JP4605998B2 - 半導体ウェハ洗浄システム及びその半導体ウェハ洗浄方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術の分野】
本発明は、半導体ウェハ洗浄システム及びその半導体ウェハ洗浄方法に係るもので、詳しくは一つの洗浄チャンバーで洗浄、リンス及び乾燥作業を行うとき、大気中への露出を減らしてウォーターマーク及びフロー性欠陥を減少し、食刻率の均一度を向上できる半導体ウェハ洗浄システム及びその半導体ウェハ洗浄方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、半導体素子はウェハ上にフォトリソグラフィー、食刻、アッシング、拡散、化学気相蒸着、イオン注入、金属蒸着などの工程を選択的且つ反復的に行って、少なくとも一つ以上の導電層、半導体層、不導体層などを積層し組合せする一連の過程を経て作られる。そして、各単位工程の間には、ウェハ上に除去されなかったまま存在する不必要な工程層、或いは反応副産物と異物質を含んだ不純物を除去するための洗浄工程が行われる。
【０００３】
以下、上記のように、ウェハ上に残存する各種不純物を除去するための半導体ウェハ洗浄システムの従来の洗浄工程を添付図を用いて説明する。
まず、図４と図５を参照して半導体ウェハ洗浄システムの構成、及びこれら構成によるウェハの洗浄工程を説明する。いずれか一つの単位工程を終えた後所定単位個数でカセットＫに搭載されたウェハＷは洗浄システムのローディング部１０と整列部１２を通じて順次、移送及び整列過程を経る（ＳＴ１０２、ＳＴ１０４）。以後、トランスファー１４により第１トランス部１６に移送されて（ＳＴ１０６）、ウェハＷの個数を確認する作業（ＳＴ１０８）と、カセットＫからの分離（ＳＴ１１０）とが行われ、次いで待機するロボット１８に引き継がれる（ＳＴ１１２）。
【０００４】
ロボット１８に引き継がれたウェハＷはロボット１８の駆動に従い複数個配列された洗浄槽２２に順次投入される（ＳＴ１１４）。洗浄槽２２としては、ウェハＷの洗浄条件に対応して洗浄液を酸性又はアルカリ性ケミカルが超純水に希釈された状態で収容する少なくとも一つ以上のものが設置される。これらに続いて設置される他の洗浄槽２２として、ウェハＷの表面に残存する酸性又はアルカリ性ケミカルをリンスするために超純水（De-Ionized Water）を収容するものが少なくとも一つ以上設置される。ここで、各洗浄槽２２での洗浄は各種ケミカル及び超純水を含む洗浄液をオーバーフロー(overflow)させる方式によりなされ、上記のリンス過程の最終段階では非抵抗測定がなされる。そして、これら洗浄槽２２に続いて隣接する所定位置にはウェハＷ上に付いた超純水を除去するための乾燥部２４がある。前記乾燥部２４はウェハＷがイソプロピルアルコール（IPA:Iso-propyl Alcohol）の蒸気雰囲気にあるようにして、ウェハＷ表面に残存する水分が置換反応で除去されるようにしたものである（ＳＴ１１６）。
【０００５】
このような過程の以後にウェハＷはロボット１８の駆動により第２トランス部２６に移送され（ＳＴ１１８）、前記第２トランス部２６は再びウェハＷを整列させる（ＳＴ１２０）と共に、第１トランス部１６で確認されたウェハＷの個数と洗浄工程を終えたウェハＷの個数とが一致するかどうかを確認する（ＳＴ１２２）。又、第２トランス部２６では前記待機部２０から先に移送されたカセットＫにウェハＷを搭載する（ＳＴ１２４）。このように複数のウェハＷが搭載されたカセットＫは続いてアンローディングされて、次の工程位置に移送される過程を経る（ＳＴ１２６）。
【０００６】
このような洗浄システムの各構成は継続的に配置されるウェハＷに対し洗浄作業が連続的になされるようにインライン配置されるのが通常的である。
然るに、従来の洗浄工程からわかるように、ウェハＷをロボット１８により酸性又はアルカリ性ケミカルの収容された洗浄槽２２から超純水の収容された洗浄槽２２に移送する過程と、超純水の収容された洗浄槽２２から１次リンス過程を終えたウェハＷを再び２次リンス過程の洗浄槽２２に移動させる過程と、各リンス過程を終えたウェハＷを洗浄槽２２から乾燥部２４に移動させる過程とのそれぞれにおいて、ウェハＷは所定時間の間大気に露出する。このような露出により、空気中の酸素O2がウェハ表面に付いた水分に溶解してポリシリコンと酸素との結合（酸化反応）でウェハ表面に斑点（SiOx）が形成される。この斑点が自然乾燥されてシリカ系列の無機物として残されるか、又は大気中の各種異物質と反応するか、又は斑点に各種異物質が吸着することにより、ウェハＷの表面にウォーターマークが生成される。特に、このようなウォーターマークがフラットポリシリコン（Flat-Poly Si）又はベースポリシリコン（Base- Poly Si）などのポリシリコンの形成が必要な部位、又はポリシリコンが形成された表面にあると、その部位に対するコンタクト不良が招来されるという問題点があった。又、洗浄槽２２内でウェハＷが沈漬する各種ケミカル或いは超純水は、その洗浄槽２２の下部から上部へのオーバーフロー方式で供給がなされ、このとき、ウェハ２２の下側部位と上側部位は食刻率の差別化がなされ、フロー性の欠陥が発生するという問題点がある。
【０００７】
このような問題を改善するためには、各種ケミカルを用いた洗浄過程及び以後のリンス過程と乾燥過程を一箇所で進行させることにより、ウェハＷが大気中に露出する時間を減らし、異物質除去能力を向上させ、食刻率を均一にすることが要求される。
【０００８】
このような要求を満たす従来技術の構成とこれら構成による洗浄過程とを図６に示した構成を参照して説明すると、まず、複数のウェハＷがカセットＫから分離されて待機する状態で制御部（図示せず）は洗浄チャンバー３０内に、超純水で所定のケミカルを希釈した洗浄液を充填させ、以後にウェハＷを洗浄液内に沈漬するように投入する。所定時間が経過して前記ケミカルによる洗浄作業がなされると、制御部は洗浄チャンバー３０内に超純水を供給すると同時に以前に充填された洗浄液を排出してリンス過程を実施する。又、制御部はリンス過程の終了時点で蒸気状態のIPAを供給すると同時に既に充填された超純水を排出することにより乾燥過程を実施する。この過程に続いて、洗浄チャンバー３０内に加熱された窒素ガスN2を投入すると同時に、充填されたIPA蒸気を排出する一連の過程を反復的に行う。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
