JP2001234395A - ウェハーめっき装置 - Google Patents
ウェハーめっき装置Info
- Publication number
- JP2001234395A JP2001234395A JP2000050949A JP2000050949A JP2001234395A JP 2001234395 A JP2001234395 A JP 2001234395A JP 2000050949 A JP2000050949 A JP 2000050949A JP 2000050949 A JP2000050949 A JP 2000050949A JP 2001234395 A JP2001234395 A JP 2001234395A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- plating
- support
- plated
- periphery
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000007747 plating Methods 0.000 title claims abstract description 181
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 12
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 141
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 241000283986 Lepus Species 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/001—Apparatus specially adapted for electrolytic coating of wafers, e.g. semiconductors or solar cells
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/06—Suspending or supporting devices for articles to be coated
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/288—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 ウェハーめっき装置におけるめっき対象面周
縁に滞留するエアーを除去し、シード金属付きウェハー
であってもめっき対象面周縁にまで均一なめっき処理が
できるウェハーめっき装置を提供する。 【解決手段】 ウェハー４を保持するウェハークランプ
６と、めっき対象面５の周縁を支持するできるようにな
っている断面Ｌ形状のウェハー支持部１０を有するウェ
ハー支持具７と、めっき液を上部開口からオーバーフロ
ーさせながら循環するめっき槽２とを備え、ウェハーク
ランプ６とウェハー支持具７とによりウェハー４を挟持
した状態で、めっき対象面５を下向きにしてめっき液面
に接触させて処理を行うものであるウェハーめっき装置
において、ウェハー支持具７には、めっき液面とウェハ
ー７とが接触する際に、めっき対象面５の周縁へ滞留す
るエアーを放出するためのエアー抜き溝１２をウェハー
支持部１０の下端に設けた。
縁に滞留するエアーを除去し、シード金属付きウェハー
であってもめっき対象面周縁にまで均一なめっき処理が
できるウェハーめっき装置を提供する。 【解決手段】 ウェハー４を保持するウェハークランプ
６と、めっき対象面５の周縁を支持するできるようにな
っている断面Ｌ形状のウェハー支持部１０を有するウェ
ハー支持具７と、めっき液を上部開口からオーバーフロ
ーさせながら循環するめっき槽２とを備え、ウェハーク
ランプ６とウェハー支持具７とによりウェハー４を挟持
した状態で、めっき対象面５を下向きにしてめっき液面
に接触させて処理を行うものであるウェハーめっき装置
において、ウェハー支持具７には、めっき液面とウェハ
ー７とが接触する際に、めっき対象面５の周縁へ滞留す
るエアーを放出するためのエアー抜き溝１２をウェハー
支持部１０の下端に設けた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体用のウェーハ
にめっきを施すウェハーめっき装置に関するものであ
る。
にめっきを施すウェハーめっき装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来より、半導体用のウェハーにめっき
を施す装置として、めっき槽からオーバーフローするめ
っき液面に対して、ウェハーのめっき対象面を下向きに
して接触させ、めっき処理を行うものが知られている。
を施す装置として、めっき槽からオーバーフローするめ
っき液面に対して、ウェハーのめっき対象面を下向きに
して接触させ、めっき処理を行うものが知られている。
【０００３】具体的には、図９に示すようなウェハーめ
っき装置で、ウェハー４のめっき対象面５を下向きにし
てウェハー４を保持するウェハークランプ６と、めっき
対象面５の周縁を全周に渡って支持できるようになって
いるウェハー支持具７と、めっき液を上部開口からオー
バーフローしながら循環できるようになっているめっき
槽２とを備えおり、ウェハークランプ６とウェハー支持
具７とによりウェハー４を挟持した状態で、めっき対象
面５を下向きにしてめっき液面に接触させながらめっき
処理を行うようになっている。
っき装置で、ウェハー４のめっき対象面５を下向きにし
てウェハー４を保持するウェハークランプ６と、めっき
対象面５の周縁を全周に渡って支持できるようになって
いるウェハー支持具７と、めっき液を上部開口からオー
バーフローしながら循環できるようになっているめっき
槽２とを備えおり、ウェハークランプ６とウェハー支持
