KR101375621B1 - 반도체 소자 제조 장치 - Google Patents
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Abstract
반도체 소자 제조 장치에 관한 것으로, 공정튜브, 덮개, 제1 가스 공급부 및 제2 가스 공급부를 포함한다. 공정 튜브는 다수의 웨이퍼를 적재하는 보트를 수용할 수 있는 공간을 갖는 관 구조이며, 덮개는 공정 튜브의 일단부를 밀폐시킨다. 제1 가스 공급부는 덮개 내에 제1 유로를 갖도록 형성되고, 외부로부터 유입되는 반응 가스를 여러 갈래로 분배한다. 제2 가스 공급부는 공정 튜브의 벽체 내부에 제2 유로를 갖도록 형성되고, 제2 유로는 경로상에 공정 튜브의 내부로 반응 가스를 제공하기 위한 홀들이 구비되어 제1 가스 공급부에서 분배된 반응 가스를 공정 튜브로 공급한다. 따라서, 반응 가스의 분사 균일도를 개선하여 다수의 웨이퍼 상에 균일하게 막을 형성할 수 있다.
Description
본 발명은 반도체 소자 제조 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 소자의 제조할 때 공정 튜브로 반응 가스를 공급하기 위한 반도체 소자 제조 장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자는 실리콘 웨이퍼 상에 소정의 막을 형성하고, 상기 막을 전기적 특성을 갖는 패턴으로 형성함으로서 제조된다. 상기 막은 주로 증착 공정을 수행하여 수득하고, 주로 화학적 반응을 이용한 화학 기상 증착 방법이 사용된다.
상기 화학 기상 증착을 수행하기 위한 장치는 공정 튜브(공정 챔버)의 형태에 따라 종형 또는 횡형으로 구분되는데, 현재에는 종형 저압 기상 증착 장치가 주로 사용된다. 일반적으로 상기 종형 저압 기상 증착 장치는 공정 챔버 내에 다수의 웨이퍼가 적재된 보트를 수용하고, 고온 저압의 환경을 만들어 준 상태에서 반응 가스를 공급함으로써, 상기 웨이퍼 상에 막이 증착된다. 이때, 상기 반응 가스는 분사 노즐을 통해 상기 공정 챔버의 일측에서 분사되며, 상단부분, 중단부분 및 하단부분에서 각각 반응 가스를 분사하도록 구성하기도 한다.
이처럼, 종래의 증착 장치는 웨이퍼의 특정 부분으로만 반응 가스가 공급되기 때문에 반응 가스가 초기에 공급되는 부분과 후기에 공급되는 부분에 증착되는 막의 두께가 균일하지 못한 단점이 있다. 이에, 상기 막의 두께에 대한 균일성 저하는 이후 공정에서의 불량을 유발하여 반도체 소자의 수율을 저하시키는 문제점이 되고 있다.
본 발명의 실시예를 통해 해결하고자 하는 기술적 과제는 이러한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명에 따른 실시예는 반도체 소자의 제조 공정에서 다단으로 수납되는 웨이퍼로 분사되는 반응 가스의 분사 균일도를 개선하기 위한 반도체 소자 제조 장치를 제공하는 것이다.
상기 본 발명의 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 반도체 소자 제조 장치는 공정 챔버를 형성하는 공정 튜브, 덮개와 반응 가스를 공급하기 위한 제1 가스 공급부 및 제2 가스 공급부를 포함한다. 상기 공정 튜브는 다수의 웨이퍼를 적재하는 보트를 수용할 수 있는 공간을 갖는 관 구조이며, 상기 덮개는 상기 공정 튜브의 일단부를 밀폐시킨다. 상기 제1 가스 공급부는 상기 덮개 내에 제1 유로를 갖도록 형성되고, 외부로부터 유입되는 반응 가스를 여러 갈래로 분배한 후, 상기 제2 가스 공급부에 공급한다. 상기 제2 가스 공급부는 상기 공정 튜브의 벽체 내부에 제2 유로를 갖도록 형성되고, 상기 제2 유로의 경로상에는 상기 공정 튜브의 내부로 반응 가스를 제공하기 위한 홀들이 구비되어 상기 제1 가스 공급부에서 여려 갈래로 분배된 반응 가스를 공급받아 상기 공정 튜브로 공급한다.
여기서, 상기 제1 유로는 메인 유로 및 상호 대칭적으로 위치하는 두 개의 제1 서브 유로를 포함할 수 있다. 상기 제1 서브 유로 각각은 상호 대칭적으로 위치하는 두 개의 제2 서브 유로를 포함할 수 있다.
