JP2005142536A - プラズマ化学気相蒸着装置及びプラズマ処理装置に使用されるノズル及び噴射管 - Google Patents

プラズマ化学気相蒸着装置及びプラズマ処理装置に使用されるノズル及び噴射管 Download PDF

Info

Publication number
JP2005142536A
JP2005142536A JP2004271063A JP2004271063A JP2005142536A JP 2005142536 A JP2005142536 A JP 2005142536A JP 2004271063 A JP2004271063 A JP 2004271063A JP 2004271063 A JP2004271063 A JP 2004271063A JP 2005142536 A JP2005142536 A JP 2005142536A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
vapor deposition
chemical vapor
deposition apparatus
nozzle
tube
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2004271063A
Other languages
English (en)
Inventor
Ahn-Sik Moon
安 植 文
Seung-Ki Chae
勝 基 蔡
Junshoku Yo
潤 植 楊
Jae-Hyun Han
宰 賢 韓
Joo-Pyo Hong
周 杓 洪
Jong-Koo Lee
鐘 九 李
In-Cheol Lee
仁 ▲てつ▼ 李
Dae-Hyun Kim
大 玄 金
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1020040025097A external-priority patent/KR100578138B1/ko
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of JP2005142536A publication Critical patent/JP2005142536A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45512Premixing before introduction in the reaction chamber
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563Gas nozzles
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/505Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
    • C23C16/507Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using external electrodes, e.g. in tunnel type reactors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082Radio frequency generated discharge
    • H01J37/321Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244Gas supply means

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

【課題】 ノズル内でソースガスの反応を最小化することができる高密度プラズマ化学気相蒸着装置を提供する。
【解決手段】 前記高密度プラズマ化学気相蒸着装置10は、少なくとも二つの混合されたソースガスを噴射するノズル300を有する。各々の前記ノズル300は一つの通孔312が形成され、ガス供給部500からソースガスが供給される単一部330と前記単一部330から延長され、一つまたは複数の通孔322が形成された複合部340を有する。
【選択図】図5

