JP2928210B1 - 半導体基板の不純物拡散処理方法および半導体製造装置 - Google Patents

半導体基板の不純物拡散処理方法および半導体製造装置

Info

Publication number
JP2928210B1
JP2928210B1 JP10019928A JP1992898A JP2928210B1 JP 2928210 B1 JP2928210 B1 JP 2928210B1 JP 10019928 A JP10019928 A JP 10019928A JP 1992898 A JP1992898 A JP 1992898A JP 2928210 B1 JP2928210 B1 JP 2928210B1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor substrate
gas
impurity diffusion
boat
semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP10019928A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH11219913A (ja
Inventor
繁章 井手
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Kyushu Ltd
Original Assignee
NEC Kyushu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Kyushu Ltd filed Critical NEC Kyushu Ltd
Priority to JP10019928A priority Critical patent/JP2928210B1/ja
Priority to KR1019990003163A priority patent/KR100323580B1/ko
Priority to US09/240,988 priority patent/US6348397B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2928210B1 publication Critical patent/JP2928210B1/ja
Publication of JPH11219913A publication Critical patent/JPH11219913A/ja
Priority to US10/001,798 priority patent/US6506256B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68771—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting more than one semiconductor substrate

Abstract

【要約】 【課題】 不純物濃度の面内均一性を向上させることに
より、半導体装置の歩留りを向上させる。 【解決手段】 石英ボート３の柱部３２の内側に、水平
面の垂直方向に対して０°〜１０°（水平方向に対して
は８０°〜９０°）の角度を有するように溝３２Ａを設
け、この溝３２Ａから半導体基板２を挿入して半導体基
板２を立てて支持する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板の不純
物拡散処理方法および半導体製造装置に関し、特に、不
純物濃度の面内均一性を向上させることにより、半導体
装置としての歩留りの向上を図るようにした半導体基板
の不純物拡散処理方法および半導体製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、縦型拡散炉を用いて半導体基板表
面に不純物の拡散処理を行う半導体製造装置がある。図
４および図５は、この半導体製造装置を示す図であり、
図４はその概略断面図、図５はその上面図である。図に
示すように、この半導体製造装置は、燐等の不純物の拡
散処理を行う炉芯管１と、炉芯管１内にあって半導体基
板２を支持する石英ボート３と、不純物の発生源となる
不純物ソース（ＰＯＣｌ3 等）を蓄える不純物ソース容
器４と、不純物ソース容器４内に供給される窒素ガスの
流量を制御するマス・フロー・コントローラー（以下、
ＭＦＣという）５と、不純物ソース容器４に蓄えられた
不純物ソースを不純物ガスとして炉芯管１内に供給する
ためのガスインジェクター６と、酸素，窒素等の副ガス
を炉芯管１内に供給するためのガス供給管７と、炉芯管
１内を所定の温度に加熱するためのヒーター８とから構
成されている。
【０００３】以上の構成において、半導体基板２は石英
ボート３に水平に支持されており、ガスインジェクター
