JPH11243074A - 洗浄処理方法及び洗浄処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 洗浄液の流量を安定させると共に、洗浄液の
濃度を一定にして、洗浄性能の向上を図れるようにする
こと。 【解決手段】 半導体ウエハＷを収容する処理槽３０
と、処理槽３０内に洗浄液を供給する洗浄液供給ノズル
３２と、洗浄液供給ノズル３２に洗浄液供給管３３を介
して接続される純水供給源３１と、洗浄液供給管３３に
開閉バルブＶ3を介して接続される薬液供給源３５と、
を具備し、洗浄液供給管３３の純水供給源３１側に、流
量（圧力）コントローラ３６を介設し、流量（圧力）コ
ントローラ３６の流出側に、流量調整開閉バルブＶ21を
介設すると共に、この開閉バルブＶ1と流量（圧力）コ
ントローラ３６との間に、開閉バルブＶ5を介してダミ
ーフロー用の排出管４１を接続する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、例えば半導体ウ
エハやＬＣＤ用ガラス基板等の被処理体を薬液や純水等
の洗浄液に浸漬して洗浄する洗浄処理方法及び洗浄処理
装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】一般に、半導体製造装置の製造工程にお
いては、半導体ウエハやＬＣＤ用ガラス等の被処理体
（以下にウエハ等という）を例えばアンモニア水（ＮＨ
4ＯＨ）やフッ化水素酸（ＨＦ）等の薬液やリンス液
（例えば純水やオゾン水）等の洗浄液が貯留された洗浄
槽に順次浸漬して洗浄を行う洗浄処理方法が広く採用さ
れている。

【０００３】従来のこの種の洗浄処理装置として、同一
の処理槽内にリンス液（例えば純水，オゾン水）や、リ
ンス液に薬液（例えばＨＦ）を混入した希釈液｛例えば
希釈フッ化水素酸（ＤＨＦ）｝を順次貯留して、これら
リンス液、希釈液にウエハ等を浸漬して洗浄処理する、
いわゆるワンパス方式の装置が知られている。この洗浄
処理装置によれば、リンス液中に所定量の薬液を混入し
た希釈液（例えばＤＨＦ）を処理槽内に貯留し、この希
釈液（ＤＨＦ）中にウエハ等を浸漬して、ウエハ表面に
付着したパーティクルの除去や化学的，物理的に吸着し
たＮｉ，Ｃｒ等の重金属あるいは自然酸化膜等を除去す
ることができる。その後、処理槽内に供給されるリンス
液中にウエハを浸漬して、ウエハ表面に付着する薬液を
除去することができる。

【０００４】この種の洗浄処理において、洗浄液の薬液
濃度を一定に調整することが洗浄性能を高める上で好ま
しい。また、望ましくは洗浄液の温度を一定に維持する
ことで、洗浄精度を高めることができる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
この種の洗浄処理においては、処理槽内に洗浄液例えば
ＨＦを混入して希釈液として供給されるリンス液（例え
ば純水）を供給する初期状態において、リンス液の流量
が不安定となるため、薬液濃度のバランスが崩れた状態
であった。したがって、薬液濃度の不安定な状態でウエ
ハ等の洗浄処理が行われるため、例えば純水の流量が少
ないにもかかわらず薬液（例えばＨＦ）が所定量供給さ
れると、濃度の高い洗浄液（ＤＨＦ）が処理槽内に供給
されてしまい、そのため洗浄処理が不均一なものとな
り、洗浄性能が低下するという問題があった。

【０００６】また、洗浄液の供給開始時には、上述した
ようにリンス液の流量が不安定となるため、温度調整の
初期安定性も悪くなり、洗浄精度が低下するという問題
もあった。

【０００７】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、洗浄液の供給開始時の流量を安定させることによ
り、薬液濃度を一定にし、また洗浄液の温度を一定にし
て、洗浄性能の向上及び洗浄精度の向上を図れるように
した洗浄処理方法及び洗浄処理装置を提供することを目
的とするものである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１記載の洗浄処理方法は、処理槽内に供給さ
れる洗浄液に被処理体を接触させて洗浄処理する洗浄処
理方法において、 上記被処理体の処理を開始する前
に、上記供給される洗浄液が所定流量に達するまで洗浄
液を流出し、洗浄液が所定流量に達した時点で、上記洗
浄液を上記処理槽内に供給するようにした、ことを特徴
とする。

【０００９】また、請求項２記載の洗浄処理方法は、処
理槽内に供給される洗浄液に被処理体を接触させて洗浄
処理する洗浄処理方法において、 上記被処理体の処理
を開始する前に、上記供給される洗浄液が所定流量及び
所定温度に達するまで洗浄液を流出及び温度調整し、洗
浄液が所定流量及び所定温度に達した時点で、上記洗浄
液を上記処理槽内に供給するようにした、ことを特徴と
する。

【００１０】また、請求項３記載の発明は、請求項１又
は２記載の洗浄処理方法において、上記洗浄液が、リン
ス処理に供されるリンス液に薬液を混入した希釈液であ
り、被処理体の処理を開始する前に流出される洗浄液
を、上記薬液の混入前のリンス液とした、ことを特徴と
する。この場合、上記リンス液として、例えば純水，オ
ゾン水又はイオン水のいずれかを使用することができる
（請求項４）。

【００１１】上記請求項１ないし３のいずれかに記載の
洗浄処理方法において、上記洗浄液が所定流量に達する
まで、洗浄液の処理槽への供給系と別系統の配管系に洗
浄液を流出してもよく（請求項５）、あるいは、上記洗
浄液が所定流量に達するまで、処理槽を介して洗浄液を
流出してもよい（請求項６）。

【００１２】請求項７記載の洗浄処理装置は、被処理体
を収容する処理槽と、上記処理槽内に洗浄液を供給する
供給手段と、上記供給手段に供給管を介して接続される
第１の洗浄液供給源と、上記供給管に開閉手段を介して
接続される第２の洗浄液供給源と、を具備する洗浄処理
装置において、 上記供給管の上記第１の洗浄液供給源
側に、流量制御手段を介設し、この流量制御手段の流出
側に、開閉手段を介設すると共に、この開閉手段と流量
制御手段との間に、開閉手段を介して排出管を接続して
なる、ことを特徴とする。

【００１３】また、請求項８記載の洗浄処理装置は、被
処理体を収容する処理槽と、上記処理槽内に洗浄液を供
給する供給手段と、上記供給手段に供給管を介して接続
される第１の洗浄液供給源と、上記供給管に開閉手段を
介して接続される第２の洗浄液供給源と、を具備する洗
浄処理装置において、 上記供給管の上記第１の洗浄液
供給源側に、流量制御手段と温度制御手段を介設すると
共に、流量制御手段の流出側に開閉手段を介設してな
る、ことを特徴とする。

【００１４】また、請求項９記載の洗浄処理装置は、被
処理体を収容する処理槽と、上記処理槽内に洗浄液を供
給する供給手段と、上記供給手段に供給管を介して接続
される第１の洗浄液供給源と、上記供給管に開閉手段を
介して接続される第２の洗浄液供給源と、を具備する洗
浄処理装置において、 上記供給管の上記第１の洗浄液
供給源側に、流量制御手段と温度制御手段を介設し、
上記流量制御手段及び温度制御手段の流出側に、開閉手
段を介設すると共に、この開閉手段と、上記流量制御手
段及び温度制御手段との間に、開閉手段を介して排出管
を接続してなる、ことを特徴とする。

【００１５】また、請求項１０記載の洗浄処理装置は、
被処理体を収容する処理槽と、上記処理槽内に洗浄液を
供給する供給手段と、上記供給手段に供給管を介して接
続される第１の洗浄液供給源と、上記供給管に開閉手段
を介して接続される第２の洗浄液供給源と、を具備する
洗浄処理装置において、 上記供給管の上記第１の洗浄
液供給源側に、流量制御手段とオゾン水生成手段を介設
すると共に、流量制御手段の流出側に開閉手段を介設し
てなる、ことを特徴とする。

【００１６】また、請求項１１記載の洗浄処理装置は、
請求項１０記載の洗浄処理装置において、上記開閉手段
と、上記流量制御手段及びオゾン水生成手段との間に、
開閉手段を介設して排出管を接続してなる、ことを特徴
とする。

【００１７】また、請求項１２記載の洗浄処理装置は、
被処理体を収容する処理槽と、上記処理槽内に洗浄液を
供給する供給手段と、上記供給手段に供給管を介して接
続される第１の洗浄液供給源と、上記供給管に開閉手段
を介して接続される第２の洗浄液供給源と、を具備する
洗浄処理装置において、 上記供給管の上記第１の洗浄
液供給源側に、流量制御手段と温度制御手段及びオゾン
水生成手段を介設し、上記流量制御手段、温度制御手段
及びオゾン水生成手段の流出側に、開閉手段を介設する
と共に、この開閉手段と、上記流量制御手段、温度制御
手段及びオゾン水生成手段との間に、開閉手段を介して
排出管を接続してなる、ことを特徴とする。

【００１８】この場合、上記供給管における第１の洗浄
液供給源と開閉手段との間に、補助開閉手段を介設する
補助供給管を介して上記第１の洗浄液と同質の洗浄液の
補助洗浄液供給源を接続するようにしてもよい（請求項
１３）。この場合、好ましくは、上記補助供給管の上記
補助洗浄液供給源側に、温度制御手段を介設する方がよ
い（請求項１４）。

【００１９】また、請求項１５記載の洗浄処理装置は、
被処理体を収容する処理槽と、上記処理槽内に洗浄液を
供給する供給手段と、上記供給手段に供給管を介して接
続される第１の洗浄液供給源と、上記供給管に開閉手段
を介して接続される第２の洗浄液供給源と、を具備する
洗浄処理装置において、 上記供給管の上記第１の洗浄
液供給源側に、流量制御手段を介設し、 上記供給管に
おける上記流量制御手段の流出側の適宜箇所にイオン水
生成手段を介設してなる、ことを特徴とする。