Description

本発明は半導体素子製造に使用される装置に関するものであって、さらに詳細には、プラズマを利用して半導体基板上に所定の膜を蒸着するプラズマ化学気相蒸着装置、プラズマ処理装置に使用されるノズルおよび噴射管に関するものである。
半導体素子を製造するための主な工程のうちの一つはガスの化学的反応によって半導体基板上に薄膜を形成する化学気相蒸着(chemical mechanical deposition)工程である。化学気相蒸着工程を実行する装置のうちで最近、高い縦横比を有する空間を効果的に満たすことができる高密度プラズマ化学気相蒸着(high density plasma chemical vapor deposition、以下HDP−CVD)が主に使用されている。HDP−CVD装置は処理室内に高い密度のプラズマイオンを形成し、ソースガスを分解してウェーハ上に所定の膜蒸着を行うと同時に、不活性ガスを利用したエッチングを進行して、高い縦横比を有するギャップ(gap)内をボイド(void)なしに満たすことができる。
特許文献1には、上述のHDP−CVD装置が開示されている。これを参照すれば、チャンバ内に複数のノズルが設けられ、複数のソースガスが混合された状態で、これらノズルによってチャンバ内に噴射される。チャンバの外側には高周波電力が印加されるコイルが設けられ、これによって、ソースガスはチャンバ内でプラズマ状態に励起される。蒸着工程が進行される間に、チャンバの内壁には反応副産物が蒸着され、これらは後にパーティクルとして作用する。したがって、数枚のウェーハに対して工程を完了した後、エッチングガスを使用して定期的にチャンバ内をクリーニングしなければならない。
図24に示すように、HDP−CVD装置に使用される一般的なノズルは、中央にソースガスの移動路として一つの通孔が形成される。ソースガスはチャンバ内に噴射される前に、ノズル内で上述の高周波電力によってプラズマ状態に励起され、ソースガスが互いに反応してノズルの内壁に蒸着される。蒸着はノズルの先端から開始されて、時間が経過することによってノズルの内側に徐々に拡散する。
蒸着物質は後にパーティクルとして作用するので、チャンバ内壁のクリーニングのとき、ノズルの内部のクリーニングも同時に行なわれる。しかし、ノズル内側に相当長さが蒸着された場合、ノズルのクリーニングはチャンバ内壁のクリーニングに比べて約3ないし4倍程度の時間がかかる。ノズル内部の蒸着物質を除去するために長期間のクリーニングが要求されるので、設備稼動率が大きく低下して生産性が落ち、相対的にチャンバ内壁は過度にエッチングされるので、装備の寿命が短縮される。
また、ウェーハが大口径化されることによって、ノズルから噴射されるソースガスは相対的にウェーハのエッジの上部に集中する。したがって、工程進行のとき、ウェーハの全体に均一な蒸着が行なわれないという問題がある。
韓国特許出願公開第2003−01695号明細書
本発明は、ソースガスがノズル内部でプラズマ状態に励起されて、ノズル内壁に蒸着されることを最小化して、ノズル内部のクリーニングにかかる時間を短縮することができるプラズマ化学気相蒸着装置及びプラズマ処理装置に使用されるノズル及び噴射管を提供することを目的とする。
また、ウェーハの全体面に対して均一な蒸着が行なわれることができるプラズマ化学気相蒸着装置を提供することを目的とする。
上述の目的を達成するために、本発明のプラズマ処理装置は、処理室と、前記処理室内に配置され、半導体基板が置かれる基板支持部と、を有する。前記処理室内には、ガス供給部から供給される少なくとも二つの混合されたソースガスを前記処理室内に噴射するガス噴射部が配置され、処理室の上部には前記ソースガスをプラズマ状態に励起させるためのエネルギーを供給するエネルギー源が配置される。
前記処理室は、ドーム形状として下部が開放されるように形成された上部チャンバと、その下に配置され、側壁に基板搬入路が形成され、上部が開放された下部チャンバと、を有し、前記基板支持部は駆動部によって前記下部チャンバと前記上部チャンバとの間に移動される。
前記ガス噴射部は、少なくとも一つのノズルと少なくとも一つの噴射管とを有する。前記下部チャンバには、前記上部チャンバ内の空間を向くように、複数個のノズルが均等に設けられ、各々の前記ノズルはガス供給部と連結され、一つの移動路が形成された単一部と前記単一部から一定の長さに延長され、少なくとも一つの移動路が形成された複合部を有し、前記複合部の移動路の各々は、前記単一部に形成された移動路より狭い幅を有するように形成されて、前記エネルギーによって前記ノズル内で前記ソースガスが反応されることを最小化する。望ましくは複合部内で各々の移動路は2mm以下の幅を有するように形成される。
一例によれば、前記複合部は、中央に通孔が形成された外部管と、前記外部管の通孔に挿入されて前記外部管の移動路の幅を減らす挿入部材と、を有する。前記挿入部材は、連結部材によって前記複合部に固定結合する。また、前記外部管と前記挿入部材との間には、少なくとも一つの挿入管がさらに提供されることができ、前記挿入管は、連結部材によって前記複合部に固定結合する。前記外部管と前記挿入管との間の幅及び前記挿入管と前記挿入部材との間の幅は、2mm以下であることが望ましい。前記挿入部材は、内部に通孔が形成された内部管であるか、選択的に内部が満たされたロッドであり得る。前記内部管の先端は、前記外部管の通孔内に位置するか、前記外部管の先端と同一平面上に位置し得る。選択的に前記内部管の先端は、前記外部管の先端から突き出されて位置することができる。前記内部管の直径は、2mm以下であり、前記挿入部材と前記外部管との間の幅は、2mm以下であることが望ましい。また、前記挿入管が提供される場合、前記外部管と前記挿入管との間の幅及び前記挿入管と前記挿入部材との間の幅は、2mm以下であることが望ましい。
他の例によれば、前記複合部には、前記ソースガスの移動路として互いに離隔されるように配置された複数の通孔が形成されることができ、前記複合部の通孔の直径は、2mm以下であることが望ましい。また、前記ノズルは、互いに離隔された複数の通孔からなる前記複合部から延長され、中央に一つの通孔が形成された集合部をさらに含むことができる。前記複合部の長さは、4mm以上に形成されることが望ましい。
前記噴射管は、前記ノズルより長い長さを有し、内部にガス移動路が形成され、先端部が塞がれた本体と前記本体の側壁の終端部で前記本体の内側、または外側に一定の長さが突き出された突出部を有する。前記突出部には前記ソースガスが噴射され、前記ガス移動路より小さい幅を有する一つまたは複数の噴射口が形成される。
一例によれば、前記突出部には、通孔で形成された前記噴射口が互いに離隔されて複数個が形成されることができる。他の例によれば、前記突出部には孔として形成された第1噴射口と前記第1噴射口を囲むようにリング形状で形成された少なくとも一つの第2噴射口が形成されることができる。また他の例によれば、前記突出部にはリング形状で形成された内側噴射口と前記内側噴射口を囲むようにリング形状で形成された少なくとも一つの外側噴射口が形成されることができる。
