JPH0689889A - ウェハ洗浄装置 - Google Patents

ウェハ洗浄装置

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JPH0689889A
JPH0689889A JP24077792A JP24077792A JPH0689889A JP H0689889 A JPH0689889 A JP H0689889A JP 24077792 A JP24077792 A JP 24077792A JP 24077792 A JP24077792 A JP 24077792A JP H0689889 A JPH0689889 A JP H0689889A
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JP
Japan
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wafer
cleaning
carrier
nozzles
water spray
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP24077792A
Other languages
English (en)
Inventor
Masanori Kobayashi
正典 小林
Takeshi Yamazaki
健 山崎
Yuka Hayami
由香 早見
Seiji Ichihashi
精二 市橋
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Fujitsu VLSI Ltd
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu VLSI Ltd
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明はウェハ洗浄装置に関し、洗浄効果の
向上を実現することを目的とする。 【構成】 洗浄水スプレーノズルユニット23,24
を、キャリア11を掛止して搬送するハンガ21,22
の垂直腕21b,22bに取り付けて構成する。ノズル
ユニット23,24は、キャリア11内のウェハ10に
接近して位置する。洗浄水スプレー25,26のウェハ
10の主面10a上の水圧は高いように構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はウェハ洗浄装置に関す
る。
【0002】半導体チップの高集積化に伴って、ウェハ
上のパーティクル残りが半導体チップの歩留りの低下に
及ぼす影響が大きくなってきている。
【0003】このため、半導体チップの製造工程におい
ては、ウェハに付着したパーティクルを確実に洗い流し
て除去することが必要とされる。
【0004】
【従来の技術】従来のウェハ洗浄装置1は、図10及び
図11に示すように洗浄槽2の上面開口3の両側の部位
に、洗浄水スプレーノズルユニット4,5を設けた構成
である。
【0005】このノズルユニット4,5は、夫々管6,
7に沿って、複数のノズル8,9が並んで設けられた構
成である。
【0006】複数のウェハ10を並んだ状態に収容して
保持しているキャリア11が、ハンガ(図示せず)によ
り吊り下げられて、開口3を通して水洗槽2内に入る
と、ノズルユニット4,5のノズル8,9より、符号1
2で示すように、洗浄水スプレーが噴射され、ウェハ1
0に噴き付けられ、且つ水が槽2内に供給、排出されて
ウェハ10がクイックダンプリンス方式で洗浄される。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】ノズルユニット4,5
は、水洗槽2の上面開口3の淵に設けてあるため、ノズ
ルユニット4,5からウェハ10までの距離Aは、比較
的大である。
【0008】また、各ノズル8,9からの洗浄水の噴射
12の勢いは、ノズル8,9から離れるにつれて急に弱
くなる。
【0009】このため、ウェハ10上における洗浄水の
噴射12の水圧は十分に強くはなく、ウェハ10に付着
しているパーティクルを完全に除去することができない
場合もある。
【0010】ウェハ10に一部のパーティクルが付着し
たままであると、半導体チップの歩留りが低下したり、
次の薬品処理において、パーティクルが薬液内に落ち
て、槽内の薬液をパーティクルで汚染させてしまう。
【0011】また、ノズルユニット4,5が設けてある
場所は槽2であるため、ウェハ10を並んで配置してあ
る一の槽と別の槽との間を搬送する過程において、ウェ
ハ10を洗浄することもできない。このため、搬送中
に、ウェハ10に薬品ミストが付着して、薬液雰囲気汚
染を起こしてしまうこともあった。
【0012】そこで、本発明は、洗浄水スプレーノズル
ユニットをハンガの部分に設け、ウェハの洗浄力を強力
とすること及び搬送中のウェハの洗浄を可能とすること
を実現したウェハ洗浄装置を提供することを目的とす
る。
【0013】
【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、洗浄
水のスプレーを噴射するノズルが複数並んだ洗浄水スプ
レーノズルユニットを、ウェハを収容したキャリアを掛
止して搬送するハンガに取り付けた構成としたものであ
る。
【0014】請求項2の発明は、洗浄水のスプレーを噴
射するノズルが複数並んだ洗浄水スプレーノズルユニッ
トを、ウェハを受けるウェハ受け部を有し、該ウェハを
直接掴むハンガに取り付けた構成としたものである。