상기 제2 유로는 상기 공정 튜브의 길이 방향을 따라 형성되는 다수의 서브 유로를 포함하고, 상기 다수의 서브 유로는 상기 공정 튜브의 원주 방향을 따라 동일 간격으로 배치될 수 있다.
상기 제2 유로의 경로상에 구비되는 상기 홀들은 동일 간격으로 배치되며, 상기 홀들은 0.1 내지 0.5mm의 직경을 가질 수 있다.
본 발명에 따른 반도체 소자 제조 장치는 공정 챔버의 크기 및 웨이퍼의 크기에 상관없이 사방에서 균일하게 반응 가스를 분사함으로써, 빠른 시간 내에 웨이퍼 전면에 균일한 가스 확산을 이뤄 균일한 막질의 형성이 가능하다.
이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예들을 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명하지만, 본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
또한, 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들 은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자 제조 장치를 개략적으로 나타낸 구성도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자 제조 장치는 다수의 웨이퍼(W)를 적재하는 보트(100), 상기 보트(100)가 수용되어 웨이퍼(W)의 가공 공정이 수행되는 공정 챔버(200), 상기 공정 챔버(200) 내측 공간의 온도를 공정 온도로 조절하기 위한 히터(300) 및 웨이퍼(W)의 가공 공정을 위한 반응 가스를 상기 공정 챔버(200)로 공급하는 제1 가스 공급부(240) 및 제2 가스 공급부(250)를 포함한다.
상기 보트(100)는 전체적으로 실린더 형상을 갖고, 다수의 웨이퍼(W)를 상호간에 소정 간격 이격되게 다단으로 적재한다. 상기 보트(100)는 반응 가스가 상기 웨이퍼(W) 사이를 자유롭게 흐를 수 있도록 틀 형상을 갖으며, 상기 웨이퍼(W)의 외곽부를 지지하기 위한 슬릿 또는 지지대를 구비한다.
도시하진 않았지만, 상기 보트(100)의 하부에는 상기 보트(100)를 승강시키기 위한 엘리베이터가 구비될 수 있다. 상기 엘리베이터는 웨이퍼(W)의 로딩 및 언로딩을 위해 상기 보트(100)를 하강시키고, 웨이퍼(W)의 가공 공정을 수행하기 위해 적재된 웨이퍼(W)가 상기 공정 챔버(200)의 내측 공간에 배치되도록 상기 보트(100)를 상승시킨다. 또한, 상기 보트(100)의 하부에는 상기 공정 챔버(200)의 내측 공간에서 상기 보트(100)를 회전시키기 위한 회전 구동부(110)가 구비될 수 있다.
상기 공정 챔버(200)는 덮개(210), 공정 튜브(220) 및 매니폴드(230)를 포함하고, 웨이퍼(W)의 가공에 필요한 돔 형상의 반응 공간을 형성한다.
상기 덮개(210)는 상기 공정 튜브(220)의 일단부(예컨대 상단부)에 위치하고, 상기 공정 튜브(220)의 일단부를 밀폐시킴으로써, 외부 공기의 유입이 차단된 반응 공간을 형성한다. 일반적으로 상기 덮개(210)는 석영 재질로 이루어지고, 소정 두께를 갖는 원판 형태로 형성된다. 하지만, 상기 덮개(210)는 소정 두께를 갖는 구 형태로 형성 될 수 있다.
상기 공정 튜브(220)는 수직 양방향으로 개구되고 소정 두께를 갖는 관 구조로 형성되며, 상기 보트(100)를 수용할 수 있는 공간을 구비한다. 상기 공정 튜브(220)는 석영 재질로 이루어지는 것이 일반적이다.
상기 매니폴드(230)는 수직 양방향으로 개구된 관 구조로 형성되고, 상기 공정 튜브(220)를 지지한다. 상기 매니폴드(230)는 상단부가 상기 공정 튜브(220)의 하단부와 플랜지(Flange) 결합되고, 하단부는 상승된 상기 보트(100)와 밀착되어 외부 공기의 유입을 차단한다. 상기 매니폴드(230)는 웨이퍼(W)의 가공 공정 이후에 상기 공정 챔버(200) 내의 반응 가스를 배출하기 위한 적어도 하나의 가스 배출구(232)를 포함한다.