６には、ガス吹出口６Ａが長手方向に並んで複数個設け
られており、炉芯管１の長手方向に均一に、かつ、炉芯
管１の中心部に向かってガスが水平に吹き出す構造とな
っている。
【０００４】この半導体製造装置における半導体基板表
面への不純物の拡散処理は以下のようにして行われる。
まず、複数枚（１００〜２００枚）の半導体基板２がガ
スインジェクター６のガス吹出口６Ａの方向に対して水
平に装填された石英ボード３を、ヒーター８により所定
の温度に高温加熱された炉芯管１内に挿入し、所定の回
転数で回転させる。次に、ＭＦＣ５によって窒素を不純
物ソース容器４内に吹き込み不純物ソースを気化させ、
気化させた不純物ガスをガスインジェクター６を介して
炉芯管１内に供給する。同時に、ガス供給管７を介し
て、酸素、窒素等の副ガスを炉芯管１内に供給する。導
入された酸素は半導体基板２の表面で不純物ガスと反応
し、半導体基板２上には、例えば、燐ガラス層等の不純
物を含んだガラス層が形成される。その後、ガラス層中
の不純物は熱拡散により半導体基板２中に拡散する。こ
のようにして、不純物の拡散処理を行う。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
半導体製造装置によると、半導体基板周辺部に拡散され
た不純物濃度に比べ、中央部では濃度が低くなり、不純
物濃度の面内均一性が劣るという問題がある。即ち、半
導体基板の周辺部は常に不純物ガスの吹き出し口から近
い距離を回転するのに対し、半導体基板の中央部はその
半径に相当する分、常に不純物ガスの吹き出し口から遠
い距離で処理が進む。その結果、不純物濃度が半導体基
板の周辺部と中央部で不均一になってしまう。
【０００６】図５を参照して言えば、６インチの半導体
基板の場合、最外周部と中央部で吹き出し口からの距離
は７５ｍｍ異なることになる。この場合、酸素や窒素と
異なり、例えば、燐酸塩（ＰＯＣｌ3 ）等の不純物ガス
はその原子量が大きいため、平均自由工程が小さく、距
離が遠くなるにつれ到達する分子の数は小さくなる。つ
まり、不純物ガスの吹き出し口から近い距離を回転する
半導体基板の周辺部では、不純物分子が豊富に存在する
ため十分に燐拡散が進むのに対し、吹き出し口から常に
遠い距離にある中央部は不純物分子の量が少なくなり燐
の拡散が十分に行われなくなる。
【０００７】このように、不純物濃度の面内均一性が劣
ると、この工程を経て作成される半導体製造装置のトラ
ンジスタ特性が面内で異なり、その結果、半導体装置と
しての歩留りを劣化させることになる。
【０００８】従って、本発明の目的は、不純物濃度の面
内均一性を向上させることにより、半導体装置の歩留り
を向上させることができる半導体基板の不純物拡散処理
方法および半導体製造装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】かかる目的を達成するた
め、請求項１記載の発明の半導体基板の不純物拡散処理
方法は、拡散すべき不純物を含むガスの噴き出し方向と
各半導体基板の水平面に立てた垂線とのなす角度が０度
以上１０度以下となるようにした状態で、ガスの噴き出
し方向に対して回転軸が垂直となるように各半導体基板
を回転させてこの半導体基板に不純物を拡散させること
を特徴としている。
【００１０】また、上記のガスは、複数のガス噴き出し
口を持つガスインジェクターから噴き出し、さらに、半
導体基板は、回転するボートの表面に放射状、且つ、多
段に配置するとよい。
【００１１】請求項４記載の発明の不純物拡散処理装置
は、拡散すべき不純物を含むガスを噴き出すガスインジ
ェクターと、このガスインジェクターからのガスの噴き
出し方向と各半導体基板の水平面に立てた垂線とのなす
角度が０度以上１０度以下となるように各半導体基板を
保持し、且つガスの噴き出し方向に対して回転軸が垂直
となるように各半導体基板を回転させるボートとを有す
ることを特徴としている。
【００１２】また、上記のガスは、複数のガス噴き出し
口を持つガスインジェクターから噴き出するとよい。
【００１３】さらに、上記の半導体基板は、ボートの表
面に放射状、且つ、多段に配置するとよい。
【００１４】なお、ボートは、石英、炭化珪素あるいは
多結晶シリコンで構成され、さらに、各半導体基板の底
部を支える第１の溝が形成された梁部と半導体基板の側
面を位置決めし、ガスの噴き出し方向に対して各半導体
基板の水平方向に立てた垂線とのなす角度が０度以上１
０度以下となるように規定する第２の溝が形成された柱
部とを有するとよい。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図
面を参照しながら詳細に説明する。図１〜図３は、本発
明の実施の形態に係る半導体製造装置を示す図であり、
図１はその断面図、図２はその上面図、図３は図１の一