【0015】請求項3の発明は、請求項1又は2の洗浄
水スプレーノズルユニットは、上記ノズルの中心線が上
記キャリア又はウェハ受け部によって支持されているウ
ェハの主面に対して10〜30度をなすように構成した
ものである。
【0016】
【作用】請求項1のノズルユニットをハンガに取り付け
た構成は、ノズルユニットをキャリア内のウェハに接近
させるように作用すると共に、洗浄を洗浄槽の外部にお
いても可能とするように作用する。
【0017】請求項2のノズルユニットをハンガに取り
付けた構成は、ノズルユニットをキャリア内のウェハに
接近させるように作用すると共に、洗浄を洗浄槽の外部
においても可能とするように作用する。
【0018】請求項3のノズルの向きを、ノズルの中心
線がウェハの主面に対して10〜30度をなすように定
めた構成は、洗浄時に、全部のウェハを、主面が斜め上
を向く姿勢に揃えるように作用する。
【0019】
【実施例】本発明の第1実施例になるウェハ洗浄装置2
0について、図1及び図2を参照して説明する。
【0020】21,22はハンガであり、対をなし、下
端の掛止部21a,22aによって、キャリア11の両
側に張り出している鍔部11a,11bを掛止して、キ
ャリア11を水平方向、上下方向に搬送する。
【0021】23は一ケの洗浄水スプレーノズルユニッ
トであり、中央を一ケのハンガ21の中央の垂直腕21
bに固定されて、掛止部21aと平行に設けてある。
【0022】24は別の洗浄水スプレーノズルユニット
であり、中央を、別のハンガ22の中央の垂直腕22b
に固定されて、掛止部22aと平行に設けてある。
【0023】洗浄水スプレーノズルユニット23,24
は、相対向するハンガ21,22の内側に設けてある。
【0024】洗浄水スプレーノズルユニット23,24
は、夫々管23a,24aの側面に、複数のノズル23
b,24bが一列に等ピッチで並んで設けられた構成で
ある。
【0025】なお、図2中35は洗浄水用の配管であ
る。
【0026】ウェハ10の洗浄は、後述するように、ハ
ンガ21,22がキャリア11を掛止して搬送している
状態で行われる。
【0027】ハンガ21,22がキャリア11を掛止し
て搬送している状態において、ノズルユニット23,2
4はキャリア11内に収容されているウェハ10の周縁
に対向しており、ノズルユニット23,24とウェハ1
0との間の距離Bは、図11に示す従来例の距離Aに比
べて短い。
【0028】このため、ノズル23b,24bから出た
洗浄水スプレー25,26のウェハ10の主面10aに
おける水圧Pは、従来に比べて高い。
【0029】また、全部のノズル23b,24bは、図
3に示すように、ノズル中心線23c,24cと、キャ
リア11内のウェハ10の主面10aとがθ(10〜3
0°)をなす向きで、管23a,24aに取り付けてあ
る。
【0030】このため全部のウェハ10は、洗浄水スプ
レー25(26)の水圧Pでもって、図4に示すよう
に、一方向に倒され、主面10aが斜め上を向く姿勢に
揃えられる。これによってキャリア11内の全部のウェ
ハ10について、スプレー25,26 主面10aに略均一に
噴きかかる。
【0031】上記のように、洗浄水のスプレー25,2
6が全部のウェハ10の主面10aに、従来に比べて勢
い良く且つ均一に噴きかかるため、ウェハ10の主面1
0aは従来に比べて良好に洗浄され、ウェハ10とキャ
リア11との接触部分27で発生したパーティクルは全
て洗い流される。
【0032】また、ウェハのスプレーによる洗浄はキャ
リア11が図1中二点鎖線で示すように、水洗槽28内
に入った状態で行われるのは勿論、図5に符号29で示
すように、蓋付きの高温の薬液槽30から次の水洗槽2
8への搬送中及び符号31で示すように、薬液槽30内
に浸漬する前の段階で行われる。
【0033】搬送中にスプレーにより洗浄を行うことに
よって、ウェハ表面に薬品ミスト32が付着することが
なく、ウェハの薬液雰囲気汚染が防止され、またウェハ
表面が外気にさらされて酸化することが防止される。
【0034】また、薬品槽30内に浸漬する前にスプレ
ーにより洗浄を行うことによって、搬送中に発生したパ
ーティクルが洗い落とされ、薬品槽30内にパーティク
ルが落ちることが無くなり、薬品槽30内の薬液33の
パーティクル汚染が防止される。
【0035】また、洗浄中、全部のウェハ10は、スプ
レーの水圧Pによって、図5に示す姿勢を維持し、キャ
リア11内でがたつく振動を起こさない。この結果、洗
浄中にパーティクルが発生することはない。
【0036】図6は、本発明の第2実施例になるウェハ
洗浄装置20Aを示す。
【0037】この装置20Aは、洗浄水スプレーノズル
ユニット23Aを、ハンガ40の上側横架部41の中央
の下側に設けた構成である。
【0038】ノズル23Ab からのスプレー25Aが上
側からウェハ10の主面10aに噴き付けられて、洗浄
される。
【0039】図7及び図8は、本発明の第3実施例にな
るウェハ洗浄装置20Bを示す。
【0040】本実施例は、キャリアレス方式に適用した
例である。
【0041】50,51はハンガであり、対をなす。
【0042】ハンガ50は、一対の垂直腕50a,50
bと、垂直腕50a,50bの先端の間の細長のウェハ
受け50cとよりなる構成である。このウェハ受け50
cに、ウェハの厚さに対応する溝50dが多数形成して
ある。
【0043】ハンガ51も、ハンガ50と同じ構造であ
る。
【0044】洗浄水スプレーノズルユニット23は、両
端側を垂直腕50a,50bに固定されて、ウェハ受け
