JP3600747B2 - 基板処理装置 - Google Patents

Description

【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、単数または複数の半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等（以下、単に「基板」と称する）を処理液中に浸漬させることによって浸漬処理を行う基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、上記基板には基板処理装置内の処理槽において、薬液によるエッチング、純水による洗浄処理等の表面処理が順次施されて、一連の処理が達成されている。このような基板処理装置としては、１つの処理槽に基板を投入し、その処理槽内の処理液を薬液および純水にて順次置換することによって処理を進行するいわゆるワンバスタイプの装置と、薬液または純水を貯留する専用の処理槽を複数備え、それら複数の処理槽に基板を順次搬送することによって処理を進行するいわゆる多槽式の装置とがある。
【０００３】
多槽式の基板処理装置においては、薬液を貯留する薬液槽に基板を投入して当該基板に付着した不純物の除去処理を行った後、純水を貯留する水洗槽にその基板を投入して水洗処理を行うという工程を繰り返して一連の処理を達成している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、このような一連の処理の過程において、基板にパーティクル等の汚染物質が付着するという問題がある。特に、薬液としてフッ酸（ＨＦ）を貯留する薬液槽にて基板のエッチング処理を行った後、その基板を水洗槽に投入して水洗処理を行うと、基板Ｗの表面に縦筋状パーティクル１０１が付着することがある。
【０００５】
このような縦筋状パーティクル１０１は、以下のようにして基板Ｗに付着するものと考えられる。すなわち、表面に種々の不純物が付着した基板Ｗがフッ酸を貯留する薬液槽に投入されると、不純物がフッ酸によって溶かし出されるとともに、基板Ｗの表面の一部にＳｉが露出し、基板Ｗの表面にはＳｉの疎水部とＳｉＯ２の親水部とが共存することとなる。溶かし出された不純物はそのままの形態にてまたは何らかの化学反応によって汚染物質となり、薬液槽内の上方に向けた薬液の流れ（アップフロー）によって薬液表面に流される。そして、その汚染物質は薬液表面、すなわち気液界面に漂うことになるのである。
【０００６】
エッチング処理の終了後、基板Ｗが薬液槽から引き揚げられるのであるが、このときに基板Ｗは当然気液界面を通過することとなり、フッ酸の表面に漂っている汚染物質が基板Ｗに付着するのである。
【０００７】
その後、基板Ｗは純水を貯留する水洗槽に投入され水洗処理に供される。基板Ｗが純水中に浸漬されるときに、エッチング処理終了時に付着した汚染物質は基板Ｗから剥離されるものの、その汚染物質もそのままの形態にてまたは何らかの化学反応によって新たな汚染物質となり、上記と同様に、アップフローによって純水表面に漂うこととなる。そして、水洗処理終了後、基板Ｗを水洗槽から引き揚げるときに新たな汚染物質が再び基板Ｗの表面に付着して、図８に示すような縦筋状パーティクル１０１が発生するのである。
【０００８】
以上は、フッ酸によるエッチング処理についての説明であったが、同様の問題はその他の薬液による表面処理やその後の水洗処理においても生じる。また、ワンバスタイプの装置においても、最終の水洗処理終了後は、基板Ｗが気液界面を通過することになるため、同様の問題が生じる。
【０００９】
換言すれば、処理槽（以下、「処理槽」というときは、「薬液槽」および「水洗槽」を含む）に貯留された処理液（以下、「処理液」というときは、「薬液」および「純水」を含む）の気液界面を基板が通過する形式の基板処理装置においては、基板から剥離した汚染物質や処理液中にて新たに生成した汚染物質がアップフローによって処理液表面に漂うこととなり、その処理液表面を基板が通過するときに汚染物質が基板に付着するのである。