また、プラズマ処理装置に使用されるノズルは、ガス供給部と連結され、内部に一つの通孔が形成された外部管と、前記外部管に比べて短い長さを有し、前記外部管の通孔に挿入される挿入部材と、を有する。前記挿入部材は、前記ソースガスが噴射される前記外部管の先端周辺で前記外部管の内壁と一定の距離離隔されて配置される。前記挿入部材は先端部が塞がれるか、選択的に内部に通孔が形成された内部管であり得る。前記挿入部材は、連結部材によって前記ノズルに固定結合することができる。前記内部管の先端は、前記外部管の通孔内に位置するか、前記外部管の先端と同一平面上に配置されることができる。また、前記内部管の先端は前記外部管の先端から突き出されるように配置されることができる。
本発明によれば、ノズル内でソースガスがプラズマに励起されることを最小化することができ、これによって、クリーニングにかかる時間を短縮して設備稼動率を向上させることが可能となる。
また、本発明によれば、ソースガスをウェーハの中心部の上部に噴射する噴射管がさらに提供されるので、ウェーハの全体面に対して均一な蒸着が行なわれることが可能となる。
以下、本発明の実施の形態を添付の図1ないし図24を参照してより詳細に説明する。本発明の実施の形態は様々な形態で変形されることができ、本発明の範囲が下述の実施の形態によって限定されると解釈されてはならない。本実施の形態は当業界で平均的な知識を持つ者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面での要素の形状は、説明をより明確に強調するために誇張されたものである。本実施の形態では、高密度プラズマ化学気相蒸着装置を例として説明する。しかし、本発明で使用されるノズルは、ソースガスをプラズマに励起して工程を進行する様々な装置に適用されることができる。
図1は本発明の望ましい実施の形態に係る高密度プラズマ化学気相蒸着装置10の断面図である。図1を参照すれば、高密度プラズマ化学気相蒸着装置10は、処理室100と、基板支持部200と、支持部駆動部220と、上部電極320と、下部電極(図示しない)と、ガス噴射部と、を有する。処理室100は外部から密閉され、蒸着工程が実行される空間を提供し、下部チャンバ120と上部チャンバ140とを含む。下部チャンバ120の上部面は開放され、側壁にはウェーハWが搬入される搬入路122が形成され、下部壁には工程進行の間に発生する副産物が排気される通路である排気管130が連結される排気口124が形成される。排気管130には真空ポンプ(図示しない)が連結されて、工程進行の間、処理室内部を所定の真空度に維持する。下部チャンバ120には側壁上端部から内側に一定の長さが突き出されたプレート部126が形成され、プレート部126上には上部チャンバ140が置かれる。上部チャンバ140は石英(quartz)を材質として構成され、下部が開放されたドーム形状を有する。上部チャンバ140と下部チャンバ120との間には処理室100の内部を密封するためのOリング160が挿入され、工程進行の間Oリング160が処理室100内の熱によって変形されることを防止するための冷却部材180が提供されることができる。
上部電極320は、コイル形状として上部チャンバ140の外側壁に上部チャンバ140を囲むように配置され、上部電極320には、約100kHzないし13.56MHz、3,000ないし10,000Wのソースパワーが印加されることができる。上部電極320は上部チャンバ140内に噴射されたソースガスをプラズマ状態に励起させるエネルギーを提供するエネルギー源として機能する。
下部チャンバ120内にはウェーハWのような半導体基板が置かれる基板支持部200が配置される。基板支持部200では静電気力によってウェーハを吸着固定する静電チャックが使用されることができる。図示しないが、基板支持部200の下には搬送ロボット(図示しない)によって下部チャンバ120内部に移送されたウェーハを受けるリフトピンアセンブリが提供されることができる。基板支持部200には処理室100内に形成されたプラズマをウェーハW上に誘導する下部電極(図示しない)が配置される。下部電極には、約100kHzないし13.56MHz、1,500ないし5,000Wのバイアスパワー(bias power)が印加されることができる。
支持部駆動部220は基板支持部200を処理室100内で上下に移動させる。ウェーハWが処理室100に搬入、または処理室100から搬出されるとき、基板支持部200は下部チャンバ120に形成された搬入口122より下に位置し、蒸着工程が実行される間には上部チャンバ120内で形成されたプラズマと一定の距離を維持するように昇降する。
ソースガスはガス噴射部を通じて上部チャンバ140内に供給される。ガス噴射部は、下部チャンバ120の内側壁の上端部に、上部チャンバ140内の空間を向くように複数個が配置され、ガス供給部(図2の500)からガスが供給されるノズル300を有する。ノズル300は、約8個が均等な間隔に配置されることができ、各々のノズル300は同一のソースガスを噴射する。各々のノズル300に供給されるソースガスは、ウェーハ上に蒸着するための少なくとも二つのガスが混合されたガスを含む。
図2はガス供給部500を概略的に示した図面である。ガス供給部500はメインライン520と、混合部540と、複数のサブライン560と、ガス貯蔵部582、584、586とを含む。ガス貯蔵部582、584、586にはノズル300に供給される各々のガスが貯蔵され、これらガスは各々のサブライン560を通じて混合部540に供給される。ウェーハW上にシリコン酸化膜SiOを蒸着する場合、第1サブライン562を通じて供給されるガスはシラン(SiH)であり、第2サブライン564を通じて供給されるガスは酸素Oであり得る。また、高い縦横比を有するコンタクトホールを効果的に満たすために、蒸着が進行される間エッチングが行なわれるようにヘリウムHeまたはアルゴンArのような不活性ガスが第3サブライン566を通じて供給されることができる。図示しないが、ノズルに供給されるガスにはキャリアガスがさらに含まれることができる。各々のサブライン562、564、566を通じて供給されるガスは混合部540で混合した後、メイン供給管520を通じてノズル300に供給される。各々のサブライン562、564、566とメイン供給管520には、内部通路を開閉する開閉バルブ590及び流量を調節する流量調節バルブが設けられることができる。
図3は本発明の望ましい第1実施の形態によるノズル300の斜視図であり、図4は図3の平面図であり、図5は図3の線A−Aに沿って切断した断面図である。図3乃至ないし図5を参照すれば、ノズル300は、外部管310と、挿入部材と、連結部材360とを有する。図3を参照すれば、外部管310は中央にソースガスの移動路として通孔312が一つ形成され、終端は上述のガス供給部500と連結される。挿入部材では管形状のロッドが使用されることができ、これを内部管320と称する。内部管320は外部管310に比べて短い長さを有し、外部管310の先端(ノズル300からソースガスが噴射される部分)314と隣接した部分で外部管310の通孔に挿入される。内部管320は中央にガスの移動路である通孔322が一つ形成され、内部管320の外径は外部管310の内径に比べて小さい。内部管320の外壁が外部管310の内壁と一定の距離離隔されるように、内部管320は外部管の通孔312内に挿入される。