여기서, 상기 공정 챔버(200)는 상기 매니폴드(230)를 생략하고, 상기 덮개(210)와 상기 공정 튜브(220)로 이루어질 수 있다. 이 경우에 상기 공정 튜 브(220)의 하단부가 상승된 상기 보트(100)와 밀착되고, 상기 공정 튜브(220)와 상기 보트(100) 사이에 반응 가스의 배출을 위한 배출구가 구비될 수 있다.
상기 히터(300)는 상기 공정 튜브(220)의 둘레에 외벽체를 이루도록 구비되고, 상기 공정 튜브(220)를 가열하여 상기 보트(100)가 수용되는 상기 공정 챔버(200) 내측 공간의 온도를 웨이퍼(W)의 가공 공정을 수행하기 위한 공정 온도로 조절한다. 상기 히터(300)는 전기적인 가열 제어를 하기 위한 제어장치(미도시)가 구비된다. 일 예로, 상기 공정 챔버(200)의 공정 온도는 화학 기상 증착 공정에는 500 내지 1000℃로 설정되고, 산화 공정이나 확산 공정에서는 800 내지 1100℃로 설정된다.
상기 제1 가스 공급부(240) 및 상기 제2 가스 공급부(250)는 외부의 가스 공급원(미도시)으로부터 공급되는 반응 가스를 상기 공정 챔버(200)로 공급한다. 상기 제1 가스 공급부(240)는 상기 덮개(210) 내에 형성되고, 상기 제2 가스 공급부(250)는 상기 공정 튜브(220)의 벽체 내부에 형성된다.
이하, 상기 제1 가스 공급부(240)와 상기 제2 가스 공급부(250)에 대해서는 도 2 내지 도 5에 도시된 바람직한 실시예를 참조하여 좀 더 상세히 설명한다.
도 2는 도 1의 반도체 소자 제조 장치에 포함되는 제1 가스 공급부를 설명하기 위한 도면으로, 도 1에 도시된 덮개를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 상기 제1 가스 공급부(240)는 상기 덮개(210) 내에 제1 유로(242)를 갖도록 형성되고, 상기 제1 유로(242)는 상기 덮개(210) 내를 관통하는 터널 형식으로 형성된다. 상기 제1 가스 공급부(240)는 외부에 위치하는 가스 공급원(미도시)으로부터 웨이퍼(W)의 가공 공정을 위한 반응 가스를 공급받아 여러 갈래로 고르게 분배한 후, 상기 제2 가스 공급부(250)로 공급한다.
상기 제1 유로(242)는 상기 가스 공급원(미도시)으로부터 반응 가스가 유입되는 홀(244)이 상기 덮개(210)의 중심부에 위치하고, 여러 갈래로 분배된 반응 가스 각각을 상기 제2 가스 공급부(250)에 공급하기 위한 홀(246)들이 상기 덮개(210)의 외곽부에 위치한다.
여기서, 반응 가스가 유입되는 홀(244)은 상기 덮개(210)의 다른 부분에 위치할 수도 있으나, 반응 가스의 고른 분배를 위하여 중심부에 위치하는 것이 가장 효과적이다. 또한, 분배된 반응 가스를 공급하기 위한 홀(246)들은 상호 동일한 간격으로 배치되고, 상기 반응 가스가 유입되는 홀(244)과 분배된 반응 가스를 공급하기 위한 홀(246)들간 경로의 길이는 모두 동일하게 형성되는 것이 바람직하다.
상기 제1 유로(242)는 외부로부터 유입되는 반응 가스를 공급받는 메인 유로(242a)와, 상기 메인 유로(242a)에서 분기되는 두 개의 제1 서브 유로(242b)를 포함한다. 상기 두 개의 제1 서브 유로(242b)는 상기 메인 유로(242a)의 반응 가스를 1:1로 고르게 분배받기 위하여 상기 메인 유로(242a)에 대하여 상호 대칭적으로 위치한다. 즉, 상기 메인 유로(242a)는 직선형으로 위치하고, 상기 두 개의 제1 서브 유로(242b)는 상기 메인 유로(242a)에서 원호 형상으로 분기된 후, 상기 덮개(210)의 중심부를 지나는 직선형으로 변환되는 형태로 위치한다.
상기 제1 서브 유로(242b) 각각은 분기되는 두 개의 제2 서브 유로(242c)를 포함한다. 상기 제1 서브 유로(242b) 각각에서 분기되는 상기 두 개의 제2 서브 유 로(242c)는 상호 대칭적으로 위치하며, 앞서 설명한 상기 제1 서브 유로(242b)의 형태와 동일하게 위치한다.