【００１０】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、基板への汚染物質の付着を抑制することができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、請求項１の発明は、基板を処理液中に浸漬させることによって浸漬処理を行う基板処理装置であって、（ａ） 前記処理液が貯留されて基板が浸漬される処理槽と、（ｂ） 前記処理槽の底部に設けられ、前記処理槽内に処理液を供給する処理液供給手段と、（ｃ） 前記基板を保持し、前記処理槽の内部と前記処理槽の上方との間で前記基板を昇降させる昇降手段と、を備え、前記処理槽にて、少なくとも前記引き揚げ手段によって保持される前記複数の基板の主面を含む平面と交わる側壁に、複数の排液口を設け、前記複数の排液口は、処理液がオーバーフロする前記側壁の上端の近くに、前記引き揚げ手段によって保持される前記複数の基板の保持間隔と同じピッチに並べて、配置されているもである。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００１３】
まず、本発明に係る基板処理装置の全体構成について簡単に説明する。ここで説明する基板処理装置は、多槽式の基板処理装置である。図１は、本発明に係る基板処理装置の一例を示す正面概略図である。図１および以下の各図には、それらの方向関係を明確にするため、ＸＹＺ直交座標系を適宜付している。この基板処理装置１００は、薬液槽ＣＢ１、ＣＢ２と、水洗槽ＷＢ１、ＷＢ２、ＦＲと、乾燥部ＳＤと、基板を搬送する基板搬送ロボットＴＲとを備えている。また、基板処理装置１００は、その両端に、未処理基板Ｗを収納したカセットＣを載置するローダー部ＬＤと処理済みの基板Ｗが格納されるカセットＣを載置するアンローダー部ＵＬＤとを備えている。
【００１４】
薬液槽ＣＢ１、ＣＢ２は硫酸、アンモニア、塩酸、フッ酸、過酸化水素水またはそれらの混合液などの薬液を収容可能な槽であるが、ここで考えている例では、フッ酸を貯留し、基板に対してエッチング処理を行うための処理槽である。また、水洗槽ＷＢ１、ＷＢ２は純水を収容し、基板Ｗに付着したフッ酸を洗浄する処理槽である。また、水洗槽ＦＲも純水を収容する洗浄処理槽であるが、主として仕上げの洗浄として用いられる。さらに、乾燥部ＳＤは基板Ｗを回転させつつ当該基板Ｗに付着した水滴を除去、乾燥させる処理部である。
【００１５】
基板搬送ロボットＴＲは、水平方向および上下方向に移動可能であり、ローダー部ＬＤから未処理の基板群（ロット）を払い出し、予め定められた処理手順に従って上記各処理槽間でロットを循環搬送するとともに、処理済みのロットをアンローダー部ＵＬＤに渡すロボットである。基板搬送ロボットＴＲは、開閉自在の一対のハンド１を備えており、ハンド１には、その内側に基板Ｗを保持するための複数の溝が一定のピッチで平行に設けられており（図示省略）、それら複数の溝によってロットが保持されることとなる。この基板搬送ロボットＴＲがローダー部ＬＤからロットを受け取る際には、カセットＣの下方に設けられた図示を省略するホルダによってカセットＣから上昇されたロットを基板搬送ロボットＴＲの一対のハンド１が把持することによって行われる。また、アンローダー部ＵＬＤにロットを渡す場合には、上記とは逆に、ハンド１から図示を省略するホルダにロットが渡され、そのホルダが下降することによって、ロットがカセットＣ内部に格納される。
【００１６】
次に、基板処理装置１００に設けられた処理槽の構成について説明する。ここでは、処理槽の一例として水洗槽ＷＢ１について説明するが、他の処理槽、すなわち薬液槽ＣＢ１、ＣＢ２および水洗槽ＷＢ２、ＦＲについても同様である。