具７とによりウェハー４を挟持した状態で、めっき対象
面５を下向きにしてめっき液面に接触させながらめっき
処理を行うようになっている。
【０００４】このウェハーめっき装置は、めっき処理
後、めっき液からウェハー４を離し、そして、ウェハー
４を回転することことで、めっき対象面５に付着するめ
っき液を除去することができる。そのため、めっき液に
溶解されやすいめっき被膜を処理した場合、ウェハー４
の交換作業時に付着しためっき液によって、そのめっき
処理された被覆が溶解されることが無く、めっき外観も
良好で、後処理における洗浄工程を簡略できるという特
徴がある。また、めっき処理中に、ウェハー４を回転さ
せることによって、めっき対象面５の全面に均一なめっ
き処理を施すこともできるという利点も有している。
後、めっき液からウェハー４を離し、そして、ウェハー
４を回転することことで、めっき対象面５に付着するめ
っき液を除去することができる。そのため、めっき液に
溶解されやすいめっき被膜を処理した場合、ウェハー４
の交換作業時に付着しためっき液によって、そのめっき
処理された被覆が溶解されることが無く、めっき外観も
良好で、後処理における洗浄工程を簡略できるという特
徴がある。また、めっき処理中に、ウェハー４を回転さ
せることによって、めっき対象面５の全面に均一なめっ
き処理を施すこともできるという利点も有している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかながら、このよう
なウェハーめっき装置のウェハー支持具７は、一般的に
断面Ｌ形状のウェハー支持部１０を有しているので、こ
のウェハー支持部１０とめっき対象面５とで角部Ｃを形
成することになる。この角部Ｃには、めっき液中に含ま
れるエアーが滞留する現象を生じる。めっき液は、めっ
き対象面５の周縁方向へ流動するため、僅かな段差であ
る角部Ｃに、めっき液の流動が滞留しやすくなり、めっ
き液中に含まれるエアーも角部Ｃに滞留するのである。
このように周縁へ滞留しやすいエアーは、その部分にお
いて不均一なめっき処理の原因となり、めっき処理面
積、即ち、ウェハーの使用可能面積を小さくし、製造歩
留的に好ましものではない。
なウェハーめっき装置のウェハー支持具７は、一般的に
断面Ｌ形状のウェハー支持部１０を有しているので、こ
のウェハー支持部１０とめっき対象面５とで角部Ｃを形
成することになる。この角部Ｃには、めっき液中に含ま
れるエアーが滞留する現象を生じる。めっき液は、めっ
き対象面５の周縁方向へ流動するため、僅かな段差であ
る角部Ｃに、めっき液の流動が滞留しやすくなり、めっ
き液中に含まれるエアーも角部Ｃに滞留するのである。
このように周縁へ滞留しやすいエアーは、その部分にお
いて不均一なめっき処理の原因となり、めっき処理面
積、即ち、ウェハーの使用可能面積を小さくし、製造歩
留的に好ましものではない。
【０００６】また、従来のウェハーめっき装置では、上
述したエアーの影響を小さくするため、めっき対象面に
滞留するエアーが、ある程度外部に排出されるまでの
間、めっき処理を開始しないようにしている。このた
め、めっき対象面に予めＣｕなどの金属膜を被覆したも
の、いわゆるシード金属が被覆されたウェハーに対し
て、シード金属を溶解するようなめっき液を用いて処理
すると、エアーを排出する間に、めっき液と接触したシ
ード金属が溶解され、均一なめっき処理を行えないこと
もある。
述したエアーの影響を小さくするため、めっき対象面に
滞留するエアーが、ある程度外部に排出されるまでの
間、めっき処理を開始しないようにしている。このた
め、めっき対象面に予めＣｕなどの金属膜を被覆したも
の、いわゆるシード金属が被覆されたウェハーに対し
て、シード金属を溶解するようなめっき液を用いて処理
すると、エアーを排出する間に、めっき液と接触したシ
ード金属が溶解され、均一なめっき処理を行えないこと
もある。
【０００７】そこで、本発明は、従来のウェハーめっき
装置におけるめっき対象面周縁に滞留するエアーを除去
する技術を提供し、めっき対象面周縁にまで、より均一
なめっき処理が可能となり、ウェハーにシード金属が被
覆されていてもシード金属の溶解を極力低減させてめっ
き処理が行えるウェハーめっき装置を提供しようとする
ものである。
装置におけるめっき対象面周縁に滞留するエアーを除去
する技術を提供し、めっき対象面周縁にまで、より均一
なめっき処理が可能となり、ウェハーにシード金属が被
覆されていてもシード金属の溶解を極力低減させてめっ
き処理が行えるウェハーめっき装置を提供しようとする
ものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上述する課題に対して、
本発明者らは次のようなウェハーめっき装置を提供する
に至った。まず、初めに第一の発明として、ウェハーの
めっき対象面を下向きにしてウェハーを保持するウェハ
ークランプと、めっき対象面の周縁を全周に渡って支持
できるようになっている断面Ｌ形状のウェハー支持部を
有するウェハー支持具と、めっき液を上部開口からオー
バーフローさせながら循環するようになっているめっき
槽とを備え、ウェハークランプとウェハー支持具とによ
りウェハーを挟持した状態で、めっき対象面を下向きに
してめっき液面に接触させながらめっき処理を行うもの
であるウェハーめっき装置において、ウェハー支持具に
は、めっき液面とウェハーとが接触する際に、めっき対
象面の周縁へ滞留するエアーを放出するためのエアー抜
き溝がウェハー支持部の下端に設けられたものとしたの
である。
本発明者らは次のようなウェハーめっき装置を提供する
に至った。まず、初めに第一の発明として、ウェハーの
めっき対象面を下向きにしてウェハーを保持するウェハ
ークランプと、めっき対象面の周縁を全周に渡って支持
できるようになっている断面Ｌ形状のウェハー支持部を
有するウェハー支持具と、めっき液を上部開口からオー
バーフローさせながら循環するようになっているめっき