상기 제2 서브 유로(242c) 각각은 분기되는 두 개의 제3 서브 유로(242d)를 포함한다. 상기 제2 서브 유로(242c) 각각에서 분기되는 상기 두 개의 제3 서브 유로(242d)는 상호 대칭적으로 위치하며, 앞서 설명한 상기 제1 서브 유로(242d)의 형태와 동일하게 위치한다.
이처럼, 상기 제1 가스 공급부(240)는 반응 가스를 둘로 나누는 동작을 반복함으로써, 반응 가스를 여러 갈래로 분배한다. 즉, 상기 제1 서브 유로(242b)를 거치면 반응 가스는 두 갈래로 분배되고, 상기 제2 서브 유로(242c)를 거치면 반응 가스는 네 갈래로 분배되며, 상기 제3 서브 유로(242d)를 거치면 반응 가스는 여덟 갈래로 분배된다.
여기서, 상기 제1 유로(242)가 제3 서브 유로(242d)까지 갖는 경우를 설명하였으나, 상기 제1 유로(242)는 제n 서브 유로까지 포함하도록 형성될 수 있으며, 상기 제2 서브 유로(242c) 이후의 서브 유로는 도면에서와 같이 완벽한 원 형태로 형성될 수 있다. 본 발명은 상기 제1 유로(242)가 적어도 상기 제1 서브 유로(242b) 및 상기 제2 서브 유로(242c)를 포함하도록 형성되는 것을 특징으로 한다.
도 3 내지 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 제2 가스 공급부를 설명하기 위한 도면으로, 도 3은 도 1에 도시된 공정 튜브의 전개도이고, 도 4는 도 1에 도시된 공정 튜브를 수평 방향으로 자른 단면도이며, 도 5는 도 3에 도시된 Ⅰ-Ⅰ′선 을 따라 자른 단면도이다.
도 1과, 도 3 내지 도 5를 참조하면, 상기 제2 가스 공급부(250)는 상기 공정 튜브(220)의 벽체 내부에 제2 유로(252)를 갖도록 형성되고, 상기 제2 유로(252)는 상기 공정 튜브(220)의 벽체 내부를 관통하는 터널 형식으로 형성된다. 상기 제2 가스 공급부(250)는 상기 제1 가스 공급부(240)로부터 분배된 반응 가스를 공급받아 상기 공정 튜브(220)의 내측 공간으로 공급한다.
상기 제2 유로(252)는 상기 제1 가스 공급부(240)로부터 분배된 반응 가스를 공급받는 다수의 제4 서브 유로(252a)를 포함하고, 상기 제4 서브 유로(252)는 상기 분배된 반응 가스를 일대일 대응하여 공급받는다. 즉, 상기 제1 가스 공급부(240)에서 반응 가스를 여덟 갈래로 분배하여 공급하면, 상기 제2 가스 공급부(250)는 여덟 개의 상기 제4 서브 유로(252a)를 구비한다.
상기 제4 서브 유로(252a) 각각은 상호 대칭적으로 분기되는 두 개의 제5 서브 유로(252b)를 포함한다. 상기 제4 서브 유로(252a)는 상기 공정 튜브(220)의 길이 방향을 따라 위치하고, 상기 제5 서브 유로(252b)는 상기 공정 튜브(220)의 원주 방향을 따라 분기된 후, 경로가 변경되어 상기 공정 튜브(220)의 길이 방향을 따라 위치한다.
상기 제5 서브 유로(252b) 각각은 분기되는 두 개의 제6 서브 유로(252c)를 포함한다. 상기 두 개의 제6 서브 유로(252c)는 상기 제5 서브 유로(252b)에 대하여 상호 대칭적으로 위치한다.
상기 제6 서브 유로(252c)는 상기 공정 튜브(220)의 길이 방향을 따라 연장 되고, 상기 제6 서브 유로(252c)의 경로상에는 상기 공정 튜브(220)의 내측 공간을 향하도록 형성된 홀(254)들이 구비된다. 상기 홀(254)들은 상기 공정 튜브(220)의 내측 공간으로 반응 가스가 균일하게 분사되도록 상기 공정 튜브(220)의 길이 방향을 따라 동일한 간격으로 배치된다. 상기 홀(254)은 경우에 따라서 상이할 수 있으나, 직경이 0.1mm보다 작을 경우 반응 가스의 분사량이 적어져 웨이퍼(W) 전면에 확산이 쉽지 않고, 0.5mm보다 클 경우에는 분사량이 많아져 고른 분사에 어려움이 따르므로 0.1mm 내지 0.5mm를 갖도록 형성한다.
