KR100475016B1 - 확산로의반응튜브 - Google Patents

Abstract

본 발명은 내부에 빈 공간을 갖는 외부 튜브와, 상기 외부 튜브 내부에 일정 간격 이격되도록 설치되고 그 내부에 반도체 기판이 장착되는 보트를 포함하는 내부 튜브와, 상기 내부 튜브와 외부 튜브 사이의 공간에 가스가 흐로도록 하여 상기 내부 튜브와 외부 튜브 사이의 공간에서 상기 보트속의 반도체 기판쪽으로 수평으로 가스가 분사될 수 있는 복수개의 가스 분사구들을 갖는 가스 노즐을 포함하여 이루어지는 확산로의 반응 튜브를 제공한다. 상기 가스 노즐은 1∼50개 설치할 수 있으며, 상기 가스 분사구들의 지름은 0∼50mm이다. 본 발명의 확산로의 반응 튜브는 반도체 기판과 반도체 기판 사이의 수평방향으로 반응 가스를 분사시켜 줌으로써 반도체 기판 상에 균일한 막을 형성시킬 수 있다.

Description

확산로의 반응튜브{Reaction tube of diffusion furnace}

본 발명은 반도체 소자 제조 장치에 관한 것으로, 특히 반도체 소자 제조시이용되는 확산로의 반응 튜브에 관한 것이다.

일반적으로, 반도체 소자는 확산공정, 이온주입공정, 사진공정 및 식각공정이 주기적으로 반복되어 제조된다. 이중에서 상기 확산공정은 반도체 기판에 막을 형성하거나 이온주입된 불순물을 반도체 기판에 확산시키기 위하여 이용된다. 이를 위하여 상기 확산공정에는 반응 튜브를 포함하는 확산로가 이용된다. 여기서, 종래기술에 의한 확산로의 반응 튜브를 설명한다.

도 1은 종래기술에 의한 확산로의 반응튜브를 개략적으로 도시한 정면도이다.

구체적으로, 종래의 확산로의 반응 튜브는 반도체 기판(웨이퍼: 도시안됨)가 장착되는 보트(1)를 그 내부에 설치할 수 있는 튜브(3)와, 상기 튜브(3) 내에 설치되고 상기 튜브(3)의 하부 일측에 설치된 가스 주입구(5)를 통하여 가스가 주입되는 가스 노즐(7)을 포함한다. 그리고, 상기 가스 주입구(5)의 반대쪽, 즉 튜브(3)의 하부 타측에 가스 출구(9)가 형성되어 있다. 이에 따라, 화살표로 도시한 바와 같이 가스 주입구(5)를 통하여 주입된 가스는 가스 노즐(7)을 따라 이동하고, 이동된 가스는 상부에서 하부로 흐르면서 반도체 기판 상에 막, 예컨대 산화막을 형성하게 된다. 도 1에서, 화살표는 가스 흐름을 나타낸다.

그런데, 상술한 바와 같은 종래의 확산로의 반응튜브는 가스 흐름이 상부에서 하부로 흐르기 때문에 반도체 기판 상에 막, 예컨대 산화막이 균일하게 성장하지 않는 단점이 있다. 또한, 장시간 상기 확산로의 반응튜브를 사용할 때 가스 노즐이 휘어 보트 교체 또는 이동시 긁혀 파티클이 발생하는 문제점이 있다.

따라서, 본 발명의 기술적 과제는 상술한 문제점을 해결할 수 있는 확산로의 반응 튜브를 제공하는 데 있다.

상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 내부에 빈 공간을 갖는 외부 튜브와, 상기 외부 튜브 내부에 일정 간격 이격되도록 설치되고 그 내부에 반도체 기판이 장착되는 보트를 포함하는 내부 튜브와, 상기 내부 튜브와 외부 튜브 사이의 공간에 가스가 흐로도록 하여 상기 내부 튜브와 외부 튜브 사이의 공간에서 상기 보트속의 반도체 기판쪽으로 수평으로 가스가 분사될 수 있는 복수개의 가스 분사구들을 갖는 가스 노즐을 포함하여 이루어지는 확산로의 반응 튜브를 제공한다. 상기 가스 노즐은 1∼50개 설치할 수 있으며, 상기 가스 분사구들의 지름은 0∼50mm이다.