槽とを備え、ウェハークランプとウェハー支持具とによ
りウェハーを挟持した状態で、めっき対象面を下向きに
してめっき液面に接触させながらめっき処理を行うもの
であるウェハーめっき装置において、ウェハー支持具に
は、めっき液面とウェハーとが接触する際に、めっき対
象面の周縁へ滞留するエアーを放出するためのエアー抜
き溝がウェハー支持部の下端に設けられたものとしたの
である。
【０００９】第一の発明におけるエアー抜き溝とは、断
面Ｌ形状のウェハー支持部を、めっき対象面の周縁に沿
って、いわゆる櫛歯形状に形成したものをいうものであ
る。ウェハー支持部はめっき対象面と僅かな段差を有す
るものであるが、この第一の発明におけるエアー抜き溝
は、この段差を極力小さくした状態とされた箇所をウェ
ハー支持部の下端に形成するものである。従って、周縁
に滞留しようとするエアーが、このエアー抜き溝を通過
してウェハー支持部の外側に放出され、めっき対象面の
周縁に滞留しなくなるのである。この場合において、エ
アー抜き溝の形状や溝の数に特に制約はなく、ウェハー
形状の大小、めっき液の違いによるエアーの発生量等を
考慮して、適宜、最適形状等を決定すればよいものであ
る。
面Ｌ形状のウェハー支持部を、めっき対象面の周縁に沿
って、いわゆる櫛歯形状に形成したものをいうものであ
る。ウェハー支持部はめっき対象面と僅かな段差を有す
るものであるが、この第一の発明におけるエアー抜き溝
は、この段差を極力小さくした状態とされた箇所をウェ
ハー支持部の下端に形成するものである。従って、周縁
に滞留しようとするエアーが、このエアー抜き溝を通過
してウェハー支持部の外側に放出され、めっき対象面の
周縁に滞留しなくなるのである。この場合において、エ
アー抜き溝の形状や溝の数に特に制約はなく、ウェハー
形状の大小、めっき液の違いによるエアーの発生量等を
考慮して、適宜、最適形状等を決定すればよいものであ
る。
【００１０】次に、本発明者らは第二の発明として、ウ
ェハーのめっき対象面を下向きにしてウェハーを保持す
るウェハークランプと、めっき対象面の周縁を全周に渡
って支持できるようになっている断面Ｌ形状のウェハー
支持部を有するウェハー支持具と、めっき液を上部開口
からオーバーフローさせながら循環するようになってい
るめっき槽とを備え、ウェハークランプとウェハー支持
具とによりウェハーを挟持した状態で、めっき対象面を
下向きにしてめっき液面に接触させ、ウェハーを回転さ
せながらめっき処理を行うものであるウェハーめっき装
置において、ウェハー支持具には、めっき液面とウェハ
ーとが接触する際にめっき対象面の周縁へ滞留するエア
ーを放出するための螺旋溝がウェハー支持部の内周面側
に設けられたものとした。
ェハーのめっき対象面を下向きにしてウェハーを保持す
るウェハークランプと、めっき対象面の周縁を全周に渡
って支持できるようになっている断面Ｌ形状のウェハー
支持部を有するウェハー支持具と、めっき液を上部開口
からオーバーフローさせながら循環するようになってい
るめっき槽とを備え、ウェハークランプとウェハー支持
具とによりウェハーを挟持した状態で、めっき対象面を
下向きにしてめっき液面に接触させ、ウェハーを回転さ
せながらめっき処理を行うものであるウェハーめっき装
置において、ウェハー支持具には、めっき液面とウェハ
ーとが接触する際にめっき対象面の周縁へ滞留するエア
ーを放出するための螺旋溝がウェハー支持部の内周面側
に設けられたものとした。
【００１１】この第二の発明におけるウェハー支持部の
内周面とは、めっき対象面との段差を形成する側面のこ
といい、この内周面に螺旋溝、いわゆるネジ溝を形成す
るのである。この螺旋溝は、ウェハー支持部内周面のう
ち、めっき対象面側からウェハー支持部の下端まで渡っ
て形成され、ウェハーの回転、即ち、ウエハー支持部が
回転したとき、その回転によって、めっき対象面側から
ウェハー支持部下端方向に進行するように形成するので
ある。このような螺旋溝を設け、ウェハーを回転させな
がらめっき処理をすると、周縁に滞留しようとするエア
ーは螺旋溝に入り込み、螺旋溝の進行方向に沿って移動
し、最終的には、ウェハー支持部の外側に放出されるよ
うになるのである。この場合において、螺旋溝の形状や
溝のピッチ数に特に制約はなく、ウェハー形状の大小、
めっき液の違いによるエアーの発生量等を考慮して、適
宜、最適形状等を決定すればよいものである。
内周面とは、めっき対象面との段差を形成する側面のこ
といい、この内周面に螺旋溝、いわゆるネジ溝を形成す
るのである。この螺旋溝は、ウェハー支持部内周面のう
ち、めっき対象面側からウェハー支持部の下端まで渡っ
て形成され、ウェハーの回転、即ち、ウエハー支持部が
回転したとき、その回転によって、めっき対象面側から
ウェハー支持部下端方向に進行するように形成するので
ある。このような螺旋溝を設け、ウェハーを回転させな
がらめっき処理をすると、周縁に滞留しようとするエア
ーは螺旋溝に入り込み、螺旋溝の進行方向に沿って移動
し、最終的には、ウェハー支持部の外側に放出されるよ
うになるのである。この場合において、螺旋溝の形状や
溝のピッチ数に特に制約はなく、ウェハー形状の大小、
めっき液の違いによるエアーの発生量等を考慮して、適
宜、最適形状等を決定すればよいものである。
【００１２】そして、本発明者らは第三の発明として、
ウェハーのめっき対象面を下向きにしてウェハーを保持
するウェハークランプと、めっき対象面の周縁を全周に
渡って支持できるようになっている断面Ｌ形状のウェハ
ー支持部を有するウェハー支持具と、めっき液を上部開
口からオーバーフローさせながら循環するようになって
いるめっき槽とを備え、ウェハークランプとウェハー支
持具とによりウェハーを挟持した状態で、めっき対象面
を下向きにしてめっき液面に接触させ、ウェハーを回転
させながらめっき処理を行うものであるウェハーめっき
装置において、ウェハー支持具には、めっき液面とウェ
ハーとが接触する際にめっき対象面の周縁へ滞留するエ