또한, 상기 제6 서브 유로(252c)는 반응 가스가 균일하게 분사될 수 있도록 상기 공정 튜브(220)의 중심축(예컨대 수용되는 웨이퍼의 중심축)에 대하여 동일한 각도의 간격으로 배치한다. 즉, 상기 공정 튜브(220)의 원주 방향을 따라서 상기 제6 서브 유로(252c)간 간격이 동일하도록 배치한다.
상기 제6 서브 유로(252c)의 개수는 상기 공정 튜브(220)의 직경, 가공되는 웨이퍼(W)의 직경 등의 조건에 따라서 적절히 가변 가능하다. 예를 들어, 상기 공정 튜브(220)의 직경이 큰 경우에는 상기 제6 서브 유로(252c)의 수가 증가되고, 직경이 상대적으로 작은 경우에는 상기 제6 서브 유로(252c)의 수는 감소된다.
또한, 상기 제6 서브 유로(252c)의 경로상에 구비되는 상기 홀(254)들이 동일 간격으로 배치되는 것으로 설명하였으나, 유로의 길이가 길어져 압력차가 커지는 경우에는 상기 제1 가스 공급부(240)로부터 멀어질수록 간격이 점진적으로 작아지게 배치할 수 있다.
한편, 상기 제2 유로(252)가 단계적으로 분기되는 제4 서브 유로(252a), 제5 서브 유로(252b) 및 상기 제6 서브 유로(252c)를 포함하는 경우로 설명하였으나, 이는 상기 공정 튜브(220)의 크기가 큰 경우에 많은 수의 서브 유로를 구비하기 위한 실시예이다. 바람직하게는 상기 제2 유로(252)는 상기 제1 가스 공급부(240)에서 분배된 반응 가스의 수에 대응하는 제6 서브 유로(252c)만 포함한다. 이처럼, 상기 공정 튜브(220)에 구비되는 서브 유로의 수에 따라서 상기 제2 유로(252)의 형태의 가변 될 수 있다.
이러한, 반도체 소자 제조 장치의 동작을 간략하게 설명하면, 다수의 웨이퍼(W)가 다단으로 적재된 상태로 상기 보트(100)가 상승된다. 상기 보트(100)의 상승으로 상기 웨이퍼(W)들이 상기 공정 튜브(220)의 내측 공간에 수용되고, 상기 보트(100)와 상기 매니폴드(230)의 밀착으로 외부와 격리된 반응 공간을 형성한다. 이후, 상기 히터(300)에 의해 반응 공간의 온도가 제어되면서 외부의 가스 공급원(미도시)으로부터 유입되는 반응 가스는 상기 제1 가스 공급부(240)를 통해 여러 갈래로 분배되어 상기 제2 가스 공급부(250)에 공급된다. 상기 제2 가스 공급부(250)에 공급된 반응 가스는 상기 제2 유로(252)의 경로상에 구비된 홀(254)들을 통해 상기 반응 공간으로 분사되고, 웨이퍼(W)의 가공 공정이 이루어진다.
웨이퍼(W)의 공정 처리가 완료되면 반응 가스의 유입이 중단되면서 상기 홀(254)들을 통한 반응 가스의 분사가 중단된다. 이와 동시에 상기 매니폴드(230)에 구비되는 상기 가스 배출구(232)를 통해 반응 공간의 반응 가스가 배출된다. 이후, 상기 보트(100)가 하강되고, 상기 보트(100)로부터 상기 웨이퍼(W) 들이 언로딩 된다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 소자 제조 장치는 유입되는 반응 가스를 제1 가스 공급부에서 여러 갈래로 고르게 분배하고, 분배된 반응 가스를 다수의 서브 유로를 갖는 제2 가스 공급부에서 공급받아 공정 챔버로 공급함으로써, 공정 챔버의 크기 및 웨이퍼의 크기에 상관없이 사방에서 균일하게 반응 가스를 분사하여 웨이퍼 전면에 균일한 가스 확산을 이뤄 균일한 막을 형성할 수 있다.
또한, 공정 튜브에 서브 유로들이 동일 간격으로 다수 구비되고, 각 서브 유로에 구비되는 홀들에서 동시에 반응 가스가 분사되므로, 빠른 시간 내에 웨이퍼 전면에 균일한 가스 확산으로 균일한 막을 형성할 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 제조 장치를 개략적으로 나타낸 구성도이다.
