
濃度を一定にして、洗浄性能の向上及び洗浄精度の向上
を図れるようにした洗浄処理装置及び洗浄処理方法を提
供することを目的とするものである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の洗浄処理装置は、被処理体が浸漬される
洗浄液を貯留する処理槽と、互いに混合されて上記洗浄
液を生成する薬液及びリンス液の供給系と、を具備する
洗浄処理装置において、 上記薬液の供給系とリンス液
の供給系とを別系統に形成し、 上記処理槽の底部に気
泡発生手段を配設すると共に、この気泡発生手段を不活
性ガス供給源に接続してなる、ことを特徴とする（請求
項１）。

【０００７】この発明の洗浄処理装置において、上記薬
液の供給系及びリンス液の供給系に、秤量手段を具備す
るか、あるいは、上記処理槽に秤量手段を具備する方が
好ましい（請求項２，３）。また、上記処理槽の上部に
薬液の供給部を配設し、処理槽の下部にリンス液の供給
部を配設する方が好ましい（請求項４）。

【０００８】また、この発明の洗浄処理方法は、被処理
体を、薬液とリンス液とを混合してなる洗浄液に浸漬し
て、洗浄処理する洗浄処理方法において、 処理槽内に
上記薬液とリンス液を所定量供給する工程と、 上記処
理槽内に供給された上記薬液とリンス液とを不活性ガス
のバブリングによって撹拌する工程と、 上記薬液とリ
ンス液が撹拌された洗浄液中に上記被処理体を浸漬する
工程と、を有することを特徴とする（請求項５）。

【０００９】また、この発明の洗浄処理方法は、被処理
体を、薬液とリンス液とを混合してなる洗浄液に浸漬し
て、洗浄処理する洗浄処理方法において、 処理槽内に
上記リンス液を所定量供給する工程と、 上記処理槽内
に上記薬液を所定量供給する工程と、 上記処理槽内に
供給された上記薬液とリンス液とを不活性ガスのバブリ
ングによって撹拌する工程と、 上記薬液とリンス液が
撹拌された洗浄液中に上記被処理体を浸漬する工程と、
上記洗浄液を上記リンス液に置換すると共に、リンス
液中に上記被処理体を浸漬する工程と、を有することを
特徴とする（請求項６）。この場合、上記リンス液を、
上記処理槽内にて秤量してもよい（請求項７）。

【００１０】この発明の洗浄処理方法において、上記処
理槽の上部から薬液を供給すると共に、処理槽の下部か
らリンス液を供給し、かつ上記処理槽の底部から不活性
ガスをバブリングする方が好ましい（請求項８）。

【００１１】この発明によれば、処理槽内に薬液とリン
ス液とを別系統から供給し、処理槽内に薬液とリンス液
との混合液（洗浄液）が貯留された状態で、気泡発生手
段から不活性ガス例えば窒素（Ｎ2）ガスあるいはアル
ゴン（Ａｒ）ガス等の気泡を供給してバブリングするこ
とにより、薬液とリンス液とを撹拌することができるの
で、薬液濃度を一定にすることができる。そして、所定
濃度に設定された洗浄液中に被処理体を浸漬して洗浄処
理を行うことができる（請求項１，５）。また、洗浄液
中に被処理体を浸漬して洗浄処理を行った後、洗浄液を
上記リンス液に置換すると共に、リンス液中に上記被処
理体を浸漬することにより、洗浄処理により被処理体に
付着した薬液を除去することができる（請求項６）。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下に、この発明の実施の形態を
図面に基づいて詳細に説明する。この実施形態では半導
体ウエハの洗浄処理システムに適用した場合について説
明する。

【００１３】図１はこの発明に係る洗浄処理装置を適用
した洗浄処理システムの一例を示す概略平面図である。

【００１４】上記洗浄処理システムは、被処理体である
半導体ウエハＷ（以下にウエハという）を水平状態に収
納する容器例えばキャリア１を搬入、搬出するための搬
入・搬出部２と、ウエハＷを薬液、洗浄液等の液処理す
ると共に乾燥処理する処理部３と、搬入・搬出部２と処
理部３との間に位置してウエハＷの受渡し、位置調整及
び姿勢変換等を行うインターフェース部４とで主に構成
されている。