上述の構造によってノズル300は、中央に一つの通孔312aが形成された単一部330と、複数の通孔312b、322が形成された複合部340とを有する。単一部330は、ガス供給部500と連結された上述の外部管310aのみからなり、複合部340は、単一部の外部管310aから延長された外部管310bと外部管310b内に挿入された内部管320からなる。ガスは、単一部330で一つの通孔312aを通じて流れ、複合部340で内部管の通孔322と内部管320の外壁及び外部管310bの内壁との間に形成された空間に分散して流れる。
連結部材360は、図4に示すように、内部管320を外部管310に固定するためのものであって、ロッド形状を有し、一端は内部管320の外壁と固定結合し、他端は外部管310の内壁と固定結合する。連結部材360は一つまたは複数個が均等な間隔に配置されることができる。
図6と図7は、各々図3のノズル300の変形された例を示す図5のようなノズル300’、300”の断面図である。内部管は噴射圧力などを考慮して多様に位置することができる。すなわち、図5に示すように、内部管320はその先端324が外部管310の通孔内に完全に挿入されるように位置することができる。選択的に図6と図7に示したように、内部管320’、320”の先端324は外部管310の先端314と同一平面上に位置されるか、外部管310の先端314より突き出されるように配置されることができる。
図24は中央に一つの通孔620だけが形成された一般的なノズル600を示す図面である。図24に示したノズル600の使用のとき、ノズル600内のガス移動路の幅W’(特に、ノズルの先端の周辺での幅)が広いため、その内部を流れるガスが、上部電極に提供されるソースパワーによってプラズマ状態に励起されるのに十分である。プラズマに励起されたソースガスは、ノズル600の先端から開始されて漸進的にノズル600の内壁に蒸着され、蒸着物605をクリーニングするのには非常に長い時間がかかる。
しかし、本発明のノズル600はソースガスの噴射部分と隣接した位置で、単一部330に比べてガスの移動路の各々の幅W’、Dが狭い複合部340を有する。したがって、一般的な場合に比べて複合部340内でソースガスがプラズマに励起される量が減少し、ノズル300の内壁への蒸着量も少ない。複合部340でガスの移動路の幅W’、Dは2mm以下に形成されることが望ましい。すなわち、内部管320の直径Dは2mm以下に形成され、内部管320の外壁と外部管310bの内壁との間の距離W’は2mm以下に形成される。さらに望ましくは、複合部340でガスの移動路の幅W’は1.5mmないし2mmに形成される。
複合部340の長さが短すぎれば、単一部330内でソースガスがプラズマに励起されて、単一部330の内壁に蒸着される可能性がある。複合部340は、ソースガスが単一部内でソースガスがプラズマによって励起されることを最小化するように十分に長い長さを有する。望ましくは、複合部340は4mm以上の長さを有し、さらに望ましくは、約10mmの長さを有する。また、複合部340の長さはクリーニングが行なわれる周期によって選択することができる。クリーニングが行なわれる周期が長いほど、複合部の長さは長くなる。
本実施の形態で、内部管320は中央に一つの通孔322だけが形成されると説明した。しかし、これは一例に過ぎず、内部管320には同一の大きさの複数の通孔が互いに離隔されて形成されることができる。
図8は図3のノズル300のまた他の変形された例を示すノズル300aの斜視図であり、図9は図8の線B−Bに沿って切断した断面図である。図8と図9を参照すれば、ノズル300aの外部管310と内部管320との間には挿入管350が挿入され、前記挿入管350は連結部材360によってノズル300aに固定される。外部管310の移動路の幅が広い場合、複合部340に内部管320を挿入する際に、内部管320と外部管310との間の幅が広くて、複合部340内でソースガスの反応が起きる可能性がある。挿入管350はこれを防止するために内部管320と外部管310との間の幅を減らす機能を有する。すなわち挿入管350が挿入されることによって、内部管320と外部管310との間の広い幅を有する一つの移動路は、狭い幅を有する複数の移動路で分けられる。したがって、各々の移動路の幅が狭くなるので、その内部でソースガスがプラズマに励起されることが防止される。望ましくは、外部管と挿入管との間の幅W’及び内部管と挿入管との間の幅W’は各々2mm以下であり、さらに望ましくは、約1.5mmないし2mmである。図8では一つの挿入管350が挿入されると説明したが、外部管310の直径に比例して複数の挿入管360が挿入されることができる。
図10は図3のノズル300のまた他の変形された例を示すノズル300bの斜視図であり、図11は図10の線C−Cに沿って切断した断面図である。図10と図11を参照すれば、ノズル300bの外部管310内には上述の内部管320に代えて内部が満たされたロッド形状の挿入部材370が挿入される。外部管310に形成された移動路の幅が、ソースガスがプラズマに励起されるのに十分であるが、内部に通孔が形成された内部管320を挿入するのには小さい場合に、上述の挿入部材370を外部管内に挿入することができる。望ましくは、内部管320と挿入部材370との間の幅W’は2mm以下であり、さらに望ましくは、約1.5mmないし2mmである。
図12は本発明の第2実施の形態に係るノズル400の斜視図であり、図13は図12の線D−Dに沿って切断した断面図である。ノズル400は単一部430と複合部440とを有し、単一部430は第1実施の形態の単一部330と同一である。しかし、複合部440は第1実施の形態の複合部340と異なる形状を有する。図12と図13を参照すれば、第2実施の形態で複合部440には互いに離隔されて配置された複数の通孔442が形成される。単一部の通孔432に沿って流れるソースガスは複合部の通孔442に分散した後、処理室100内に噴射される。単一部430内でソースガスがプラズマに励起されることを防止するように、複合部440は十分な長さを有する。望ましくは、複合部440は4mm以上の長さを有し、さらに望ましくは、約10mmの長さを有する。また、複合部の通孔442内でソースガスがプラズマ状態に励起されることを防止するために、望ましくは通孔442の直径Dは2mm以下に形成され、さらに望ましくは、通孔442の直径Dは1.5mmないし2mmに形成される。