【００１７】
図２は水洗槽ＷＢ１の要部構成を示す正面図であり、図３は水洗槽ＷＢ１の要部構成を示す側面図である。基板処理装置１００は、水洗槽ＷＢ１に付随して吐出ノズル２０と、昇降機構４０とを設けている。
【００１８】
吐出ノズル２０は、水洗槽ＷＢ１の底部両側のそれぞれに設けられ、水洗槽ＷＢ１内に純水を供給するノズルである。吐出ノズル２０は、水洗槽ＷＢ１の長手方向（Ｘ方向）に沿って延びる円筒状のノズルであり、複数の円形の吐出孔２０ａを備えている。また、吐出ノズル２０は、水洗槽ＷＢ１外部の純水供給源２５に接続されており、純水供給源２５から純水の供給を受けることができる。
【００１９】
純水供給源２５から供給された純水は、吐出ノズル２０の吐出孔２０ａから水洗槽ＷＢ１内に吐出される。ここで、吐出孔２０ａは水洗槽ＷＢ１の中央底部に向けて設けられており、両側の吐出ノズル２０から吐出された純水は水洗槽ＷＢ１の底壁と平行に流れ、やがて水洗槽ＷＢ１底部中央にて衝突し、その後水洗槽ＷＢ１の中央部近傍に上方に向けた純水の流れ（層流）を形成することとなる。なお、吐出ノズル２０から供給された純水は水洗槽ＷＢ１の上部から順次溢れ出るようにされており、このときの様子については後述する。また、複数の円形の吐出孔２０ａに代えて、１つのスリット状の吐出孔を設けるようにしてもよい。
【００２０】
昇降機構４０は、水洗槽ＷＢ１に貯留されている純水に複数の基板Ｗを浸漬させる機構である。昇降機構４０は、リフター４１と、リフターアーム４２と、基板Ｗを保持する３本の保持部４３、４４、４５とを備えている。３本の保持部４３、４４、４５のそれぞれには基板Ｗの外縁部がはまり込んで基板Ｗを起立姿勢にて保持する複数の保持溝が所定間隔にてＸ方向に配列して設けられている。３本の保持部４３、４４、４５はリフターアーム４２に固設され、リフターアーム４２はリフター４１によって鉛直方向に昇降可能に設けられている。
【００２１】
このような構成により、昇降機構４０は３本の保持部４３、４４、４５によってＸ方向に所定間隔にて平行に配列されて保持された複数の基板Ｗを水洗槽ＷＢ１に貯留された純水に浸漬する位置（図２の実線位置）と水洗槽ＷＢ１の上方であって基板搬送ロボットＴＲとの基板受け渡しを行う位置（図２の２点鎖線位置）との間で昇降させることができる。なお、リフター４１には、リフターアーム４２を昇降させる機構として、ボールネジを用いた送りネジ機構やプーリとベルトを用いたベルト機構など種々の機構を採用することが可能である。
【００２２】
水洗槽ＷＢ１において、昇降機構４０によって保持され水洗槽ＷＢ１内で浸漬処理される基板Ｗの主面と直角な、Ｘ方向に延在する側壁（以下、基板主面直交側壁と称する）１５ａには、複数の排液口３１が開口されている（図３参照）。
【００２３】
水洗槽ＷＢ１の基板主面直交側壁１５ａに開口された前記排液口３０は、昇降機構４０によって保持される基板Ｗの保持間隔と同じピッチに並べて複数配置されている。
【００２４】
また、水洗槽ＷＢ１の基板主面直交側壁１５ａに設けられた前記排液口３１は、基板主面直交側壁１５ａにて処理液がオーバフロする上端３０ａの近くに設けられ、少なくとも昇降機構４０によって保持されて処理槽１５内で浸漬処理される基板の上端縁より高い位置に設けられる。
【００２５】
また、本実施形態の基板処理装置１００においては、水洗槽ＷＢ１の基板主面直交側壁１５ａに開口された前記排液口３１は、基板主面直交側壁１５ａの上端３０ａにおける次の位置の下方に配置される。すなわち、基板主面直交側壁１５ａの上端３０ａにて、昇降機構４０によって保持されて処理槽１５内で浸漬処理される基板Ｗの主面を含む平面が基板主面直交側壁１５ａの上端３０ａと交わる位置の両側位置の下方に配置される。
【００２６】