50cと平行に設けてある。
【0045】洗浄水スプレーノズルユニット24は、上
記のノズルユニット23と同じく、両端側を垂直腕51
a,51bに固定されて、ウェハ受け51cと平行に設
けてある。
【0046】ハンガ50,51が、図7中、矢印52,
53で示すように互いに接近し、ウェハ受け50c,5
1cの溝50d,51dがウェハ10の周縁部に嵌合す
る。これにより、ウェハ10は、その周縁部のうち下側
寄りの部分を、ウェハ受け50c,51cにより支持さ
れて、整列した状態で掴まれる。
【0047】ノズルユニット23,24とウェハ10と
の間の距離Cは、図11に示す従来例の距離Aに比べて
短い。
【0048】ここで、ノズル23b,24bと溝50
d,51dとの位置精度は一定に決まっている。また、
各ウェハ10は溝50d,51dに嵌合して位置決めさ
れる。このため、ノズル23b,24bとウェハ10と
の位置関係は、ウェハを掴む毎に変化することはなく、
略一定に決まる。
【0049】このため、スプレー25,26は、各ウェ
ハ10の主面10aに、正確に、勢いよく且つ均一に噴
き付けられ、パーティクルは良好に洗い落とされる。
【0050】ウェハの洗浄は、上記の第1実施例の場合
と同じく、ウェハを水洗槽内に入れた場合の他、ウェハ
11の搬送中及びウェハを薬液槽に浸漬する前の段階に
おいて行われる。
【0051】図9は本発明の第4実施例になるウェハ洗
浄装置20Cを示す。
【0052】この装置20Cは、洗浄水スプレーノズル
ユニット23,24を、ハンガ50,51のウェハ受け
部50c,51cの部位に設けた構成である。
【0053】スプレーはパーティクルが発生する場所
に、直接に噴き付けられる。
【0054】これにより、パーティクルはより確実に洗
浄されて除去される。
【0055】
【発明の効果】以上説明したように、請求項1の発明に
よれば、スプレーを従来に比べて強い勢いでウェハに噴
き付けることが出来、これによって、洗浄を従来に比べ
て良好に行うことが出来る。
【0056】また、ウェハの洗浄を搬送中にも行うこと
が出来、ウェハの洗浄を搬送中も行うことによって、搬
送中に発生したパーティクルを、ウェハを薬液槽に浸漬
する前に、洗い流すことが出来、これによって薬液のパ
ーティクル汚染を防止することが出来る。
【0057】また、ウェハの洗浄を搬送中も行うことに
よって、ウェハ表面を洗浄水で被覆することが出来、こ
れによってウェハが薬液雰囲気汚染されることを防止す
ることが出来る。
【0058】請求項2の発明によれば、スプレーを従来
に比べて強い勢いでウェハに噴き付けることが出来、こ
れによって、洗浄を従来に比べて良好に行うことが出来
る。また、ウェハの洗浄を搬送中にも行うことが出来、
ウェハの洗浄を搬送中も行うことによって、搬送中に発
生したパーティクルを、ウェハを薬液槽に浸漬する前
に、洗い流すことが出来、これによって薬液のパーティ
クル汚染を防止することが出来る。
【0059】また、ウェハの洗浄を搬送中も行うことに
よって、ウェハ表面を洗浄水で被覆することが出来、こ
れによってウェハが薬液雰囲気汚染されることを防止す
ることが出来る。
【0060】請求項3の発明によれば、洗浄水のスプレ
ーを、全部のウェハの主面に噴き付けることが出来、複
数のウェハについて、夫々の主面を均一性良く洗浄する
ことが出来る。また、洗浄中にウェハががたつくことを
防止し得、パーティクルの発生を防止し得る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例になるウェハ洗浄装置の正
面図である。
【図2】図1のウェハ洗浄装置の斜視図である。
【図3】ノズルの向きを示す図である。
【図4】洗浄中のウェハの姿勢を示す図である。
【図5】洗浄の時期を説明する図である。
【図6】本発明の第2実施例になるウェハ洗浄装置を示
す図である。
【図7】本発明の第3実施例になるウェハ洗浄装置を示
す正面図である。
【図8】図7のウェハ洗浄装置の斜視図である。
【図9】本発明の第4実施例になるウェハ洗浄装置を示
す正面図である。
【図10】従来の1例のウェハ洗浄装置の斜視図であ
る。
【図11】図10のウェハ洗浄装置の正面図である。
【符号の説明】
10 ウェハ 11 キャリア 20,20A,20B,20C ウェハ洗浄装置 21,22,40,50,51 ハンガ 21a,22a 掛止部 21b,22b,50a,50b,51a,51b 垂
直腕 23,23A,24 洗浄水スプレーノズルユニット 23a,24a 管 23b,24b ノズル 23c,24c ノズル中心線 25,26 洗浄水スプレー 27 ウェハとキャリアとの接触部分 41 上側横架部 50c,51c ウェハ受け部 50d,51d 溝
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 早見 由香 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 市橋 精二 愛知県春日井市高蔵寺町2丁目1844番2 富士通ヴィエルエスアイ株式会社内

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 洗浄水のスプレー(25,26)を噴射
    するノズル(23b,24b)が複数並んだ洗浄水スプ
    レーノズルユニット(23,24)を、ウェハ(10)
    を収容したキャリア(11)を掛止して搬送するハンガ
    (21,22,40)に取り付けた構成としたことを特
    徴とするウェハ洗浄装置。