図14は図12のノズル400’の変形された例を示す斜視図であり、図15は図14の線E−Eに沿って切断した断面図である。図14と図15を参照すれば、ノズル400’は単一部430、複合部440’、および集合部460を有する。単一部430と複合部440’の形状は図12のノズルの単一部430及び複合部440と同一であるので詳細な説明は省略する。集合部460は、複合部440’から上部に一定の距離延長されて形成され、単一部430と同一の断面を有することができる。集合部460と複合部440’の長さの和は図8のノズルの複合部440と同一の長さを有することができる。図14のノズル400’を使用するとき、図12のノズル400に比べて複合部440’の長さを変更して噴射圧力を調節することができる。集合部460内でソースガスがプラズマに励起されて内壁に蒸着されるので、集合部460は、処理室100の内壁をクリーニングする間ノズル400’がクリーニングされるように十分に短い長さを有するように形成される。選択的に、図14に示したノズルの複合部440’は図6、図9、図11に示した複合部の形状を有することができる。
図16は本発明に係る高密度プラズマ化学気相蒸着装置10の変形された例を示す図面であって、ガス噴射部が設けられる部分のみを示した断面図である。ウェーハWが大口径化することによって、ノズル300から噴射されたソースガスは、上部チャンバ140内でウェーハWのエッジの上部に相対的に集中する。これによって、ウェーハW上には不均一な蒸着が行なわれる。図16を参照すれば、ガス噴射部は上述の実施の形態に示したノズル300の外に噴射管700をさらに含む。噴射管700はノズル300と同一平面上に設けられ、ノズル300に供給されたソースガスと同一のガスを噴射する。噴射管700の先端部がノズル300の先端部より高く位置するように、噴射管700はノズル300より長い長さを有し、噴射管700から噴射されたソースガスは上部チャンバ140内の中心部に噴射される。
図17と図18は噴射管700の一例を示す図面であって、図17は噴射管700の正面図であり、図18は図17の線F−Fに沿って切断した断面図である。噴射管700は本体720と突出部740とを有する。本体720の内部には、一端が上述のガス供給部500と連結され、他端が塞がれた一つのガス移動路722が形成される。突出部740は、本体720の側壁の終端部には本体720の内側に一定の長さが突き出されるように形成され、突出部740にはガス移動路722に沿って流れるソースガスが噴射される噴射口742が形成される。これは、噴射口742の長さを十分に長くすることによって、上述のガス移動路722内でソースガスがプラズマに励起されることを最小化して、本体720の内壁にソースガスが蒸着されることを防止するためのものである。望ましくは、突出部740は4mm以上の厚さに形成され、さらに望ましくは、突出部740は約10mmの長さを有する。
図17と図18を参照すれば、突出部740には第1噴射口742aと第2噴射口742bが形成される。第1噴射口742aは中央に円形ホールとして形成され、第2噴射口742bは第1噴射口742aのまわりを囲むようにリング形状で形成される。また、図19に示すように、噴射管700’の突出部には第2噴射口742bが複数個形成されることができる。望ましくは、第1噴射口742aと第2噴射口742b内でソースガスがプラズマ状態に励起されることを防止するために第1噴射口742aの直径D’と第2噴射口742bの幅W’は2mm以下の幅に形成される。さらに望ましくは、第1噴射口742aの直径D’と第2噴射口742bの幅W’は1.5mmないし2mmに形成される。
図20は図17の噴射管700の変形された例を示す噴射管700aの平面図である。噴射管の突出部740には内側噴射口744aと外側噴射口744bが形成される。内側噴射口744aはリング形状で形成され、外側噴射口744bは内側噴射口744aを囲むようにリング形状で形成される。望ましくは、内側噴射口744aと外側噴射口744b内でソースガスがプラズマ状態に励起されることを防止するために、内側噴射口744aと外側噴射口744bの幅は2mm以下の幅に形成される。さらに望ましくは、内側噴射口744aと外側噴射口744bの幅は1.5mmないし2mmに形成される。
図21と図22は図17の噴射管700のまた他の変形された例を示す噴射管700bであって、図21は噴射管700bの正面図であり、図22は図21の線G−Gに沿って切断した断面図である。図21と図22を参照すれば、突出部740に噴射口746が互いに離隔されたホールとして形成されることができる。ソースガスが噴射口746内でプラズマ状態に励起されることを防止するため、各々のホールは直径2mm以下の円形で形成されることが望ましい。さらに望ましくは、直径1.5mmないし2mmのホールとして形成される。各々のホールは互いに同一な大きさに形成されることが望ましいが、選択的に互いに異なる大きさに形成されることができる。
図23は図17の噴射管700のまた他の変形された例を示す噴射管700cである。図23に示すように、噴射管700cに形成された突出部740’は本体720の外側方向に突き出されることができ、このような形状は図19ないし図21に示した噴射管700’、700a、700bにも適用されることができる。
図16で処理室100内にソースガスを噴射する手段として、噴射管700がノズル300とともに配置されると示した。しかし、これは一例に過ぎず、選択的に処理室内には噴射管だけが配置されることができる。この時、噴射管の長さは同一であるか、位置によって互いに異なる大きさとすることができる。
本発明の望ましい実施の形態に係る高密度プラズマ化学気相蒸着装置を概略的に示す断面図である。 図1のノズルにソースガスを供給するガス供給部の概路図である。 図1のノズルの実施の形態を示す斜視図である。 図3の平面図である。 図3の線A−Aに沿って切断した断面図である。 図3のノズルの変形された例を示す断面図である。 図3のノズルの変形された例を示す断面図である。 図3のノズルの変形された例を示す斜視図である。 図8の線B−Bに沿って切断した断面図である。 図3のノズルのまた他の変形された例を示す斜視図である。 図10の線C−Cに沿って切断した断面図である。 図1のノズルの他の実施の形態を示す斜視図である。 図12の線D−Dに沿って切断したノズルの断面図である。 図12のノズルの変形された例を示す斜視図である。 図14の線E−Eに沿って切断したノズルの断面図である。 図1の装置の他の実施の形態として、噴射管とノズルが設けられた部分のみを示した断面図である。 図16の噴射管の一例を示す正面図である。 図17の線F−Fに沿って切断した噴射管の断面図である。 図17の噴射管の変形された例を示す正面図である。 図17の噴射管のまた他の変形された例を示す正面図である。 図17の噴射管のまた他の変形された例を示す正面図である。 図21の線G−Gに沿って切断した噴射管の断面図である。 図17の噴射管のまた他の変形された例を示す断面図である。 一般的なノズルの断面図である。
符号の説明
100 処理室、
120 下部チャンバ、
140 上部チャンバ、
200 基板支持部、
300,400 ノズル、
310 外部管、
320,320’,320” 内部管、
330,430 単一部、
340,340’,440,440’ 複合部、
350 挿入管、
360 連結部材、
370 挿入部材、
500 ガス供給部。