また、本実施形態の基板処理装置においては、水洗槽ＷＢ１は、前記基板主面直交側壁１５ａと、基板Ｗの主面と直角な、Ｙ方向に延在する側壁（以下、基板主面平行側壁と称する）１５ｂおよび、底壁１５ｃとで構成されるが、基板主面平行側壁１５ｂにも排液口３１が複数開口されている（図１参照）。基板主面平行側壁１５ｂに開口された前記排液口３１は、基板主面直交側壁１５ａに開口された排液口３１と、同じピッチで並び、基板主面平行側壁１５ｂの上端３０ｂから同じだけ下方の位置すなわち、基板主面直交側壁１５ａに開口された排液口３１と同じ高さに位置する。
【００２７】
本実施形態の基板処理装置１００においては、薬液槽ＣＢ１や水洗槽ＷＢ１の基板主面直交側壁１５に開口の排液口３１および、基板主面平行側壁１５ｂに開口の排液口３１は、各々、開口形状が円形で、基板主面直交側壁１５や基板主面平行側壁１５ｂの壁体を壁面にに対し垂直に貫通するように開口形成されており、その内部は処理槽１５の内から外に向かって開口面積が次第に小さくなるように、先細りテーパ状に開口している。
【００２８】
上述のように、吐出ノズル２０から供給されたフッ酸等の薬液や純水は、薬液槽ＣＢ１や水洗槽ＷＢ１の上部から順次溢れ出る。このときに、薬液槽ＣＢ１や水洗槽ＷＢ１の側壁の形成された排液口３１からも純水が流れ出る。なお、薬液槽ＣＢ１や水洗槽ＷＢ１から流れ出た薬液や純水は、回収された後、装置外部に排出されたり、浄化されて循環使用される。
【００２９】
次に、基板処理装置１００における処理手順について説明するが、本実施形態においては説明を簡単にするため、ローダー部ＬＤから払い出された基板Ｗは、薬液槽ＣＢ１、水洗槽ＷＢ１、水洗槽ＦＲ、乾燥部ＳＤの順に基板搬送ロボットＴＲによって搬送されるものとする。すなわち、薬液槽ＣＢ１はフッ酸を貯留する処理槽であり、薬液槽ＣＢ１にてフッ酸によるエッチング処理が施された基板Ｗは、純水を貯留する水洗槽ＷＢ１に搬送され、水洗処理に供される。そして、水洗槽ＷＢ１での水洗処理が終了した基板Ｗは、水洗槽ＦＲに搬送され、最終の仕上げ水洗処理が行われた後、乾燥部ＳＤにて乾燥されるのである。以下、各処理槽における処理の態様についてさらに説明を続ける。なお、既述したように、薬液槽ＣＢ１および水洗槽ＦＲは、図２、図３にて示した水洗槽ＷＢ１と同様の配置構成を有しており、図２、図３に示したのと同じ参照符号を用いて説明する。
【００３０】
薬液槽ＣＢ１に付随して設けられた昇降機構４０は、基板搬送ロボットＴＲから複数の基板Ｗを受け取り、所定間隔にて保持した基板Ｗを薬液槽ＣＢ１中に降下させる。薬液槽ＣＢ１にはフッ酸が貯留されており、基板Ｗはそのフッ酸中に浸漬される。薬液槽ＣＢ１に貯留されたフッ酸に浸漬された基板Ｗに対しては、エッチング処理が進行される。このときに、基板Ｗの表面に付着していた不純物はフッ酸によって溶かし出され、そのままの形態にてまたは何らかの化学反応によって汚染物質となる。その汚染物質は、吐出ノズル２０からの液流によってフッ酸の表面（気液界面）に流される。
【００３１】
やがて、所定時間が経過し、エッチング処理が終了すると、昇降機構４０が複数の基板Ｗをフッ酸から引き揚げる。既述したように、液流によってフッ酸の表面に流された汚染物質は気液界面を浮遊する傾向がある。基板Ｗを引き揚げる際には、基板Ｗが気液界面を通過せざるを得ないのであるが、本発明に係る基板処理装置では、処理槽において、少なくとも前記引き揚げ手段によって保持される前記複数の基板の主面を含む平面と交わる側壁に、複数の排液口を設け、前記複数の排液口は、前記引き揚げ手段によって保持される前記複数の基板の保持間隔と同じピッチで並ぶよう配置しているため、基板Ｗへの汚染物質の付着が抑制されるのである。このことを図４〜図６を用いて説明する。
【００３２】