본 발명의 확산로의 반응 튜브는 반도체 기판과 반도체 기판 사이의 수평방향으로 반응 가스를 분사시켜 줌으로써 반도체 기판 상에 균일한 막을 형성시킬 수 있다.

이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.

도 2는 본 발명에 의한 확산로의 반응튜브를 개략적으로 설명하기 위한 정면도이다.

구체적으로, 본 발명의 확산로의 반응 튜브는 이중 구조형 튜브로 되어 있다. 즉, 외부 튜브(outer tube: 11)와, 상기 외부 튜브(11) 내부에 일정 간격 이격되도록 설치되고 그 내부에 반도체 기판(웨이퍼, 도시안됨)이 장착되는 보트(boat: 12)가 설치될 수 있는 내부 튜브(inner tube: 13)로 되어 있다. 상기 외부 튜브(11)의 하부 일측에 가스 주입구(15)가 형성되어 있으며, 상기 가스 주입구(15)의 반대쪽인 상기 외부 튜브(11)의 타측에 가스 출구(17)가 형성되어 있다.

그리고, 상기 내부 튜브(13)의 내면에 상부에서 하부로 장착되고, 상기 내부 튜브(13)와 외부 튜브(11) 사이의 공간에 상기 가스 주입구(15)를 통하여 가스가 흐로도록 하여 상기 내부 튜브(13)와 외부 튜브(11) 사이의 공간에서 수평으로 가스가 분사되는 복수개의 가스 분사구들(19)을 갖는 가스 노즐(21)을 포함한다.

다시 말하면, 상기 내부 튜브(13)와 외부 튜브(11) 사이의 공간은 가스 노즐 역할을 하고, 상기 가스 분사구(19)에서 보트(12) 속의 반도체 기판 쪽으로 가스가 수평으로 분사되어 반도체 기판 상에 막, 예컨대 산화막이 균일하게 형성된다. 특히, 상기 가스 분사구(19)의 간격은 보트(12)에 장착되는 반도체 기판과 동일한 간격으로 형성하며 이에 따라 가스 분사구(19)에서 분사된 가스가 반도체 기판 사이로 잘 통과 및 도달하게 하여 균일한 막을 형성하게 한다. 본 실시예에서, 상기 가스 노즐(21)은 1∼50개 설치할 수 있으며, 상기 가스 분사구(19)들의 지름은 0∼50mm 으로 형성한다. 도 2에서, 화살표는 가스 흐름을 나타낸다.

이상, 실시예를 통하여 본 발명을 구체적으로 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식으로 그 변형이나 개량이 가능하다.

상술한 바와 같이 본 발명의 확산로의 반응 튜브는 반도체 기판과 반도체 기판 사이의 수평방향으로 반응 가스를 분사시켜 줌으로써 반도체 기판 상에 균일한 막을 형성시킬 수 있다. 또한, 본 발명의 확산로의 반응 튜브의 가스 노즐이 이중 튜브 내면 속에 형성되므로 가스 노즐의 휨 현상이 제거되어 종래와 같이 보트와 충돌하여 발생하는 긁힘 현상을 없앨 수 있다.

도 1은 종래기술에 의한 확산로의 반응튜브를 개략적으로 도시한 정면도이다.

도 2는 본 발명에 의한 확산로의 반응튜브를 개략적으로 설명하기 위한 정면도이다.

Claims (3)

1. 내부에 빈 공간을 갖는 외부 튜브;

   상기 외부 튜브 내부에 일정 간격 이격되도록 설치되고 그 내부에 반도체 기판이 장착되는 보트를 포함하는 내부 튜브; 및

   상기 내부 튜브와 외부 튜브 사이의 공간에 가스가 흐로도록 하여 상기 내부 튜브와 외부 튜브 사이의 공간에서 상기 보트속의 반도체 기판쪽으로 수평으로 가스가 분사될 수 있는 복수개의 가스 분사구들을 갖는 가스 노즐을 포함하여 이루어지는 확산로의 반응 튜브.
2. 제1항에 있어서, 상기 가스 노즐은 1∼50개 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 확산로의 반응튜브.
3. 제1항에 있어서, 상기 가스 분사구들의 지름은 0∼50mm인 것을 특징으로 하는 확산로의 반응튜브.

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