JPH05243235A - 半導体装置の製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造装置Info
- Publication number
- JPH05243235A JPH05243235A JP4486292A JP4486292A JPH05243235A JP H05243235 A JPH05243235 A JP H05243235A JP 4486292 A JP4486292 A JP 4486292A JP 4486292 A JP4486292 A JP 4486292A JP H05243235 A JPH05243235 A JP H05243235A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- plating solution
- cathode electrode
- semiconductor device
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明はメッキ工程において使用する半導体装
置の製造装置に関し、異常突起等の発生のない安定した
メッキ処理を行うことを目的とする。 【構成】メッキ液３１が充填されると共にその上部にウ
ェハー３０が配置され、メッキ液３１がウェハー３０に
対し噴出される構成とされたメッキ液槽２１と、メッキ
液３１と電気的に接続された陽極電極２２と、メッキ液
槽２１に載置されたウェハー３０と接触する陰極電極２
７とを有する半導体装置の製造装置において、陰極電極
２７を、絶縁体でかつ耐強酸性の材質よりなる隔離部材
２９で隔離し、メッキ液３１と接触しないように構成す
る。
置の製造装置に関し、異常突起等の発生のない安定した
メッキ処理を行うことを目的とする。 【構成】メッキ液３１が充填されると共にその上部にウ
ェハー３０が配置され、メッキ液３１がウェハー３０に
対し噴出される構成とされたメッキ液槽２１と、メッキ
液３１と電気的に接続された陽極電極２２と、メッキ液
槽２１に載置されたウェハー３０と接触する陰極電極２
７とを有する半導体装置の製造装置において、陰極電極
２７を、絶縁体でかつ耐強酸性の材質よりなる隔離部材
２９で隔離し、メッキ液３１と接触しないように構成す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造装置に
係り、特にメッキ工程において使用する半導体装置の製
造装置に関する。
係り、特にメッキ工程において使用する半導体装置の製
造装置に関する。
【０００２】近年、半導体装置は高速化が要求されてお
り、それを満たすため半導体装置の高密度化技術が必要
とされてきている。
り、それを満たすため半導体装置の高密度化技術が必要
とされてきている。
【０００３】半導体装置を高密度化した場合に問題とな
るのは、半導体装置の電極形成技術である。最近ではＴ
ＡＢ（Tape Automated Bonding）方式等を用いるため厚
膜よりなる電極が必要となり、この電極を安定に形成す
る技術が重要となってきている。
るのは、半導体装置の電極形成技術である。最近ではＴ
ＡＢ（Tape Automated Bonding）方式等を用いるため厚
膜よりなる電極が必要となり、この電極を安定に形成す
る技術が重要となってきている。
【０００４】この電極はメッキ装置により形成されてお
り、よってこのメッキ装置の信頼性を向上させることが
半導体装置を高密度化する上で重要となる。
り、よってこのメッキ装置の信頼性を向上させることが
半導体装置を高密度化する上で重要となる。
【０００５】
【従来の技術】半導体装置の製造装置として、メッキ工
程で使用される電界メッキ装置を図４に示す。同図に示
される電界メッキ装置１は、いわゆる噴流式の電界メッ
キ装置であり、メッキ液は装置内を循環する構成とされ
ている。
程で使用される電界メッキ装置を図４に示す。同図に示
される電界メッキ装置１は、いわゆる噴流式の電界メッ
キ装置であり、メッキ液は装置内を循環する構成とされ
ている。
【０００６】図中、２はメッキ液３（図中梨地で示す）
が充填されたメッキ液槽であり、その内部には陽極電極
４が配設されると共に、その下部にはメッキ液３を循環
させるためのポンプ５が配設されている。この、メッキ
液槽２の上部には被メッキ部材となるウェハー６が載置
される。
が充填されたメッキ液槽であり、その内部には陽極電極
４が配設されると共に、その下部にはメッキ液３を循環
させるためのポンプ５が配設されている。この、メッキ
液槽２の上部には被メッキ部材となるウェハー６が載置
される。
【０００７】メッキ液槽２の側部位置には、ポンプ５に