図４は処理槽から処理液が流れ出る様子を示す側面図であり、図５はその平面図である。また、図６は処理槽内の処理液の流れの様子を示す図である。エッチング処理の間は、吐出ノズル２０から連続してフッ酸が吐出され続けているため、それに伴って薬液槽ＣＢ１の上部からはフッ酸が溢れ出し続ける。そして、基板Ｗが引き揚げられる段階においても、薬液槽ＣＢ１の上部からはフッ酸が溢れて流れ出し続けている。かかる薬液槽ＣＢ１の上部から溢れでる流れは、基板Ｗと基板Ｗの間を通過したフッ酸の上昇流が、気液界面に達すると水平な向きへ方向転換し、基板主面直交側壁１５ａへ向かい、基板主面直交側壁１５ａの上端３０ａからオーバーフローするもので、これら気液界面近くでの一連の流れは乱流になりがちである。ここで、薬液槽ＣＢ１の基板主面直交側壁１５ａには複数の排液口３１が開口を設けているので、上記した一連の流れに、基板主面直交側壁１５ａに設けられた排液口３１へ向かう流れが加わり、複数設けられた各排液口に対応して優先的に流れる複数の流れの筋が生じる。そして、これら排液口３１は、昇降機構４０によって保持される基板Ｗの保持間隔と同じピッチに並べて複数配置されているので、昇降機構４０によって保持される複数の基板Ｗのそれぞれの主面の両側に位置する部分のフッ酸が、優先的に槽外に流れ出ることとなる。従って、図５に示すように、昇降機構４０によって保持される複数の基板Ｗのそれぞれの主面の両側に位置する部分のフッ酸が、優先的に槽外に流れ出ることとなり、その結果、基板Ｗ間に浮遊する汚染物質を効率よく槽外に排出することができるのである。
【００３３】
これにより、昇降機構４０が基板Ｗを引き揚げるときに、基板Ｗが気液界面を通過してもその基板Ｗへの汚染物質の付着を抑制することができる。また、基板Ｗへの汚染物質の付着を抑制することができるため、基板Ｗの引き揚げ速度を従来よりも速くすることができる。
【００３４】
なお、本実施形態の基板処理装置１００においては、薬液槽ＣＢ１の基板主面直交側壁１５ａに開口された前記排液口ａは、基板主面直交側壁１５ａの上端３０ａにて次の位置の下方、すなわち、昇降機構４０によって保持されて薬液槽ＣＢ１内で浸漬処理される基板の主面を含む平面が基板主面直交側壁１５ａの上端ａと交わる位置の両側位置の下方に位置するので、昇降機構４０によって保持される複数の基板Ｗのそれぞれの主面の両側に位置する部分のフッ酸は、よりいっそう優先的に槽外に流れ出ることとなる。
【００３５】
また、昇降機構４０によって保持される複数の基板Ｗのそれぞれの主面の両側に位置する部分のフッ酸が優先的に槽外に流れ出るのにともなって、図６に示すように、複数の基板Ｗ間のフッ酸の流れが整流され、基板Ｗ間の薬液循環が、よりいっそう効率よく行われることとなる。つまり、薬液槽ＣＢ１内の気液界面近くでのフッ酸の流れを整流することによって、槽内の流れを誘導し、安定したフッ酸の流れを形成しているのである。これにより、昇降機構４０によって保持される全ての基板Ｗの全面において、常に一定濃度のフッ酸が安定して供給されることとなり、エッチング処理の面内均一性が向上するとともに、基板Ｗ間のばらつきも低減される。
【００３６】
次に、昇降機構４０が複数の基板Ｗを薬液槽ＣＢ１から完全に引き揚げると、基板搬送ロボットＴＲが基板Ｗを受け取って水洗槽ＷＢ１に搬送し、水洗槽ＷＢ１に付随して設けられた昇降機構４０に複数の基板Ｗを渡す。昇降機構４０は、基板Ｗを水洗槽ＷＢ１中に降下させ、純水中に浸漬させる。純水に浸漬された基板Ｗに対しては、水洗処理が進行される。
【００３７】
ここで、水洗処理の処理効率が最も高いのは気液界面近傍である。従って、昇降機構４０が基板Ｗを降下させている段階において、基板Ｗの主面上を相対移動中の気液界面近傍が最も効率よく洗浄されるのである。このときに、基板Ｗの表面に付着しているフッ酸とともに、薬液槽ＣＢ１から引き揚げるときに若干付着した汚染物質も洗い出される。当該汚染物質は、そのままの形態にてまたは何らかの化学反応によって新たな汚染物質となる。
【００３８】