【００２０】また、請求項１６記載の洗浄処理装置は、
請求項１５記載の洗浄処理装置において、上記流量制御
手段の流出側に、開閉手段を介設すると共に、この開閉
手段と流量制御手段との間に、開閉手段を介して排出管
を接続してなる、ことを特徴とする。

【００２１】また、請求項１７記載の洗浄処理装置は、
被処理体を収容する処理槽と、上記処理槽内に洗浄液を
供給する供給手段と、上記供給手段に供給管を介して接
続される第１の洗浄液供給源と、上記供給管に開閉手段
を介して接続される第２の洗浄液供給源と、を具備する
洗浄処理装置において、 上記供給管の上記第１の洗浄
液供給源側に、流量制御手段と温度制御手段を介設する
と共に、流量制御手段の流出側に開閉手段を介設し、
上記供給管における上記流量制御手段の流出側の適宜箇
所に、イオン水生成手段を介設してなる、ことを特徴と
する。

【００２２】また、請求項１８記載の洗浄処理装置は、
請求項１７記載の洗浄処理装置において、上記開閉手段
と、上記流量制御手段及び温度制御手段との間に、開閉
手段を介して排出管を接続してなる、ことを特徴とす
る。

【００２３】上記請求項７ないし１８のいずれかに記載
の洗浄処理装置において、上記流量制御手段の流出側に
介設される開閉手段を、流量調整可能に形成する方が好
ましい（請求項１９）。また、上記請求項８，９，１
２，１３，１４又は１７記載の洗浄処理装置において、
上記供給管における温度制御手段の流出側に、温度検出
手段を配設し、この温度検出手段からの検出信号に基づ
いて温度制御手段を制御動作させる方が好ましい（請求
項２０）。

【００２４】請求項１，３〜７，１０，１１，１５，１
６又は１９記載の発明によれば、被処理体の処理を開始
する前に、洗浄液が所定流量に達するまで洗浄液を流出
し、洗浄液が所定流量に達した時点で、被処理体を洗浄
液に接触させることにより、洗浄液（例えばリンス液と
薬液を混合した希釈液）の濃度を一定にすることができ
る。したがって、洗浄性能を安定させると共に、洗浄性
能の向上を図ることができる。

【００２５】また、請求項２，８，９，１２，１３，１
４，１７，１８又は２０記載の発明によれば、被処理体
の処理を開始する前に、洗浄液が所定流量及び所定温度
に達するまで洗浄液を流出及び温度調整し、洗浄液が所
定流量及び所定温度に達した時点で、被処理体を洗浄液
に接触させることにより、洗浄液（例えばリンス液と薬
液を混合した希釈液）の濃度を一定にすることができる
と共に、この洗浄液の温度調整の初期安定化が図れる。
したがって、洗浄性能を安定させると共に、洗浄性能の
向上及び洗浄精度の向上を図ることができる。

【００２６】

【発明の実施の形態】以下に、この発明の実施の形態を
図面に基づいて詳細に説明する。この実施形態では半導
体ウエハの洗浄処理システムに適用した場合について説
明する。

【００２７】図１はこの発明に係る洗浄処理装置を適用
した洗浄処理システムの一例を示す概略平面図である。

【００２８】上記洗浄処理システムは、被処理体である
半導体ウエハＷ（以下にウエハという）を水平状態に収
納する容器例えばキャリア１を搬入、搬出するための搬
入・搬出部２と、ウエハＷを薬液、洗浄液等の液処理す
ると共に乾燥処理する処理部３と、搬入・搬出部２と処
理部３との間に位置してウエハＷの受渡し、位置調整及
び姿勢変換等を行うインターフェース部４とで主に構成
されている。

【００２９】上記搬入・搬出部２は、洗浄処理システム
の一側端部に併設して設けられる搬入部５と搬出部６と
で構成されている。また、搬入部５は、上部搬送機構７
からキャリア１を受け取る受取り部５ａと、この受取り
部５ａから水平に搬送されるキャリア１を載置する受渡
し部５ｂとからなり、受渡し部５ｂには、キャリア１を
上部位置とインターフェース部４の搬入口（図示せず）
との間で搬送するキャリアリフタ７が配設されている。
また、搬出部６には、キャリア１をインターフェース部
４の搬出口（図示せず）と上部との間で搬送するキャリ
アリフタ７が配設され、これらキャリアリフタ７によっ
て搬入部５間又は搬出部６間でのキャリア１の搬送を行
うことができると共に、空のキャリア１をインターフェ
ース部４の上方に設けられたキャリア待機部（図示せ
ず）への受け渡し及びキャリア待機部からの受け取りを
行うことができるように構成されている。

【００３０】上記インターフェース部４は、区画壁４ｃ
によって区画される搬入・搬出部２に隣接する第１の室
４ａと、処理部３に隣接する第２の室４ｂとで構成され
ている。そして、第１の室４ａ内には、搬入部５（具体
的には受渡し部５ｂ）のキャリア１から複数枚のウエハ
Ｗを取り出して搬送する水平方向（Ｘ，Ｙ方向），垂直
方向（Ｚ方向）及び回転（θ方向）可能なウエハ取出し
アーム８と、ウエハＷに設けられたノッチを揃えるノッ
チアライナー９と、ウエハ取出しアーム８によって取り
出された複数枚のウエハＷの間隔を調整する間隔調整機
構（図示せず）を具備すると共に、水平状態のウエハＷ
を垂直状態に変換する第１の姿勢変換装置１０が配設さ
れている。

【００３１】また、第２の室４ｂ内には、処理済みの複
数枚例えば５０枚のウエハＷを処理部３から垂直状態の
まま搬送する後述するウエハ搬送手段例えばウエハ搬送
チャック２０から受け取ったウエハＷを垂直状態から水
平状態に変換する第２の姿勢変換装置１３と、この第２
の姿勢変換装置１１によって水平状態に変換された複数
枚のウエハＷを受け取ってウエハ受取り部１２に搬送さ
れた空のキャリア１内に収納する水平方向，垂直方向及
び回転（θ方向）可能なウエハ収納アーム１３が配設さ
れている。

【００３２】一方、上記処理部３には、ウエハＷに付着
するパーティクルや有機物汚染を除去する第１の処理ユ
ニット１４と、ウエハＷに付着する金属汚染を除去する
第２の処理ユニット１５と、ウエハＷに付着する酸化膜
を除去する第３の処理ユニット１６及びチャック洗浄ユ
ニット１７が直線状に配列されている。なお、第３の処
理ユニット１６の上方には乾燥処理ユニット１８が配設
されている。なおこの場合、第３の処理ユニット１６に
この発明に係る洗浄処理装置が適用されている。また、
これら各ユニット１４〜１７と対向する位置から上記イ
ンターフェース部４に延在して設けられた搬送路１９
に、Ｘ，Ｙ方向（水平方向）、Ｚ方向（垂直方向）及び
回転（θ）可能なウエハ搬送手段例えばウエハ搬送チャ
ック２０が配設されている。

【００３３】次に、この発明に係る洗浄処理装置につい
て説明する。 ◎第１実施形態 図２はこの発明に係る洗浄処理装置の第１実施形態を示
す概略断面図である。上記洗浄処理装置１６は、薬液例
えばフッ化水素酸（ＨＦ）の希釈液（ＤＨＦ）やリンス
液例えば純水の洗浄液を貯留すると共に洗浄液中に被処
理体例えば半導体ウエハＷ（以下にウエハという）を浸
漬してその表面を洗浄する処理槽３０と、この処理槽３
０内に配設されて処理槽３０内に洗浄液を供給する洗浄
液供給手段例えば洗浄液供給ノズル３２と、この洗浄液
供給ノズル３２と第１の洗浄液供給源例えば純水供給源
３１とを接続する洗浄液供給管３３と、この洗浄液供給
管３３に接続される薬液供給管３４を介して洗浄液供給
ノズル３２に接続される第２の洗浄液供給源例えば薬液
（ＨＦ）供給源３５と、洗浄液供給管３３における純水
供給源側に介設される流量制御手段例えば流量（圧力）
コントローラ３６とを具備してなる。また、洗浄液供給
管３３における流量（圧力）コントローラ３６の流出側
には流量調整可能な開閉手段例えば流量調整開閉バルブ
Ｖ1が介設され、処理槽３０の底部に設けられた排出口
３７に接続する排液管３８には開閉手段例えば開閉バル
ブＶ2が介設され、また、薬液供給管３４には開閉手段
例えば開閉バルブＶ3が介設されている。

【００３４】この場合、処理槽３０は、洗浄液を貯留す
る内槽３０ａと、この内槽３０ａの開口部の外方縁部を
覆う外槽３０ｂとで構成されており、外槽３０ｂの底部
に設けられた排出口３９に開閉バルブＶ4を介設したド
レン管４０が接続されている。なお、処理槽３０内には
昇降可能なウエハボート２１が配設されている。このウ
エハボート２１は、上記ウエハ搬送チャック２０から受
け取った複数枚例えば５０枚のウエハＷを処理槽３０内
に搬送し、処理後のウエハＷを上方へ搬送して再びウエ
ハ搬送チャック２０に受け渡すように構成されている。
また、処理槽３０の上部外側には、処理槽３０の内槽３
０ａ内の純水の比抵抗を測定する比抵抗計２２が、バル
ブ２２ａを介設した導出管２２ｂを介して内槽３０ａに
接続されている。なお、この比抵抗計２２は、処理槽３
０内に薬液（例えばＤＨＦ）が供給されている場合に
は、バルブ２２ａが閉じられるようになっている。

