JP2729238B2 - 縦型処理装置 - Google Patents
縦型処理装置Info
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Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、縦型処理装置に関する。
（従来の技術） 縦型処理装置は、縦型の処理炉内において被処理体の
処理を行う装置であり、このような装置としては、例え
ば半導体ウエハの縦型気相成長装置や縦型拡散炉等があ
る。
処理を行う装置であり、このような装置としては、例え
ば半導体ウエハの縦型気相成長装置や縦型拡散炉等があ
る。
この種の縦型処理装置では、第４図に示すように、縦
型処理炉10内に、被処理体搬送治具であるウエハボード
12がローディングされており、このウエハボード12に、
被処理基板であるウエハ14が水平状態で複数枚縦方向に
所定間隔おいて配列支持されている。また、上記縦型処
理炉10の周囲には、図示はしていないが縦型処理炉10内
の温度を所望の温度に加熱するためのヒータが設けられ
ており、ウエハ14の処理を行う際に縦型処理炉10内の温
度を例えば1000℃程度に加熱するものである。
型処理炉10内に、被処理体搬送治具であるウエハボード
12がローディングされており、このウエハボード12に、
被処理基板であるウエハ14が水平状態で複数枚縦方向に
所定間隔おいて配列支持されている。また、上記縦型処
理炉10の周囲には、図示はしていないが縦型処理炉10内
の温度を所望の温度に加熱するためのヒータが設けられ
ており、ウエハ14の処理を行う際に縦型処理炉10内の温
度を例えば1000℃程度に加熱するものである。
一方、ウエハ14の処理を行う際に使用するプロセスガ
スを供給するプロセスガス導入管16のガス導入口18は、
ジョイント20を介して前記縦型処理炉10の中心軸上で末
端側である上部突起部22の側面部に接続され、このガス
導入口18よりプロセスガスを縦型処理炉10内に略均一に
供給しつつ、ガス排出口24から排気している。
スを供給するプロセスガス導入管16のガス導入口18は、
ジョイント20を介して前記縦型処理炉10の中心軸上で末
端側である上部突起部22の側面部に接続され、このガス
導入口18よりプロセスガスを縦型処理炉10内に略均一に
供給しつつ、ガス排出口24から排気している。
上記のような構成において、ガス導入口18から導入さ
れたプロセスガスは、図のように縦型処理炉10の上部突
起部20の側面から所定の温度に加熱された縦型処理炉10
内部に略均一に供給され、拡散してウエハボード12に載
置されたウエハ14付近に達する。そして、プロセスガス
の反応により、ウエハ14の表面上に酸化膜や拡散層等が
形成される。
れたプロセスガスは、図のように縦型処理炉10の上部突
起部20の側面から所定の温度に加熱された縦型処理炉10
内部に略均一に供給され、拡散してウエハボード12に載
置されたウエハ14付近に達する。そして、プロセスガス
の反応により、ウエハ14の表面上に酸化膜や拡散層等が
形成される。
上述したようなガスを均一に導入する技術は、例えば
特開昭61−97821,1特開昭61−114522,実開昭52−13195
8,実開昭61−179735号公報に開示されている。
特開昭61−97821,1特開昭61−114522,実開昭52−13195
8,実開昭61−179735号公報に開示されている。
（発明が解決しようとする課題） 上記のような従来の縦型処理装置においては、上述の
ようにプロセスガスのガス導入口18が縦型処理炉10の上
部突起部22の側面部に臨んで接続されているので、プロ
セスガスは上部突起部22の側面から導入され、炉内を拡
散してウエハボード12に載置されたウエハ14の方向に達
するのが、この場合、プロセスガスは特定の方向性、す
なわちガス導入口18の取付け場所に依存した方向性を持
ちながら拡散するので、プロセスガスが均一に炉内を拡
散せず、この結果、ウエハの処理も均一に行うことが困
難であった。
ようにプロセスガスのガス導入口18が縦型処理炉10の上
部突起部22の側面部に臨んで接続されているので、プロ
セスガスは上部突起部22の側面から導入され、炉内を拡
散してウエハボード12に載置されたウエハ14の方向に達
するのが、この場合、プロセスガスは特定の方向性、す