【００１５】上記搬入・搬出部２は、洗浄処理システム
の一側端部に併設して設けられる搬入部５と搬出部６と
で構成されている。また、搬入部５は、上部搬送機構７
からキャリア１を受け取る受取り部５ａと、この受取り
部５ａから水平に搬送されるキャリア１を載置する受渡
し部５ｂとからなり、受渡し部５ｂには、キャリア１を
上部位置とインターフェース部４の搬入口（図示せず）
との間で搬送するキャリアリフタ７が配設されている。
また、搬出部６には、キャリア１をインターフェース部
４の搬出口（図示せず）と上部との間で搬送するキャリ
アリフタ７が配設され、これらキャリアリフタ７によっ
て搬入部５間又は搬出部６間でのキャリア１の搬送を行
うことができると共に、空のキャリア１をインターフェ
ース部４の上方に設けられたキャリア待機部（図示せ
ず）への受け渡し及びキャリア待機部からの受け取りを
行うことができるように構成されている。

【００１６】上記インターフェース部４は、区画壁４ｃ
によって区画される搬入・搬出部２に隣接する第１の室
４ａと、処理部３に隣接する第２の室４ｂとで構成され
ている。そして、第１の室４ａ内には、搬入部５（具体
的には受渡し部５ｂ）のキャリア１から複数枚のウエハ
Ｗを取り出して搬送する水平方向（Ｘ，Ｙ方向），垂直
方向（Ｚ方向）及び回転（θ方向）可能なウエハ取出し
アーム８と、ウエハＷに設けられたノッチを揃えるノッ
チアライナー９と、ウエハ取出しアーム８によって取り
出された複数枚のウエハＷの間隔を調整する間隔調整機
構（図示せず）を具備すると共に、水平状態のウエハＷ
を垂直状態に変換する第１の姿勢変換装置１０が配設さ
れている。

【００１７】また、第２の室４ｂ内には、処理済みの複
数枚例えば５０枚のウエハＷを処理部３から垂直状態の
まま搬送する後述するウエハ搬送手段例えばウエハ搬送
チャック２０から受け取ったウエハＷを垂直状態から水
平状態に変換する第２の姿勢変換装置１１と、この第２
の姿勢変換装置１１によって水平状態に変換された複数
枚のウエハＷを受け取ってウエハ受取り部１２に搬送さ
れた空のキャリア１内に収納する水平方向，垂直方向及
び回転（θ方向）可能なウエハ収納アーム１３が配設さ
れている。

【００１８】一方、上記処理部３には、ウエハＷに付着
するパーティクルや有機物汚染を除去する第１の処理ユ
ニット１４と、ウエハＷに付着する金属汚染を除去する
第２の処理ユニット１５と、ウエハＷに付着する酸化膜
を除去する第３の処理ユニット１６及びチャック洗浄ユ
ニット１７が直線状に配列されている。なお、第３の処
理ユニット１６の上方には乾燥処理ユニット１８が配設
されている。なおこの場合、第３の処理ユニット１６に
この発明に係る洗浄処理装置が適用されている。また、
これら各ユニット１４〜１７と対向する位置から上記イ
ンターフェース部４に延在して設けられた搬送路１９
に、Ｘ，Ｙ方向（水平方向）、Ｚ方向（垂直方向）及び
回転（θ）可能なウエハ搬送手段例えばウエハ搬送チャ
ック２０が配設されている。

【００１９】次に、この発明に係る洗浄処理装置につい
て説明する。 ◎第一実施形態 図２はこの発明に係る洗浄処理装置の第一実施形態を示
す概略断面図である。上記洗浄処理装置１６は、薬液例
えばフッ化水素酸（ＨＦ）の希釈液（ＤＨＦ）やリンス
液例えば純水，オゾン水等の洗浄液を貯留すると共に洗
浄液中に被処理体例えば半導体ウエハＷ（以下にウエハ
という）を浸漬してその表面を洗浄する処理槽３０と、
この処理槽３０の上部に配設されて、処理槽３０内に薬
液（ＨＦ）を供給する薬液供給部３１と、処理槽の下部
に配設されて、処理槽内にリンス液（純水）を供給する
リンス液供給部例えば純水供給ノズル３２と、処理槽３
０の底部に配設されて、処理槽３０内に貯留された薬液
（ＨＦ）とリンス液（純水）の混合液（洗浄液；ＤＨ
Ｆ）に気泡を供給して撹拌する気泡発生手段例えばバブ
ラ３３とを具備してなる。

【００２０】この場合、処理槽３０は、洗浄液を貯留す
る内槽３０ａと、この内槽３０ａの開口部の外方縁部を
包囲する外槽３０ｂとで構成されており、内槽３０ａの
底部に設けられた排出口３４に開閉バルブ３５ａを介設
したドレン管３５が接続され、また外槽３０ｂの底部に
設けられた排出口３６に開閉バルブ３７ａ介設したドレ
ン管３７が接続されている。