部斜視拡大図である。
【００１６】図４および図５と同一のものには同一の符
号を付したので重複する説明は省略するが、本実施の形
態では、石英ボート３に半導体基板２を略垂直に立てて
装填するようにした点において従来の半導体製造装置と
異なる。
【００１７】即ち、図３に示すように、石英ボート３に
は、半導体基板２を下部で支持する溝３１Ａが梁部３１
の上部に設けられ、半導体基板２を側部から支持する溝
３２Ａが柱部３２の内側に設けられている。この柱部３
２の内側に設けられた溝３２Ａは、水平面の垂直方向に
対して０°〜１０°（水平方向に対しては８０°〜９０
°である）の角度（０〜９０までの絶対値表現）を有す
るように設けられており、半導体基板２を斜め上方向か
ら容易に装填し取り出すことができるようになってい
る。なお、石英ボート３は、エレベータ（図示せず）に
よって上昇，下降するようになっており、そのエレベー
タは、石英ボート３を回転させながら処理するための回
転機構を有している。
【００１８】以上の構成に基づいて、本発明の実施の形
態に係る半導体製造装置による半導体基板表面への不純
物の拡散処理は以下のように行われる。まず、複数枚
（石英ボートの１段に３〜８枚×３〜２０段）の半導体
基板２を石英ボート３に立てて装填する。即ち、半導体
基板２を石英ボート３の柱部３２の溝３２Ａから挿入
し、これと梁部３１の溝３１Ａによって半導体基板２を
立てて支持する。この立てて装填された石英ボート３
を、所定の温度（８００℃〜１０００℃）に高温加熱さ
れた炉芯管１内に挿入し、１〜１０ｒｐｍの回転数で回
転させる。次に、不純物ソース容器内４にＭＦＣ５によ
り、所定流量（１〜５Ｌ／ｍｉｎ）の窒素ガスを導入
し、不純物ガスを発生させる。発生した不純物ガスはガ
スインジェクター６を介し、炉芯管１内に供給される。
【００１９】このとき、前述したように、半導体基板２
は石英ボート３に立てて装填されており、全ての半導体
基板２の表面は常に外側（不純物ガスの吹出口６Ａ方
向）を向いて回転するため、半導体基板２の表面の周辺
部，中心部とも不純物ガスの吹出口６Ａからの距離がほ
ぼ一様となり、均一に不純物ガスが供給される。例え
ば、直径１５０ｍｍの半導体基板２を処理する際、図５
の場合、半導体基板２の最外周部と中央部では吹出口６
Ａからの距離が７５ｍｍ異なるのに対し、本実施の形態
のように略垂直に立てて装填した場合は、図２に示す通
り、一段に４枚装填の場合で、回転の中心からみた半導
体基板２の最外周部と中央部の差は３１ｍｍと小さくな
る。１段当たりの装填枚数を増やすとその差はさらに小
さくなる。
【００２０】炉芯管１内にはガス供給管７を介し、酸素
（０．１〜５Ｌ／ｍｉｎ）、窒素（５〜３０Ｌ／ｍｉ
ｎ）等の副ガスが供給され、半導体基板２の表面で不純
物ガスと反応し、半導体基板２の表面に燐ガラス等の不
純物を含むガラス層が形成され、その後の熱処理で半導
体基板２内に不純物が拡散される。半導体基板２内に拡
散された不純物は、その後の熱処理で活性化され、Ｎ型
不純物（ドナー）として電子伝導に寄与する。
【００２１】なお、縦型拡散炉において不純物の拡散処
理を行う場合、半導体基板中に目的とする不純物以外の
不純物（金属類やアルカリイオン等）が拡散するのを防
止する必要がある。このため、本実施の形態において
は、クランプ等の複雑な機構によらず高純度の石英ボー
トを用いて、かつ、簡単な構造で半導体基板を支持する
ようにしている。石英ボートに代わる材質としては、高
純度の炭化珪素または多結晶シリコン等がある。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明の半導体基
板の不純物拡散処理方法および半導体製造装置によれ
ば、拡散すべき不純物を含むガスの噴き出し方向と各半
導体基板の水平面に立てた垂線とのなす角度を０度以上
１０度以下とし、ガスの噴き出し方向に対して回転軸を
垂直とした各半導体基板を回転させて不純物を拡散させ
ている。このため、本発明による不純物拡散処理を施し
て作成された半導体装置のトランジスタ特性の面内均一
性を向上させ、その結果、半導体装置の歩留りを向上さ
せることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態に係る半導体製造装置の断
面図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る半導体製造装置の上
面図である。
【図３】図１の一部斜視拡大図である。
【図４】従来の半導体製造装置の断面図である。
【図５】従来の半導体製造装置の上面図である。
【符号の説明】
１ 炉芯管 ２ 半導体基板 ３ 石英ボート ４ 不純物ソース容器 ５ マス・フロー・コントローラー（ＭＦＣ） ６ ガスインジェクター ６Ａ ガス吹き出し口 ７ ガス供給管 ８ ヒーター