なわちガス導入口18の取付け場所に依存した方向性を持
ちながら拡散するので、プロセスガスが均一に炉内を拡
散せず、この結果、ウエハの処理も均一に行うことが困
難であった。
また、例えば実願昭61−41854（実開昭62−154639
号）のマイクロフィルムに開示されたものでは、処理炉
内でのガス導入管が屈曲形成されているので、ガス導入
管の吐出側の先端部分のみを断面略Ｌ字状に曲げ加工を
行わなければならず、加工を行うのが難しいという問題
点があった。さらに、このような断面Ｌ字状のガス導入
管を、処理炉内に突入して配設するのが大変であるとい
う問題点がある。また、突入したガス導入管の突入端を
開口して、直接炉壁に噴射させるために、上記同様プロ
セスガスが特定の方向性を持つため、均一に拡散できな
い。
号）のマイクロフィルムに開示されたものでは、処理炉
内でのガス導入管が屈曲形成されているので、ガス導入
管の吐出側の先端部分のみを断面略Ｌ字状に曲げ加工を
行わなければならず、加工を行うのが難しいという問題
点があった。さらに、このような断面Ｌ字状のガス導入
管を、処理炉内に突入して配設するのが大変であるとい
う問題点がある。また、突入したガス導入管の突入端を
開口して、直接炉壁に噴射させるために、上記同様プロ
セスガスが特定の方向性を持つため、均一に拡散できな
い。
さらに、ガス導入管を炉内に突入させた際に、突入端
のガス導入口を処理炉の閉鎖端側の一端面に向けさせる
ために突入部分を屈曲形成しているので、この突入部分
の形成領域が大となるため、この領域を確保すべく処理
炉を予め余分に大きく（軸方向に長く）形成しなければ
ならず、装置の大型化を招くという問題点がある。
のガス導入口を処理炉の閉鎖端側の一端面に向けさせる
ために突入部分を屈曲形成しているので、この突入部分
の形成領域が大となるため、この領域を確保すべく処理
炉を予め余分に大きく（軸方向に長く）形成しなければ
ならず、装置の大型化を招くという問題点がある。
そこで、本発明の目的とするところは、ガス導入管の
処理炉に対する配設作業を簡略化し、ガス導入管の加工
も容易とし、ガス導入管の処理炉内部への突入領域を小
さくして装置の小型化を図りながらも、プロセスガスを
処理炉内に均一に拡散させることができる縦型処理装置
を提供することにある。
処理炉に対する配設作業を簡略化し、ガス導入管の加工
も容易とし、ガス導入管の処理炉内部への突入領域を小
さくして装置の小型化を図りながらも、プロセスガスを
処理炉内に均一に拡散させることができる縦型処理装置
を提供することにある。
［発明の構成］ （課題を解決するための手段） 請求項１に記載の発明に係る縦型処理装置は、一端が
閉鎖し他端が開口する縦型の処理炉と、この処理炉内に
プロセスガスを供給するプロセスガス導入管とを有し、
前記処理炉の開口端側より被処理体を挿入して前記処理
炉内において被処理体の処理を行う縦型処理装置におい
て、前記プロセスガス導入管の直線状端部を、前記処理
炉の閉鎖端側の炉壁より内部に突入させ、この突入部の
突入端を密閉して、ガス導入口を、前記処理炉の閉鎖端
側の端面の炉壁に向けて開口させたことを特徴とする。
閉鎖し他端が開口する縦型の処理炉と、この処理炉内に
プロセスガスを供給するプロセスガス導入管とを有し、
前記処理炉の開口端側より被処理体を挿入して前記処理
炉内において被処理体の処理を行う縦型処理装置におい
て、前記プロセスガス導入管の直線状端部を、前記処理
炉の閉鎖端側の炉壁より内部に突入させ、この突入部の
突入端を密閉して、ガス導入口を、前記処理炉の閉鎖端
側の端面の炉壁に向けて開口させたことを特徴とする。
請求項２に記載の発明に係る縦型処理装置は、一端が
閉鎖し他端が開口する縦型の処理炉と、この処理炉内に
プロセスガスを供給するプロセスガス導入管とを有し、
前記処理炉の開口端側より被処理体を挿入して前記処理
炉内において被処理体の処理を行う縦型処理装置におい
て、前記プロセスガス導入管の直線状端部を、前記処理
炉すの閉鎖端側の炉壁より内部に突入させ、この突入部
の突入端を密閉して、ガス導入口を、前記処理炉の閉鎖
端側の端面の炉壁に向けて開口させ、前記処理炉内の前
記プロセスガス導入管と前記被処理体との間に、ガスを
拡散させるガス拡散手段を配設したことを特徴とする。
閉鎖し他端が開口する縦型の処理炉と、この処理炉内に
プロセスガスを供給するプロセスガス導入管とを有し、