【００３５】次に、上記のように構成される洗浄処理装
置１６による洗浄処理の手順について図３を参照して説
明する。まず、待機状態として、流量調整開閉バルブＶ
1を半開状態にして純水供給源３１から純水を処理槽３
０内に供給（例えば５リットル／分）しておく。そし
て、ウエハＷの洗浄開始直前に、流量調整開閉バルブＶ
1を全開状態にして、純水供給源３１から純水を処理槽
３０内に供給（ダミーフロー）し、純水の流量がウエハ
Ｗを処理する時の流量（例えば２０リットル／分）に達
した時点で、ウエハ搬送チャック２０から複数枚例えば
５０枚のウエハＷを受け取ったウエハボート２１が下降
して、ウエハＷを処理槽３０内に貯留された純水内に浸
漬する。なおこの場合、予めウエハＷを処理槽３０内に
貯留された純水中に浸漬させておいてもよい。これと同
時に、開閉バルブＶ3を開放して薬液供給源３５から所
定量（例えば０．１リットル／分）の薬液例えばＨＦを
洗浄液供給管３３内に供給して、希釈液（ＤＨＦ）を洗
浄液供給ノズル３２から処理槽３０内に供給することに
より、処理槽３０内の混合液は所定の濃度となるので、
ウエハＷは安定した状態で薬液処理されて、ウエハＷ表
面に付着するパーティクルが除去されると共に、酸化膜
が除去される。なお、内槽３０ａからオーバーフローし
た洗浄液は排出口３９及びドレン管４０を介して排出さ
れる。

【００３６】このようにして所定時間薬液処理を行った
後、開閉バルブＶ3を閉止して、純水供給源３１から純
水のみを処理槽３０内に供給して希釈液を純水に置換す
ることにより、ウエハＷの表面に付着した薬液（ＨＦ）
を除去（リンス処理）して洗浄処理を終了する。その
後、流量調整開閉バルブＶ1を閉じると共に、ウエハボ
ート２１を上昇させてウエハＷを処理槽３０から搬出
し、開閉バルブＶ2を開放して内槽３０ａ内の洗浄液を
排出するか、あるいは開閉バルブＶ2を閉じたままにし
て内槽３０ａ内に洗浄液を貯留しておく。

【００３７】◎第２実施形態 図４はこの発明に係る洗浄処理装置の第２実施形態を示
す概略断面図である。第２実施形態は、洗浄液供給管３
３における純水供給源３１側に、流量（圧力）コントロ
ーラ３６を介設し、この流量（圧力）コントローラ３６
の流出側に流量調整開閉バルブＶ1を介設すると共に、
この流量調整開閉バルブＶ1と流量（圧力）コントロー
ラ３６との間に、開閉バルブＶ5を介してダミーフロー
用の排出管４１を接続した場合である。

【００３８】なお、第２実施形態において、その他の部
分は上記第１実施形態と同じであるので、同一部分には
同一符号を付して、その説明は省略する。

【００３９】次に、第２実施形態の洗浄処理装置を用い
た洗浄処理の手順の一例について、図５を参照して説明
する。まず、待機状態として、流量調整開閉バルブＶ1
を半開状態にして純水供給源３１から純水を処理槽３０
内に供給（例えば５リットル／分）しておく。そして、
ウエハＷの洗浄開始直前に、開閉バルブＶ2を開放して
処理槽３０内の純水を排出した後、流量調整開閉バルブ
Ｖ1を全開状態にして、純水供給源３１から純水を処理
槽３０内に供給する一方、開閉バルブＶ5を開放して洗
浄液供給管３３中を流れる純水の一部を排出管４１から
排出（ダミーフロー）する。そして、純水の流量がウエ
ハＷを処理する時の流量（例えば２０リットル／分）に
達して安定した時点で、開閉バルブＶ5を閉止すると共
に、開閉バルブＶ3を開放して薬液供給源３５から所定
量（例えば０．１リットル／分）の薬液例えばＨＦを洗
浄液供給管３３内に供給して、希釈液（ＤＨＦ）を洗浄
液供給ノズル３２から処理槽３０内に供給する。

【００４０】このようにして処理槽３０の内槽３０ａ内
が純水と薬液の混合液で満たされた後、ウエハ搬送チャ
ック２０から複数枚例えば５０枚のウエハＷを受け取っ
たウエハボート２１が下降して、ウエハＷを処理槽３０
内に貯留された希釈液（ＤＨＦ）内に浸漬する。なおこ
の場合、予めウエハＷを処理槽３０内に貯留された純水
中に浸漬させておいてもよい。この時、処理槽３０内の
希釈液（ＤＨＦ）は所定の濃度となるので、ウエハＷは
安定した状態で薬液処理されて、ウエハＷ表面に付着す
るパーティクルが除去されると共に、酸化膜が除去され
る。なお、内槽３０ａからオーバーフローした洗浄液は
排出口３９及びドレン管４０を介して排出される。

【００４１】このようにして所定時間薬液処理を行った
後、開閉バルブＶ3を閉止して、純水供給源３１から純
水のみを処理槽３０内に供給して希釈液を純水に置換す
ることにより、ウエハＷの表面に付着した薬液（ＨＦ）
を除去（リンス処理）して洗浄処理を終了する。その
後、流量調整開閉バルブＶ1を閉じると共に、ウエハボ
ート２１を上昇させてウエハＷを処理槽３０から搬出
し、開閉バルブＶ2を開放して内槽３０ａ内の洗浄液を
排出するか、あるいは開閉バルブＶ2を閉じたままにし
て内槽３０ａ内に洗浄液を貯留しておく。

【００４２】なお、上記説明では、待機状態から処理を
開始する場合について説明したが、待機状態でない場合
から処理を開始するときは、ダミーフロー時に開閉バル
ブＶ5のみを開放して、その他のバルブＶ1，Ｖ2，Ｖ3は
閉じておけばよい。すなわち、処理開始直前に開閉弁Ｖ
5のみを開放して洗浄液供給源３１から流れる純水をダ
ミーフロー用の排出管４１から排出して、純水の流量が
ウエハＷを処理する時の流量（例えば２０リットル／
分）に達した時点で、開閉バルブＶ5を閉止し、それと
同時に、流量調整開閉バルブＶ1及び開閉バルブＶ3を開
放して、所定流量（例えば２０リットル／分）の純水を
処理槽３０内に供給すると共に、薬液供給源３５から所
定量（例えば０．１リットル／分）の薬液例えばＨＦを
洗浄液供給管３３内に供給した後、上記と同様にウエハ
Ｗの洗浄処理を行うようにしてもよい。

【００４３】◎第３実施形態 図６はこの発明に係る洗浄処理装置の第３実施形態を示
す概略断面図である。第３実施形態は、薬液濃度の安定
化に加えて洗浄液の温度を安定化させるようにした場合
である。すなわち、洗浄液供給管３３の純水供給源３１
側に介設される流量（圧力）コントローラ３６の流出側
に温度制御手段例えばランプヒータ４２を介設すると共
に、ランプヒータ４２の流出側に温度検出手段例えば温
度センサ４３を介設し、この温度センサ４３にて検出さ
れた検出信号を、制御手段例えば中央演算処理装置４４
（ＣＰＵ）に予め記憶された情報と比較演算処理して、
その出力信号をランプヒータ４２に伝達することによ
り、ランプヒータ４２を制御動作させて、洗浄液供給管
３３中を流れる洗浄液の温度を所定温度例えば２５℃に
設定し得るようにした場合である。

【００４４】なお、第３実施形態において、その他の部
分は上記第１実施形態と同じであるので、同一部分には
同一符号を付して、その説明は省略する。

【００４５】第３実施形態の洗浄処理装置を用いて洗浄
処理する場合は、上記第１実施形態と同様に、ウエハＷ
の洗浄処理開始前に純水をダミーフローして、純水の流
量ががウエハＷを処理する時の流量（例えば２０リット
ル／分）に達した時点で、開閉弁Ｖ3を開放して薬液
（ＨＦ）を供給して、上述のように洗浄処理を行う他
に、純水及び希釈液（ＤＨＦ）の温度を所定温度例えば
２５℃に温度調整した安定した状態でウエハＷの薬液及
びリンス処理を行うことができる。したがって、洗浄性
能の向上が図れると共に、洗浄精度の向上が図れる。

【００４６】なおこの場合、ランプヒータ４２を、この
ランプヒータ４２の流出側に介設された温度センサ４３
からの検出信号に基づいてＣＰＵ４４を介して制御動作
させるので、処理槽３０内に配設された温度センサに基
づいて制御動作させるものに比べて、検出部と制御部と
のギャップが少ないため、温度調整を迅速に行うことが
できる。なお、処理槽３０内に温度センサを設けてもよ
い。

【００４７】なお、第３実施形態において、ウエハＷを
洗浄処理する方法として、上記ダミーフローを行った
後、以下の２通りの洗浄処理を行うことができる。すな
わち、まず、ウエハＷを投入する直前に、開閉バルブ
Ｖ2を開放して処理槽３０の洗浄液を排出し、処理槽３
０内を空にする。その後、上記温度制御手段例えばラン
プヒータ４２によって温度調整された洗浄液（ＤＨＦ又
は純水）を、処理槽３０の内槽３０ａ内に供給して内槽
３０ａ内に洗浄液（ＤＨＦ又は純水）を満たす。そし
て、内槽３０ａ内に満たされた洗浄液（ＤＨＦ又は純
水）にウエハＷを浸漬して洗浄処理を施す。また、処
理槽３０の内槽３０ａ内の純水又はＤＨＦを予め温度調
整しておき、ウエハＷの投入直前に、上記温度制御手段
例えばランプヒータ４２によって温度調整された純水又
はＤＨＦを供給する。そして、温度調整された純水又は
ＤＨＦで満たされた内槽３０ａ内にウエハＷを浸漬して
洗浄処理を施す。

【００４８】◎第４実施形態 図７はこの発明に係る洗浄処理装置の第４実施形態を示
す概略断面図である。第４実施形態は、上記第２実施形
態で示した洗浄処理装置に、薬液濃度の安定化に加えて
洗浄液の温度を安定化させるようにした場合である。す
なわち、洗浄液供給管３３の純水供給源３１側に、流量
（圧力）コントローラ３６と温度制御手段例えばランプ
ヒータ４２を介設し、これら流量（圧力）コントローラ
３６及びランプヒータ４２の流出側に、流量調整開閉バ
ルブＶ1を介設すると共に、この開閉バルブＶ1と、流量
（圧力）コントローラ３６及びランプヒータ４２との間
に、開閉バルブＶ5を介してダミーフロー用の排出管４
１を接続した場合である。この場合、ランプヒータ４２
の流出側に温度検出手段例えば温度センサ４３が介設さ
れており、この温度センサ４３にて検出された検出信号
を、制御手段例えばＣＰＵ４４に予め記憶された情報と
比較演算処理して、その出力信号をランプヒータ４２に
伝達することにより、ランプヒータ４２を制御動作させ
て、洗浄液供給管３３中を流れる洗浄液の温度を所定温
度例えば２５℃に設定し得るように構成されている。な
お、第４実施形態において、その他の部分は上記第１実
施形態ないし第３実施形態と同じであるので、同一部分
には、同一符号を付して、その説明は省略する。

【００４９】第４実施形態の洗浄処理装置を用いて洗浄
処理する場合は、上記第２実施形態と同様に、ウエハＷ
の洗浄開始直前に、開閉バルブＶ5を開放して洗浄液供
給管３３中を流れる純水の一部を排出管４１から排出
（ダミーフロー）し、純水の流量がウエハＷを処理する
時の流量（例えば２０リットル／分）に達して安定した
時点で、開閉バルブＶ5を閉止すると共に、開閉バルブ
Ｖ3を開放して薬液供給源３５から所定量（例えば０．
１リットル／分）の薬液例えばＨＦを洗浄液供給管３３
内に供給して、希釈液（ＤＨＦ）を洗浄液供給ノズル３
２から処理槽３０内に供給する他に、純水及び希釈液
（ＤＨＦ）の温度を所定温度例えば２５℃に温度調整し
た安定した状態でウエハＷの薬液及びリンス処理を行う
ことができる。したがって、洗浄性能の向上が図れると
共に、洗浄精度の向上が図れる。

【００５０】なお、上記説明では、待機状態から処理を
開始する場合について説明したが、待機状態でない場合
から処理を開始するときは、ダミーフロー時に開閉バル
ブＶ5のみを開放して、その他のバルブＶ1，Ｖ2，Ｖ3は
閉じておけばよい。すなわち、処理開始直前に開閉弁Ｖ
5のみを開放して洗浄液供給源３１から流れる純水をダ
ミーフロー用の排出管４１から排出して、純水の流量が
ウエハＷを処理する時の流量（例えば２０リットル／
分）に達した時点で、開閉バルブＶ5を閉止し、それと
同時に、流量調整開閉バルブＶ1及び開閉バルブＶ3を開
放して、所定流量（例えば２０リットル／分）及び所定
温度例えば２５℃の純水を処理槽３０内に供給すると共
に、薬液供給源３５から所定量（例えば０．１リットル
／分）の薬液例えばＨＦを洗浄液供給管３３内に供給し
た後、上記と同様にウエハＷの洗浄処理を行うようにし
てもよい。

【００５１】◎第５実施形態 図８はこの発明に係る洗浄処理装置の第５実施形態を示
す概略断面図である。第５実施形態は、上記第１実施形
態における薬液処理時の希釈溶媒及びリンス処理時のリ
ンス液に使用される純水に代えてオゾン水を用いて、酸
化膜除去及び金属例えば銅等の付着抑制を行なうと共
に、有機汚染物除去及び保護膜の形成を行なうようにし
た場合である。

【００５２】この場合、図２に示した上記第１実施形態
と同様に配管される純水供給管３３（洗浄液供給管）に
おける純水供給源３１側に、流量（圧力）コントローラ
３６とオゾン生成手段例えばオゾン生成器５０が介設さ
れており、この流量（圧力）コントローラ３６及びオゾ
ン生成器５０の流出側に流量調整開閉バルブＶ1が介設
されている。なおこの場合、オゾン水生成器５０とし
て、例えば電気分解式のオゾン水生成器を使用すること
ができる。この電気分解式のオゾン水生成器によれば、
純水供給源３１から流れる純水に直流電圧を印加するこ
とにより、純水を電気分解して発生したオゾンを電気分
解中の純水に溶解させてオゾン水を生成することができ
る。なお、オゾン水生成器５０は必ずしも電気分解式の
ものである必要はなく、高濃度の気相のオゾンと純水と
を、曝気などの手段で気液接触させて純水中にオゾンを
溶解させてオゾン水を得る曝気式のオゾン水生成器を使
用することも可能である。

【００５３】なお、第５実施形態において、その他の部
分は上記第１実施形態と同じであるので、同一部分には
同一符号を付して、その説明は省略する。

【００５４】次に、第５実施形態の洗浄処理装置１６に
よる洗浄処理の手順について図８を参照して説明する。
まず、待機状態として、流量調整開閉バルブＶ1を半開
状態にして純水供給源３１から流れる純水をオゾン水生
成器５０によってオゾン水にして処理槽３０内に供給
（例えば５リットル／分）しておく。そして、ウエハＷ
の洗浄開始直前に、流量調整開閉バルブＶ1を全開状態
にして、純水供給源３１から流れる純水をオゾン水生成
器５０によってオゾン水にして処理槽３０内に供給（ダ
ミーフロー）し、オゾン水の流量がウエハＷを処理する
時の流量（例えば２０リットル／分）に達した時点で、
ウエハ搬送チャック２０から複数枚例えば５０枚のウエ
ハＷを受け取ったウエハボート２１が下降して、ウエハ
Ｗを処理槽３０内に貯留されたオゾン水内に浸漬する。
なおこの場合、予めウエハＷを処理槽３０内に貯留され
たオゾン水中に浸漬させておいてもよい。これと同時
に、開閉バルブＶ3を開放して薬液供給源３５から所定
量（例えば０．１リットル／分）の薬液例えばＨＦを洗
浄液供給管３３内に供給して、希釈液（ＨＦ＋Ｏ3＋Ｈ2
Ｏ）を洗浄液供給ノズル３２から処理槽３０内に供給す
ることにより、処理槽３０内の混合液は所定の濃度とな
るので、ウエハＷは安定した状態で薬液処理されて、ウ
エハＷ表面の酸化膜が除去されると共に、ウエハＷ表面
への金属例えば銅等の付着が抑制される。なお、内槽３
０ａからオーバーフローした洗浄液は排出口３９及びド
レン管４０を介して排出される。

【００５５】このようにして所定時間薬液処理を行った
後、開閉バルブＶ3を閉止して、純水供給源３１から供
給されてオゾン水生成器５０にて生成されたオゾン水の
みを処理槽３０内に供給して希釈液をオゾン水に置換す
ることにより、ウエハＷの表面に付着した薬液（ＨＦ）
を除去（リンス処理）すると共に、有機汚染物を除去
し、かつ保護膜を形成して洗浄処理を終了する。その
後、流量調整開閉バルブＶ1を閉じると共に、ウエハボ
ート２１を上昇させてウエハＷを処理槽３０から搬出
し、開閉バルブＶ2を開放して内槽３０ａ内の洗浄液を
排出するか、あるいは開閉バルブＶ2を閉じたままにし
て内槽３０ａ内に洗浄液を貯留しておく。

【００５６】◎第６実施形態 図９はこの発明に係る洗浄処理装置の第６実施形態を示
す概略断面図である。第６実施形態は、洗浄液供給管３
３における純水供給源３１側に、流量（圧力）コントロ
ーラ３６とオゾン水生成器５０を介設し、この流量（圧
力）コントローラ３６及びオゾン水生成器５０の流出側
に流量調整開閉バルブＶ1を介設すると共に、この流量
調整開閉バルブＶ1とオゾン水生成器５０との間に、開
閉バルブＶ5を介してダミーフロー用の排出管４１を接
続した場合である。

【００５７】なお、第６実施形態において、その他の部
分は上記第１実施形態ないし第５実施形態と同じである
ので、同一部分には同一符号を付して、その説明は省略
する。

【００５８】次に、第６実施形態の洗浄処理装置を用い
た洗浄処理の手順の一例について、図９を参照して説明
する。まず、待機状態として、流量調整開閉バルブＶ1
を半開状態にして純水供給源３１から流れる純水をオゾ
ン水生成器５０によってオゾン水を生成し、そのオゾン
水を処理槽３０内に供給（例えば５リットル／分）して
おく。そして、ウエハＷの洗浄開始直前に、開閉バルブ
Ｖ2を開放して処理槽３０内のオゾン水を排出した後、
流量調整開閉バルブＶ1を全開状態にして、オゾン水を
処理槽３０内に供給する一方、開閉バルブＶ5を開放し
て洗浄液供給管３３中を流れるオゾン水の一部を排出管
４１から排出（ダミーフロー）する。そして、オゾン水
の流量がウエハＷを処理する時の流量（例えば２０リッ
トル／分）に達して安定した時点で、開閉バルブＶ5を
閉止すると共に、開閉バルブＶ3を開放して薬液供給源
３５から所定量（例えば０．１リットル／分）の薬液例
えばＨＦを洗浄液供給管３３内に供給して、希釈液（Ｈ
Ｆ＋Ｏ3＋Ｈ2Ｏ）を洗浄液供給ノズル３２から処理槽３
０内に供給する。

【００５９】このようにして処理槽３０の内槽３０ａ内
がオゾン水と薬液の混合液で満たされた後、ウエハ搬送
チャック２０から複数枚例えば５０枚のウエハＷを受け
取ったウエハボート２１が下降して、ウエハＷを処理槽
３０内に貯留された希釈液（ＨＦ＋Ｏ3＋Ｈ2Ｏ）内に浸
漬する。なおこの場合、予めウエハＷを処理槽３０内に
貯留されたオゾン水中に浸漬させておいてもよい。この
時、処理槽３０内の希釈液（ＨＦ＋Ｏ3＋Ｈ2Ｏ）は所定
の濃度となるので、ウエハＷは安定した状態で薬液処理
されて、ウエハＷ表面の酸化膜が除去されると共に、ウ
エハＷ表面への金属例えば銅等の付着が抑制される。な
お、内槽３０ａからオーバーフローした洗浄液は排出口
３９及びドレン管４０を介して排出される。

【００６０】このようにして所定時間薬液処理を行った
後、開閉バルブＶ3を閉止して、オゾン水のみを処理槽
３０内に供給して希釈液をオゾン水に置換することによ
り、ウエハＷの表面に付着した薬液（ＨＦ）を除去（リ
ンス処理）すると共に、有機汚染物を除去し、かつ保護
膜を形成して洗浄処理を終了する。その後、流量調整開
閉バルブＶ1を閉じると共に、ウエハボート２１を上昇
させてウエハＷを処理槽３０から搬出し、開閉バルブＶ
2を開放して内槽３０ａ内の洗浄液を排出するか、ある
いは開閉バルブＶ2を閉じたままにして内槽３０ａ内に
洗浄液を貯留しておく。

【００６１】なお、上記説明では、待機状態から処理を
開始する場合について説明したが、待機状態でない場合
から処理を開始するときは、ダミーフロー時に開閉バル
ブＶ5のみを開放して、その他のバルブＶ1，Ｖ2，Ｖ3は
閉じておけばよい。すなわち、処理開始直前に開閉弁Ｖ
5のみを開放してオゾン水をダミーフロー用の排出管４
１から排出して、オゾン水の流量がウエハＷを処理する
時の流量（例えば２０リットル／分）に達した時点で、
開閉バルブＶ5を閉止し、それと同時に、流量調整開閉
バルブＶ1及び開閉バルブＶ3を開放して、所定流量（例
えば２０リットル／分）のオゾン水を処理槽３０内に供
給すると共に、薬液供給源３５から所定量（例えば０．
１リットル／分）の薬液例えばＨＦを洗浄液供給管３３
内に供給した後、上記と同様にウエハＷの洗浄処理を行
うようにしてもよい。

【００６２】◎第７実施形態 図１０はこの発明に係る洗浄処理装置の第７実施形態を
示す概略断面図である。第７実施形態は、上記第２実施
形態及び第４実施形態で示した洗浄処理装置に、オゾン
水を用いた薬液濃度の安定化に加えて洗浄液の温度を安
定化させるようにした場合である。すなわち、洗浄液供
給管３３の純水供給源３１側に、流量（圧力）コントロ
ーラ３６、ランプヒータ４２（温度制御手段）及びオゾ
ン水生成器５０を介設し、これら流量（圧力）コントロ
ーラ３６、ランプヒータ４２及びオゾン水生成器５０の
流出側に、流量調整開閉バルブＶ1を介設すると共に、
この開閉バルブＶ1と、流量（圧力）コントローラ３
６、ランプヒータ４２及びオゾン水生成器５０との間
に、開閉バルブＶ5を介してダミーフロー用の排出管４
１を接続した場合である。この場合、ランプヒータ４２
の流出側に温度検出手段例えば温度センサ４３が介設さ
れており、この温度センサ４３にて検出された検出信号
を、制御手段例えばＣＰＵ４４に予め記憶された情報と
比較演算処理して、その出力信号をランプヒータ４２に
伝達することにより、ランプヒータ４２を制御動作させ
て、洗浄液供給管３３中を流れる洗浄液の温度を所定温
度例えば２５℃に設定し得るように構成されている。な
お、第７実施形態において、その他の部分は上記第１実
施形態ないし第６実施形態と同じであるので、同一部分
には、同一符号を付して、その説明は省略する。

【００６３】第７実施形態の洗浄処理装置を用いて洗浄
処理する場合は、上記第２実施形態及び第４実施形態と
同様に、ウエハＷの洗浄開始直前に、開閉バルブＶ5を
開放して洗浄液供給管３３中を流れるオゾン水の一部を
排出管４１から排出（ダミーフロー）し、オゾン水の流
量がウエハＷを処理する時の流量（例えば２０リットル
／分）に達して安定した時点で、開閉バルブＶ5を閉止
すると共に、開閉バルブＶ3を開放して薬液供給源３５
から所定量（例えば０．１リットル／分）の薬液例えば
ＨＦを洗浄液供給管３３内に供給して、希釈液（ＨＦ＋
Ｏ3＋Ｈ2Ｏ）を洗浄液供給ノズル３２から処理槽３０内
に供給する他に、オゾン水及び希釈液（ＨＦ＋Ｏ3＋Ｈ2
Ｏ）の温度を所定温度例えば２５℃に温度調整した安定
した状態でウエハＷの薬液及びリンス処理を行うことが
できる。したがって、洗浄性能の向上が図れると共に、
洗浄精度の向上が図れる。

【００６４】なお、上記説明では、待機状態から処理を
開始する場合について説明したが、上記第４実施形態と
同様に、待機状態でない場合から処理を開始するとき
は、ダミーフロー時に開閉バルブＶ5のみを開放して、
その他のバルブＶ1，Ｖ2，Ｖ3は閉じておけばよい。す
なわち、処理開始直前に開閉弁Ｖ5のみを開放してオゾ
ン水をダミーフロー用の排出管４１から排出して、純水
の流量がウエハＷを処理する時の流量（例えば２０リッ
トル／分）に達した時点で、開閉バルブＶ5を閉止し、
それと同時に、流量調整開閉バルブＶ1及び開閉バルブ
Ｖ3を開放して、所定流量（例えば２０リットル／分）
及び所定温度例えば２５℃のオゾン水を処理槽３０内に
供給すると共に、薬液供給源３５から所定量（例えば
０．１リットル／分）の薬液例えばＨＦを洗浄液供給管
３３内に供給した後、上記と同様にウエハＷの洗浄処理
を行うようにしてもよい。

【００６５】なお、上記第７実施形態では、上記第４実
施形態にオゾン水生成器５０を組み込んだ形態の場合、
すなわちダミー用排出管４１を設けた場合について説明
したが、ダミー用排出管４１を設けない上記第３実施形
態に適用することも可能である。

【００６６】◎第８実施形態 図１１はこの発明に係る洗浄処理装置の第８実施形態を
示す概略断面図である。第８実施形態は、オゾン水を用
いた薬液処理と、リンス処理を純水とオゾン水にて行な
うようにした場合である。

【００６７】この場合、上記第７実施形態と同様に、洗
浄液供給管３３は、純水供給源３１側に、流量（圧力）
コントローラ３６、ランプヒータ４２及びオゾン水生成
器５０が介設され、これら流量（圧力）コントローラ３
６、ランプヒータ４２及びオゾン水生成器５０の流出側
に、流量調整用開閉バルブＶ1が介設されると共に、流
量調整用開閉バルブＶ1と、オゾン水生成器５０との間
に、開閉バルブＶ5を介してダミーフロー用の排出管４
１が接続されている。更に、洗浄液供給管３３における
流量調整開閉バルブＶ1とダミーフロー用排出管４１と
の間に、補助洗浄液供給管３３Ａを介して補助洗浄液供
給源例えば補助純水供給源３１Ａが接続されている。こ
の補助洗浄液供給管３３Ａの補助純水供給源３１Ａ側に
は、温度制御手段であるランプヒータ４２Ａが介設さ
れ、ランプヒータ４２Ａの流出側には補助開閉手段例え
ば補助開閉バルブＶ6が介設されている。この場合、ラ
ンプヒータ４２Ａの流出側に温度検出手段例えば温度セ
ンサ４３Ａが介設されており、この温度センサ４２Ａに
て検出された検出信号を、制御手段例えばＣＰＵ４４に
予め記憶された情報と比較演算処理して、その出力信号
をランプヒータ４２Ａに伝達することにより、ランプヒ
ータ４２Ａを制御動作させて、補助洗浄液供給管３３Ａ
中を流れる補助洗浄液例えば純水の温度を所定温度例え
ば２５℃に設定し得るように構成されている。

【００６８】なお、第８実施形態において、その他の部
分は、上記第１実施形態ないし第７実施形態と同じであ
るので、同一部分には同一符号を付して、その説明は省
略する。

【００６９】次に、第８実施形態の洗浄処理装置を用い
て洗浄処理する場合の動作手順について図１１を参照し
て説明する。まず、上記第７実施形態と同様に、ウエハ
Ｗの洗浄開始直前に、開閉バルブＶ5を開放して洗浄液
供給管３３中を流れるオゾン水の一部を排出管４１から
排出（ダミーフロー）し、オゾン水の流量がウエハＷを
処理する時の流量（例えば２０リットル／分）に達して
安定した時点で、開閉バルブＶ5を閉止すると共に、開
閉バルブＶ3を開放して薬液供給源３５から所定量（例
えば０．１リットル／分）の薬液例えばＨＦを洗浄液供
給管３３内に供給して、希釈液（ＨＦ＋Ｏ3＋Ｈ2Ｏ）を
洗浄液供給ノズル３２から処理槽３０内に供給する他
に、オゾン水及び希釈液（ＨＦ＋Ｏ3＋Ｈ2Ｏ）の温度を
所定温度例えば２５℃に温度調整した安定した状態でウ
エハＷの薬液処理を行う。

【００７０】上記のようにして希釈液（ＨＦ＋Ｏ3＋Ｈ2
Ｏ）による洗浄処理（薬液処理）を行なった後、流量
（圧力）コントローラ３６を閉じると共に、補助開閉バ
ルブＶ6を開いて補助純水供給源３１Ａから純水を処理
槽３０内に供給して希釈液を純水に置換してリンス処理
を行なう。リンス処理後、処理槽３０内に純水を貯留し
て次の処理の待機状態にする。

【００７１】上記のように、オゾン水を用いた希釈液に
よる洗浄処理（薬液処理）と純水によるリンス処理とを
行なうことにより、薬液処理時には、ウエハＷ表面の酸
化膜を除去すると共に、ウエハＷ表面への金属例えば銅
等の付着を抑制することができ、純水によるリンス処理
時には、薬液（希釈液）の除去及びパーティクルの除去
を行なうことができる。