Claims (47)

  1. 半導体基板上に所定の膜を蒸着する化学気相蒸着装置において、
    処理室と、
    前記処理室内に配置され、半導体基板が置かれる基板支持部と、
    前記処理室内に少なくとも二つの混合されたソースガスを供給するノズルを含むガス噴射部と、
    前記処理室に噴射された前記ソースガスをプラズマ状態に励起させるエネルギーを供給するエネルギー源と、を含み、
    前記ノズルは、
    ガス供給部と連結され、内部に前記ソースガスの移動路が形成された単一部と、
    前記単一部から一定の長さが延長され、内部に一つまたは複数の前記ソースガスの移動路が形成された複合部と、を有し、
    前記複合部の移動路の各々は、前記単一部に形成された移動路より狭い幅を有するように形成されて、前記エネルギーによって前記ノズル内で前記ソースガスの反応を最小化することができることを特徴とする化学気相蒸着装置。
  2. 前記複合部は、
    前記ソースガスの移動路として内部に通孔が形成された外部管と、
    前記外部管の通孔に挿入されて前記外部管の移動路の幅を減らす挿入部材と、
    前記挿入部材を前記複合部に連結させる連結部材と、を含むことを特徴とする請求項1に記載の化学気相蒸着装置。
  3. 前記複合部は、
    前記外部管と前記挿入部材との間に挿入される少なくとも一つの挿入管と、
    前記挿入管を前記複合部に連結させる連結部材と、をさらに含むことを特徴とする請求項2に記載の化学気相蒸着装置。
  4. 前記外部管と前記挿入管との間の幅および前記挿入管と前記挿入部材との間の幅は、2mm以下であることを特徴とする請求項3に記載の化学気相蒸着装置。
  5. 前記挿入部材は、内部に通孔が形成された内部管であることを特徴とする請求項2に記載の化学気相蒸着装置。
  6. 前記内部管の先端は、前記外部管の通孔内に位置することを特徴とする請求項5に記載の化学気相蒸着装置。
  7. 前記内部管の先端は、前記外部管の先端と同一平面上に位置することを特徴とする請求項5に記載の化学気相蒸着装置。
  8. 前記内部管の先端は、前記外部管の先端から突き出されて位置することを特徴とする請求項5に記載の化学気相蒸着装置。
  9. 前記内部管の直径は、2mm以下であることを特徴とする請求項5に記載の化学気相蒸着装置。
  10. 前記挿入部材と前記外部管との間の幅は、2mm以下であることを特徴とする請求項2に記載の化学気相蒸着装置。
  11. 前記複合部には、前記ソースガスの移動路として互いに離隔されるように配置された複数の通孔が形成されることを特徴とする請求項1に記載の化学気相蒸着装置。
  12. 前記ノズルは、
    前記複合部から延長され、中央に一つの通孔が形成された集合部をさらに含むことを特徴とする請求項11に記載の化学気相蒸着装置。
  13. 前記複合部の通孔の各々の直径は、2mm以下の円形で形成されることを特徴とする請求項11に記載の化学気相蒸着装置。
  14. 前記複合部の長さは、4mm以上であることを特徴とする請求項1に記載の化学気相蒸着装置。
  15. 前記処理室は、
    ドーム形状として下部が開放されるように形成された上部チャンバと、
    前記上部チャンバの下に配置され、側壁に基板搬入路が形成され、上部が開放された下部チャンバと、を含み、
    前記化学気相蒸着装置は、前記下部チャンバと前記上部チャンバとの間に前記基板支持部を移動させる駆動部をさらに有することを特徴とする請求項1に記載の化学気相蒸着装置。
  16. 前記ノズルは、前記上部チャンバ内の空間を向くように、前記下部チャンバに複数個が均等に配置されて形成されることを特徴とする請求項15に記載の化学気相蒸着装置。
  17. 前記ガス噴射部は前記ソースガスを噴射する噴射管をさらに含み、
    前記噴射管は、
    内部にガス移動路が形成され、先端部が塞がれた本体と、
    前記本体の側壁の先端部で前記本体の内側、または外側に一定の長さが突き出され、前記ソースガスが噴射され、前記ガス移動路より小さい幅を有する一つまたは複数の噴射口が形成された突出部と、を含むことを特徴とする請求項1に記載の化学気相蒸着装置。
  18. 前記噴射口は、互いに離隔された複数の通孔で形成されることを特徴とする請求項17に記載の化学気相蒸着装置。
  19. 前記複数の通孔の各々の直径は、2mm以下であることを特徴とする請求項18に記載の化学気相蒸着装置。
  20. 前記突出部には、
    ホールとして形成された第1噴射口と、
    前記第1噴射口を囲むようにリング形状として、一つまたは複数の第2噴射口が形成されることを特徴とすることを特徴とする請求項17に記載の化学気相蒸着装置。
  21. 前記第1噴射口と前記第2噴射口の各々の幅は、2mm以下であることを特徴とする請求項20に記載の化学気相蒸着装置。
  22. 前記突出部は、4mm以上の厚さを有することを特徴とする請求項17に記載の化学気相蒸着装置。
  23. 前記突出部には、リング形状に形成された内側噴射口が形成されることを特徴とする請求項17に記載の化学気相蒸着装置。
  24. 前記突出部には、前記内側噴射口を囲むリング形状の少なくとも一つの外側噴射口がさらに形成されることを特徴とする請求項23に記載の化学気相蒸着装置。