前記処理炉の開口端側より被処理体を挿入して前記処理
炉内において被処理体の処理を行う縦型処理装置におい
て、前記プロセスガス導入管の直線状端部を、前記処理
炉すの閉鎖端側の炉壁より内部に突入させ、この突入部
の突入端を密閉して、ガス導入口を、前記処理炉の閉鎖
端側の端面の炉壁に向けて開口させ、前記処理炉内の前
記プロセスガス導入管と前記被処理体との間に、ガスを
拡散させるガス拡散手段を配設したことを特徴とする。
（作用） 請求項１に記載の発明によれば、以下の作用効果を有
する。
する。
（イ）プロセスガスのガス導入管の突入部は、ほぼ真っ
直ぐに形成されていることから、例えば実願昭61−4185
4号（実開昭62−154639号）のマイクロフィルム等のよ
うに、ガス導入管を屈曲形成する必要もないので、ガス
導入管の加工及び処理炉への挿入配設作業が容易となる
と共に、装置の小型化が図れ、なおかつ、ガス導入管の
処理炉に対する占有領域も小さくなることから、被処理
体の処理領域が増して、より多数の被処理体を均一に処
理できる。
直ぐに形成されていることから、例えば実願昭61−4185
4号（実開昭62−154639号）のマイクロフィルム等のよ
うに、ガス導入管を屈曲形成する必要もないので、ガス
導入管の加工及び処理炉への挿入配設作業が容易となる
と共に、装置の小型化が図れ、なおかつ、ガス導入管の
処理炉に対する占有領域も小さくなることから、被処理
体の処理領域が増して、より多数の被処理体を均一に処
理できる。
（ロ）ガス導入管の突入部の突入端は密閉されているの
で、ガス供給圧が作用する管の軸方向に直接ガスが噴出
せず、突入された管の側壁にて開口しているガス導入管
より噴出される。このため、プロセスガスは特定の方向
性を持つことはなく、処理炉内部にて均一に拡散して被
処理体付近に達する。
で、ガス供給圧が作用する管の軸方向に直接ガスが噴出
せず、突入された管の側壁にて開口しているガス導入管
より噴出される。このため、プロセスガスは特定の方向
性を持つことはなく、処理炉内部にて均一に拡散して被
処理体付近に達する。
しかも、ガス導入管が開口する方向は、処理炉の閉鎖
端側の端面の炉壁に向けられているので、ガス導入管か
ら導入されたプロセスガスが一旦処理炉閉鎖嘆息の炉壁
に向け噴出し、炉壁で反射して拡散するので、より均一
な処理を行うことができる。
端側の端面の炉壁に向けられているので、ガス導入管か
ら導入されたプロセスガスが一旦処理炉閉鎖嘆息の炉壁
に向け噴出し、炉壁で反射して拡散するので、より均一
な処理を行うことができる。
請求項２に記載の発明によれば、請求項１と同様の作
用効果を奏しながらも、処理炉内のガス導入管と被処理
体との間に、ガスを拡散させるガス拡散手段が配設され
ているので、ガス導入管より噴出したプロセスガスはこ
のガス拡散手段により拡散されて被処理体に吹き付けら
れるので、さらに均一な処理を被処理体に施すことが可
能になる。
用効果を奏しながらも、処理炉内のガス導入管と被処理
体との間に、ガスを拡散させるガス拡散手段が配設され
ているので、ガス導入管より噴出したプロセスガスはこ
のガス拡散手段により拡散されて被処理体に吹き付けら
れるので、さらに均一な処理を被処理体に施すことが可
能になる。
尚、このガス拡散手段を、無数の細かい開口部を有す
る板状体にて形成すれば、プロセスガスはさらに均一に
て拡散されるので、被処理体の処理を極めて均一に行う
ことが可能となる。
る板状体にて形成すれば、プロセスガスはさらに均一に
て拡散されるので、被処理体の処理を極めて均一に行う
ことが可能となる。
（実施例） 以下、本発明を半導体ウエハに対する拡散装置に適用
した一実施例について図面を参照して具体的に説明す
る。
した一実施例について図面を参照して具体的に説明す
る。
第１図は、実施例に係る縦型拡散装置の概略断面図で
あり、同図に示す部材のうち、第４図に示した部材と同
一機能を有する部材については同一符合を付してその詳
細な説明を省略する。
あり、同図に示す部材のうち、第４図に示した部材と同
一機能を有する部材については同一符合を付してその詳
細な説明を省略する。
本実施例装置が、従来の第４図に示す装置と相違する
点は下記とおりである。
点は下記とおりである。
本実施例に係る縦型処理装置のプロセスガス導入管16
は、縦型処理炉10の末端側である上部突起部22内に突入