【００２１】また、上記薬液供給部３１は、秤量手段例
えば積算流量計付バルブ３８ａを介設する薬液供給管３
８を介して薬液供給源例えばＨＦ供給源３９に接続され
ている。また、上記純水供給ノズル３２は、内槽３０ａ
の底部の両側に配設されており、それぞれ秤量手段例え
ば積算流量計付バルブ４０ａを介設した純水供給管４０
を介してリンス液供給源例えば純水供給源４１に接続さ
れている。また、上記バブラ３３は、内槽３０ａの底部
の両側に配設される、例えば２本のパイプに多数の小孔
（図示せず）を穿設した構造となっており、これらバブ
ラ３３は開閉バルブ４２ａを介設した不活性ガス供給管
４２を介して不活性ガス供給源例えばＮ2ガス供給源４
３に接続されている。

【００２２】なお、処理槽３０内には昇降可能なウエハ
ボート２１が配設されている。このウエハボート２１
は、上記ウエハ搬送チャック２０から受け取った複数枚
例えば５０枚のウエハＷを処理槽３０内に搬送し、処理
後のウエハＷを上方へ搬送して再びウエハ搬送チャック
２０に受け渡すように構成されている。また、処理槽３
０の上部外側には、処理槽３０の内槽３０ａ内の純水の
比抵抗を測定する比抵抗計２２が、バルブ２２ａを介設
した導出管２２ｂを介して内槽３０ａに接続されてい
る。なお、この比抵抗計２２は、処理槽３０内に薬液
（例えばＤＨＦ）が供給されている場合には、バルブ２
２ａが閉じられるようになっている。

【００２３】次に、上記のように構成される洗浄処理装
置１６による洗浄処理の手順について図３を参照して説
明する。

【００２４】まず、薬液供給管３８に介設された積算
流量計付バルブ３８ａ及び純水供給管４０に介設された
積算流量計付バルブ４０ａを開放して、処理槽３０の内
槽３０ａ内に薬液（ＨＦ）とリンス液（純水）を所定量
供給する｛薬液・リンス液供給工程（図３（ａ）参
照）｝。

【００２５】次に、薬液（ＨＦ）とリンス液（純水）
の混合液（洗浄液；ＤＨＦ）が内槽３０ａ内に充満（貯
留）されたのを確認して上記積算流量計付バルブ３８
ａ，４０ａを閉じて、ＨＦ及び純水の供給を停止する。
これと同時に、不活性ガス供給管４２に介設された開閉
バルブ４２ａを開放し、Ｎ2ガス供給源４３からバブラ
３３にＮ2ガスを供給して、内槽３０ａに貯留されたＨ
Ｆと純水とをＮ2ガスのバブリングによって撹拌して、
所定濃度に希釈された洗浄液（ＤＨＦ）を生成する｛撹
拌工程（図３（ｂ）｝。

【００２６】次に、ウエハボート２１によって保持さ
れた複数枚例えば５０枚のウエハＷを洗浄液中に浸漬す
る。この状態では、処理槽３０内の洗浄液は所定の濃度
となるので、ウエハＷは安定した状態で薬液処理され
て、ウエハＷ表面に付着するパーティクルが除去される
と共に、酸化膜が除去される｛薬液洗浄工程（図３（ｃ
参照）｝。なお、内槽３０ａからオーバーフローした洗
浄液は外槽３０ｂの排出口３６及びドレン管３７を介し
て排出される。

【００２７】所定時間薬液処理を行った後、純水供給
管４０に介設された積算流量計付バルブ４０ａを開放し
て、純水供給源４１から純水を処理槽３０の内槽３０ａ
内に供給して、洗浄液（ＤＨＦ）を純水に置換すると共
に、純水中にウエハＷを浸漬して、ウエハＷに付着した
薬液を除去する｛純水洗浄工程（図３（ｄ）参照）｝。
なお、内槽３０ａからオーバーフローした洗浄液及び純
水は外槽３０ｂの排出口３６及びドレン管３７を介して
排出される。

【００２８】上記のようにして洗浄処理を終了した後、
上記積算流量計付バルブ４０ａを閉じると共に、ウエハ
ボート２１を上昇させてウエハＷを処理槽３０から搬出
し、開閉バルブ３５ａを開放して内槽３０ａ内の純水を
排出するか、あるいは開閉バルブ３５ａを閉じたままに
して内槽３０ａ内に純水を貯留しておく。