Claims (8)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 拡散すべき不純物を含むガスの噴き出し
    方向と各半導体基板の水平面に立てた垂線とのなす角度
    が０度以上１０度以下となるようにした状態で、前記ガ
    スの噴き出し方向に対して回転軸が垂直となるように前
    記各半導体基板を回転させて該半導体基板に前記不純物
    を拡散させることを特徴とする半導体基板の不純物拡散
    処理方法。
  2. 【請求項２】 前記ガスは、複数のガス噴き出し口を持
    つガスインジェクターから噴き出されるものであること
    を特徴とする請求項１記載の半導体基板の不純物拡散処
    理方法。
  3. 【請求項３】 前記半導体基板は、回転するボートの表
    面に放射状、且つ、多段に配置されることを特徴とする
    請求項１記載の半導体基板の不純物拡散処理方法。
  4. 【請求項４】 拡散すべき不純物を含むガスを噴き出す
    ガスインジェクターと、該ガスインジェクターからの前
    記ガスの噴き出し方向と各半導体基板の水平面に立てた
    垂線とのなす角度が０度以上１０度以下となるように前
    記各半導体基板を保持し、且つ前記ガスの噴き出し方向
    に対して回転軸が垂直となるように前記各半導体基板を
    回転させるボートとを有することを特徴とする不純物拡
    散処理装置。
  5. 【請求項５】 前記ガスは、複数のガス噴き出し口を持
    つガスインジェクターから噴き出されるものであること
    を特徴とする請求項４記載の不純物拡散処理装置。
  6. 【請求項６】 前記半導体基板は、前記ボートの表面に
    放射状、且つ、多段に配置されることを特徴とする請求
    項４記載の不純物拡散処理装置。
  7. 【請求項７】 前記ボートは、石英、炭化珪素あるいは
    多結晶シリコンで構成されていることを特徴とする請求
    項４記載の不純物拡散処理装置。
  8. 【請求項８】 前記ボートは、前記各半導体基板の底部
    を支える第１の溝が形成された梁部と前記半導体基板の
    側面を位置決めし、前記ガスの噴き出し方向に対して各
    半導体基板の水平方向に立てた垂線とのなす角度が０度
    以上１０度以下となるように規定する第２の溝が形成さ
    れた柱部とを有することを特徴とする 請求項４記載の不
    純物拡散処理装置。
JP10019928A 1998-01-30 1998-01-30 半導体基板の不純物拡散処理方法および半導体製造装置 Expired - Fee Related JP2928210B1 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10019928A JP2928210B1 (ja) 1998-01-30 1998-01-30 半導体基板の不純物拡散処理方法および半導体製造装置
KR1019990003163A KR100323580B1 (ko) 1998-01-30 1999-01-30 반도체기판의 불순물확산처리방법 및 반도체제조장치
US09/240,988 US6348397B2 (en) 1998-01-30 1999-02-01 Method for diffusion of an impurity into a semiconductor wafer with high in-plane diffusion uniformity
US10/001,798 US6506256B2 (en) 1998-01-30 2001-12-05 Method and apparatus for diffusion of an impurity into a semiconductor wafer with high in-plane diffusion uniformity