して設けられ、このガス導入管16の末端は密閉され、か
つ、ガス導入口26は縦型処理炉10の軸心上にて上記ガス
導入管20の側壁に開口している。このガス導入口26は、
本実施例においては図のように上部方向に設けられてい
る。
は、縦型処理炉10の末端側である上部突起部22内に突入
して設けられ、このガス導入管16の末端は密閉され、か
つ、ガス導入口26は縦型処理炉10の軸心上にて上記ガス
導入管20の側壁に開口している。このガス導入口26は、
本実施例においては図のように上部方向に設けられてい
る。
さらに、本実施例の装置においては、縦型処理炉10内
のガス導入口26とウエハボート12との間にはバッファ板
28が設けられているが、これについては後に詳述する。
のガス導入口26とウエハボート12との間にはバッファ板
28が設けられているが、これについては後に詳述する。
上記のように構成された縦型処理装置においては、ガ
ス導入管20で供給されるプロセスガスは、その供給圧力
が直接作用する管の軸方向より噴出せず、その側壁に開
口しているガス導入口より噴出する。したがって、ガス
供給圧力による特定の噴出方向を持たずに縦型処理炉10
内部に導入されることになる。しかも、ガス導入口26か
ら導入されたプロセスガスは、一旦上部突起部22の上部
壁に当たり、十分に拡散した後に炉内下部方向へ拡散し
て行く。すなわち、ガス導入口26が縦型処理炉10内の上
部しかも軸心上に設けられていることにより、プロセス
ガスは水平方向における特定の方向性を持つことなく導
入されるので、プロセスガスは炉内の上部中央付近から
順次拡散してゆき、均一な状態でウエハ14の載置された
ウエハボード12に達する。
ス導入管20で供給されるプロセスガスは、その供給圧力
が直接作用する管の軸方向より噴出せず、その側壁に開
口しているガス導入口より噴出する。したがって、ガス
供給圧力による特定の噴出方向を持たずに縦型処理炉10
内部に導入されることになる。しかも、ガス導入口26か
ら導入されたプロセスガスは、一旦上部突起部22の上部
壁に当たり、十分に拡散した後に炉内下部方向へ拡散し
て行く。すなわち、ガス導入口26が縦型処理炉10内の上
部しかも軸心上に設けられていることにより、プロセス
ガスは水平方向における特定の方向性を持つことなく導
入されるので、プロセスガスは炉内の上部中央付近から
順次拡散してゆき、均一な状態でウエハ14の載置された
ウエハボード12に達する。
特に、本実施例のようにガス導入口26が上部方向に開
口している場合には、導入されたプロセスガスは縦型処
理炉10の上部突起部22の上部壁に当たり、十分に拡散さ
れた後に下部方向へ拡散するので、プロセスガスの拡散
の均一性が増す。
口している場合には、導入されたプロセスガスは縦型処
理炉10の上部突起部22の上部壁に当たり、十分に拡散さ
れた後に下部方向へ拡散するので、プロセスガスの拡散
の均一性が増す。
第２図は、縦型処理炉10がバッファ板28を含む面の断
面図である。図に示すように、このバッファ板28の面内
には細かい開口部が無数に設けられており、プロセスガ
スはこの開口部30を通ってウエハ14方向へ拡散する。
面図である。図に示すように、このバッファ板28の面内
には細かい開口部が無数に設けられており、プロセスガ
スはこの開口部30を通ってウエハ14方向へ拡散する。
このバッファ板28は、例えば縦型処理炉10と同様に石
英等で構成することができ、開口部30は例えばレーザ光
等により穴径0.5〜2mmの穴で構成される。また、このバ
ッファ板28は、縦型処理炉10と一体に形成してもよい
し、縦型処理炉10とは別個に形成して取付けてもよい。
英等で構成することができ、開口部30は例えばレーザ光
等により穴径0.5〜2mmの穴で構成される。また、このバ
ッファ板28は、縦型処理炉10と一体に形成してもよい
し、縦型処理炉10とは別個に形成して取付けてもよい。
このバッファ板28により、ガス導入口26から導入され
たプロセスガスは、まず縦型処理炉10の上部突起部22の
炉壁に当たり、拡散されてウエハ14方向へ向かう。そし
て、途中でバッファ板28の存在によりさらに拡散され、
バッファ板28に設けられた開口部30を通ってウエハ14付
近に達する。この状態ではプロセスガスは十分均一に拡
散しているて、ウエハの処理を極めて均一に行うことが
可能となる。