然るに、このような洗浄システムによると、洗浄過程、リンス過程及び乾燥過程が一つの洗浄チャンバー３０内で進行されるため、ウェハＷが大気に露出する程度が低減されるという効果がある一方、既存の洗浄槽２２のインライン配置による連続的な工程進行に比べ、次の単位工程につながるのに多くの作業時間が必要であるという問題点があった。
【００１０】
そこで、本発明の目的は、一つの洗浄チャンバー内で洗浄作業、リンス作業及び乾燥作業がなされる過程において、ウェハ上のウォーターマークとフロー性欠陥を減少し、ウェハ全面に対する食刻比率を向上できる半導体ウェハ洗浄システム及びその半導体ウェハ洗浄方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
このような目的を達成するため本発明による構成は、充填された洗浄液に投入される複数のウェハが沈漬するような容積範囲をなす洗浄チャンバーと、洗浄チャンバー内の複数のウェハに対し超純水を噴射供給する超純水供給ノズルと、洗浄チャンバー下部から配管を流れる洗浄液又は超純水、ならびに洗浄チャンバーの上部へ溢れる洗浄液又は超純水の排出を調節する排出部と、超純水供給ノズルと排出部を制御する制御部とを備える半導体ウェハ洗浄システムであって、超純水供給ノズルは、洗浄チャンバー内に置かれるウェハから離隔された少なくとも二箇所のウェハの外側箇所にそれぞれそのウェハの配列方向と並んで管状をなし、置かれたウェハの各側部に対向する管状の側壁の周りにそってノズルホールが貫通して形成され、内部からノズルホールを通じた超純水の噴射が対向するウェハ全域に限定されるようにすると共にその中心から９０°の範囲にあるように形成されていることを特徴とする。
【００１２】
又、ノズルホールは、ウェハが２５枚のとき２４リットル/minの超純水供給量に対し本体内径が0.5±0.05ｍｍに形成され、配置されたウェハの中心を基準とした上下側垂直位置に対応して、管状の側壁の周りにそって5個が等間隔に一列に配列されている。
【００１３】
そして、制御部は、超純水供給ノズルを通じた超純水の供給量を100重量%とするとき、前記洗浄チャンバーから溢れて排出される液量を５重量%になるようにし、洗浄チャンバーの下部から排出される液量を９５重量%になるように排出部を制御する。又、排出部は洗浄チャンバーの下部を通じた排出がウェハ配列方向に対応して少なくとも2個の区域でなされるように形成されている。
【００１４】
一方、本発明による半導体ウェハ洗浄方法は、次に示す半導体ウェハ洗浄システムに適用される。半導体ウェハ洗浄システムは、充填された洗浄液に投入される複数のウェハが沈漬するような容積範囲をなす洗浄チャンバーと、洗浄チャンバー内の複数のウェハに対し超純水を噴射して供給する超純水供給ノズルと、洗浄チャンバーの下部から配管に流れる洗浄液又は超純水、ならびに洗浄チャンバーの上部へ溢れる洗浄液又は超純水の排出を調節する排出部と、超純水供給ノズル及び排出部を制御する制御部とを備えている。超純水供給ノズルは、洗浄チャンバー内に置かれるウェハから離隔された少なくとも二箇所のウェハの外側箇所にそれぞれそのウェハの配列方向と並んで管状をなし、置かれたウェハの各側部に対向する管状の側壁の周りにそってノズルホールが貫通して形成され、管内部から前記ノズルホールを通じた超純水の噴射が対向するウェハ全域に限定されるようにすると共に管の中心から９０°の範囲にあるように形成されている。
ノズルホールは、ウェハが２５枚のとき２４リットル/minの超純水供給量に対し本体内径が0.5±0.05ｍｍに形成され、配置されたウェハの中心を基準とした上下側垂直位置に対応して管状の側壁の周りにそって5個が等間隔に一列に配列するように形成されている。排出部は洗浄チャンバーの下部からの排出がウェハ配列方向に対応して少なくとも2個の区域でなされるように形成されている。
このような半導体ウェハ洗浄システムによる半導体ウェハ洗浄方法は、第１リンス過程と第２リンス過程とを含む。
第１リンス過程は、超純水供給ノズルからの超純水の供給量を100重量%とするとき、洗浄チャンバーから溢れて排出される液量を５重量%とし、洗浄チャンバーの下部から排出される液量を９５重量%とするように、排出部を制御部により制御する。
第２リンス過程は、制御部による制御によって、第１リンス過程以降に、超純水供給ノズルを通じた超純水の供給を継続的に進行すると共に、洗浄チャンバー下部を通じて洗浄液を超純水供給量以上に排出し、洗浄チャンバー内において洗浄液の上部から露出するウェハに、超純水供給ノズルにより、噴霧状態をなして超純水を供給することで、ウェハの大気中への露出を抑制する。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について図面を用いて説明する。
図１は、本発明の一実施例による半導体ウェハ洗浄システムの駆動関係を概略的に示す構成図である。図２は、図１に示した超純水供給ノズルの構成を概略的に示す部分断面図である。図３は、図１の構成の各実施条件と食刻率均一度の関係、ならびに各実施条件とウェハ上のパーチクル又は欠陥関係を示すグラフである。従来と同一な部分に対しては同一な符号を付し、その説明は省略する。
【００１６】
本実施例による半導体ウェハ洗浄システムは、図１に示すように、洗浄、リンス及び乾燥過程がなされる洗浄チャンバー３０を有する。前記洗浄チャンバー３０はロボットＲによる25枚のウェハＷの投入と引出が自由であり、且つ投入されるウェハＷとこれを支持するための支持部材３２と、内部に設けられる超純水供給のための超純水供給ノズル３４との構成からなる。この構成は、内部に充填される洗浄液にウェハＷが充分に沈漬するほどの範囲の容積条件を有する。ここで、前記洗浄チャンバー３０に投入されるウェハＷの個数は25枚と記述したが、これは以後の技術思想を含んで洗浄チャンバー３０の容積に対する各構成の連結関係基準を提示することで、限定されない。