  2. 【請求項2】 洗浄水のスプレー(25,26)を噴射
    するノズル(23b,24b)が複数並んだ洗浄水スプ
    レーノズルユニット(23,26)を、ウェハを受ける
    ウェハ受け部(50c,51c)を有し、該ウェハを直
    接掴むハンガ(50,51)に取り付けた構成としたこ
    とを特徴とするウェハ洗浄装置。
  3. 【請求項3】 請求項1又は2の洗浄水スプレーノズル
    ユニットは、上記ノズル(23b,24b)の中心線
    (23c,24c)が上記キャリア又はウェハ受け部に
    よって支持されているウェハ(10)の主面(10a)
    に対して10〜30度をなすように構成したことを特徴
    とするウェハ洗浄装置。
JP24077792A 1992-09-09 1992-09-09 ウェハ洗浄装置 Withdrawn JPH0689889A (ja)

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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5799678A (en) * 1995-12-19 1998-09-01 Lg Semicon Co., Ltd. Apparatus for cleansing semiconductor wafer
JPH10321580A (ja) * 1997-05-15 1998-12-04 Tokyo Electron Ltd 基板の洗浄ユニット及び洗浄システム
US5901716A (en) * 1995-12-29 1999-05-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Wafer cleaning apparatus with rotating cleaning solution injection nozzles
KR100280439B1 (ko) * 1998-01-31 2001-03-02 김영환 반도체 웨이퍼 세정장비용 로봇암
US6532976B1 (en) * 1995-07-10 2003-03-18 Lg Semicon Co., Ltd. Semiconductor wafer cleaning apparatus
KR20040041763A (ko) * 2002-11-11 2004-05-20 삼성전자주식회사 반도체 웨이퍼 세정시스템 및 그 방법
US7314054B2 (en) 2000-02-29 2008-01-01 Tokyo Electron Limited Liquid processing apparatus with nozzle having planar ejecting orifices
JP2012170850A (ja) * 2011-02-18 2012-09-10 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 表面処理設備

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6532976B1 (en) * 1995-07-10 2003-03-18 Lg Semicon Co., Ltd. Semiconductor wafer cleaning apparatus
US6637443B2 (en) 1995-07-10 2003-10-28 Lg Semicon Co., Ltd. Semiconductor wafer cleaning apparatus and method
US5799678A (en) * 1995-12-19 1998-09-01 Lg Semicon Co., Ltd. Apparatus for cleansing semiconductor wafer
CN1082245C (zh) * 1995-12-19 2002-04-03 Lg半导体株式会社 半导体晶片清洗装置
US5901716A (en) * 1995-12-29 1999-05-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Wafer cleaning apparatus with rotating cleaning solution injection nozzles
JPH10321580A (ja) * 1997-05-15 1998-12-04 Tokyo Electron Ltd 基板の洗浄ユニット及び洗浄システム
KR100280439B1 (ko) * 1998-01-31 2001-03-02 김영환 반도체 웨이퍼 세정장비용 로봇암
US7314054B2 (en) 2000-02-29 2008-01-01 Tokyo Electron Limited Liquid processing apparatus with nozzle having planar ejecting orifices
KR20040041763A (ko) * 2002-11-11 2004-05-20 삼성전자주식회사 반도체 웨이퍼 세정시스템 및 그 방법
JP2012170850A (ja) * 2011-02-18 2012-09-10 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 表面処理設備

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