薬液槽ＣＢ１におけるエッチング処理と同様に、水洗処理の間も、吐出ノズル２０から連続して純水が吐出され続けているため、それに伴って水洗槽ＷＢ１の上部からは純水が溢れ出し続ける。また、水洗槽ＷＢ１の基板主面直交側壁１５ａにも排液口３１が、薬液槽ＣＢ１と同様に形成されているから、気液界面近くでの純水の流れ、すなわち、基板Ｗと基板Ｗの間を通過した上昇流が、気液界面に達すると水平な向きへ方向転換して、基板主面直交側壁１５ａへ向かい、基板主面直交側壁１５ａの上端３０ａからオーバーフローする気液界面近くでの純水の流れは次のようになる。つまり、これら一連の流れに、基板主面直交側壁１５ａに設けられた排液口３１へ向かう流れが加わり、複数設けられた各排液口に対応して優先的に流れる複数の流れの筋が生じる。そして、これら排液口３１は、昇降機構４０によって保持される基板Ｗの保持間隔と同じピッチに並べて複数配置されているので、昇降機構４０によって保持される複数の基板Ｗのそれぞれの主面の両側に位置する部分の純水が、優先的に槽外に流れ出ることとなる。従って、図５に示すように、昇降機構４０によって保持される複数の基板Ｗのそれぞれの主面の両側に位置する部分の純水が、優先的に槽外に流れ出ることとなり、その結果、基板Ｗ間に浮遊する汚染物質を効率よく槽外に排出することができるのである。
【００３９】
なお、本実施形態の基板処理装置１００においては、水洗槽ＷＢ１の基板主面直交側壁１５ａに開口された前記排液口ａも、基板主面直交側壁１５ａの上端３０ａにて次の位置の下方、すなわち、昇降機構４０によって保持されて薬液槽ＣＢ１内で浸漬処理される基板の主面を含む平面が基板主面直交側壁１５ａの上端ａと交わる位置の両側位置の下方に位置するので、昇降機構４０によって保持される複数の基板Ｗのそれぞれの主面の両側に位置する部分の純水は、よりいっそう優先的に槽外に流れ出ることとなる。
【００４０】
また、基板Ｗが純水中に完全に浸漬された後に新たな汚染物質が生じることもある。その汚染物質は、吐出ノズル２０からの液流によって純水の表面に流される。やがて、所定時間が経過し、水洗処理が終了すると、昇降機構４０が複数の基板Ｗを純水から引き揚げる。このときにも、純水への投入時と同様に、昇降機構４０によって保持される複数の基板Ｗのそれぞれの主面の両側に位置する部分の純水が優先的に槽外に流れ出ることとなり、基板Ｗ間に浮遊する汚染物質が基板Ｗに転写する前に当該汚染物質を効率よく槽外に排出することができるのである。これにより、昇降機構４０が基板Ｗを引き揚げるときに、基板Ｗが気液界面を通過してもその基板Ｗへの汚染物質の付着を抑制することができる。
【００４１】
さらに、昇降機構４０によって保持される複数の基板Ｗのそれぞれの主面の両側に位置する部分の純水が優先的に槽外に流れ出るのにともなって、図６に示すように、複数の基板Ｗ間のフッ酸の流れが整流され、基板Ｗ間の純水循環が効率よく行われることとなる。すなわち、上記と同様に、水洗槽ＷＢ１も、基板主面直交側壁１５ａに排液口３１を設けたことによって、槽内の流れを誘導し、安定した純水の流れを形成しているのである。これにより、昇降機構４０によって保持される全ての基板Ｗの全面において、常に新鮮な純水が安定して供給されることとなり、水洗処理の面内均一性が向上するとともに、基板Ｗ間のばらつきも低減される。
【００４２】
また、水洗槽ＷＢ１内に安定した純水流が形成されることは、水洗槽投入時に気液界面が基板Ｗに及ぼす水洗効率の向上に繋がる。つまり、槽内の純水流が安定していれば、気液界面近傍において基板Ｗから汚染物質が剥離し易くなるのである。このため、水洗槽ＷＢ１への基板Ｗの降下速度を従来よりも速くすることができる。
【００４３】
