JPH09289174A - 半導体製造工程に用いられる拡散炉 - Google Patents

半導体製造工程に用いられる拡散炉

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JPH09289174A
JPH09289174A JP8348151A JP34815196A JPH09289174A JP H09289174 A JPH09289174 A JP H09289174A JP 8348151 A JP8348151 A JP 8348151A JP 34815196 A JP34815196 A JP 34815196A JP H09289174 A JPH09289174 A JP H09289174A
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tube
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基欽 南
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五淵 韓
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体製造工程に用いられる拡散炉を提供す
る。 【解決手段】 相異なる長さを有する二つ以上の開噴射
管に分岐される構造又は一直線状の単純な構造から形成
されることにより、洗浄及び取扱いが容易になり、工程
チューブ内に反応ガスを均一に供することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体製造工程に用
いられる拡散炉に係り、特に工程チューブ内に反応ガス
を均一に供し得る噴射器を有する拡散炉に関する。
【０００２】
【従来の技術】一枚のウェーハから得られるチップの数
を増加させることにより、半導体装置の製造コストを減
少させ生産性を増加させるために、ウェーハが大口径化
されつつある。従って、半導体装置を製造する製造装備
も大口径のウェーハが用いられるように変化されてい
る。特に、シリコン酸化工程、熱処理工程、不純物の蒸
着工程等が施される拡散炉の場合、ウェーハの大口径化
に伴い横型拡散炉より縦型拡散炉の使用が更に一般化さ
れている。
【０００３】図１に示された従来の縦型拡散炉を参照す
ると、拡散炉は拡散工程を施すためのウェーハがローデ
ィングされる工程チューブ１と、工程チューブ１内に反
応ガスを供するためのガス供給ライン３と、前記工程チ
ューブ１の内部を浄化し汚染粒子の発生を減らすための
ファジーガス、例えば窒素ガスを供するための第１、２
ファジーガス供給ライン９，１１とから構成されてい
る。
【０００４】前記反応ガス供給ライン３の一端には反応
ガスを前記工程チューブ１内に均一に供するための噴射
器５が設けられている。前記噴射器５はＵ字状に曲がっ
ており、その側面には反応ガスを前記工程チューブ１内
に噴射させるための微細なノズル孔７が一定の間隔で形
成されている。
【０００５】前記拡散炉で拡散工程を行う時、ウェーハ
の全面にかけて均一に反応ガスを反応させるためには、
前記噴射器５を通して供される反応ガスが前記工程チュ
ーブ１内に均一に分布されなければならない。従って、
前記噴射器５に形成されたノズル孔７を清潔にして、塞
がらないようにその孔のサイズを保つべきである。
【０００６】しかしながら、前記ノズル孔７のサイズは
非常に小さいので、制作時の不良な仕上げ作業により、
孔のサイズが不均一になる問題点がある。かつ、長時間
の使用により、残留ガスのためにノズル孔７の一部が塞
がったり、供される反応ガスの圧力が不均一なためにノ
ズル孔７が塞がる現象が発生する。
【０００７】従って、拡散される反応ガスの濃度がウェ
ーハの部位別に不均一化される問題点が発生する。か
つ、このような問題点はウェーハが大口径化されるほど
更に深刻になる。
【０００８】前記問題点を解決するために、前記噴射器
５を化学薬品にて洗浄しても、前記噴射器５の形態がＵ
字状に曲がっており、前記ノズル孔７のサイズが微細な
ので、化学薬品による洗浄も完璧に行われない短所があ
る。
【０００９】かつ、前記噴射器５の形状が複雑なため保
管や取扱いの際に損なわれやすいという他の問題点があ
る。
【００１０】
【発明が解決しょうとする課題】本発明は前述した従来
の問題点を解決するために案出されたものであり、構造
が簡単で取り扱いやすく、工程チューブ内に反応ガスを
均一に供し得る噴射器を有する拡散炉を提供するにその
目的がある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に本発明の拡散炉は、拡散工程を施す工程チューブと、
前記工程チューブに連結され、前記工程チューブ内にフ
ァジーガスを供するためのファジーガス供給ラインと、