【００２９】◎第二実施形態 図４はこの発明に係る洗浄処理装置の第二実施形態を示
す概略断面図である。第二実施形態は、上記第一実施形
態における薬液の供給系及びリンス液（純水）の供給系
における秤量手段を、上記積載流量計付バルブ３８ａ，
４０ａに代えて、別の手段にて形成した場合である。す
なわち、上記薬液供給管３８に定量ポンプ３８ｂを介設
して、薬液（ＨＦ）の所定量を供給可能にし、また、上
記純水供給管４０に定量ポンプ４０ｂを介設して、純水
の所定量を供給可能にした場合である。なおこの場合、
薬液供給管３８の薬液（ＨＦ）供給源側に開閉バルブ３
８ｃが介設され、また、純水供給管４０のリンス液（純
水）供給源側に開閉バルブ４０ｃが介設されている。な
お、第二実施形態において、その他の部分は上記第一実
施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付し
て、説明は省略する。

【００３０】◎その他の実施形態 （１）上記実施形態では、薬液（ＨＦ）の供給系及びリ
ンス液（純水）の供給系に設けられる秤量手段が、積載
流量計付バルブ３８ａ，４０ａである場合、又は、定量
ポンプ３８ｂ，４０ｂである場合について説明したが、
秤量手段は、必ずしも積載流量計付バルブ３８ａ，４０
ａ、又は、定量ポンプ３８ｂ，４０ｂに限られるもので
はなく、別の手段としてもよい。例えば、図５に示すよ
うに、薬液（ＨＦ）供給源３９及びリンス液（純水）供
給源４１を、外方側に静電容量センサ５０を適宜間隔を
おいて配設した秤量タンク３９Ａ，４１Ａにて形成して
もよい。なお、秤量用の静電容量センサ５０の上方及び
下方にそれぞれ上限検出センサ５１、下限検出センサ５
２が配設されている。

【００３１】また、別の秤量手段として、図６に示すよ
うに、上記処理槽３０の内槽３０ａの側壁外方側に配設
される静電容量センサ６０にて形成してもよい。このよ
うに、内槽３０ａの外方側に静電容量センサ６０を配設
することにより、特に、純水洗浄工程において、処理槽
３０にてリンス液（純水）を秤量することができる。

【００３２】なお、図５及び図６において、その他の部
分は上記第一実施形態及び第二実施形態と同じであるの
で、同一部分には同一符号を付して、説明は省略する。

【００３３】（２）上記実施形態では、リンス液（純
水）を処理槽３０の下方から供給する場合について説明
したが、リンス液（純水）を処理槽３０の上方から供給
するようにしてもよい。例えば、図７に示すように、処
理槽３０の内槽３０ａの上方に開口する純水供給管４０
Ａに秤量手段例えば積載流量計付バルブ４０ａを介設し
て純水供給源４１に接続して、処理槽３０の上方から純
水を供給するようにしてもよい。

【００３４】なお、図７において、その他の部分は上記
第一実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号
を付して、説明は省略する。

【００３５】（３）上記実施形態では、この発明の洗浄
処理装置が第３の処理ユニット１６に適用される場合に
ついて説明したが、第１及び第２の処理ユニット１４，
１５にも適用できることは勿論である。

【００３６】（４）また、上記実施形態では、この発明
の洗浄処理装置及び洗浄処理方法を半導体ウエハの洗浄
処理システムに適用した場合について説明したが、半導
体ウエハ以外のＬＣＤ用ガラス基板等にも適用できるこ
とは勿論である。

【００３７】

【発明の効果】以上に説明したように、この発明によれ
ば、処理槽内に薬液とリンス液とを別系統から供給し、
処理槽内に薬液とリンス液との混合液（洗浄液）が貯留
された状態で、気泡発生手段から不活性ガス例えば窒素
（Ｎ2）ガスあるいはアルゴン（Ａｒ）ガス等の気泡を
供給してバブリングすることにより、薬液とリンス液と
を撹拌することができるので、薬液濃度を一定にした状
態で、洗浄液中に被処理体を浸漬して洗浄処理を行うこ
とができる（請求項１，５）。したがって、配管系統を
簡素化することができると共に、洗浄性能及び洗浄精度
の向上を図ることができる。

【００３８】また、洗浄液中に被処理体を浸漬して洗浄
処理を行った後、洗浄液をリンス液に置換すると共に、
リンス液中に被処理体を浸漬することにより、洗浄処理
により被処理体に付着した薬液を除去することができる
（請求項１，６）。したがって、更に洗浄性能及び洗浄
精度の向上を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明に係る洗浄処理装置を適用した洗浄処
理システムの概略平面図である。