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10019928A JP2928210B1 (ja) 1998-01-30 1998-01-30 半導体基板の不純物拡散処理方法および半導体製造装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2928210B1 true JP2928210B1 (ja) 1999-08-03
JPH11219913A JPH11219913A (ja) 1999-08-10

Family

ID=12012895

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10019928A Expired - Fee Related JP2928210B1 (ja) 1998-01-30 1998-01-30 半導体基板の不純物拡散処理方法および半導体製造装置

Country Status (3)

Country Link
US (2) US6348397B2 (ja)
JP (1) JP2928210B1 (ja)
KR (1) KR100323580B1 (ja)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2928210B1 (ja) * 1998-01-30 1999-08-03 九州日本電気株式会社 半導体基板の不純物拡散処理方法および半導体製造装置
KR20030002070A (ko) * 2001-06-30 2003-01-08 삼성전자 주식회사 원심력을 이용한 비점착 웨이퍼 건조방법 및 장치
US7200662B2 (en) * 2001-07-06 2007-04-03 Juniper Networks, Inc. Integrated rule network management system
US6726468B2 (en) 2002-09-25 2004-04-27 Silterra Malaysia Sdn. Bhd. Pre-heating dilution gas before mixing with steam in diffusion furnace
US20050205501A1 (en) * 2004-03-18 2005-09-22 Juan Chuang Reformed wafer boat
KR101508789B1 (ko) * 2009-01-09 2015-04-06 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 이를 제작하기 위한 제조 방법
US9441295B2 (en) * 2010-05-14 2016-09-13 Solarcity Corporation Multi-channel gas-delivery system
WO2013083196A1 (en) * 2011-12-08 2013-06-13 Applied Materials, Inc. Substrate holder for full area processing, carrier and method of processing substrates
US9972740B2 (en) 2015-06-07 2018-05-15 Tesla, Inc. Chemical vapor deposition tool and process for fabrication of photovoltaic structures
US9748434B1 (en) 2016-05-24 2017-08-29 Tesla, Inc. Systems, method and apparatus for curing conductive paste
US9954136B2 (en) 2016-08-03 2018-04-24 Tesla, Inc. Cassette optimized for an inline annealing system
US10115856B2 (en) 2016-10-31 2018-10-30 Tesla, Inc. System and method for curing conductive paste using induction heating
CN111816593B (zh) * 2020-07-28 2023-03-14 福建晶安光电有限公司 提高晶片蚀刻均匀性的方法及装置