アーを放出するための案内翼がウェハー支持部の下端に
設けられたものとした。
ウェハーのめっき対象面を下向きにしてウェハーを保持
するウェハークランプと、めっき対象面の周縁を全周に
渡って支持できるようになっている断面Ｌ形状のウェハ
ー支持部を有するウェハー支持具と、めっき液を上部開
口からオーバーフローさせながら循環するようになって
いるめっき槽とを備え、ウェハークランプとウェハー支
持具とによりウェハーを挟持した状態で、めっき対象面
を下向きにしてめっき液面に接触させ、ウェハーを回転
させながらめっき処理を行うものであるウェハーめっき
装置において、ウェハー支持具には、めっき液面とウェ
ハーとが接触する際にめっき対象面の周縁へ滞留するエ
アーを放出するための案内翼がウェハー支持部の下端に
設けられたものとした。
【００１３】この第三の発明における案内翼とは、ウェ
ハー支持部の内周面における、めっき対象面に近接する
付近からウェハー支持部の下端に沿うようにして設けら
れ、ウェハーの中央に対して放射状に、ウェハー支持部
の全周で複数設けられるものである。このような案内翼
を設けておけば、ウェハーの回転、即ち、ウェハー支持
部が回転する際に、めっき対象面の周縁に滞留しようと
するエアーが案内翼によって、ウェハー支持部の外側に
放出されることになるのである。この場合においても、
案内翼の形状や翼数には、特に制約はなく、ウェハー形
状の大小、めっき液の違いによるエアーの発生量等を考
慮して、適宜、最適形状等を決定すればよいものであ
る。
ハー支持部の内周面における、めっき対象面に近接する
付近からウェハー支持部の下端に沿うようにして設けら
れ、ウェハーの中央に対して放射状に、ウェハー支持部
の全周で複数設けられるものである。このような案内翼
を設けておけば、ウェハーの回転、即ち、ウェハー支持
部が回転する際に、めっき対象面の周縁に滞留しようと
するエアーが案内翼によって、ウェハー支持部の外側に
放出されることになるのである。この場合においても、
案内翼の形状や翼数には、特に制約はなく、ウェハー形
状の大小、めっき液の違いによるエアーの発生量等を考
慮して、適宜、最適形状等を決定すればよいものであ
る。
【００１４】そしてさらに、上記した第一乃至第三の発
明において、エアーの除去を完全にし、且つ、めっき対
象面の周縁で生じるめっき液流動の滞留を解消するため
には、めっき対象面の周縁に向けて、めっき液を強制的
に供給するようにした液供給ノズルをめっき槽内に設け
ることが好ましいものである。このようにすれば、めっ
き対象面の周縁におけるめっき処理がより均一なものと
することができる。
明において、エアーの除去を完全にし、且つ、めっき対
象面の周縁で生じるめっき液流動の滞留を解消するため
には、めっき対象面の周縁に向けて、めっき液を強制的
に供給するようにした液供給ノズルをめっき槽内に設け
ることが好ましいものである。このようにすれば、めっ
き対象面の周縁におけるめっき処理がより均一なものと
することができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係るウェハーめっ
き装置の好ましい実施形態について説明する。
き装置の好ましい実施形態について説明する。
【００１６】第一実施形態：まず、第一実施形態とし
て、エアー抜き溝を設けた場合のウェハーめっき装置に
ついて説明する。図１〜図３は、第一実施形態に係るウ
ェハーめっき装置に関するものであり、図１は概略断面
図、図２は図１の一部を拡大して表した図、図３はウェ
ハー支持具の斜視図を示している。
て、エアー抜き溝を設けた場合のウェハーめっき装置に
ついて説明する。図１〜図３は、第一実施形態に係るウ
ェハーめっき装置に関するものであり、図１は概略断面
図、図２は図１の一部を拡大して表した図、図３はウェ
ハー支持具の斜視図を示している。
【００１７】図１で示すように、第一実施形態における
ウェハーめっき装置は、めっき液を供給管１より供給し
て、上部開口からオーバーフローするようになっている
めっき槽２と、該めっき槽２の周囲を覆うようにされ、
めっき槽２からオーバーフローするめっき液を循環する
ようにされた外槽３とを有している。そして、めっき処
理が施されるウェハー４はめっき対象面５を下向き、即
ち、オーバーフローするめっき液面に対向するように保
持できるウェハークランプ６と、ウェハー４のめっき対
象面５における周縁を全周に渡って支持できるようにな
っているウェハー支持具７を備えている。
ウェハーめっき装置は、めっき液を供給管１より供給し
て、上部開口からオーバーフローするようになっている
めっき槽２と、該めっき槽２の周囲を覆うようにされ、
めっき槽２からオーバーフローするめっき液を循環する
ようにされた外槽３とを有している。そして、めっき処
理が施されるウェハー４はめっき対象面５を下向き、即
ち、オーバーフローするめっき液面に対向するように保
持できるウェハークランプ６と、ウェハー４のめっき対
象面５における周縁を全周に渡って支持できるようにな
っているウェハー支持具７を備えている。
【００１８】このウェハークランプ６とウェハー支持具
７は共に、上下動可能とされており、ウェハー４を支持
した状態で水平方向で回転することもできる。図２に示
すように、ウエハークランプ６はウェハー４の側周面を
把持するクランプシール８とクランプ体９とから形成さ
れているものである。また、ウェハー支持具７は、断面
Ｌ形状のウェハー支持部１０とその内周面側に設けられ
ている液シール１１とから形成されたものである。
７は共に、上下動可能とされており、ウェハー４を支持
した状態で水平方向で回転することもできる。図２に示
すように、ウエハークランプ６はウェハー４の側周面を
把持するクランプシール８とクランプ体９とから形成さ
れているものである。また、ウェハー支持具７は、断面
Ｌ形状のウェハー支持部１０とその内周面側に設けられ
ている液シール１１とから形成されたものである。
【００１９】第一実施形態におけるエアー抜き溝１２
は、図３で示すようにウェハー支持部１０へ、櫛歯状に
形成されている。このエアー抜き溝１２は、めっき対象
面５との段差が非常に小さいため、めっき対象面５の周
縁に滞留しようとするエアーを外側に放出することがで
きる。
は、図３で示すようにウェハー支持部１０へ、櫛歯状に
形成されている。このエアー抜き溝１２は、めっき対象
面５との段差が非常に小さいため、めっき対象面５の周
縁に滞留しようとするエアーを外側に放出することがで
きる。
【００２０】また、めっき槽２内にはめっき対象面５の
周縁に向けて、めっき液を供給できるようにされた液供
給ノズル１４が配置されている。めっき対象面５の周縁
に向けて、液供給ノズル１３からめっき液を供給する
と、エアーがエアー抜き溝１２から放出されやすくな
る。
周縁に向けて、めっき液を供給できるようにされた液供
給ノズル１４が配置されている。めっき対象面５の周縁
に向けて、液供給ノズル１３からめっき液を供給する
と、エアーがエアー抜き溝１２から放出されやすくな
る。
【００２１】第二実施形態：次に、第二実施形態とし
て、ウェハー支持部の内周面に螺旋溝を形成したウェハ
ーめっき装置について説明する。図４は第二実施形態の
ウェハーめっき装置断面の一部を拡大して表したもの
で、図５はそのウェハー支持具の斜視図を示している。
めっき槽２、外槽３、液供給ノズル１３などの他の部分
は、第一実施形態で示したものと同様なため説明を省略
する。
て、ウェハー支持部の内周面に螺旋溝を形成したウェハ
ーめっき装置について説明する。図４は第二実施形態の
ウェハーめっき装置断面の一部を拡大して表したもの
で、図５はそのウェハー支持具の斜視図を示している。
めっき槽２、外槽３、液供給ノズル１３などの他の部分
は、第一実施形態で示したものと同様なため説明を省略
する。
【００２２】第二実施形態における螺旋溝１４は、図４
及び図５（図５中、破線により簡略して表している）で
示すように、ウェハー支持部１０の内周面側に取り付け
られている液シール１１上に形成されている。但し、液
シール１１がウェハー支持部１０の内周面に無い場合に
は、直接ウェハー支持部１０に螺旋溝１４を形成しても
同様なものとすることができる。これにより、めっき対
象面５の周縁へ滞留しようとするエアーは、螺旋溝１４
内に入り込み、ウェハー支持部の回転に伴い、螺旋溝１
４内をめっき対象面１５側からウェハー支持部１０下端
方向に順次移動していき、最終的には、ウェハー支持部
１０の外周側に放出されることになる。
及び図５（図５中、破線により簡略して表している）で
示すように、ウェハー支持部１０の内周面側に取り付け
られている液シール１１上に形成されている。但し、液
シール１１がウェハー支持部１０の内周面に無い場合に
は、直接ウェハー支持部１０に螺旋溝１４を形成しても
同様なものとすることができる。これにより、めっき対
象面５の周縁へ滞留しようとするエアーは、螺旋溝１４
内に入り込み、ウェハー支持部の回転に伴い、螺旋溝１
４内をめっき対象面１５側からウェハー支持部１０下端
方向に順次移動していき、最終的には、ウェハー支持部
１０の外周側に放出されることになる。
【００２３】また、この第二実施形態で示す螺旋溝１４
についても、めっき槽２内に設けられた液供給ノズル１
３からめっき対象面５の周縁に向けて供給されるめっき
液により、効率的にエアーをウェハー支持部１０の外周
側に放出できることになる。
についても、めっき槽２内に設けられた液供給ノズル１
３からめっき対象面５の周縁に向けて供給されるめっき
液により、効率的にエアーをウェハー支持部１０の外周
側に放出できることになる。
【００２４】第三実施形態：さらに、第三実施形態とし
て、エアーを放出するための案内翼をウェハー支持部下
端に設けたウェハーめっき装置について説明する。図６
は第三実施形態のウェハーめっき装置断面の一部を拡大
して表したもの、図７はそのウェハー支持具の斜視図、
図８はウェハー支持具を底面側から見た場合の概略図を
示している。めっき槽２、外槽３、液供給ノズル１３な
どの他の部分は、第一実施形態で示したものと同様なた
め説明を省略する。
て、エアーを放出するための案内翼をウェハー支持部下
端に設けたウェハーめっき装置について説明する。図６
は第三実施形態のウェハーめっき装置断面の一部を拡大
して表したもの、図７はそのウェハー支持具の斜視図、
図８はウェハー支持具を底面側から見た場合の概略図を
示している。めっき槽２、外槽３、液供給ノズル１３な
どの他の部分は、第一実施形態で示したものと同様なた
め説明を省略する。
【００２５】第三実施形態における案内翼はガイドフィ
ン１５として、図６及び図７で示すように、めっき対象
面５に近接する付近からウェハー支持部１０の下端に沿
うようにして設けられており、図８で示すようにウェハ
ー４の中央に対して放射状に、ウェハー支持部１０の全
周へ複数設けられている。
ン１５として、図６及び図７で示すように、めっき対象
面５に近接する付近からウェハー支持部１０の下端に沿
うようにして設けられており、図８で示すようにウェハ
ー４の中央に対して放射状に、ウェハー支持部１０の全
周へ複数設けられている。
【００２６】このガイドフィン１５を設けることによっ
て、めっき処理中のウェハー４の回転、即ち、ウェハー
支持部１０が回転する際に、めっき対象面５の周縁に滞
留しようとするエアーはガイドフィン１５によって、ウ
ェハー支持部１０の外周側に放出されることになる。ま
た、めっき槽２内に設けられた液供給ノズル１３からめ
っき対象面５の周縁に向けて供給されるめっき液によ
り、効率的にエアーをウェハー支持部１０の外周側に放
出できることになる。
て、めっき処理中のウェハー４の回転、即ち、ウェハー
支持部１０が回転する際に、めっき対象面５の周縁に滞
留しようとするエアーはガイドフィン１５によって、ウ
ェハー支持部１０の外周側に放出されることになる。ま
た、めっき槽２内に設けられた液供給ノズル１３からめ
っき対象面５の周縁に向けて供給されるめっき液によ