次に、昇降機構４０が複数の基板Ｗを水洗槽ＷＢ１から完全に引き揚げると、基板搬送ロボットＴＲが基板Ｗを受け取って水洗槽ＦＲに搬送し、水洗槽ＦＲに付随して設けられた昇降機構４０に複数の基板Ｗを渡す。水洗槽ＦＲにおいても、水洗槽ＷＢ１における処理と同じ処理が行われる。従って、水洗槽ＦＲにおいても、基板Ｗが気液界面を通過するときの基板Ｗへの汚染物質の付着を抑制することができるとともに、水洗処理の効率を向上することができる。その結果、水洗槽ＦＲから引き揚げた後の基板Ｗに付着している汚染物質は著しく低減されており、基板Ｗの清浄度は極めて高いものとなっている。
【００４４】
その後、基板Ｗは、乾燥部ＳＤにて乾燥され、さらにアンローダー部ＵＬＤに搬送されて一連の洗浄処理が終了する。
【００４５】
以上のように、本発明に係る基板処理装置においては、処理槽の基板主面直交側壁１５ａに複数の排液口３１を設け、それら排液口３１は、基板の保持間隔と同じピッチに並べて配置されるようにしているので、複数の基板Ｗのそれぞれの主面の両側に位置する部分の処理液が優先的に槽外に流れ出ることとなる。その結果、基板Ｗ間に浮遊する汚染物質を効率よく槽外に排出することができ、基板Ｗが気液界面を通過してもその基板Ｗへの汚染物質の付着を抑制することができるとともに、処理槽内の処理液の流れを安定させて処理効率を向上することができるのである。
【００４６】
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明は上記の例に限定されるものではない。例えば、上記実施形態では、多槽式の基板処理装置について説明したが、本発明に係る基板処理装置はワンバスタイプの装置であってもよい。ワンバスタイプの装置においても、処理槽内の処理液の流れを安定させて処理効率を向上することができるとともに、最終の水洗処理終了後は、基板Ｗが気液界面を通過することになるため、そのときに基板Ｗへの汚染物質の付着を抑制することができる。すなわち、本発明に係る基板処理装置は、基板を処理槽中の処理液に浸漬させ、液流を形成しつつ浸漬処理を行う装置であって、気液界面を基板Ｗが通過する工程を実行するような装置であれば適用できるのである。
【００４７】
また、上記実施形態においては、薬液槽ＣＢ１や水洗槽ＷＢ１の基板主面直交側壁１５ａに設けられた前記排液口３１は、基板主面直交側壁１５ａの上端３０ａにおける次の位置の下方すなわち、基板主面直交側壁１５ａの上端３０ａにて、昇降機構４０によって保持されて処理槽１５内で浸漬処理される基板Ｗの主面を含む平面が基板主面直交側壁１５ａの上端３０ａと交わる位置の両側位置の下方に配置しており、この位置の下方が最適ではあるが、しかし、これに限定されるものではなく、例えば、昇降機構４０によって保持されて処理槽１５内で浸漬処理される基板Ｗの主面を含む平面が基板主面直交側壁１５ａの上端３０ａと交わる位置の下方に位置するようにしてもよい。
【００４８】
また、上記実施形態においては、排液口３１は、各々、開口形状は円形であるが、これに限定されるものではなく、例えば、楕円形とか、下向きの楔型のような三角形、その他の多角形等でもよい。
【００４９】
また、上記実施形態においては、排液口３１は、各々、薬液槽ＣＢ１や水洗槽ＷＢ１の内から外へ向かって開口面積が次第に小さくなるように、先細りテーパ状に開口しているが、処理槽の内から外へ向かって開口面積が次第に大きくなるように、先太りテーパ形状でもよく、あるいは、開口面積が変化しない形状でもよい。
【００５０】
また、上記実施形態においては、排液口３１は、各々、薬液槽ＣＢ１や水洗槽ＷＢ１の側壁体を、壁面に対し垂直に貫通形成しているが、処理槽の内から外に向かって、先下がりに傾斜して貫通させて排液速度を高めるようにしても良く、貫通する向きは限定されない。
【００５１】
また、上記実施形態においては、薬液槽ＣＢ１や水洗槽ＷＢ１の基板主面直交側壁１５に開口の排液口３１および、基板主面平行側壁１５ｂに開口の排液口３１は、各々、側壁内側の鉛直面に開口しているが、基板主面直交側壁１５や基板主面平行側壁１５ｂの各上端面に開口形状してもよい。