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2561041B1 (fr) * 1984-03-12 1986-08-01 Servin Sa Appareil d'enfournement de nacelles-supports de disques de silicium a l'interieur d'un four de diffusion gazeuse, utilise pour la fabrication de micro-circuits integres
JPH04350927A (ja) * 1991-05-29 1992-12-04 Fuji Electric Co Ltd 半導体ウェーハの熱処理装置
JPH0547685A (ja) * 1991-08-07 1993-02-26 Rohm Co Ltd 半導体ウエハへの不純物拡散方法
JPH06183883A (ja) 1992-12-14 1994-07-05 Canon Inc エピタキシャル成長装置
US5444217A (en) * 1993-01-21 1995-08-22 Moore Epitaxial Inc. Rapid thermal processing apparatus for processing semiconductor wafers
JP3137164B2 (ja) * 1994-06-02 2001-02-19 信越半導体株式会社 熱処理炉
JPH08227860A (ja) 1995-02-21 1996-09-03 Hiroshima Nippon Denki Kk 縦型熱処理炉用ボート及び熱処理方法
JPH08316222A (ja) 1995-05-19 1996-11-29 Tokyo Electron Ltd 熱処理方法及びその装置
US5645417A (en) * 1995-10-09 1997-07-08 Micron Technology, Inc. Dimpled thermal processing furnace tube
KR970072061A (ko) * 1996-04-16 1997-11-07 김광호 반도체 제조 공정에 사용되는 확산로
JPH1019928A (ja) * 1996-07-03 1998-01-23 Denki Kagaku Kogyo Kk クリーニング部材及びそれを用いたクリーニング方法
JP3110316B2 (ja) * 1996-07-25 2000-11-20 日本電気株式会社 外部燃焼酸化装置
US6110289A (en) * 1997-02-25 2000-08-29 Moore Epitaxial, Inc. Rapid thermal processing barrel reactor for processing substrates
US5849582A (en) * 1997-05-01 1998-12-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Baking of photoresist on wafers
JPH1167750A (ja) * 1997-08-22 1999-03-09 Kokusai Electric Co Ltd 外部燃焼装置、外部燃焼方法、外部燃焼装置を備える処理装置および外部燃焼装置を用いた処理方法
JP3492172B2 (ja) 1997-12-02 2004-02-03 花王株式会社 光ディスク
JPH11238728A (ja) * 1997-12-16 1999-08-31 Fujitsu Ltd 半導体デバイスの製造の際に使用される熱処理治具及びその製造法
JP2928210B1 (ja) * 1998-01-30 1999-08-03 九州日本電気株式会社 半導体基板の不純物拡散処理方法および半導体製造装置
US6129048A (en) * 1998-06-30 2000-10-10 Memc Electronic Materials, Inc. Susceptor for barrel reactor
US6045619A (en) * 1998-12-15 2000-04-04 United Microelectronics Corp. Horizontal-type silicon-nitride furnace
JP2001085346A (ja) * 1999-09-17 2001-03-30 Nec Kyushu Ltd 半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR19990068233A (ko) 1999-08-25
US20010055865A1 (en) 2001-12-27
US6348397B2 (en) 2002-02-19
KR100323580B1 (ko) 2002-02-19
JPH11219913A (ja) 1999-08-10
US6506256B2 (en) 2003-01-14
US20020042190A1 (en) 2002-04-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2928210B1 (ja) 半導体基板の不純物拡散処理方法および半導体製造装置
KR100272848B1 (ko) 화학증착장치
US6413884B1 (en) Method of producing thin films using current of process gas and inert gas colliding with each other
JP3184000B2 (ja) 薄膜の形成方法およびその装置
JP2008258595A (ja) 基板処理装置
JP2001274107A (ja) 拡散炉
JPH03287770A (ja) 枚葉式常圧ｃｖｄ装置
JPH09129562A (ja) 成膜装置及びその方法
JP2007243201A (ja) 横断流ライナを備えた熱加工装置
JP6770617B1 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板保持具
JP2000294511A (ja) 半導体装置の製造装置
KR20210132726A (ko) 수소 보조 대기 라디칼 산화
JP2011187884A (ja) 基板処理装置
JPH0786173A (ja) 成膜方法
JP3093695B2 (ja) 縦型拡散炉及び拡散方法
JP7048690B2 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板保持具
EP1025279A1 (en) Introducing process fluid over rotating substrates
JP4083331B2 (ja) 半導体装置の製造装置
JP2011071412A (ja) 基板処理装置
JP2005056908A (ja) 基板処理装置
JP3081969B2 (ja) 熱処理方法
US20230227979A1 (en) Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, method of processing substrate, and recording medium
US20230253222A1 (en) Gas supplier, processing apparatus, and method of manufacturing semiconductor device
JP2009277958A (ja) 成膜装置及び成膜方法
JPS5817614A (ja) 気相成長膜形成装置

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 19990420

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees