JPS6233013Y2 - - Google Patents
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- JPS6233013Y2 JPS6233013Y2 JP15822183U JP15822183U JPS6233013Y2 JP S6233013 Y2 JPS6233013 Y2 JP S6233013Y2 JP 15822183 U JP15822183 U JP 15822183U JP 15822183 U JP15822183 U JP 15822183U JP S6233013 Y2 JPS6233013 Y2 JP S6233013Y2
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
(a) 考案の技術分野
本考案は反応管の洗浄が効果的に行えるアダプ
タの構成に関する。
タの構成に関する。
(b) 技術の背景
半導体IC，LSIなどの半導体素子はシリコン
（Si）やガリウム砒素（GaAs）など単体半導体或
は化合物半導体からなる単結晶基板の上に薄膜形
成技術と写真蝕刻技術（ホトリソグラフイ）を用
いて形成されている。
（Si）やガリウム砒素（GaAs）など単体半導体或
は化合物半導体からなる単結晶基板の上に薄膜形
成技術と写真蝕刻技術（ホトリソグラフイ）を用
いて形成されている。
すなわちエピタキシヤル成長やヘテロエピタキ
シヤル成長などを行つて半導体層を作り、真空蒸
着法やスパツタ法などにより導体層をまた化学気
相成長法（以後略してCVD）で絶縁層などを作
り、これにホトエツチングを施して微細パターン
からなる半導体素子を形成している。こゝで半導
体基板（以下略してウエハ）上への半導体層の形
成或は絶縁層の形成などは複数個のウエハを石英
などの耐熱耐薬品性材料からなるウエハホルダに
載置し横型或は縦型の円筒状反応管に挿入して行
うことが多い。
シヤル成長などを行つて半導体層を作り、真空蒸
着法やスパツタ法などにより導体層をまた化学気
相成長法（以後略してCVD）で絶縁層などを作
り、これにホトエツチングを施して微細パターン
からなる半導体素子を形成している。こゝで半導
体基板（以下略してウエハ）上への半導体層の形
成或は絶縁層の形成などは複数個のウエハを石英
などの耐熱耐薬品性材料からなるウエハホルダに
載置し横型或は縦型の円筒状反応管に挿入して行
うことが多い。
例えば横型反応管の中央部にウエハホルダに載
置したウエハを置いて所定の温度にまで加熱し、
この状態で反応管の一端から反応ガスを供給し熱
分解させて気相成長を行わしめたり、或は不活性
ガス雰囲気中で加熱して不純物の拡散を行わせた
りする。
置したウエハを置いて所定の温度にまで加熱し、
この状態で反応管の一端から反応ガスを供給し熱
分解させて気相成長を行わしめたり、或は不活性
ガス雰囲気中で加熱して不純物の拡散を行わせた
りする。
このように半導体素子の製造に際しては円筒状
の反応管特に石英よりなる反応管が使用されてお
り、これらは処理後取り外して洗浄して内壁への
析出物をとり繰返し使用されている。
の反応管特に石英よりなる反応管が使用されてお
り、これらは処理後取り外して洗浄して内壁への
析出物をとり繰返し使用されている。
本考案はこの洗浄を効果的に行うため付加する
アダプタの構成に関するものである。
アダプタの構成に関するものである。
(c) 従来技術と問題点
半導体素子製造の際の気相成長や拡散などの処
理は円筒状の反応管を用いて行われることが多い
がこの場合反応管の内壁には分解生成物が多く析
出する。
理は円筒状の反応管を用いて行われることが多い
がこの場合反応管の内壁には分解生成物が多く析
出する。
例えばSi基板上にCVD法により二酸化硅素
（SiO2）からなる絶縁物を形成する場合は反応管
の一端よりシラン（SiH4）の過酸化窒素（NO2）お
よび酸素（O2）の混合ガスを導入しウエハ上で熱
分解せしめて形成するが、この場合SiO2はウエ
ハ上だけでなく石英反応管の内壁にも反応物の析
出が起る。
（SiO2）からなる絶縁物を形成する場合は反応管
の一端よりシラン（SiH4）の過酸化窒素（NO2）お
よび酸素（O2）の混合ガスを導入しウエハ上で熱
分解せしめて形成するが、この場合SiO2はウエ
ハ上だけでなく石英反応管の内壁にも反応物の析
出が起る。
そこで絶縁層の形成が終つた後は石英反応管を
薬品処理して内壁に析出しているSiO2を溶解除
去する必要があり、この方法として従来は弗酸
（HF）などの溶液中に反応管を浸漬し内壁の析出
物が溶解するまで放置していた。
薬品処理して内壁に析出しているSiO2を溶解除
去する必要があり、この方法として従来は弗酸
（HF）などの溶液中に反応管を浸漬し内壁の析出
物が溶解するまで放置していた。
なお基板上に金属からなる導体層を形成した場
合はその金属に適した溶質例えば硝酸
（HNO3），主水などの溶液中に反応管を浸漬して
管壁への附着物を溶解せしめ次に水洗洗浄を充分