前記工程チューブ内に拡散工程用の反応ガスを供するた
めの反応ガス供給ラインと、前記反応ガス供給ラインの
一端に連結されて前記工程チューブ内に設けられ、相異
なる長さを有する二つ以上の開噴射管に分岐される噴射
器とを具備することを特徴とする。
【００１２】かつ、前記目的を達成するために本発明
は、拡散工程を施す工程チューブと、前記工程チューブ
に連結され、前記工程チューブ内にファジーガスを供す
るためのファジーガス供給ラインと、前記工程チューブ
内に拡散工程用の反応ガスを供するための反応ガス供給
ラインと、前記反応ガス供給ラインの一端に連結されて
前記反応チューブ内に設けられ、前記チューブの壁に沿
って一直線状に設けられた閉鎖管であって、その側壁に
一定な間隔で開けられたノズル孔を有する噴射器を具備
することを特徴とする拡散炉を提供する。
【００１３】本発明による噴射器を用いると、工程チュ
ーブ内で反応ガスが均一に分布され得る。かつ、従来と
は異なり、洗浄が容易になる上に、保管や取扱いが簡単
になる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を添付した
図面に基づき更に詳細に説明する。
【００１５】実施例１ 図２を参照すると、本発明の実施例１による拡散炉は工
程チューブ２１と、反応ガスを供するための反応ガス供
給ライン２３と、工程チューブ２１の内部に浄化用のフ
ァジーガス、例えば窒素ガスを供するための第１ファジ
ーガス供給ライン２９と、工程チューブ２１内にウェー
ハと共に装着されるボート（図示せず）を回転させる回
転部の動作を円滑にし、汚染の発生を減少させるための
第２ファジーガス供給ライン３１とから構成されてい
る。
【００１６】前記反応ガス供給ライン２３の一端には反
応ガスを前記工程チューブ２１内に均一に供するための
噴射器２５が設けられている。前記噴射器２５は前記工
程チューブ２１内で分岐され、それぞれ第１噴射管２５
ａと第２噴射管２５ｂとに分けられている。前記第１噴
射管２５ａは第２噴射管２５ｂより長い。
【００１７】従って、相異なる長さを有する二つの管２
５ａ，２５ｂに分けられた前記噴射器２５を通して反応
ガスを供するので、工程チューブ２１の全体に反応ガス
を均一に供することができる。
【００１８】本実施例１では前記噴射器２５が二つに分
岐されているが、前記噴射器２５は相異なる長さを有す
る三つのチューブに分岐されることもできる。噴射器２
５が多数のチューブに分岐されるほど、工程チューブに
供される反応ガスの均一性も更に高まる。
【００１９】かつ、前記噴射器２５に微細なノズル孔が
形成されていないので、ノズル孔が塞がってガスの供給
が不均一になった従来の問題点が解決される。かつ、従
来とは異なり、前記噴射器の洗浄が容易であり、前記噴
射器の構造が簡単なので保管や取扱いに便利である。
【００２０】実施例２ 本発明の第２実施例による拡散炉の断面図を示す図３
で、図２と同一な参照符号は同一部材を示す。
【００２１】図３を参照すると、第２実施例による拡散
炉は第１実施例の分岐された噴射器（図２の２５参照）
とは異なり、一直線状構造の噴射器３５から構成されて
いる。
【００２２】即ち、第２実施例による噴射器３５は、従
来のＵ字状の噴射器（図１の５参照）とは異なり、前記
工程チューブ２１内で一直線状のまま上向きに伸びてい
る。かつ、前記噴射器３５には一定な間隔でノズル孔３
７が形成されているが、前記ノズル孔３７の直径は従来
の噴射器のノズル孔（図１の７参照）の直径より大き
い。
【００２３】本実施例２によると、従来のノズル孔より
大きい直径を有するノズル孔３７を通して前記工程チュ
ーブ２１内に反応ガスを供するので、ノズル孔が塞がる
ため発生する不均一な反応ガスの供給問題が解決され
る。かつ、化学薬品による洗浄もきれいに行われる。
【００２４】なお、前記噴射器３５の構造が簡単なの
で、保管や取扱いが便利になる。
【００２５】
【発明の効果】本発明によると、従来のノズル孔より大
きい直径のノズル孔を用いるので、反応ガスの供給が均
一になる上に、噴射器の構造が簡単なので保管や取扱い
が便利になる。
【００２６】本発明は前記実施例に限られず、多くの変
形が本発明の技術的思想内で当分野において通常の知識
を有する者により可能であることは明白である。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の拡散炉の断面図である。
【図２】本発明の第１実施例による拡散炉の断面図であ
る。
【図３】本発明の第２実施例による拡散炉の断面図であ
る。
【符号の説明】
２１ ：工程チューブ ２３ ：反応ガス供給ライン ２５ ：噴射器 ２５ａ：第１噴射管 ２５ｂ：大２噴射管 ２９ ：第１ファジーガス供給ライン ３１ ：第２ファジーガス供給ライン ３５ ：噴射器 ３７ ：ノズル孔