  25. 前記内側噴射口と前記外側噴射口の幅は、2mm以下であることを特徴とする請求項24に記載の化学気相蒸着装置。
  26. 前記噴射管の先端は、前記ノズルの先端より高く位置することを特徴とする請求項17に記載の化学気相蒸着装置。
  27. 半導体基板上に所定の膜を蒸着する化学気相蒸着装置において、
    処理室と、
    前記処理室内に配置され、半導体基板が置かれる基板支持部と、
    少なくとも二つの混合されたソースガスを前記処理室に噴射するノズルと、
    前記処理室に噴射された前記ソースガスをプラズマ状態に励起させるために高周波電力が印加される上部電極と、を有し、
    前記ノズルは、
    ガス供給部と連結され、内部に前記ソースガスの移動路として通孔が形成された外部管と、
    前記外部管に比べて短い長さを有し、前記外部管の先端の周辺で前記外部管の内壁と一定の距離離隔されるように、前記外部管の通孔内に挿入される挿入部材と、
    前記挿入部材を前記ノズルに連結する連結部材と、を含むことを特徴とする化学気相蒸着装置。
  28. 前記ノズルは、
    前記外部管と前記挿入部材との間に挿入される少なくとも一つの複数の挿入管をさらに含むことを特徴とする請求項27に記載の化学気相蒸着装置。
  29. 前記挿入部材と前記外部管との間の間隔は、2mm以下であることを特徴とする請求項27に記載の化学気相蒸着装置。
  30. 前記挿入部材は、内部に通孔が形成された内部管であることを特徴とする請求項27に記載の化学気相蒸着装置。
  31. プラズマ処理装置に使用され、ソースガスを装置内に供給するノズルにおいて、
    前記ソースガスの移動路として内部に通孔が形成された外部管と、
    前記外部管の先端と隣接した位置で前記外部管の通孔に挿入され、前記外部管より短い長さを有する挿入部材と、
    前記挿入部材を前記ノズルに連結させる連結部材と、を含むことを特徴とするプラズマ処理装置に使用されるノズル。
  32. 前記挿入部材は、内部に通孔が形成された内部管であることを特徴とする請求項31に記載のプラズマ処理装置に使用されるノズル。
  33. 前記内部管の中央には、一つの通孔だけが形成されることを特徴とする請求項32に記載のプラズマ処理装置に使用されるノズル。
  34. 前記内部管の通孔は、直径2mm以下であることを特徴とする請求項33に記載のプラズマ処理装置に使用されるノズル。
  35. 前記挿入部材と前記外部管との間の幅は、2mm以下であることを特徴とする請求項31に記載のプラズマ処理装置に使用されるノズル。
  36. 前記外部管と前記挿入部材との間には少なくとも一つの挿入管が挿入されることを特徴とする請求項31に記載のプラズマ処理装置に使用されるノズル。
  37. 前記外部管と前記挿入管との間の幅及び前記挿入管と前記挿入部材との間の幅は、2mm以下であることを特徴とする請求項36に記載のノズル。
  38. 前記挿入部材の長さは、4mm以上であることを特徴とする請求項31に記載のノズル。
  39. プラズマ処理装置で少なくとも二つのソースガスを混合して噴射するプラズマ処理装置に使用される噴射管において、
    内部にガス移動路が形成され、先端部が塞がれた本体と、
    前記本体の側壁終端部で前記本体の内側または外側に一定の長さが突き出され、前記ソースガスが噴射される少なくとも一つの噴射口が形成された突出部と、を含むことを特徴とする噴射管。
  40. 前記噴射口は、互いに離隔された複数の通孔で形成されることを特徴とする請求項39に記載の噴射管。
  41. 前記噴射口の通孔の直径は、2mm以下であることを特徴とする請求項40に記載の噴射管。
  42. 前記突出部には、
    孔として形成された第1噴射口と、
    前記第1噴射口を囲むようにリング形状の少なくとも一つの第2噴射口と、が形成されることを含むことを特徴とする請求項41に記載の噴射管。
  43. 前記第1噴射口と前記第2噴射口の各々の幅は、2mm以下であることを特徴とする請求項41に記載の噴射管。
  44. 前記突出部には、リング形状の内側噴射口が形成されることを特徴とする請求項39に記載の噴射管。
  45. 前記突出部には、前記内側噴射口を囲むリング形状の少なくとも一つの外側噴射口がさらに形成されることを特徴とする請求項44に記載の噴射管。
  46. 前記内側噴射口と前記外側噴射口の各々の幅は、2mm以下であることを特徴とする請求項45に記載の噴射管。
  47. 前記突出部は、4mm以上の長さで形成されることを特徴とする請求項39に記載の噴射管。
JP2004271063A 2003-11-03 2004-09-17 プラズマ化学気相蒸着装置及びプラズマ処理装置に使用されるノズル及び噴射管 Pending JP2005142536A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20030077396 2003-11-03
KR1020040025097A KR100578138B1 (ko) 2003-11-03 2004-04-12 플라즈마 처리 장치에 사용되는 분사관 및 이를 가지는 플라즈마 화학 기상 증착 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2005142536A true JP2005142536A (ja) 2005-06-02