도 2는 도 1의 반도체 소자 제조 장치에 포함되는 제1 가스 공급부를 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 도 1에 도시된 공정 튜브의 전개도이다.
도 4는 도 1에 도시된 공정 튜브를 수평 방향으로 자른 단면도이다.
도 5는 도 3에 도시된 Ⅰ-Ⅰ′선을 따라 자른 단면도이다.
〈도면의 주요부분에 대한 부호의 설명〉
100: 보트 110: 회전 구동부
200: 공정 챔버 210; 덮개
220: 공정 튜브 230; 매니폴드
232: 가스 배출구 240: 제1 가스 공급부
250: 제2 가스 공급부 300: 히터
W: 웨이퍼
Claims (9)
- 다수의 웨이퍼를 적재하는 보트를 수용할 수 있는 공간을 갖는 관 구조의 공정 튜브;상기 공정 튜브의 일단부를 밀폐시키기 위한 덮개;상기 덮개 내에 메인 유로 및 상호 대칭적으로 위치하는 두 개의 제1 서브 유로를 포함하는 제1 유로를 갖도록 형성되고, 외부로부터 유입되는 반응 가스를 여러 갈래로 분배하는 제1 가스 공급부; 및상기 공정 튜브의 벽체 내부에 제2 유로를 갖도록 형성되고, 상기 제2 유로의 경로 상에는 상기 공정 튜브의 내부로 반응 가스를 제공하기 위한 홀들이 구비되어 상기 제1 가스 공급부에서 여러 갈래로 분배된 반응 가스를 공급받아 상기 공정 튜브로 공급하는 제2 가스 공급부를 포함하는 반도체 소자 제조 장치.
- 다수의 웨이퍼를 적재하는 보트를 수용할 수 있는 공간을 갖는 관 구조의 공정 튜브;상기 공정 튜브의 일단부를 밀폐시키기 위한 덮개;상기 덮개 내에 제1 유로를 갖도록 형성되고, 외부로부터 유입되는 반응 가스를 여러 갈래로 분배하는 제1 가스 공급부; 및상기 공정 튜브의 벽체 내부에 다수의 제1 서브 유로를 포함하는 제2 유로를 갖도록 형성되고, 상기 제2 유로의 경로 상에는 상기 공정 튜브의 내부로 반응 가스를 제공하기 위한 홀들이 구비되어 상기 제1 가스 공급부에서 여러 갈래로 분배된 반응 가스에 대응하는 상기 다수의 제1 서브 유로로 공급받아 상기 공정 튜브로 공급하는 제2 가스 공급부를 포함하는 반도체 소자 제조 장치.
- 제2항에 있어서,상기 제1 유로는 메인 유로 및 두 개의 제1 서브 유로를 포함하고, 상기 두 개의 제1 서브 유로는 상호 대칭적으로 위치하는 것을 특징으로 하며,상기 제1 유로의 두 개의 제1 서브 유로 각각은 두 개의 제2 서브 유로를 포함하고, 상기 두 개의 제2 서브 유로는 상호 대칭적으로 위치하는 반도체 소자 제조 장치.
- 제1항에 있어서,상기 제1 서브 유로 각각은 두 개의 제2 서브 유로를 포함하고, 상기 두 개의 제2 서브 유로는 상호 대칭적으로 위치하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장치.
- 제3항 또는 제4항에 있어서,상기 제1 유로의 제1 서브 유로는 상기 메인 유로에서 원호 형태로 분기되고, 상기 제2 서브 유로는 상기 제1 유로의 제1 서브 유로에서 원호 형태로 분기되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장치.
- 제1항에 있어서,상기 제2 유로는 다수의 제1 서브 유로를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장치.
- 제2항 또는 제6항에 있어서,상기 제2 유로의 제1 서브 유로 각각은 두 개의 제2 서브 유로를 포함하고, 상기 두 개의 제2 서브 유로는 상호 대칭적으로 위치하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 제2 유로는 상기 공정 튜브의 길이 방향을 따라 형성되는 다수의 서브 유로를 포함하고, 상기 다수의 서브 유로는 상기 공정 튜브의 원주 방향을 따라 동일 간격으로 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 제2 유로의 경로 상에 구비되는 상기 홀들은 동일 간격으로 배치되고,상기 홀들은 0.1 내지 0.5㎜의 직경을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장치.
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