【００７２】なお、第８実施形態において、上記洗浄手
順の他に、以下に示すような４通りの洗浄手順で洗浄処
理を行なうことができる。

【００７３】例えば、 待機状態において、処理槽３０内に純水を貯留させて
おき、所定量の純水が貯留された時点でウエハＷを投入
した後、純水と薬液例えばＨＦの希釈液によりウエハＷ
を洗浄処理し、その後オゾン水でリンス処理を行なう。
その後ウエハＷを搬出し、リンス処理に供されたオゾン
水を排出後、純水を処理槽３０内に貯留、もしくは純水
により置換して次の洗浄処理に待機させる。

【００７４】待機状態において、処理槽３０内にオゾ
ン水を貯留させておき、所定量のオゾン水が所定量に達
した時点で、処理槽３０内にウエハＷを投入してオゾン
水によるリンス処理を行なった後、処理槽３０内のオゾ
ン水を純水に置換して純水によるリンス処理を行なう。
その後、処理槽３０内に純水と薬液例えばＨＦの希釈液
を供給して洗浄処理を行ない、次に純水によるリンス処
理を行なう。その後ウエハＷを搬出し、リンス処理に供
された純水を排出後、オゾン水を処理槽３０内に貯留、
もしくはオゾン水により置換して次の洗浄処理に待機さ
せる。

【００７５】待機状態において、処理槽３０内にオゾ
ン水を貯留させておき、所定量のオゾン水が所定量に達
した時点で、処理槽３０内にウエハＷを投入してオゾン
水によるリンス処理を行なう。その後、処理槽３０内に
オゾン水と薬液例えばＨＦの希釈液を供給して洗浄処理
を行ない、次に純水によるリンス処理を行なう。その後
ウエハＷを搬出し、リンス処理に供された純水を排出
後、オゾン水を処理槽３０内に貯留、もしくはオゾン水
により置換して次の洗浄処理に待機させる。

【００７６】待機状態において、処理槽３０内にオゾ
ン水を貯留させておき、所定量のオゾン水が所定量に達
した時点で、処理槽３０内にウエハＷを投入してオゾン
水によるリンス処理を行なった後、処理槽３０内のオゾ
ン水を純水に置換して純水によるリンス処理を行なう。
その後、処理槽３０内に純水と薬液例えばＨＦの希釈液
を供給して洗浄処理を行ない、次にオゾン水によるリン
ス処理を行なう。その後ウエハＷを搬出し、リンス処理
に供されたオゾン水を処理槽３０内に貯留して次の洗浄
処理に待機させる。

【００７７】◎第９実施形態 図１２はこの発明に係る洗浄処理装置の第９実施形態を
示す概略断面図である。第９実施形態は、上記第５実施
形態のオゾン水生成手段に代えてイオン水生成手段例え
ばイオン水生成器６０を用いて、ウエハＷ表面に付着す
るパーティクルを除去すると共に、金属汚染物を除去し
得るようにした場合である。すなわち、図８に示した第
５実施形態における洗浄液供給管３３に介設されるオゾ
ン水生成器５０に代えてイオン水生成手段例えばイオン
水生成器６０を介設した場合である。

【００７８】この場合、上記イオン水生成器６０は、例
えば図１３に示すように、洗浄液供給管３３に連通する
流入口６１ａと流出口６１ｂを有する筐体６１内の中心
部に、イオン交換樹脂６２ａを充填したイオン交換膜６
２を流入口６１ａ側から流出口６１ｂ側に渡って配設
し、このイオン交換膜６２に関して対向する位置に陽極
電解電極６３と陰極電解電極６４を配設した構造となっ
ている。このように構成されるイオン水生成器６０内に
純水供給源３１から純水が流入され、両電解電極６３，
６４間に直流電圧が印加されると、純水が電気分解され
て電解イオン水が得られる。このイオン水を薬液例えば
ＨＦと混合して洗浄液（希釈液）として使用するか、あ
るいはリンス液に使用する。

【００７９】なお、第９実施形態において、その他の部
分は上記第５実施形態と同じであるので、同一部分には
同一符号を付して、その説明は省略する。また、上記説
明では、イオン水生成器６０が流量調整開閉バルブＶ1
の流入側に介設される場合について説明したが、イオン
水生成器６０は、必ずしも流量調整開閉バルブＶ1の流
入側に介設する必要はなく、図１２に二点鎖線で示すよ
うに、流量調整開閉バルブＶ1及び薬液供給管３４の接
続部の流出側に介設するようにしてもよい。

【００８０】次に、第９実施形態の洗浄処理装置１６に
よる洗浄処理の手順について図１２を参照して説明す
る。まず、待機状態として、流量調整開閉バルブＶ1を
半開状態にして純水供給源３１から流れる純水をイオン
水生成器６０によってイオン水にして処理槽３０内に供
給（例えば５リットル／分）しておく。そして、ウエハ
Ｗの洗浄開始直前に、流量調整開閉バルブＶ1を全開状
態にして、純水供給源３１から流れる純水をイオン水生
成器６０によってイオン水にして処理槽３０内に供給
（ダミーフロー）し、イオン水の流量がウエハＷを処理
する時の流量（例えば２０リットル／分）に達した時点
で、ウエハ搬送チャック２０から複数枚例えば５０枚の
ウエハＷを受け取ったウエハボート２１が下降して、ウ
エハＷを処理槽３０内に貯留されたイオン水内に浸漬す
る。なおこの場合、予めウエハＷを処理槽３０内に貯留
されたイオン水中に浸漬させておいてもよい。これと同
時に、開閉バルブＶ3を開放して薬液供給源３５から所
定量（例えば０．１リットル／分）の薬液例えばＨＦを
洗浄液供給管３３内に供給して、ＨＦとイオン水の希釈
液を洗浄液供給ノズル３２から処理槽３０内に供給する
ことにより、処理槽３０内の混合液は所定の濃度となる
ので、ウエハＷは安定した状態で薬液処理されて、ウエ
ハＷ表面に付着するパーティクルが除去されると共に、
金属汚染物が除去される。なお、内槽３０ａからオーバ
ーフローした洗浄液は排出口３９及びドレン管４０を介
して排出される。

【００８１】このようにして所定時間薬液処理を行った
後、開閉バルブＶ3を閉止して、純水供給源３１から供
給されてイオン水生成器６０にて生成されたイオン水の
みを処理槽３０内に供給して希釈液をイオン水に置換す
ることにより、ウエハＷの表面に付着した薬液（ＨＦ）
を除去（リンス処理）すると共に、有機汚染物を除去し
て洗浄処理を終了する。その後、流量調整開閉バルブＶ
1を閉じると共に、ウエハボート２１を上昇させてウエ
ハＷを処理槽３０から搬出し、開閉バルブＶ2を開放し
て内槽３０ａ内の洗浄液を排出するか、あるいは開閉バ
ルブＶ2を閉じたままにして内槽３０ａ内に洗浄液を貯
留しておく。

【００８２】上記のように、イオン水を薬液例えばＨＦ
と混合して洗浄液（希釈液）として使用すると共に、リ
ンス液に使用して、洗浄処理（薬液処理）及びリンス処
理を行なうことにより、ウエハＷ表面に付着するパーテ
ィクルを除去することができると共に、金属汚染物を除
去することができる。

【００８３】◎第１０実施形態 図１４はこの発明に係る洗浄処理装置の第１０実施形態
を示す概略断面図である。第１０実施形態は、上記第６
実施形態のオゾン水生成手段に代えてイオン水生成手段
例えばイオン水生成器６０を用いて、ウエハＷ表面に付
着するパーティクルを除去すると共に、金属汚染物を除
去し得るようにした場合である。すなわち、図９に示し
た第６実施形態における洗浄液供給管３３に介設される
オゾン水生成器５０に代えてイオン水生成手段例えばイ
オン水生成器６０を介設した場合である。

【００８４】なお、第１０実施形態において、その他の
部分は上記第６実施形態と同じであるので、同一部分に
は同一符号を付して、その説明は省略する。また、上記
説明では、イオン水生成器６０が流量調整開閉バルブＶ
1の流入側に介設される場合について説明したが、イオ
ン水生成器６０は、必ずしも流量調整開閉バルブＶ1の
流入側に介設する必要はなく、図１４に二点鎖線で示す
ように、流量調整開閉バルブＶ1及び薬液供給管３４の
接続部の流出側に介設するようにしてもよい。

【００８５】次に、第１０実施形態の洗浄処理装置を用
いた洗浄処理の手順の一例について、図１４を参照して
説明する。まず、待機状態として、流量調整開閉バルブ
Ｖ1を半開状態にして純水供給源３１から流れる純水を
イオン水生成器６０によってイオン水を生成し、そのイ
オン水を処理槽３０内に供給（例えば５リットル／分）
しておく。そして、ウエハＷの洗浄開始直前に、開閉バ
ルブＶ2を開放して処理槽３０内のイオン水を排出した
後、流量調整開閉バルブＶ1を全開状態にして、イオン
水を処理槽３０内に供給する一方、開閉バルブＶ5を開
放して洗浄液供給管３３中を流れるイオン水の一部を排
出管４１から排出（ダミーフロー）する。そして、イオ
ン水の流量がウエハＷを処理する時の流量（例えば２０
リットル／分）に達して安定した時点で、開閉バルブＶ
5を閉止すると共に、開閉バルブＶ3を開放して薬液供給
源３５から所定量（例えば０．１リットル／分）の薬液
例えばＨＦを洗浄液供給管３３内に供給して、ＨＦとイ
オン水の希釈液を洗浄液供給ノズル３２から処理槽３０
内に供給する。