に行つて清浄化する処理を行つていた。
合はその金属に適した溶質例えば硝酸
（HNO3），主水などの溶液中に反応管を浸漬して
管壁への附着物を溶解せしめ次に水洗洗浄を充分
に行つて清浄化する処理を行つていた。
然し乍ら現在基板として使用されているSiウエ
ハは大きいもので直径が５〔インチ〕のものが用
いられており、かゝる基板を処理する石英反応管
の直径は約12〜18〔cm〕また長さは約140〜200
〔cm〕と大きなものが使われている。そのため反
応管の運搬，浸漬，洗浄などの処理は容易ではな
くこの反応管の清浄化作業の効率化が望められて
いた。
ハは大きいもので直径が５〔インチ〕のものが用
いられており、かゝる基板を処理する石英反応管
の直径は約12〜18〔cm〕また長さは約140〜200
〔cm〕と大きなものが使われている。そのため反
応管の運搬，浸漬，洗浄などの処理は容易ではな
くこの反応管の清浄化作業の効率化が望められて
いた。
(d) 考案の目的
本考案は円筒形反応管の内部に析出した反応生
成物の溶解および水洗洗浄を効率よく行い得る洗
浄用アダプタの構造を提供することを目的とす
る。
成物の溶解および水洗洗浄を効率よく行い得る洗
浄用アダプタの構造を提供することを目的とす
る。
(e) 考案の構成
本考案の目的は、垂直に保持した円筒状反応管
の頂部に設けられ該反応管の内壁に洗浄液を供給
するのに使用するアダプタが上部に洗浄液の導入
管を備えたキヤツプ部と該キヤツプ部に挿入され
ネジにより継合する撒布部とから構成されてお
り、前記導入管より供給された洗浄液が継合部に
設けられた複数個の分岐孔により分岐すると共に
撒布部の表面を通つて反応管の内壁部に導かれる
ことを特徴とする反応管洗浄用アダプタにより達
成することができる。
の頂部に設けられ該反応管の内壁に洗浄液を供給
するのに使用するアダプタが上部に洗浄液の導入
管を備えたキヤツプ部と該キヤツプ部に挿入され
ネジにより継合する撒布部とから構成されてお
り、前記導入管より供給された洗浄液が継合部に
設けられた複数個の分岐孔により分岐すると共に
撒布部の表面を通つて反応管の内壁部に導かれる
ことを特徴とする反応管洗浄用アダプタにより達
成することができる。
(f) 考案の実施例
第１図は本考案に係るアダプタの側断面構成図
また第２図はＸ−X′線におけるアダプタの断面
図である。
また第２図はＸ−X′線におけるアダプタの断面
図である。
本考案に係るアダプタはテフロンなど耐薬品性
の優れた合成樹脂で形成され、キヤツプ部１と撒
布部２とがネジ機構により継合する構造となつて
おり、垂直に立てた反応管３の上部に嵌合しエツ
チング液および洗浄水を上部より反応管の内壁に
沿つて流すと共にポンプに連結して繰返し循環さ
せるようにしている。
の優れた合成樹脂で形成され、キヤツプ部１と撒
布部２とがネジ機構により継合する構造となつて
おり、垂直に立てた反応管３の上部に嵌合しエツ
チング液および洗浄水を上部より反応管の内壁に
沿つて流すと共にポンプに連結して繰返し循環さ
せるようにしている。
すなわちキヤツプ部１は上部に洗浄液の導入管
４があると共に下側には反応管３の上端が嵌合す
る円筒状の凹部があり、その上部は摺り鉢状に狭
まり、その天井部の中央は導入管４と続いてい
る。またキヤツプ部１の内側の上部には雌ネジ５
が切られている。
４があると共に下側には反応管３の上端が嵌合す
る円筒状の凹部があり、その上部は摺り鉢状に狭
まり、その天井部の中央は導入管４と続いてい
る。またキヤツプ部１の内側の上部には雌ネジ５
が切られている。
次に撒布部２の上部は雄ネジ６が切られていて
キヤツプ部１と継合するようになつており、また
上部には複数個の分岐孔７が開けられていて導入
管４からアダプタへ導入されたエツチング液はこ
の複数個の分岐孔７を通つて下に流れるよう構成
されている。
キヤツプ部１と継合するようになつており、また
上部には複数個の分岐孔７が開けられていて導入
管４からアダプタへ導入されたエツチング液はこ
の複数個の分岐孔７を通つて下に流れるよう構成
されている。
また、撒布部２の下側は傘状に開いてその先端
８は反応管３の上端に接近するように構成されて
いる。
８は反応管３の上端に接近するように構成されて
いる。
なおキヤツプ部１の内側と撒布部２との間隔は
雌ネジ５および雄ネジ６のネジ機構により調節が
可能である。
雌ネジ５および雄ネジ６のネジ機構により調節が
可能である。
次にかゝるアダプタをつけた反応管の洗浄法を
実施例について説明すると次のようになる。
実施例について説明すると次のようになる。
CVD法により基板上にSiO2絶縁膜の形成作業
が終つた石英管は装置より取り外しHF水溶液が
入つているエツチング槽の中に垂直に立てゝ固定
すると共に本考案に係るアダプタを石英管の上端
に挿着し導入管４にエツチング槽と連結している
循環ポンプのホースを取りつける。
が終つた石英管は装置より取り外しHF水溶液が
入つているエツチング槽の中に垂直に立てゝ固定