たプロセスガスは、まず縦型処理炉10の上部突起部22の
炉壁に当たり、拡散されてウエハ14方向へ向かう。そし
て、途中でバッファ板28の存在によりさらに拡散され、
バッファ板28に設けられた開口部30を通ってウエハ14付
近に達する。この状態ではプロセスガスは十分均一に拡
散しているて、ウエハの処理を極めて均一に行うことが
可能となる。
次に、第二実施例について第３図を参照して説明す
る。第３図は、縦型処理装置を上部方向から見た概略図
であり、この実施例においては、プロセスガス導入管32
は二股に分かれており、ガス導入口34は二箇所設けられ
ている。従って、プロセスガスは二箇所から供給される
ので、第一実施例の場合よりもさらに均一にプロセスガ
スを拡散させることができる。この場合、ガス導入口34
は二箇所に限定する必要はなく、三箇所以上設けても良
い。
る。第３図は、縦型処理装置を上部方向から見た概略図
であり、この実施例においては、プロセスガス導入管32
は二股に分かれており、ガス導入口34は二箇所設けられ
ている。従って、プロセスガスは二箇所から供給される
ので、第一実施例の場合よりもさらに均一にプロセスガ
スを拡散させることができる。この場合、ガス導入口34
は二箇所に限定する必要はなく、三箇所以上設けても良
い。
なお、上記各実施例においては、ガス導入口を上部方
向に開口された例を示したが、本発明はこれに限定され
るものではなく、ガス導入口を下部方向に開口させても
よいことは言うまでもない。さらに本発明は、ガス導入
口の形状や個数を上記実施例に限定するものではなく、
本発明の技術思想としての範囲内で種々の変形実施が可
能である。
向に開口された例を示したが、本発明はこれに限定され
るものではなく、ガス導入口を下部方向に開口させても
よいことは言うまでもない。さらに本発明は、ガス導入
口の形状や個数を上記実施例に限定するものではなく、
本発明の技術思想としての範囲内で種々の変形実施が可
能である。
さらに本発明は、縦型拡散装置のみならず、縦型熱気
相成長炉等の縦型炉を有する種々の装置に適用できる。
また、上端側より被処理体を搬入出するタイプの縦型炉
では、その末端である下端側にガス導入管を突入して接
続すればよい。
相成長炉等の縦型炉を有する種々の装置に適用できる。
また、上端側より被処理体を搬入出するタイプの縦型炉
では、その末端である下端側にガス導入管を突入して接
続すればよい。
［発明の効果］ 請求項１の発明によれば、プロセスガスのガス導入管
の突入部は、ほぼ真っ直ぐに形成されるので、ガス導入
管を屈曲形成する必要もなく、ガス導入管の加工及び処
理炉への挿入配設作業が容易となると共に、装置の小型
化が図れる。
の突入部は、ほぼ真っ直ぐに形成されるので、ガス導入
管を屈曲形成する必要もなく、ガス導入管の加工及び処
理炉への挿入配設作業が容易となると共に、装置の小型
化が図れる。
また、突入部の突出端を密閉して管の側壁を開口させ
ることで、ガスを均一に拡散でき、しかも、開口方向
は、処理炉の閉鎖端側の端縁に向けられ、より均一な処
理ができる。
ることで、ガスを均一に拡散でき、しかも、開口方向
は、処理炉の閉鎖端側の端縁に向けられ、より均一な処
理ができる。
加えて、請求項２では、ガス拡散手段も配設されるこ
とから、プロセスガスはさらに均一にて拡散されるの
で、被処理体の処理を極めて均一に行うことが可能とな
る。
とから、プロセスガスはさらに均一にて拡散されるの
で、被処理体の処理を極めて均一に行うことが可能とな
る。
第１図は、本発明に係る縦型処理装置の一実施例を示す
概略断面図、 第２図は、バッファ板を設けた状態の縦型処理装置の断
面図、 第３図は、本発明に係る縦型処理装置の第二実施例を示
す上部平面図、 第４図は、従来の縦型処理装置の概略断面図である。 10…縦型処理炉、12…ウエハボード、14…ウエハ、16,3
2…プロセスガス導入管、18,26,34…ガス導入口、20…
ジョイント、22…上部突起部、24…ガス排出口、28…バ
ッファ板、30…開口部。
概略断面図、 第２図は、バッファ板を設けた状態の縦型処理装置の断
面図、 第３図は、本発明に係る縦型処理装置の第二実施例を示
す上部平面図、 第４図は、従来の縦型処理装置の概略断面図である。 10…縦型処理炉、12…ウエハボード、14…ウエハ、16,3
2…プロセスガス導入管、18,26,34…ガス導入口、20…