【００８６】このようにして処理槽３０の内槽３０ａ内
がイオン水と薬液の混合液で満たされた後、ウエハ搬送
チャック２０から複数枚例えば５０枚のウエハＷを受け
取ったウエハボート２１が下降して、ウエハＷを処理槽
３０内に貯留された希釈液内に浸漬する。なおこの場
合、予めウエハＷを処理槽３０内に貯留されたイオン水
中に浸漬させておいてもよい。この時、処理槽３０内の
希釈液は所定の濃度となるので、ウエハＷは安定した状
態で薬液処理されて、ウエハＷ表面に付着するパーティ
クルが除去されると共に、金属汚染物が除去される。な
お、内槽３０ａからオーバーフローした洗浄液は排出口
３９及びドレン管４０を介して排出される。

【００８７】このようにして所定時間薬液処理を行った
後、開閉バルブＶ3を閉止して、イオン水のみを処理槽
３０内に供給して希釈液をイオン水に置換することによ
り、ウエハＷの表面に付着した薬液（ＨＦ）を除去（リ
ンス処理）して洗浄処理を終了する。その後、流量調整
開閉バルブＶ1を閉じると共に、ウエハボート２１を上
昇させてウエハＷを処理槽３０から搬出し、開閉バルブ
Ｖ2を開放して内槽３０ａ内の洗浄液を排出するか、あ
るいは開閉バルブＶ2を閉じたままにして内槽３０ａ内
に洗浄液を貯留しておく。

【００８８】なお、上記説明では、待機状態から処理を
開始する場合について説明したが、待機状態でない場合
から処理を開始するときは、ダミーフロー時に開閉バル
ブＶ5のみを開放して、その他のバルブＶ1，Ｖ2，Ｖ3は
閉じておけばよい。すなわち、処理開始直前に開閉弁Ｖ
5のみを開放してイオン水をダミーフロー用の排出管４
１から排出して、イオン水の流量がウエハＷを処理する
時の流量（例えば２０リットル／分）に達した時点で、
開閉バルブＶ5を閉止し、それと同時に、流量調整開閉
バルブＶ1及び開閉バルブＶ3を開放して、所定流量（例
えば２０リットル／分）のイオン水を処理槽３０内に供
給すると共に、薬液供給源３５から所定量（例えば０．
１リットル／分）の薬液例えばＨＦを洗浄液供給管３３
内に供給した後、上記と同様にウエハＷの洗浄処理を行
うようにしてもよい。

【００８９】◎第１１実施形態 図１５はこの発明に係る洗浄処理装置の第１１実施形態
を示す概略断面図である。第１１実施形態は、上記第７
実施形態のオゾン水生成手段に代えてイオン水生成手段
例えばイオン水生成器６０を用いて、ウエハＷ表面に付
着するパーティクルを除去すると共に、金属汚染物を除
去し得るようにした場合である。

【００９０】すなわち、洗浄液供給管３３の純水供給源
３１側に、流量（圧力）コントローラ３６、ランプヒー
タ４２（温度制御手段）及びイオン水生成器６０を介設
し、これら流量（圧力）コントローラ３６、ランプヒー
タ４２及びイオン水生成器６０の流出側に、流量調整開
閉バルブＶ1を介設すると共に、この開閉バルブＶ1と、
流量（圧力）コントローラ３６、ランプヒータ４２及び
イオン水生成器６０との間に、開閉バルブＶ5を介して
ダミーフロー用の排出管４１を接続した場合である。こ
の場合、ランプヒータ４２の流出側に温度検出手段例え
ば温度センサ４３が介設されており、この温度センサ４
３にて検出された検出信号を、制御手段例えばＣＰＵ４
４に予め記憶された情報と比較演算処理して、その出力
信号をランプヒータ４２に伝達することにより、ランプ
ヒータ４２を制御動作させて、洗浄液供給管３３中を流
れる洗浄液の温度を所定温度例えば２５℃に設定し得る
ように構成されている。

【００９１】なお、第１１実施形態において、その他の
部分は上記第７実施形態と同じであるので、同一部分に
は、同一符号を付して、その説明は省略する。また、上
記説明では、イオン水生成器６０が流量調整開閉バルブ
Ｖ1の流入側に介設される場合について説明したが、イ
オン水生成器６０は、必ずしも流量調整開閉バルブＶ1
の流入側に介設する必要はなく、図１５に二点鎖線で示
すように、流量調整開閉バルブＶ1及び薬液供給管３４
の接続部の流出側に介設するようにしてもよい。

【００９２】第１１実施形態の洗浄処理装置を用いて洗
浄処理する場合は、上記第７実施形態と同様に、ウエハ
Ｗの洗浄開始直前に、開閉バルブＶ5を開放して洗浄液
供給管３３中を流れるイオン水の一部を排出管４１から
排出（ダミーフロー）し、イオン水の流量がウエハＷを
処理する時の流量（例えば２０リットル／分）に達して
安定した時点で、開閉バルブＶ5を閉止すると共に、開
閉バルブＶ3を開放して薬液供給源３５から所定量（例
えば０．１リットル／分）の薬液例えばＨＦを洗浄液供
給管３３内に供給して、イオン水とＨＦの希釈液を洗浄
液供給ノズル３２から処理槽３０内に供給する他に、イ
オン水及び希釈液の温度を所定温度例えば２５℃に温度
調整した安定した状態でウエハＷの薬液及びリンス処理
を行うことができる。したがって、洗浄性能の向上が図
れると共に、洗浄精度の向上が図れる。

【００９３】なお、上記説明では、待機状態から処理を
開始する場合について説明したが、上記第４実施形態及
び第７実施形態と同様に、待機状態でない場合から処理
を開始するときは、ダミーフロー時に開閉バルブＶ5の
みを開放して、その他のバルブＶ1，Ｖ2，Ｖ3は閉じて
おけばよい。すなわち、処理開始直前に開閉弁Ｖ5のみ
を開放してイオン水をダミーフロー用の排出管４１から
排出して、純水の流量がウエハＷを処理する時の流量
（例えば２０リットル／分）に達した時点で、開閉バル
ブＶ5を閉止し、それと同時に、流量調整開閉バルブＶ1
及び開閉バルブＶ3を開放して、所定流量（例えば２０
リットル／分）及び所定温度例えば２５℃のイオン水を
処理槽３０内に供給すると共に、薬液供給源３５から所
定量（例えば０．１リットル／分）の薬液例えばＨＦを
洗浄液供給管３３内に供給した後、上記と同様にウエハ
Ｗの洗浄処理を行うようにしてもよい。

【００９４】なお、上記第７実施形態では、上記第４実
施形態にイオン水生成器６０を組み込んだ形態の場合、
すなわちダミー用排出管４１を設けた場合について説明
したが、ダミー用排出管４１を設けない上記第３実施形
態に適用することも可能である。

【００９５】◎その他の実施形態 上記実施形態では、この発明の洗浄処理装置が第３の処
理ユニット１６に適用される場合について説明したが、
第１及び第２の処理ユニット１４，１５にも適用できる
ことは勿論である。なお、第１又は第２の処理ユニット
に適用した場合、薬液にＡＰＭ液（アンモニア、過酸化
水素及び水を適当な割合で混合した混合液）やＨＰＭ液
（ＨＣｌ／Ｈ2Ｏ2／Ｈ2Ｏ混合液）が用いられる。これ
らＡＰＭ液あるいはＨＰＭ液を用いた場合には、上記洗
浄液供給管３３に２系統の薬液供給ラインを接続する以
外は、上記実施形態と同じであるので、説明は省略す
る。

【００９６】また、上記実施形態では、リンス液が純
水，オゾン水又はイオン水である場合について説明した
が、これらリンス液と同様に被処理体をリンス処理でき
るものであれば、これら純水，オゾン水又はイオン水以
外の液体を用いることも可能である。

【００９７】また、上記実施形態では、この発明の洗浄
処理装置及び洗浄処理方法を半導体ウエハの洗浄処理シ
ステムに適用した場合について説明したが、半導体ウエ
ハ以外のＬＣＤ用ガラス基板等にも適用できることは勿
論である。

【００９８】

【発明の効果】以上に説明したように、この発明によれ
ば、上記のように構成されているので、以下のような優
れた効果が得られる。

【００９９】（１）請求項１，３〜７，１０，１１，１
５，１６，１９記載の発明によれば、被処理体の処理を
開始する前に、洗浄液が所定流量に達するまで洗浄液を
流出し、洗浄液が所定流量に達した時点で、洗浄液を処
理槽に供給することにより、洗浄液（例えばリンス液と
薬液を混合した希釈液）の濃度を一定にした状態で洗浄
処理することができる。したがって、洗浄性能を安定さ
せると共に、洗浄性能の向上を図ることができる。

【０１００】（２）請求項２，８，９，１２〜１４，１
７，１８，２０記載の発明によれば、被処理体の処理を
開始する前に、洗浄液が所定流量及び所定温度に達する
まで洗浄液を流出及び温度調整し、洗浄液が所定流量及
び所定温度に達した時点で、洗浄液を処理槽に供給する
ことにより、洗浄液（例えばリンス液と薬液を混合した
希釈液）の濃度を一定にした状態で洗浄処理することが
できると共に、この洗浄液の温度調整の初期安定化が図
れる。したがって、上記（１）に加えて洗浄性能を安定
させると共に、洗浄性能の向上及び洗浄精度の向上を図
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明に係る洗浄処理装置を適用した洗浄処
理システムの概略平面図である。

【図２】この発明に係る洗浄処理装置の第１実施形態を
示す概略断面図である。

【図３】第１実施形態の洗浄処理手順を示すタイムチャ
ートである。

【図４】この発明に係る洗浄処理装置の第２実施形態を
示す概略断面図である。

【図５】第２実施形態の洗浄処理手順を示すタイムチャ
ートである。

【図６】この発明に係る洗浄処理装置の第３実施形態を
示す概略断面図である。

【図７】この発明に係る洗浄処理装置の第４実施形態を
示す概略断面図である。

【図８】この発明に係る洗浄処理装置の第５実施形態を
示す概略断面図である。

【図９】この発明に係る洗浄処理装置の第６実施形態を
示す概略断面図である。

【図１０】この発明に係る洗浄処理装置の第７実施形態
を示す概略断面図である。

【図１１】この発明に係る洗浄処理装置の第８実施形態
を示す概略断面図である。

【図１２】この発明に係る洗浄処理装置の第９実施形態
を示す概略断面図である。

【図１３】第９実施形態におけるイオン水生成器を示す
概略断面図である。

【図１４】この発明に係る洗浄処理装置の第１０実施形
態を示す概略断面図である。

【図１５】この発明に係る洗浄処理装置の第１１実施形
態を示す概略断面図である。

【符号の説明】

Ｗ 半導体ウエハ（被処理体） ３０ 処理槽 ３１ 純水供給源（第１の洗浄液供給源） ３１Ａ 補助純水供給源（補助洗浄液供給源） ３２ 洗浄液供給ノズル（洗浄液供給手段） ３３ 洗浄液供給管 ３３Ａ 補助洗浄液供給管 ３４ 薬液供給管 ３５ 薬液供給源（第２の洗浄液供給源） ３６ 流量（圧力）コントローラ（流量制御手段） ３７ 排出口 ３８ 排液管 ４１ ダミーフロー用排出管 ４２ ランプヒータ（温度制御手段） ４２Ａ ランプヒータ（温度制御手段） ４３ 温度センサ（温度検出手段） ４３Ａ 温度センサ（温度検出手段） ４４ ＣＰＵ（制御手段） ５０ オゾン水生成器（オゾン水生成手段） ６０ イオン水生成器（イオン水生成手段） Ｖ1 流量調整開閉バルブ Ｖ2，Ｖ3，Ｖ5 開閉バルブ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 広城 幸吉 佐賀県鳥栖市西新町1375番地41 東京エレ クトロン九州株式会社佐賀事業所内 (72)発明者 百武 宏展 佐賀県鳥栖市西新町1375番地41 東京エレ クトロン九州株式会社佐賀事業所内

Claims (20)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 処理槽内に供給される洗浄液に被処理体
   を接触させて洗浄処理する洗浄処理方法において、 上記被処理体の処理を開始する前に、上記供給される洗
   浄液が所定流量に達するまで洗浄液を流出し、洗浄液が
   所定流量に達した時点で、上記洗浄液を上記処理槽内に
   供給するようにした、ことを特徴とする洗浄処理方法。
2. 【請求項２】 処理槽内に供給される洗浄液に被処理体
   を接触させて洗浄処理する洗浄処理方法において、 上記被処理体の処理を開始する前に、上記供給される洗
   浄液が所定流量及び所定温度に達するまで洗浄液を流出
   及び温度調整し、洗浄液が所定流量及び所定温度に達し
   た時点で、上記洗浄液を上記処理槽内に供給するように
   した、ことを特徴とする洗浄処理方法。
3. 【請求項３】 請求項１又は２記載の洗浄処理方法にお
   いて、 上記洗浄液が、リンス処理に供されるリンス液に薬液を
   混入した希釈液であり、被処理体の処理を開始する前に
   流出される洗浄液を、上記薬液の混入前のリンス液とし
   た、ことを特徴とする洗浄処理方法。
4. 【請求項４】 請求項３記載の洗浄処理方法において、 上記リンス液が、純水、オゾン水又はイオン水のいずれ
   かである、ことを特徴とする洗浄処理方法。
5. 【請求項５】 請求項１ないし３のいずれかに記載の洗
   浄処理方法において、 上記洗浄液が所定流量に達するまで、洗浄液の処理槽へ
   の供給系と別系統の配管系に洗浄液を流出する、ことを
   特徴とする洗浄処理方法。
6. 【請求項６】 請求項１ないし３のいずれかに記載の洗
   浄処理方法において、 上記洗浄液が所定流量に達するまで、処理槽を介して洗
   浄液を流出する、ことを特徴とする洗浄処理方法。
7. 【請求項７】 被処理体を収容する処理槽と、上記処理
   槽内に洗浄液を供給する供給手段と、上記供給手段に供
   給管を介して接続される第１の洗浄液供給源と、上記供
   給管に開閉手段を介して接続される第２の洗浄液供給源
   と、を具備する洗浄処理装置において、 上記供給管の上記第１の洗浄液供給源側に、流量制御手
   段を介設し、この流量制御手段の流出側に、開閉手段を
   介設すると共に、この開閉手段と流量制御手段との間
   に、開閉手段を介して排出管を接続してなる、ことを特
   徴とする洗浄処理装置。
8. 【請求項８】 被処理体を収容する処理槽と、上記処理
   槽内に洗浄液を供給する供給手段と、上記供給手段に供
   給管を介して接続される第１の洗浄液供給源と、上記供
   給管に開閉手段を介して接続される第２の洗浄液供給源
   と、を具備する洗浄処理装置において、 上記供給管の上記第１の洗浄液供給源側に、流量制御手
   段と温度制御手段を介設すると共に、流量制御手段の流
   出側に開閉手段を介設してなる、ことを特徴とする洗浄
   処理装置。
9. 【請求項９】 被処理体を収容する処理槽と、上記処理
   槽内に洗浄液を供給する供給手段と、上記供給手段に供
   給管を介して接続される第１の洗浄液供給源と、上記供
   給管に開閉手段を介して接続される第２の洗浄液供給源
   と、を具備する洗浄処理装置において、 上記供給管の上記第１の洗浄液供給源側に、流量制御手
   段と温度制御手段を介設し、 上記流量制御手段及び温度制御手段の流出側に、開閉手
   段を介設すると共に、この開閉手段と、上記流量制御手
   段及び温度制御手段との間に、開閉手段を介して排出管
   を接続してなる、ことを特徴とする洗浄処理装置。
10. 【請求項１０】 被処理体を収容する処理槽と、上記処
    理槽内に洗浄液を供給する供給手段と、上記供給手段に
    供給管を介して接続される第１の洗浄液供給源と、上記
    供給管に開閉手段を介して接続される第２の洗浄液供給
    源と、を具備する洗浄処理装置において、 上記供給管の上記第１の洗浄液供給源側に、流量制御手
    段とオゾン水生成手段を介設すると共に、流量制御手段
    の流出側に開閉手段を介設してなる、ことを特徴とする
    洗浄処理装置。
11. 【請求項１１】 請求項１０記載の洗浄処理装置におい
    て、 上記開閉手段と、上記流量制御手段及びオゾン水生成手
    段との間に、開閉手段を介設して排出管を接続してな
    る、ことを特徴とする洗浄処理装置。
12. 【請求項１２】 被処理体を収容する処理槽と、上記処
    理槽内に洗浄液を供給する供給手段と、上記供給手段に
    供給管を介して接続される第１の洗浄液供給源と、上記
    供給管に開閉手段を介して接続される第２の洗浄液供給
    源と、を具備する洗浄処理装置において、 上記供給管の上記第１の洗浄液供給源側に、流量制御手
    段と温度制御手段及びオゾン水生成手段を介設し、 上記流量制御手段、温度制御手段及びオゾン水生成手段
    の流出側に、開閉手段を介設すると共に、この開閉手段
    と、上記流量制御手段、温度制御手段及びオゾン水生成
    手段との間に、開閉手段を介して排出管を接続してな
    る、ことを特徴とする洗浄処理装置。
13. 【請求項１３】 請求項１２記載の洗浄処理装置におい
    て、 上記供給管における第１の洗浄液供給源と開閉手段との
    間に、補助開閉手段を介設する補助供給管を介して上記
    第１の洗浄液と同質の洗浄液の補助洗浄液供給源を接続
    してなる、ことを特徴とする洗浄処理装置。
14. 【請求項１４】 請求項１３記載の洗浄処理装置におい
    て、 上記補助供給管の上記補助洗浄液供給源側に、温度制御
    手段を介設してなる、ことを特徴とする洗浄処理装置。
15. 【請求項１５】 被処理体を収容する処理槽と、上記処
    理槽内に洗浄液を供給する供給手段と、上記供給手段に
    供給管を介して接続される第１の洗浄液供給源と、上記
    供給管に開閉手段を介して接続される第２の洗浄液供給
    源と、を具備する洗浄処理装置において、 上記供給管の上記第１の洗浄液供給源側に、流量制御手
    段を介設し、 上記供給管における上記流量制御手段の流出側の適宜箇
    所にイオン水生成手段を介設してなる、ことを特徴とす
    る洗浄処理装置。
16. 【請求項１６】 請求項１５記載の洗浄処理装置におい
    て、 上記流量制御手段の流出側に、開閉手段を介設すると共
    に、この開閉手段と流量制御手段との間に、開閉手段を
    介して排出管を接続してなる、ことを特徴とする洗浄処
    理装置。
17. 【請求項１７】 被処理体を収容する処理槽と、上記処
    理槽内に洗浄液を供給する供給手段と、上記供給手段に
    供給管を介して接続される第１の洗浄液供給源と、上記
    供給管に開閉手段を介して接続される第２の洗浄液供給
    源と、を具備する洗浄処理装置において、 上記供給管の上記第１の洗浄液供給源側に、流量制御手
    段と温度制御手段を介設すると共に、流量制御手段の流
    出側に開閉手段を介設し、 上記供給管における上記流量制御手段の流出側の適宜箇
    所に、イオン水生成手段を介設してなる、ことを特徴と
    する洗浄処理装置。
18. 【請求項１８】 請求項１７記載の洗浄処理装置におい
    て、 上記開閉手段と、上記流量制御手段及び温度制御手段と
    の間に、開閉手段を介して排出管を接続してなる、こと
    を特徴とする洗浄処理装置。
19. 【請求項１９】 請求項７ないし１８のいずれかに記載
    の洗浄処理装置において、 上記流量制御手段の流出側に介設される開閉手段を、流
    量調整可能に形成してなる、ことを特徴とする洗浄処理
    装置。
20. 【請求項２０】 請求項８，９，１２，１３，１４又は
    １７記載の洗浄処理装置において、 上記供給管における温度制御手段の流出側に、温度検出
    手段を配設し、この温度検出手段からの検出信号に基づ
    いて温度制御手段を制御動作させる、ことを特徴とする
    洗浄処理装置。