【００５２】
また、上記実施形態においては、薬液槽ＣＢ１や水洗槽ＷＢ１の基板主面直交側壁１５に開口の排液口３１および、基板主面平行側壁１５ｂに開口の排液口３１は、各々、側壁を貫通して処理槽外へ流れ落ちるようにしたが、個々の排液口３１が例えばポンプ等の吸引排気手段へ連通して、排液口３１から勢い強く流出するようにしてもよい。
【００５３】
また、上記実施形態においては、基板主面平行側壁１５ｂにも排液口３１を開口形成しているが、排液口３１は、基板主面平行側壁１５ｂに開口する排液口３１は必須のものではなく、薬液槽ＣＢ１や水洗槽ＷＢ１にて、少なくとも、昇降機構４０によって保持されて処理槽１５内で浸漬処理される基板Ｗの主面と直角な側壁である基板主面直交側壁１５ａに開口形成されていればよい。但し、処理内の薬液の濃度や純水の清浄度を均一に保つことが望ましく、このためには基板主面直交側壁１５ａおよび基板主面平行側壁１５ｂの全てから、すなわち槽壁の全周から均一に処理液を流し出すことが望ましい。そのためには、基板主面直交側壁１５ａおよび基板主面平行側壁１５ｂの全てに排液口３１を形成しておけば、容易に処理槽１５の全周から均一に処理液を流し出すことができるのである。
【００５４】
また、基板処理装置１００における処理手順も上述の説明に限定されるものではなく、例えば、さらに薬液槽ＣＢ２、水洗槽ＷＢ２を経由させるような手順であっても良いことは勿論である。
【００５５】
【発明の効果】
以上、説明したように、請求項１に記載の発明によれば、処理槽にて、少なくとも引き揚げ手段によって保持される前記複数の基板の主面を含む平面と交わる側壁に、複数の排液口を設け、前記複数の排液口は、処理液がオーバーフロする前記側壁の上端近くに、前記引き揚げ手段によって保持される前記複数の基板の保持間隔と同じピッチに並べて配置しているため、基板周辺に浮遊する汚染物質を効率よく槽外に排出することができ、基板が気液界面を通過してもその基板への汚染物質の付着を抑制することができるとともに、処理槽内の処理液の流れを安定させて処理効率を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る基板処理装置の一例を示す正面図である。
【図２】図１の基板処理装置の水洗槽の要部構成を示す正面図である。
【図３】図１の基板処理装置の水洗槽の要部構成を示す側面図である。
【図４】処理槽から処理液が流れ出る様子を示す側面図である。
【図５】処理槽から処理液が流れ出る様子を示す平面図である。
【図６】処理槽内の処理液の流れの様子を示す図である。
【図７】従来において、基板に付着していた縦筋状パーティクルを示す図である。
【符号の説明】
１５ａ 基板主面交差側壁
１５ｂ 基板主面平行側壁
２０ 吐出ノズル
３１ 排液口
４０ 昇降機構
１００ 基板処理装置
ＣＢ１、ＣＢ２ 薬液槽
ＷＢ１、ＷＢ２、ＦＲ 水洗槽
Ｗ 基板

Claims (1)

1. 基板を処理液中に浸漬させることによって浸漬処理を行う基板処理装置であって、
   （ａ）前記処理液が貯留されて基板が浸漬される処理槽と、
   （ｂ）前記処理槽の底部に設けられ、前記処理槽内に処理液を供給する処理液供給手段と、
   （ｃ）前記基板を保持し、前記処理槽の内部と前記処理槽の上方との間で前記基板を昇降させる昇降手段と、
   を備え、
   前記処理槽にて、少なくとも前記引き揚げ手段によって保持される前記複数の基板の主面を含む平面と交わる側壁に、複数の排液口を設け、
   前記複数の排液口は、処理液がオーバーフロする前記側壁の上端の近くに、前記引き揚げ手段によって保持される前記複数の基板の保持間隔と同じピッチに並べて、配置されていることを特徴とする基板処理装置。

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