ジョイント、22…上部突起部、24…ガス排出口、28…バ
ッファ板、30…開口部。
Claims (2)
- 【請求項１】一端が閉鎖し他端が開口する縦型の処理炉
と、この処理炉内にプロセスガスを供給するプロセスガ
ス導入管とを有し、前記処理炉の開口端側より被処理体
を挿入して前記処理炉内において被処理体の処理を行う
縦型処理装置において、 前記プロセスガス導入管の直線状端部を、前記処理炉の
閉鎖端側の炉壁より内部に突入させ、この突入部の突入
端を密閉して、ガス導入口を、前記処理炉の閉鎖端側の
端面の炉壁に向けて開口させたことを特徴とする縦型処
理装置。 - 【請求項２】一端が閉鎖し他端が開口する縦型の処理炉
と、この処理炉内にプロセスガスを供給するプロセスガ
ス導入管とを有し、前記処理炉の開口端側より被処理体
を挿入して前記処理炉内において被処理体の処理を行う
縦型処理装置において、 前記プロセスガス導入管の直線状端部を、前記処理炉の
閉鎖端側の炉壁より内部に突入させ、この突入部の突入
端を密閉して、ガス導入口を、前記処理炉の閉鎖端側の
端面の炉壁に向けて開口させ、 前記処理炉内の前記プロセスガス導入管と前記被処理体
との間に、ガスを拡散させるガス拡散手段を配設したこ
とを特徴とする縦型処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1333589A JP2729238B2 (ja) | 1989-12-22 | 1989-12-22 | 縦型処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1333589A JP2729238B2 (ja) | 1989-12-22 | 1989-12-22 | 縦型処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03194924A JPH03194924A (ja) | 1991-08-26 |
| JP2729238B2 true JP2729238B2 (ja) | 1998-03-18 |
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ID=18267734
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1333589A Expired - Fee Related JP2729238B2 (ja) | 1989-12-22 | 1989-12-22 | 縦型処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2729238B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3432636B2 (ja) * | 1995-04-05 | 2003-08-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及び処理方法 |
| US6302963B1 (en) * | 1999-12-21 | 2001-10-16 | Axcelis Technologies, Inc. | Bell jar having integral gas distribution channeling |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62154639U (ja) * | 1986-03-24 | 1987-10-01 | ||
| JPS63161612A (ja) * | 1986-12-25 | 1988-07-05 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 縦型炉 |
| JPH01225314A (ja) * | 1988-03-04 | 1989-09-08 | Nec Kyushu Ltd | 炉芯管 |
-
1989
- 1989-12-22 JP JP1333589A patent/JP2729238B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03194924A (ja) | 1991-08-26 |
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