り、効率的にエアーをウェハー支持部１０の外周側に放
出できることになる。
【００２７】上述した第一乃至第三実施形態で示したウ
ェハーめっき装置を用いて、めっき処理を行った結果、
めっき対象面の周縁までのかなりの広範囲において均一
なめっき処理が行え、従来のウェハーめっき装置で行え
ためっき処理面積よりも広い面積を処理できることが確
認された。また、Ｃｕのシード金属を被覆したウェハー
に対して、硫酸銅めっき液を用いて処理したところ、シ
ード金属の溶解は殆ど生じない状態ですぐにめっき処理
が行え、均一で、しかも外観も良好なめっきが得られ
た。
ェハーめっき装置を用いて、めっき処理を行った結果、
めっき対象面の周縁までのかなりの広範囲において均一
なめっき処理が行え、従来のウェハーめっき装置で行え
ためっき処理面積よりも広い面積を処理できることが確
認された。また、Ｃｕのシード金属を被覆したウェハー
に対して、硫酸銅めっき液を用いて処理したところ、シ
ード金属の溶解は殆ど生じない状態ですぐにめっき処理
が行え、均一で、しかも外観も良好なめっきが得られ
た。
【００２８】
【発明の効果】本発明のウェハーめっき装置によれば、
めっき対象面の周縁で、エアーにより生じる不均一なめ
っき処理が解消され、めっき対象面の周縁にまで、より
均一なめっき処理が可能となり、ウェハーの製造歩留を
向上させることができる。また、シード金属付きウェハ
ーに対して、シード金属を溶解するようなめっき液で処
理する場合であっても、シード金属の溶解を極力低減で
きるので、非常に均一なめっき処理を実現することが可
能となる。
めっき対象面の周縁で、エアーにより生じる不均一なめ
っき処理が解消され、めっき対象面の周縁にまで、より
均一なめっき処理が可能となり、ウェハーの製造歩留を
向上させることができる。また、シード金属付きウェハ
ーに対して、シード金属を溶解するようなめっき液で処
理する場合であっても、シード金属の溶解を極力低減で
きるので、非常に均一なめっき処理を実現することが可
能となる。
【図１】第一実施形態におけるウェハーめっき装置の概
略断面図。
略断面図。
【図２】第一実施形態におけるウェハーめっき装置の部
分拡大断面図。
分拡大断面図。
【図３】第一実施形態におけるウェハー支持具の概略斜
視図。
視図。
【図４】第二実施形態におけるウェハーめっき装置の部
分拡大断面図。
分拡大断面図。
【図５】第二実施形態におけるウェハー支持具の概略斜
視図。
視図。
【図６】第三実施形態におけるウェハーめっき装置の部
分拡大断面図。
分拡大断面図。
【図７】第三実施形態におけるウェハー支持具の概略斜
視図。
視図。
【図８】第三実施形態におけるウェハー支持具の底面概
略図。
略図。
【図９】従来のウェハーめっき装置の概略断面図。
１ 供給管 ２ めっき槽 ３ 外槽 ４ ウェハー ５ めっき対象面 ６ ウェハークランプ ７ ウェハー支持具 ８ クランプシール ９ クランプ体 １０ ウェハー支持部 １１ 液シール １２ エアー抜き溝 １３ 液供給ノズル １４ 螺旋溝 １５ ガイドフィン Ｃ 角部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/288 Ｈ０１Ｌ 21/288 Ｚ (72)発明者 石田 博文 神奈川県厚木市長谷1267−２ Ｆターム(参考） 4K024 AA09 AB01 BA11 BB12 BC06 CA16 CB02 CB09 CB13 CB14 CB15 CB18 GA16 4M104 BB04 DD51
Claims (4)
- 【請求項１】 ウェハーのめっき対象面を下向きにして
ウェハーを保持するウェハークランプと、めっき対象面
の周縁を全周に渡って支持できるようになっている断面
Ｌ形状のウェハー支持部を有するウェハー支持具と、 めっき液を上部開口からオーバーフローさせながら循環
するようになっているめっき槽とを備え、 ウェハークランプとウェハー支持具とによりウェハーを
挟持した状態で、めっき対象面を下向きにしてめっき液
面に接触させながらめっき処理を行うものであるウェハ
ーめっき装置において、 ウェハー支持具には、めっき液面とウェハーとが接触す
る際に、めっき対象面の周縁へ滞留するエアーを放出す
るためのエアー抜き溝がウェハー支持部の下端に設けら
れたことを特徴とするウェハーめっき装置。 - 【請求項２】 ウェハーのめっき対象面を下向きにして
ウェハーを保持するウェハークランプと、めっき対象面
の周縁を全周に渡って支持できるようになっている断面
Ｌ形状のウェハー支持部を有するウェハー支持具と、 めっき液を上部開口からオーバーフローさせながら循環
するようになっているめっき槽とを備え、 ウェハークランプとウェハー支持具とによりウェハーを
挟持した状態で、めっき対象面を下向きにしてめっき液
面に接触させ、ウェハーを回転させながらめっき処理を
行うものであるウェハーめっき装置において、 ウェハー支持具には、めっき液面とウェハーとが接触す
る際にめっき対象面の周縁へ滞留するエアーを排出する
ための螺旋溝がウェハー支持部の内周面側に設けられた
ことを特徴とするウェハーめっき装置。 - 【請求項３】 ウェハーのめっき対象面を下向きにして
ウェハーを保持するウェハークランプと、めっき対象面
の周縁を全周に渡って支持できるようになっている断面
Ｌ形状のウェハー支持部を有するウェハー支持具と、 めっき液を上部開口からオーバーフローさせながら循環
するようになっているめっき槽とを備え、 ウェハークランプとウェハー支持具とによりウェハーを
挟持した状態で、めっき対象面を下向きにしてめっき液
面に接触させ、ウェハーを回転させながらめっき処理を
行うものであるウェハーめっき装置において、 ウェハー支持具には、めっき液面とウェハーとが接触す
る際にめっき対象面の周縁へ滞留するエアーを放出する
ための案内翼がウェハー支持部の下端に設けられたこと
を特徴とするウェハーめっき装置。 - 【請求項４】 めっき対象面の周縁に向けて、めっき液
を強制的に供給するようにした液供給ノズルをめっき槽
内に設けたものである請求項１〜請求項３のいずれかに
記載のウェハーめっき装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000050949A JP2001234395A (ja) | 2000-02-28 | 2000-02-28 | ウェハーめっき装置 |
| US09/791,840 US6736945B2 (en) | 2000-02-28 | 2001-02-26 | Wafer plating apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000050949A JP2001234395A (ja) | 2000-02-28 | 2000-02-28 | ウェハーめっき装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001234395A true JP2001234395A (ja) | 2001-08-31 |
| JP2001234395A5 JP2001234395A5 (ja) | 2007-04-19 |
Family
ID=18572670
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000050949A Pending JP2001234395A (ja) | 2000-02-28 | 2000-02-28 | ウェハーめっき装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6736945B2 (ja) |
| JP (1) | JP2001234395A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016157862A (ja) * | 2015-02-25 | 2016-09-01 | 住友精密工業株式会社 | 液状物充填装置 |
| KR102092089B1 (ko) * | 2020-01-30 | 2020-03-23 | 이성한 | 회전 타입 기판용 도금장치 및 이를 이용하는 기판 도금방법 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6695962B2 (en) | 2001-05-01 | 2004-02-24 | Nutool Inc. | Anode designs for planar metal deposits with enhanced electrolyte solution blending and process of supplying electrolyte solution using such designs |
| US6478936B1 (en) * | 2000-05-11 | 2002-11-12 | Nutool Inc. | Anode assembly for plating and planarizing a conductive layer |
| US7195696B2 (en) * | 2000-05-11 | 2007-03-27 | Novellus Systems, Inc. | Electrode assembly for electrochemical processing of workpiece |
| US20050040049A1 (en) * | 2002-09-20 | 2005-02-24 | Rimma Volodarsky | Anode assembly for plating and planarizing a conductive layer |
| US7087144B2 (en) * | 2003-01-31 | 2006-08-08 | Applied Materials, Inc. | Contact ring with embedded flexible contacts |
| JP2006193822A (ja) * | 2004-12-16 | 2006-07-27 | Sharp Corp | めっき装置、めっき方法、半導体装置、及び半導体装置の製造方法 |
| TWI414640B (zh) * | 2010-09-06 | 2013-11-11 | Grand Plastic Technology Co Ltd | 垂直懸臂式電鍍夾具 |
| US8968533B2 (en) | 2012-05-10 | 2015-03-03 | Applied Materials, Inc | Electroplating processor with geometric electrolyte flow path |
| CN112877741B (zh) * | 2021-01-13 | 2022-05-03 | 硅密芯镀(海宁)半导体技术有限公司 | 气泡去除方法 |
| KR102401521B1 (ko) * | 2021-02-25 | 2022-05-24 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 도금 장치 및 도금 장치의 기포 제거 방법 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3964841A (en) * | 1974-09-18 | 1976-06-22 | Sigma Lutin, Narodni Podnik | Impeller blades |
| US5222310A (en) * | 1990-05-18 | 1993-06-29 | Semitool, Inc. | Single wafer processor with a frame |
| JPH05243235A (ja) | 1992-03-02 | 1993-09-21 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造装置 |