Family

ID=34554991

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004271063A Pending JP2005142536A (ja) 2003-11-03 2004-09-17 プラズマ化学気相蒸着装置及びプラズマ処理装置に使用されるノズル及び噴射管

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20050092245A1 (ja)
JP (1) JP2005142536A (ja)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100782369B1 (ko) * 2004-11-11 2007-12-07 삼성전자주식회사 반도체 제조장치
KR20060076346A (ko) * 2004-12-29 2006-07-04 주식회사 하이닉스반도체 반도체 제조용 고밀도 플라즈마 화학기상증착 장치
US8298336B2 (en) * 2005-04-01 2012-10-30 Lam Research Corporation High strip rate downstream chamber
JP4550040B2 (ja) * 2005-12-16 2010-09-22 セメス株式会社 カーボンナノチューブの合成装置及び方法
US7928366B2 (en) * 2006-10-06 2011-04-19 Lam Research Corporation Methods of and apparatus for accessing a process chamber using a dual zone gas injector with improved optical access
US7892942B2 (en) * 2007-07-09 2011-02-22 Micron Technology Inc. Methods of forming semiconductor constructions, and methods of forming isolation regions
US8137463B2 (en) * 2007-12-19 2012-03-20 Applied Materials, Inc. Dual zone gas injection nozzle
KR101092122B1 (ko) * 2010-02-23 2011-12-12 주식회사 디엠에스 에칭 프로파일 제어를 위한 가스 인젝션 시스템
US10658161B2 (en) 2010-10-15 2020-05-19 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for reducing particle defects in plasma etch chambers
US20120152900A1 (en) * 2010-12-20 2012-06-21 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for gas delivery into plasma processing chambers
US9941100B2 (en) * 2011-12-16 2018-04-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Adjustable nozzle for plasma deposition and a method of controlling the adjustable nozzle
US9587993B2 (en) * 2012-11-06 2017-03-07 Rec Silicon Inc Probe assembly for a fluid bed reactor
JP6046752B2 (ja) * 2013-01-30 2016-12-21 京セラ株式会社 ガスノズルおよびこれを用いたプラズマ装置
US10465288B2 (en) * 2014-08-15 2019-11-05 Applied Materials, Inc. Nozzle for uniform plasma processing
US9631276B2 (en) * 2014-11-26 2017-04-25 Lam Research Corporation Systems and methods enabling low defect processing via controlled separation and delivery of chemicals during atomic layer deposition
US9920844B2 (en) 2014-11-26 2018-03-20 Lam Research Corporation Valve manifold deadleg elimination via reentrant flow path
KR102553629B1 (ko) * 2016-06-17 2023-07-11 삼성전자주식회사 플라즈마 처리 장치
US11661654B2 (en) 2018-04-18 2023-05-30 Lam Research Corporation Substrate processing systems including gas delivery system with reduced dead legs
CN109267037A (zh) * 2018-11-21 2019-01-25 新疆大学 常压等离子体增强化学气相沉积方法及采用该方法的设备

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06333850A (ja) * 1993-05-19 1994-12-02 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
JPH08288266A (ja) * 1994-09-16 1996-11-01 Applied Materials Inc プラズマプロセス反応装置用ガス注入スリットノズル

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6013155A (en) * 1996-06-28 2000-01-11 Lam Research Corporation Gas injection system for plasma processing
US5885358A (en) * 1996-07-09 1999-03-23 Applied Materials, Inc. Gas injection slit nozzle for a plasma process reactor
KR100345053B1 (ko) * 1999-10-01 2002-07-19 삼성전자 주식회사 Hsg-si 제조 방법 및 상기 방법을 수행하는 장치
KR100501778B1 (ko) * 2001-03-28 2005-07-20 동경 엘렉트론 주식회사 플라즈마 처리 장치

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06333850A (ja) * 1993-05-19 1994-12-02 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
JPH08288266A (ja) * 1994-09-16 1996-11-01 Applied Materials Inc プラズマプロセス反応装置用ガス注入スリットノズル

Also Published As

Publication number Publication date
US20050092245A1 (en) 2005-05-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2005142536A (ja) プラズマ化学気相蒸着装置及びプラズマ処理装置に使用されるノズル及び噴射管
KR100728401B1 (ko) 샤워 헤드 및 이것을 이용한 성막장치
TWI325600B (ja)
US20090311872A1 (en) Gas ring, apparatus for processing semiconductor substrate, the apparatus including the gas ring, and method of processing semiconductor substrate by using the apparatus
TWI507091B (zh) 電漿處理設備
US20070022959A1 (en) Deposition apparatus for semiconductor processing
KR100275831B1 (ko) 진공처리시스템 및 그의 진공처리시스템에 있어서의 진공용기 내면 퇴적막의 제거방법
JP2001148378A (ja) プラズマ処理装置、クラスターツールおよびプラズマ制御方法
JP7458195B2 (ja) 載置台、プラズマ処理装置及びクリーニング処理方法
TW201841248A (zh) 粒子去除方法及基板處理方法
WO2020055612A1 (en) Atomic layer treatment process using metastable activated radical species
JP5232512B2 (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP2024037895A (ja) 保護コーティングを有するプロセスチャンバプロセスキット
US20080127892A1 (en) Plasma Processing Apparatus with Scanning Injector and Plasma Processing Method
KR100578138B1 (ko) 플라즈마 처리 장치에 사용되는 분사관 및 이를 가지는 플라즈마 화학 기상 증착 장치
JP3961247B2 (ja) プラズマ処理方法、プラズマ処理装置及び半導体装置の製造方法
KR20060083339A (ko) 노즐 및 이를 가지는 플라즈마 처리 장치
KR20040048618A (ko) 원자층 증착 장치
KR100888651B1 (ko) 기판을 처리하는 방법 및 장치
KR20040033831A (ko) 반도체 소자 제조 장치
KR101955580B1 (ko) 기판처리장치
KR20030037092A (ko) 반도체 제조장치
KR20080062339A (ko) 기판처리장치 및 이를 제조하는 방법
KR20230101679A (ko) 가스 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102299884B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070402

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100226

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100309

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20100803