【図２】この発明に係る洗浄処理装置の第一実施形態を
示す概略断面図である。

【図３】この発明の洗浄工程の手順を示す概略断面図で
ある。

【図４】この発明に係る洗浄処理装置の第二実施形態を
示す概略断面図である。

【図５】この発明に係る洗浄処理装置の第三実施形態を
示す概略断面図である。

【図６】この発明に係る洗浄処理装置の第四実施形態を
示す概略断面図である。

【図７】この発明に係る洗浄処理装置の第五実施形態を
示す概略断面図である。

【符号の説明】

Ｗ 半導体ウエハ（被処理体） ３０ 処理槽 ３１ 薬液供給部 ３２ 純水供給ノズル ３３ バブラ（気泡発生手段） ３８ 薬液供給管 ３８ａ 積載流量計付バルブ（秤量手段） ３８ｂ 定量ポンプ（秤量手段） ３９ ＨＦ供給源（薬液供給源） ３９Ａ 秤量タンク（秤量手段） ４０，４０Ａ 純水供給管（リンス液供給管） ４０ａ 積載流量計付バルブ（秤量手段） ４０ｂ 定量ポンプ（秤量手段） ４１ 純水供給源（リンス液供給源） ４１Ａ 秤量タンク（秤量手段） ４２ 不活性ガス供給管 ４２ａ 開閉バルブ ４３ Ｎ2ガス供給源（不活性ガス供給源） ５０ 静電容量センサ（秤量手段） ６０ 静電容量センサ（秤量手段）

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被処理体が浸漬される洗浄液を貯留する
   処理槽と、互いに混合されて上記洗浄液を生成する薬液
   及びリンス液の供給系と、を具備する洗浄処理装置にお
   いて、 上記薬液の供給系とリンス液の供給系とを別系統に形成
   し、 上記処理槽の底部に気泡発生手段を配設すると共に、こ
   の気泡発生手段を不活性ガス供給源に接続してなる、こ
   とを特徴とする洗浄処理装置。
2. 【請求項２】 請求項１記載の洗浄処理装置において、 上記薬液の供給系及びリンス液の供給系に、秤量手段を
   具備する、ことを特徴とする洗浄処理装置。
3. 【請求項３】 請求項１記載の洗浄処理装置において、 上記処理槽に、秤量手段を具備する、ことを特徴とする
   洗浄処理装置。
4. 【請求項４】 請求項１ないし３のいずれかに記載の洗
   浄処理装置において、 上記処理槽の上部に薬液の供給部を配設し、処理槽の下
   部にリンス液の供給部を配設してなる、ことを特徴とす
   る洗浄処理装置。
5. 【請求項５】 被処理体を、薬液とリンス液とを混合し
   てなる洗浄液に浸漬して、洗浄処理する洗浄処理方法に
   おいて、 処理槽内に上記薬液とリンス液を所定量供給する工程
   と、 上記処理槽内に供給された上記薬液とリンス液とを不活
   性ガスのバブリングによって撹拌する工程と、 上記薬液とリンス液が撹拌された洗浄液中に上記被処理
   体を浸漬する工程と、を有することを特徴とする洗浄処
   理方法。
6. 【請求項６】 被処理体を、薬液とリンス液とを混合し
   てなる洗浄液に浸漬して、洗浄処理する洗浄処理方法に
   おいて、 処理槽内に上記リンス液を所定量供給する工程と、 上記処理槽内に上記薬液を所定量供給する工程と、 上記処理槽内に供給された上記薬液とリンス液とを不活
   性ガスのバブリングによって撹拌する工程と、 上記薬液とリンス液が撹拌された洗浄液中に上記被処理
   体を浸漬する工程と、 上記洗浄液を上記リンス液に置換すると共に、リンス液
   中に上記被処理体を浸漬する工程と、を有することを特
   徴とする洗浄処理方法。
7. 【請求項７】 請求項６記載の洗浄処理方法において、 上記リンス液を、上記処理槽内にて秤量する、ことを特
   徴とする洗浄処理方法。
8. 【請求項８】 請求項５又は６記載の洗浄処理方法にお
   いて、 上記処理槽の上部から薬液を供給すると共に、処理槽の
   下部からリンス液を供給し、かつ上記処理槽の底部から
   不活性ガスをバブリングする、ことを特徴とする洗浄処
   理方法。