すると共に本考案に係るアダプタを石英管の上端
に挿着し導入管４にエツチング槽と連結している
循環ポンプのホースを取りつける。
これにより石英管とエツチング液とをホースで
繋いだ循環回路ができ上る。
繋いだ循環回路ができ上る。
次にポンプを作動するとエツチング液は導入管
４よりアダプタの撒布部２の分岐孔７でこの例の
場合８つに分割され、撒布部２とキヤツプ部１と
の隙き間を通つて拡がり反応管（石英管）３の上
端にかゝり内壁に沿つて流下する。そして流下し
たエツチング液はポンプにより再び循環すること
になる。
４よりアダプタの撒布部２の分岐孔７でこの例の
場合８つに分割され、撒布部２とキヤツプ部１と
の隙き間を通つて拡がり反応管（石英管）３の上
端にかゝり内壁に沿つて流下する。そして流下し
たエツチング液はポンプにより再び循環すること
になる。
こゝでキヤツプ部１と撒布部２との間隙はネジ
機構により調節できるよう構成されているのでエ
ツチング液は間隙部に一様に拡がり反応管（石英
管）３の内壁に沿つて流れ均一なエツチング作用
が行われる。なお析出物のエツチングが終つた後
はアダプタを外して反応管（石英管）３をとり出
して水洗槽に移し同様にアダプタを嵌合させて水
洗洗浄を行えばよい。
機構により調節できるよう構成されているのでエ
ツチング液は間隙部に一様に拡がり反応管（石英
管）３の内壁に沿つて流れ均一なエツチング作用
が行われる。なお析出物のエツチングが終つた後
はアダプタを外して反応管（石英管）３をとり出
して水洗槽に移し同様にアダプタを嵌合させて水
洗洗浄を行えばよい。
(g) 考案の効果
本考案は反応管の内壁に析出している反応物を
除去し洗浄する作業を能率的に行うためになされ
たもので本考案に係るアダプタの使用により洗浄
処理時間の短縮が可能となる。
除去し洗浄する作業を能率的に行うためになされ
たもので本考案に係るアダプタの使用により洗浄
処理時間の短縮が可能となる。
第１図は反応管に装着したアダプタの側断面構
成図、また第２図はＸ−X′線における断面図で
ある。 図において、１はキヤツプ部、２は撒布部、３
は反応管、４は導入管、７は分岐孔。
成図、また第２図はＸ−X′線における断面図で
ある。 図において、１はキヤツプ部、２は撒布部、３
は反応管、４は導入管、７は分岐孔。
Claims (1)
- 垂直に保持した円筒状反応管の頂部に設けられ
該反応管の内壁に洗浄液を供給するのに使用する
アダプタが上部に洗浄液の導入管を備えたキヤツ
プ部と該キヤツプ部に挿入されネジにより継合す
る撒布部とから構成されており、前記導入管より
供給された洗浄液が継合部に設けられた複数個の
分岐孔により分岐すると共に撒布部の表面を通つ
て反応管の内壁部に導かれることを特徴とする反
応管洗浄用アダプタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15822183U JPS6067364U (ja) | 1983-10-13 | 1983-10-13 | 反応管洗浄用アダプタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15822183U JPS6067364U (ja) | 1983-10-13 | 1983-10-13 | 反応管洗浄用アダプタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6067364U JPS6067364U (ja) | 1985-05-13 |
| JPS6233013Y2 true JPS6233013Y2 (ja) | 1987-08-24 |
Family
ID=30348615
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15822183U Granted JPS6067364U (ja) | 1983-10-13 | 1983-10-13 | 反応管洗浄用アダプタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6067364U (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6254081A (ja) * | 1985-09-02 | 1987-03-09 | Toshiba Mach Co Ltd | 気相成長装置 |
| JP5077134B2 (ja) * | 2008-08-11 | 2012-11-21 | 株式会社Ｓｕｍｃｏ | 石英部材の洗浄方法 |
-
1983
- 1983-10-13 JP JP15822183U patent/JPS6067364U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6067364U (ja) | 1985-05-13 |
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