| JP3377849B2 (ja) * | 1994-02-02 | 2003-02-17 | 日本エレクトロプレイテイング・エンジニヤース株式会社 | ウエーハ用メッキ装置 |
| US6159354A (en) * | 1997-11-13 | 2000-12-12 | Novellus Systems, Inc. | Electric potential shaping method for electroplating |
| KR100800531B1 (ko) * | 2000-06-30 | 2008-02-04 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 구리 도금액, 도금 방법 및 도금 장치 |
-
2000
- 2000-02-28 JP JP2000050949A patent/JP2001234395A/ja active Pending
-
2001
- 2001-02-26 US US09/791,840 patent/US6736945B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016157862A (ja) * | 2015-02-25 | 2016-09-01 | 住友精密工業株式会社 | 液状物充填装置 |
| KR102092089B1 (ko) * | 2020-01-30 | 2020-03-23 | 이성한 | 회전 타입 기판용 도금장치 및 이를 이용하는 기판 도금방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6736945B2 (en) | 2004-05-18 |
| US20010017258A1 (en) | 2001-08-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI657498B (zh) | 用於先進封裝應用之設備 | |
| US6745784B2 (en) | Method of and apparatus for cleaning substrate | |
| US8256774B2 (en) | Chucking member and spin head and method for chucking substrate using the chucking member | |
| JP2001234395A (ja) | ウェハーめっき装置 | |
| JP2008034779A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| JP2003502840A (ja) | 半導体ウェハを洗浄するための方法及びシステム | |
| US10684548B2 (en) | Developing method | |
| US10563298B1 (en) | Wafer chuck with aerodynamic design for turbulence reduction | |
| JP3341727B2 (ja) | ウエット装置 | |
| JP2005268308A (ja) | レジスト剥離方法およびレジスト剥離装置 | |
| JP2007234812A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| JP2001234394A (ja) | ウェハーめっき装置 | |
| US20040132295A1 (en) | Method and device to remove unwanted material from the edge region of a workpiece | |
| US10269557B2 (en) | Apparatus of processing semiconductor substrate | |
| JP2002299306A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2010212363A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
| JPH11238704A (ja) | 半導体基板の配線溝メッキ方法およびメッキ装置 | |
| US7204920B2 (en) | Contact ring design for reducing bubble and electrolyte effects during electrochemical plating in manufacturing | |
| TWI822821B (zh) | 基板處理裝置及基板處理方法 | |
| JP2001303295A (ja) | メッキ装置 | |
| JP2005158861A (ja) | 回転式処理装置及び半導体装置の製造方法 | |
| JP2004269993A (ja) | メッキ装置 | |
| CN115769342A (zh) | 衬底处理方法及衬底处理装置 | |
| JP2010153653A (ja) | ウェット処理装置及びウェット処理方法 | |
| JP2004281959A (ja) | ウェハ保持機構 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070227 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070305 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090416 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090507 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090910 |