【００１７】
このような洗浄チャンバー３０に対し複数単位のウェハＷがカセットＫから分離されて待機状態にあると、制御部（図示せず）はその信号を受信してケミカル貯蔵槽３６に貯蔵された洗浄液を洗浄チャンバー３０の下部に連結された配管３８を通して充填させる。このとき、前記洗浄液は酸性又はアルカリ性のケミカルを超純水で所定比率に希釈させたものであり、前記ケミカル貯蔵槽３６は各洗浄液条件に従い区分して備えられる。このように洗浄チャンバー３０内部に所定の洗浄液が充填されると、制御部はロボットＲを駆動させて、待機するウェハＷを洗浄チャンバー３０内部の洗浄液に沈漬するように投入して、所定時間だけ洗浄過程を進行させる。
以後、上記の洗浄過程の終了時点において制御部は超純水供給ノズル３４を通して超純水を各ウェハＷに限定して供給することにより、第１次リンス過程を進行する。
【００１８】
以下、上記のように、超純水の供給をウェハＷに限定する理由について説明する。
超純水の供給関係と排出関係に対し以下の表１の条件を含んだ多くの条件について実験したが、これら各実験例は図３のグラフをもって図示したような結果を得ることにより設定される。
【表１】
【００１９】
前記表１の各実験とこれに対する図３の結果に基づき説明する。先ず、図１及び図２に示す構成において超純水供給ラインに延長連結される超純水供給ノズル３４をウェハＷの配列方向と並んで設置された管状にする。このような構成から第１実験例は内径（内側ノズル直径(B)）を1.8〜2.3ｍｍにし、各ウェハＷの側部に対応する側壁の周りにそって形成されたノズルホール４０（外側ノズルの直径C）を0.8±0.05ｍｍで12線形成し、超純水の供給方向Dを管状の中心から90°の角度内にあるようにして供給する。超純水の供給を100重量%にするとき、洗浄チャンバー３０からの洗浄液の排出Eは洗浄チャンバー３０の下部からの排出E-1を約70重量%にし、オーバーフローE-2を約30重量%になるようにする。このとき、洗浄チャンバー３０の下部排出E-1に対する排出管の個数Fを1個に構成した状態で超純水の供給量Aを36l/minにして実施した。
外側ノズルの直径Cは、特許請求の範囲に記載の「本体内径」に相当する。
【００２０】
これに対する結果は図３のグラフに示したように、既存のインライン配列の洗浄システムに比べて食刻率の均一度が向上し、欠陥の発生比率が顕著に低下することがわかった。これと比較して、第２実験例はその効率を高めるために実施した。その条件として条件A、C及びDを維持した状態で条件Bを1.0±0.1ｍｍにし、条件EのうちE-1は80重量%、E-2は20重量%にあるようにし、条件Fは2個をもって実施した結果、第１実験例の結果に比べより顕著に効果が得られるようになった。そして、第３実験例においては、条件Dと条件Fを維持した状態で条件Aを30l/minにし、条件Bを0.8±0.05ｍｍにし、条件Cを0.5±0.05ｍｍにし、条件Eのうち条件E-1を90重量%にして条件E-2を10重量%にし、ウェハＷの上下側に対する食刻均一度と欠陥の発生する比率とを調節した結果、第２実験例よりも食刻率と欠陥発生比率が再度顕著に低くなったことがわかった。
【００２１】
これに対しより好ましい結果を創出するために第４実験例を実施した。その条件として条件B、C及びFを第４条件と同様に維持し、条件Aを19l/minにし、条件Dを95°にし、条件Eのうち条件E-1を95重量%とし条件E-2を５重量%にして実施した結果、食刻率に対するウェハＷの上下側比率を均一に維持することに効果がえられたが、相対的にウェハＷ全域に対するパーチクルなどの欠陥発生比率は第３実験例よりも悪い結果が得られた。従って、前記第３実験例と第４実験例の条件を折衷して第５実験例を実施した。その条件として第４実験例の条件のうち条件B、C、E、Fを維持し、超純水供給量に対する条件Aを24l/minにし、その噴射供給方向をウェハＷに限定されるように90°にして実施した結果、食刻率は第４実験例より僅かに高かったが、第３実験例よりも顕著な効果が得られ、相対的にパーチクルなどのウェハＷ全域に対する欠陥発生比率は顕著に減ることがわかった。
【００２２】
このような洗浄システムのための前記超純水供給ノズル３４の構成は、超純水供給ラインに連結されて洗浄チャンバー３０内の複数のウェハＷに対し少なくとも２箇所以上の外側箇所でウェハＷの配列された方向と並んで配置された管状をなす。前記管状の側壁には各ウェハＷに対向するそれぞれの位置に、管状の中心を基準として80〜100°角度範囲をなし内外側を貫通するノズルホールがその側壁にそって5個単位で等間隔をなして形成される。
【００２３】
又、前記超純水供給ノズル３４は、図２に示すように、管の内径が0.8±0.05ｍｍをなし、これから超純水の供給がなされるノズルホール40を0.5±0.05ｍｍに形成したものであり、これを通じた超純水の供給量は21〜26l/minとなる。そして、上記の構成において、制御部は超純水供給ノズル３４を通じた超純水の供給量を100重量%にするとき、これを基準に洗浄チャンバー３０から溢れて排出される液量を3〜8重量%とし、又、洗浄チャンバー３０の下部から排出される液量を92〜97重量%とするように制御する。
【００２４】
さらに、制御部により制御される排出部は、洗浄チャンバー３０の下部を通じた排出が上記の排出条件に対しその制御が容易になるようにすると共に、洗浄チャンバー３０内の排出の均一性をもつようにウェハＷの配列方向に対応して少なくとも2個以上の区域から排出されるように構成されている。
【００２５】
一方、上記の第１次リンス過程が所定時間持続されると、洗浄チャンバー３０内部に収容された洗浄液の所定ケミカル濃度は低くなる。この過程の以後に上記の超純水供給ノズル３４を通じた超純水の供給を継続的に進行すると共に、洗浄チャンバー３０下部を通じた洗浄液の排出を超純水供給量以上に排出させると、第２次リンス過程が進行される。よって、洗浄チャンバー３０内のウェハＷは徐々にその上側から洗浄液の上部に露出するが、このとき、前記超純水供給ノズル３４を通じて供給される超純水は噴霧状態をなして大気中へのウェハＷの露出を防止する。ウェハＷが洗浄液の水面上に完全に浮上した状態になると、超純水の供給を所定時間の間継続して進行する過程において、洗浄チャンバー３０の上部からイソプロピルアルコール(IPA)蒸気の供給がなされ、所定時間経過した以後に超純水の供給を中断することにより、第２次リンス過程の終了と共に乾燥過程が進行される。
【００２６】
【発明の効果】
以上、説明したように本発明によると、洗浄過程、リンス過程及び乾燥過程につながる一連の過程のうち超純水の供給がウェハＷに限定されて大気中へのウェハＷの露出が顕著に減少され、排出がより速く進行されて既存の洗浄システムに比べて単位ウェハに対する洗浄に必要な時間を顕著に低減させることになる。
【００２７】
以上、具体的な実施例に対してのみ詳しく説明したが、本発明の技術的思想の範囲内で実施例を変形及び変更できるのは本発明の属する分野の当業者には明白なものであり、その変形及び変更は本発明の特許請求範囲に属するといえる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例による半導体ウェハ洗浄システムを概略的に示す構成図である。
【図２】本発明の実施例による半導体ウェハ洗浄システムの超純水供給ノズルの構成を概略的に示す断面図である。
【図３】本発明の実施例による半導体ウェハ洗浄システムの構成の各実験条件と食刻率均一度の関係、ならびに各実験条件とウェハ上のパーチクル又は欠陥との関係を示すグラフである。
【図４】従来の半導体ウェハ洗浄システムを概略的に示す構成図である。
【図５】従来の半導体ウェハ洗浄システムにおけるウェハに対する洗浄過程を示すフロー図である。
【図６】従来の他の半導体ウェハ洗浄システムを示す構成図である。
【符号の説明】
１０ ローディング部
１２ 整列部
１４ トランスファー
１６ 第１トランス部
１８ ロボット
２０ 待機部
２２ 洗浄槽
２４ 乾燥部
２６ 第２トランス部
３０ 洗浄チャンバー
３２ 支持部材
３４ 超純水供給ノズル
３６ ケミカル貯蔵槽
３８ 配管
４０ ノズルホール
Ｗ ウェハ
【発明の属する技術の分野】
本発明は、半導体ウェハ洗浄システム及びその半導体ウェハ洗浄方法に係るもので、詳しくは一つの洗浄チャンバーで洗浄、リンス及び乾燥作業を行うとき、大気中への露出を減らしてウォーターマーク及びフロー性欠陥を減少し、食刻率の均一度を向上できる半導体ウェハ洗浄システム及びその半導体ウェハ洗浄方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、半導体素子はウェハ上にフォトリソグラフィー、食刻、アッシング、拡散、化学気相蒸着、イオン注入、金属蒸着などの工程を選択的且つ反復的に行って、少なくとも一つ以上の導電層、半導体層、不導体層などを積層し組合せする一連の過程を経て作られる。そして、各単位工程の間には、ウェハ上に除去されなかったまま存在する不必要な工程層、或いは反応副産物と異物質を含んだ不純物を除去するための洗浄工程が行われる。
【０００３】
以下、上記のように、ウェハ上に残存する各種不純物を除去するための半導体ウェハ洗浄システムの従来の洗浄工程を添付図を用いて説明する。
まず、図４と図５を参照して半導体ウェハ洗浄システムの構成、及びこれら構成によるウェハの洗浄工程を説明する。いずれか一つの単位工程を終えた後所定単位個数でカセットＫに搭載されたウェハＷは洗浄システムのローディング部１０と整列部１２を通じて順次、移送及び整列過程を経る（ＳＴ１０２、ＳＴ１０４）。以後、トランスファー１４により第１トランス部１６に移送されて（ＳＴ１０６）、ウェハＷの個数を確認する作業（ＳＴ１０８）と、カセットＫからの分離（ＳＴ１１０）とが行われ、次いで待機するロボット１８に引き継がれる（ＳＴ１１２）。
【０００４】
ロボット１８に引き継がれたウェハＷはロボット１８の駆動に従い複数個配列された洗浄槽２２に順次投入される（ＳＴ１１４）。洗浄槽２２としては、ウェハＷの洗浄条件に対応して洗浄液を酸性又はアルカリ性ケミカルが超純水に希釈された状態で収容する少なくとも一つ以上のものが設置される。これらに続いて設置される他の洗浄槽２２として、ウェハＷの表面に残存する酸性又はアルカリ性ケミカルをリンスするために超純水（De-Ionized Water）を収容するものが少なくとも一つ以上設置される。ここで、各洗浄槽２２での洗浄は各種ケミカル及び超純水を含む洗浄液をオーバーフロー(overflow)させる方式によりなされ、上記のリンス過程の最終段階では非抵抗測定がなされる。そして、これら洗浄槽２２に続いて隣接する所定位置にはウェハＷ上に付いた超純水を除去するための乾燥部２４がある。前記乾燥部２４はウェハＷがイソプロピルアルコール（IPA:Iso-propyl Alcohol）の蒸気雰囲気にあるようにして、ウェハＷ表面に残存する水分が置換反応で除去されるようにしたものである（ＳＴ１１６）。
【０００５】
このような過程の以後にウェハＷはロボット１８の駆動により第２トランス部２６に移送され（ＳＴ１１８）、前記第２トランス部２６は再びウェハＷを整列させる（ＳＴ１２０）と共に、第１トランス部１６で確認されたウェハＷの個数と洗浄工程を終えたウェハＷの個数とが一致するかどうかを確認する（ＳＴ１２２）。又、第２トランス部２６では前記待機部２０から先に移送されたカセットＫにウェハＷを搭載する（ＳＴ１２４）。このように複数のウェハＷが搭載されたカセットＫは続いてアンローディングされて、次の工程位置に移送される過程を経る（ＳＴ１２６）。
【０００６】
このような洗浄システムの各構成は継続的に配置されるウェハＷに対し洗浄作業が連続的になされるようにインライン配置されるのが通常的である。
然るに、従来の洗浄工程からわかるように、ウェハＷをロボット１８により酸性又はアルカリ性ケミカルの収容された洗浄槽２２から超純水の収容された洗浄槽２２に移送する過程と、超純水の収容された洗浄槽２２から１次リンス過程を終えたウェハＷを再び２次リンス過程の洗浄槽２２に移動させる過程と、各リンス過程を終えたウェハＷを洗浄槽２２から乾燥部２４に移動させる過程とのそれぞれにおいて、ウェハＷは所定時間の間大気に露出する。このような露出により、空気中の酸素O2がウェハ表面に付いた水分に溶解してポリシリコンと酸素との結合（酸化反応）でウェハ表面に斑点（SiOx）が形成される。この斑点が自然乾燥されてシリカ系列の無機物として残されるか、又は大気中の各種異物質と反応するか、又は斑点に各種異物質が吸着することにより、ウェハＷの表面にウォーターマークが生成される。特に、このようなウォーターマークがフラットポリシリコン（Flat-Poly Si）又はベースポリシリコン（Base- Poly Si）などのポリシリコンの形成が必要な部位、又はポリシリコンが形成された表面にあると、その部位に対するコンタクト不良が招来されるという問題点があった。又、洗浄槽２２内でウェハＷが沈漬する各種ケミカル或いは超純水は、その洗浄槽２２の下部から上部へのオーバーフロー方式で供給がなされ、このとき、ウェハ２２の下側部位と上側部位は食刻率の差別化がなされ、フロー性の欠陥が発生するという問題点がある。
【０００７】
このような問題を改善するためには、各種ケミカルを用いた洗浄過程及び以後のリンス過程と乾燥過程を一箇所で進行させることにより、ウェハＷが大気中に露出する時間を減らし、異物質除去能力を向上させ、食刻率を均一にすることが要求される。
【０００８】
このような要求を満たす従来技術の構成とこれら構成による洗浄過程とを図６に示した構成を参照して説明すると、まず、複数のウェハＷがカセットＫから分離されて待機する状態で制御部（図示せず）は洗浄チャンバー３０内に、超純水で所定のケミカルを希釈した洗浄液を充填させ、以後にウェハＷを洗浄液内に沈漬するように投入する。所定時間が経過して前記ケミカルによる洗浄作業がなされると、制御部は洗浄チャンバー３０内に超純水を供給すると同時に以前に充填された洗浄液を排出してリンス過程を実施する。又、制御部はリンス過程の終了時点で蒸気状態のIPAを供給すると同時に既に充填された超純水を排出することにより乾燥過程を実施する。この過程に続いて、洗浄チャンバー３０内に加熱された窒素ガスN2を投入すると同時に、充填されたIPA蒸気を排出する一連の過程を反復的に行う。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
然るに、このような洗浄システムによると、洗浄過程、リンス過程及び乾燥過程が一つの洗浄チャンバー３０内で進行されるため、ウェハＷが大気に露出する程度が低減されるという効果がある一方、既存の洗浄槽２２のインライン配置による連続的な工程進行に比べ、次の単位工程につながるのに多くの作業時間が必要であるという問題点があった。
【００１０】
そこで、本発明の目的は、一つの洗浄チャンバー内で洗浄作業、リンス作業及び乾燥作業がなされる過程において、ウェハ上のウォーターマークとフロー性欠陥を減少し、ウェハ全面に対する食刻比率を向上できる半導体ウェハ洗浄システム及びその半導体ウェハ洗浄方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
このような目的を達成するため本発明による構成は、充填された洗浄液に投入される複数のウェハが沈漬するような容積範囲をなす洗浄チャンバーと、洗浄チャンバー内の複数のウェハに対し超純水を噴射供給する超純水供給ノズルと、洗浄チャンバー下部から配管を流れる洗浄液又は超純水、ならびに洗浄チャンバーの上部へ溢れる洗浄液又は超純水の排出を調節する排出部と、超純水供給ノズルと排出部を制御する制御部とを備える半導体ウェハ洗浄システムであって、超純水供給ノズルは、洗浄チャンバー内に置かれるウェハから離隔された少なくとも二箇所のウェハの外側箇所にそれぞれそのウェハの配列方向と並んで管状をなし、置かれたウェハの各側部に対向する管状の側壁の周りにそってノズルホールが貫通して形成され、内部からノズルホールを通じた超純水の噴射が対向するウェハ全域に限定されるようにすると共にその中心から９０°の範囲にあるように形成されていることを特徴とする。
【００１２】
又、ノズルホールは、ウェハが２５枚のとき２４リットル/minの超純水供給量に対し本体内径が0.5±0.05ｍｍに形成され、配置されたウェハの中心を基準とした上下側垂直位置に対応して、管状の側壁の周りにそって5個が等間隔に一列に配列されている。
【００１３】
そして、制御部は、超純水供給ノズルを通じた超純水の供給量を100重量%とするとき、前記洗浄チャンバーから溢れて排出される液量を５重量%になるようにし、洗浄チャンバーの下部から排出される液量を９５重量%になるように排出部を制御する。又、排出部は洗浄チャンバーの下部を通じた排出がウェハ配列方向に対応して少なくとも2個の区域でなされるように形成されている。
【００１４】
一方、本発明による半導体ウェハ洗浄方法は、次に示す半導体ウェハ洗浄システムに適用される。半導体ウェハ洗浄システムは、充填された洗浄液に投入される複数のウェハが沈漬するような容積範囲をなす洗浄チャンバーと、洗浄チャンバー内の複数のウェハに対し超純水を噴射して供給する超純水供給ノズルと、洗浄チャンバーの下部から配管に流れる洗浄液又は超純水、ならびに洗浄チャンバーの上部へ溢れる洗浄液又は超純水の排出を調節する排出部と、超純水供給ノズル及び排出部を制御する制御部とを備えている。超純水供給ノズルは、洗浄チャンバー内に置かれるウェハから離隔された少なくとも二箇所のウェハの外側箇所にそれぞれそのウェハの配列方向と並んで管状をなし、置かれたウェハの各側部に対向する管状の側壁の周りにそってノズルホールが貫通して形成され、管内部から前記ノズルホールを通じた超純水の噴射が対向するウェハ全域に限定されるようにすると共に管の中心から９０°の範囲にあるように形成されている。
ノズルホールは、ウェハが２５枚のとき２４リットル/minの超純水供給量に対し本体内径が0.5±0.05ｍｍに形成され、配置されたウェハの中心を基準とした上下側垂直位置に対応して管状の側壁の周りにそって5個が等間隔に一列に配列するように形成されている。排出部は洗浄チャンバーの下部からの排出がウェハ配列方向に対応して少なくとも2個の区域でなされるように形成されている。
このような半導体ウェハ洗浄システムによる半導体ウェハ洗浄方法は、第１リンス過程と第２リンス過程とを含む。
第１リンス過程は、超純水供給ノズルからの超純水の供給量を100重量%とするとき、洗浄チャンバーから溢れて排出される液量を５重量%とし、洗浄チャンバーの下部から排出される液量を９５重量%とするように、排出部を制御部により制御する。
第２リンス過程は、制御部による制御によって、第１リンス過程以降に、超純水供給ノズルを通じた超純水の供給を継続的に進行すると共に、洗浄チャンバー下部を通じて洗浄液を超純水供給量以上に排出し、洗浄チャンバー内において洗浄液の上部から露出するウェハに、超純水供給ノズルにより、噴霧状態をなして超純水を供給することで、ウェハの大気中への露出を抑制する。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について図面を用いて説明する。
図１は、本発明の一実施例による半導体ウェハ洗浄システムの駆動関係を概略的に示す構成図である。図２は、図１に示した超純水供給ノズルの構成を概略的に示す部分断面図である。図３は、図１の構成の各実施条件と食刻率均一度の関係、ならびに各実施条件とウェハ上のパーチクル又は欠陥関係を示すグラフである。従来と同一な部分に対しては同一な符号を付し、その説明は省略する。
【００１６】
本実施例による半導体ウェハ洗浄システムは、図１に示すように、洗浄、リンス及び乾燥過程がなされる洗浄チャンバー３０を有する。前記洗浄チャンバー３０はロボットＲによる25枚のウェハＷの投入と引出が自由であり、且つ投入されるウェハＷとこれを支持するための支持部材３２と、内部に設けられる超純水供給のための超純水供給ノズル３４との構成からなる。この構成は、内部に充填される洗浄液にウェハＷが充分に沈漬するほどの範囲の容積条件を有する。ここで、前記洗浄チャンバー３０に投入されるウェハＷの個数は25枚と記述したが、これは以後の技術思想を含んで洗浄チャンバー３０の容積に対する各構成の連結関係基準を提示することで、限定されない。
【００１７】
このような洗浄チャンバー３０に対し複数単位のウェハＷがカセットＫから分離されて待機状態にあると、制御部（図示せず）はその信号を受信してケミカル貯蔵槽３６に貯蔵された洗浄液を洗浄チャンバー３０の下部に連結された配管３８を通して充填させる。このとき、前記洗浄液は酸性又はアルカリ性のケミカルを超純水で所定比率に希釈させたものであり、前記ケミカル貯蔵槽３６は各洗浄液条件に従い区分して備えられる。このように洗浄チャンバー３０内部に所定の洗浄液が充填されると、制御部はロボットＲを駆動させて、待機するウェハＷを洗浄チャンバー３０内部の洗浄液に沈漬するように投入して、所定時間だけ洗浄過程を進行させる。
以後、上記の洗浄過程の終了時点において制御部は超純水供給ノズル３４を通して超純水を各ウェハＷに限定して供給することにより、第１次リンス過程を進行する。
【００１８】
以下、上記のように、超純水の供給をウェハＷに限定する理由について説明する。
超純水の供給関係と排出関係に対し以下の表１の条件を含んだ多くの条件について実験したが、これら各実験例は図３のグラフをもって図示したような結果を得ることにより設定される。
【表１】
前記表１の各実験とこれに対する図３の結果に基づき説明する。先ず、図１及び図２に示す構成において超純水供給ラインに延長連結される超純水供給ノズル３４をウェハＷの配列方向と並んで設置された管状にする。このような構成から第１実験例は内径（内側ノズル直径(B)）を1.8〜2.3ｍｍにし、各ウェハＷの側部に対応する側壁の周りにそって形成されたノズルホール４０（外側ノズルの直径C）を0.8±0.05ｍｍで12線形成し、超純水の供給方向Dを管状の中心から90°の角度内にあるようにして供給する。超純水の供給を100重量%にするとき、洗浄チャンバー３０からの洗浄液の排出Eは洗浄チャンバー３０の下部からの排出E-1を約70重量%にし、オーバーフローE-2を約30重量%になるようにする。このとき、洗浄チャンバー３０の下部排出E-1に対する排出管の個数Fを1個に構成した状態で超純水の供給量Aを36l/minにして実施した。
外側ノズルの直径Cは、特許請求の範囲に記載の「本体内径」に相当する。
【００２０】
これに対する結果は図３のグラフに示したように、既存のインライン配列の洗浄システムに比べて食刻率の均一度が向上し、欠陥の発生比率が顕著に低下することがわかった。これと比較して、第２実験例はその効率を高めるために実施した。その条件として条件A、C及びDを維持した状態で条件Bを1.0±0.1ｍｍにし、条件EのうちE-1は80重量%、E-2は20重量%にあるようにし、条件Fは2個をもって実施した結果、第１実験例の結果に比べより顕著に効果が得られるようになった。そして、第３実験例においては、条件Dと条件Fを維持した状態で条件Aを30l/minにし、条件Bを0.8±0.05ｍｍにし、条件Cを0.5±0.05ｍｍにし、条件Eのうち条件E-1を90重量%にして条件E-2を10重量%にし、ウェハＷの上下側に対する食刻均一度と欠陥の発生する比率とを調節した結果、第２実験例よりも食刻率と欠陥発生比率が再度顕著に低くなったことがわかった。
【００２１】
これに対しより好ましい結果を創出するために第４実験例を実施した。その条件として条件B、C及びFを第４条件と同様に維持し、条件Aを19l/minにし、条件Dを95°にし、条件Eのうち条件E-1を95重量%とし条件E-2を５重量%にして実施した結果、食刻率に対するウェハＷの上下側比率を均一に維持することに効果がえられたが、相対的にウェハＷ全域に対するパーチクルなどの欠陥発生比率は第３実験例よりも悪い結果が得られた。従って、前記第３実験例と第４実験例の条件を折衷して第５実験例を実施した。その条件として第４実験例の条件のうち条件B、C、E、Fを維持し、超純水供給量に対する条件Aを24l/minにし、その噴射供給方向をウェハＷに限定されるように90°にして実施した結果、食刻率は第４実験例より僅かに高かったが、第３実験例よりも顕著な効果が得られ、相対的にパーチクルなどのウェハＷ全域に対する欠陥発生比率は顕著に減ることがわかった。
【００２２】
このような洗浄システムのための前記超純水供給ノズル３４の構成は、超純水供給ラインに連結されて洗浄チャンバー３０内の複数のウェハＷに対し少なくとも２箇所以上の外側箇所でウェハＷの配列された方向と並んで配置された管状をなす。前記管状の側壁には各ウェハＷに対向するそれぞれの位置に、管状の中心を基準として80〜100°角度範囲をなし内外側を貫通するノズルホールがその側壁にそって5個単位で等間隔をなして形成される。
【００２３】
又、前記超純水供給ノズル３４は、図２に示すように、管の内径が0.8±0.05ｍｍをなし、これから超純水の供給がなされるノズルホール40を0.5±0.05ｍｍに形成したものであり、これを通じた超純水の供給量は21〜26l/minとなる。そして、上記の構成において、制御部は超純水供給ノズル３４を通じた超純水の供給量を100重量%にするとき、これを基準に洗浄チャンバー３０から溢れて排出される液量を3〜8重量%とし、又、洗浄チャンバー３０の下部から排出される液量を92〜97重量%とするように制御する。
【００２４】
さらに、制御部により制御される排出部は、洗浄チャンバー３０の下部を通じた排出が上記の排出条件に対しその制御が容易になるようにすると共に、洗浄チャンバー３０内の排出の均一性をもつようにウェハＷの配列方向に対応して少なくとも2個以上の区域から排出されるように構成されている。
【００２５】
一方、上記の第１次リンス過程が所定時間持続されると、洗浄チャンバー３０内部に収容された洗浄液の所定ケミカル濃度は低くなる。この過程の以後に上記の超純水供給ノズル３４を通じた超純水の供給を継続的に進行すると共に、洗浄チャンバー３０下部を通じた洗浄液の排出を超純水供給量以上に排出させると、第２次リンス過程が進行される。よって、洗浄チャンバー３０内のウェハＷは徐々にその上側から洗浄液の上部に露出するが、このとき、前記超純水供給ノズル３４を通じて供給される超純水は噴霧状態をなして大気中へのウェハＷの露出を防止する。ウェハＷが洗浄液の水面上に完全に浮上した状態になると、超純水の供給を所定時間の間継続して進行する過程において、洗浄チャンバー３０の上部からイソプロピルアルコール(IPA)蒸気の供給がなされ、所定時間経過した以後に超純水の供給を中断することにより、第２次リンス過程の終了と共に乾燥過程が進行される。
【００２６】
【発明の効果】
以上、説明したように本発明によると、洗浄過程、リンス過程及び乾燥過程につながる一連の過程のうち超純水の供給がウェハＷに限定されて大気中へのウェハＷの露出が顕著に減少され、排出がより速く進行されて既存の洗浄システムに比べて単位ウェハに対する洗浄に必要な時間を顕著に低減させることになる。
【００２７】
以上、具体的な実施例に対してのみ詳しく説明したが、本発明の技術的思想の範囲内で実施例を変形及び変更できるのは本発明の属する分野の当業者には明白なものであり、その変形及び変更は本発明の特許請求範囲に属するといえる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例による半導体ウェハ洗浄システムを概略的に示す構成図である。
【図２】本発明の実施例による半導体ウェハ洗浄システムの超純水供給ノズルの構成を概略的に示す断面図である。
【図３】本発明の実施例による半導体ウェハ洗浄システムの構成の各実験条件と食刻率均一度の関係、ならびに各実験条件とウェハ上のパーチクル又は欠陥との関係を示すグラフである。
【図４】従来の半導体ウェハ洗浄システムを概略的に示す構成図である。
【図５】従来の半導体ウェハ洗浄システムにおけるウェハに対する洗浄過程を示すフロー図である。
【図６】従来の他の半導体ウェハ洗浄システムを示す構成図である。
【符号の説明】
１０ ローディング部
１２ 整列部
１４ トランスファー
１６ 第１トランス部
１８ ロボット
２０ 待機部
２２ 洗浄槽
２４ 乾燥部
２６ 第２トランス部
３０ 洗浄チャンバー
３２ 支持部材
３４ 超純水供給ノズル
３６ ケミカル貯蔵槽
３８ 配管
４０ ノズルホール
Ｗ ウェハ
Claims (2)
- 充填された洗浄液に投入される複数のウェハが沈漬するような容積範囲をなす洗浄チャンバーと、前記洗浄チャンバー内の複数のウェハに対し超純水を噴射して供給する超純水供給ノズルと、前記洗浄チャンバーの下部から配管に流れる洗浄液又は超純水、ならびに前記洗浄チャンバーの上部へ溢れる洗浄液又は超純水の排出を調節する排出部と、前記超純水供給ノズル及び前記排出部を制御する制御部とを備える半導体ウェハ洗浄システムであって、
前記超純水供給ノズルは、前記洗浄チャンバー内に置かれるウェハから離隔された少なくとも二箇所の前記ウェハの外側箇所にそれぞれそのウェハの配列方向と並んで管状をなし、置かれたウェハの各側部に対向する管状の側壁の周りにそってノズルホールが貫通して形成され、管内部から前記ノズルホールを通じた超純水の噴射が対向するウェハ全域に限定されるようにすると共に管の中心から９０°の範囲にあるように形成されており、
前記ノズルホールは、ウェハが２５枚のとき２４リットル/minの超純水供給量に対し本体内径が0.5±0.05ｍｍに形成され、配置されたウェハの中心を基準とした上下側垂直位置に対応して管状の側壁の周りにそって5個が等間隔に一列に配列するように形成され、
前記排出部は前記洗浄チャンバーの下部からの排出がウェハ配列方向に対応して少なくとも2個の区域でなされるように形成され、
前記制御部は、
前記超純水供給ノズルからの超純水の供給量を100重量%とするとき、前記洗浄チャンバーから溢れて排出される液量を５重量%とし、前記洗浄チャンバーの下部から排出される液量を９５重量%とするように前記排出部を制御する第１リンス過程と、
前記第１リンス過程以降に、前記超純水供給ノズルを通じた超純水の供給を継続的に進行すると共に、前記洗浄チャンバー下部を通じて洗浄液を超純水供給量以上に排出し、前記洗浄チャンバー内において洗浄液の上部から露出するウェハに、前記超純水供給ノズルにより、噴霧状態をなして超純水を供給することで、ウェハの大気中への露出を抑制する第２リンス過程とを含む制御を行うことを特徴とする半導体ウェハ洗浄システム。 - 充填された洗浄液に投入される複数のウェハが沈漬するような容積範囲をなす洗浄チャンバーと、前記洗浄チャンバー内の複数のウェハに対し超純水を噴射して供給する超純水供給ノズルと、前記洗浄チャンバーの下部から配管に流れる洗浄液又は超純水、ならびに前記洗浄チャンバーの上部へ溢れる洗浄液又は超純水の排出を調節する排出部と、前記超純水供給ノズル及び前記排出部を制御する制御部とを備え、
前記超純水供給ノズルは、前記洗浄チャンバー内に置かれるウェハから離隔された少なくとも二箇所の前記ウェハの外側箇所にそれぞれそのウェハの配列方向と並んで管状をなし、置かれたウェハの各側部に対向する管状の側壁の周りにそってノズルホールが貫通して形成され、管内部から前記ノズルホールを通じた超純水の噴射が対向するウェハ全域に限定されるようにすると共に管の中心から９０°の範囲にあるように形成されており、
前記ノズルホールは、ウェハが２５枚のとき２４リットル/minの超純水供給量に対し本体内径が0.5±0.05ｍｍに形成され、配置されたウェハの中心を基準とした上下側垂直位置に対応して管状の側壁の周りにそって5個が等間隔に一列に配列するように形成され、
前記排出部は前記洗浄チャンバーの下部からの排出がウェハ配列方向に対応して少なくとも2個の区域でなされるように形成される半導体ウェハ洗浄システムによる半導体ウェハ洗浄方法であって、
前記超純水供給ノズルからの超純水の供給量を100重量%とするとき、前記洗浄チャンバーから溢れて排出される液量を５重量%とし、前記洗浄チャンバーの下部から排出される液量を９５重量%とするように、前記排出部を前記制御部により制御する第１リンス過程と、
前記制御部による制御によって、前記第１リンス過程以降に、前記超純水供給ノズルを通じた超純水の供給を継続的に進行すると共に、前記洗浄チャンバー下部を通じて洗浄液を超純水供給量以上に排出し、前記洗浄チャンバー内において洗浄液の上部から露出するウェハに、前記超純水供給ノズルにより、噴霧状態をなして超純水を供給することで、ウェハの大気中への露出を抑制する第２リンス過程とを含むことを特徴とする半導体ウェハ洗浄方法。
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| US11756805B2 (en) * | 2019-12-27 | 2023-09-12 | Veeco Instruments Inc. | Apparatus and method for die stack flux removal |
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| JPS63179531A (ja) * | 1987-01-20 | 1988-07-23 | Nec Kyushu Ltd | 半導体基板の水洗方法 |
| DE3731410A1 (de) * | 1987-09-18 | 1989-04-06 | Duerr Gmbh & Co | Verfahren und anlage zum flutwaschen |
| US5069235A (en) * | 1990-08-02 | 1991-12-03 | Bold Plastics, Inc. | Apparatus for cleaning and rinsing wafers |
| JPH0689889A (ja) * | 1992-09-09 | 1994-03-29 | Fujitsu Ltd | ウェハ洗浄装置 |
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| US6532976B1 (en) * | 1995-07-10 | 2003-03-18 | Lg Semicon Co., Ltd. | Semiconductor wafer cleaning apparatus |
| US6006736A (en) * | 1995-07-12 | 1999-12-28 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method and apparatus for washing silicon ingot with water to remove particulate matter |
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| TW310078U (en) * | 1996-07-10 | 1997-07-01 | Vanguard Int Semiconduct Corp | Replacement structure of hand tools |
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| KR200160545Y1 (ko) * | 1997-01-23 | 1999-11-15 | 김재형 | 알콜 증기건조기 |
| KR100252221B1 (ko) * | 1997-06-25 | 2000-04-15 | 윤종용 | 반도체장치 제조용 습식 식각장치 및 습식 식각장치내의 식각액 순환방법 |
| JP3932618B2 (ja) * | 1997-09-30 | 2007-06-20 | ソニー株式会社 | 薬液処理装置 |
| KR100271764B1 (ko) * | 1997-12-24 | 2000-12-01 | 윤종용 | 반도체장치 제조용 현상 장치 및 그의 제어방법 |
| US6328814B1 (en) * | 1999-03-26 | 2001-12-11 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for cleaning and drying substrates |
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| JP3837016B2 (ja) * | 2000-09-28 | 2006-10-25 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
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