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 工程チューブと、 前記工程チューブに連結され、前記工程チューブ内にフ
    ァジーガスを供するためのファジーガス供給ラインと、 前記工程チューブ内に拡散工程用の反応ガスを供するた
    めの反応ガス供給ラインと、 前記反応ガス供給ラインの一端に連結されて前記工程チ
    ューブ内に設けられ、相異なる長さを有する二つ以上の
    開噴射管に分岐される噴射器とを具備することを特徴と
    する半導体製造工程に用いられる拡散炉。
  2. 【請求項２】 工程チューブと、 前記工程チューブに連結され、前記工程チューブ内にフ
    ァジーガスを供するためのファジーガス供給ラインと、 前記工程チューブ内に拡散工程用の反応ガスを供するた
    めの反応ガス供給ラインと、 前記反応ガス供給ラインの一端に連結されて前記反応チ
    ューブ内に設けられ、 前記チューブの壁に沿って一直線状に設けられた閉鎖チ
    ューブであって、その側壁に一定な間隔で開けられたノ
    ズル孔を有する噴射器を具備することを特徴とする半導
    体製造工程に用いられる拡散炉。
JP8348151A 1996-04-16 1996-12-26 半導体製造工程に用いられる拡散炉 Pending JPH09289174A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005311301A (ja) * 2004-03-24 2005-11-04 Tokyo Electron Ltd 被処理体の酸化方法、酸化装置及び記憶媒体
JP2009135546A (ja) * 2003-08-26 2009-06-18 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体装置の製造方法および基板処理装置

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100475016B1 (ko) * 1997-12-17 2005-04-14 삼성전자주식회사 확산로의반응튜브
JP2928210B1 (ja) * 1998-01-30 1999-08-03 九州日本電気株式会社 半導体基板の不純物拡散処理方法および半導体製造装置
US6442867B2 (en) * 2000-01-04 2002-09-03 Texas Instruments Incorporated Apparatus and method for cleaning a vertical furnace pedestal and cap
US20030111013A1 (en) * 2001-12-19 2003-06-19 Oosterlaken Theodorus Gerardus Maria Method for the deposition of silicon germanium layers
JP2005123532A (ja) * 2003-10-20 2005-05-12 Tokyo Electron Ltd 成膜装置及び成膜方法
KR100609065B1 (ko) * 2004-08-04 2006-08-10 삼성전자주식회사 산화막 형성 장치 및 방법
JP4983159B2 (ja) * 2006-09-01 2012-07-25 東京エレクトロン株式会社 被処理体の酸化方法、酸化装置及び記憶媒体
JP4464949B2 (ja) * 2006-11-10 2010-05-19 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び選択エピタキシャル膜成長方法
US7758338B2 (en) * 2007-05-29 2010-07-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Substrate carrier, port apparatus and facility interface and apparatus including same
KR101375621B1 (ko) * 2007-08-14 2014-03-19 (주)소슬 반도체 소자 제조 장치
JP5383332B2 (ja) 2008-08-06 2014-01-08 株式会社日立国際電気 基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法
JP6560924B2 (ja) * 2015-07-29 2019-08-14 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0786174A (ja) * 1993-09-16 1995-03-31 Tokyo Electron Ltd 成膜装置
US5522934A (en) * 1994-04-26 1996-06-04 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus using vertical gas inlets one on top of another

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009135546A (ja) * 2003-08-26 2009-06-18 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体装置の製造方法および基板処理装置
JP2005311301A (ja) * 2004-03-24 2005-11-04 Tokyo Electron Ltd 被処理体の酸化方法、酸化装置及び記憶媒体
JP4609098B2 (ja) * 2004-03-24 2011-01-12 東京エレクトロン株式会社 被処理体の酸化方法、酸化装置及び記憶媒体

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