よりウェハー６に対して噴出されたメッキ液３を受ける
受け部７が設けられており、受け部７に入ったメッキ液
３は通路８を通りタンク９に一旦溜められる。そして、
タンク９に一旦溜められたメッキ液３は、再びポンプ５
に汲み上げられメッキ液槽２に送られ、これを繰り返す
ことにより、メッキ液３は電界メッキ装置１内を循環す
る構成とされている。
よりウェハー６に対して噴出されたメッキ液３を受ける
受け部７が設けられており、受け部７に入ったメッキ液
３は通路８を通りタンク９に一旦溜められる。そして、
タンク９に一旦溜められたメッキ液３は、再びポンプ５
に汲み上げられメッキ液槽２に送られ、これを繰り返す
ことにより、メッキ液３は電界メッキ装置１内を循環す
る構成とされている。
【０００８】また、メッキ液槽２の上部の外側位置には
針状の陰極電極１０が配設されており、この陰極電極１
０はウェハー６に電気的に接続される構成とされてい
る。従って、上記した一対の電極４，１０間に電流を流
すことにより、ウェハー６に電界メッキが実施される構
成とされていた。
針状の陰極電極１０が配設されており、この陰極電極１
０はウェハー６に電気的に接続される構成とされてい
る。従って、上記した一対の電極４，１０間に電流を流
すことにより、ウェハー６に電界メッキが実施される構
成とされていた。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、従来の電界
メッキ装置１では、針状の陰極電極１０がメッキ液３の
流れる途中位置に配設されており、従って陰極電極１０
はメッキ液３に浸漬された状態でメッキ処理が行われて
いた。このため、陰極電極１０から電流のリークが発生
したり、また陰極電極１０自身にメッキがされてしまい
一定の電流を保つことが出来ないという問題点があっ
た。このように、一対の電極４，１０間に流れる電流が
不安定となると、成長するメッキ膜の制御が困難とな
り、一定の膜厚を有したメッキを行うことができなくな
り、製造させる半導体装置の信頼性が低下してしまう。
メッキ装置１では、針状の陰極電極１０がメッキ液３の
流れる途中位置に配設されており、従って陰極電極１０
はメッキ液３に浸漬された状態でメッキ処理が行われて
いた。このため、陰極電極１０から電流のリークが発生
したり、また陰極電極１０自身にメッキがされてしまい
一定の電流を保つことが出来ないという問題点があっ
た。このように、一対の電極４，１０間に流れる電流が
不安定となると、成長するメッキ膜の制御が困難とな
り、一定の膜厚を有したメッキを行うことができなくな
り、製造させる半導体装置の信頼性が低下してしまう。
【００１０】また、上記のように陰極電極１０自身にメ
ッキがされてしまうことにより、陰極電極１０をウェハ
ー６から外した際にウェハー６に突起１１（図５に梨地
で示す。尚、１２は形成されたメッキ膜））が残存して
しまい、後に実施される製造工程においてこの突起１１
に起因して各種の不良（例えばアライメント不良等）が
発生してしまうという問題点があった。
ッキがされてしまうことにより、陰極電極１０をウェハ
ー６から外した際にウェハー６に突起１１（図５に梨地
で示す。尚、１２は形成されたメッキ膜））が残存して
しまい、後に実施される製造工程においてこの突起１１
に起因して各種の不良（例えばアライメント不良等）が
発生してしまうという問題点があった。
【００１１】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、異常突起等の発生のない安定したメッキ処理を行
いうる半導体装置の製造装置を提供することを目的とす
る。
あり、異常突起等の発生のない安定したメッキ処理を行
いうる半導体装置の製造装置を提供することを目的とす
る。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記の課題は、メッキ液
が充填されると共にその上部対向位置に被メッキ部材が
配置され、メッキ液が上記被メッキ部材に対し噴出され
る構成とされたメッキ液槽と、メッキ液と電気的に接続
された陽極電極と、載置された被メッキ部材と接触する
陰極電極とを有する半導体装置の製造装置において、上
記陰極電極を、絶縁体でかつメッキ液に対し耐侵食性を
有する材質よりなる隔離部材で隔離し、メッキ液と接触
しないように構成したことを特徴とする半導体装置の製
造装置により解決することができる。
が充填されると共にその上部対向位置に被メッキ部材が
配置され、メッキ液が上記被メッキ部材に対し噴出され
る構成とされたメッキ液槽と、メッキ液と電気的に接続
された陽極電極と、載置された被メッキ部材と接触する
陰極電極とを有する半導体装置の製造装置において、上
記陰極電極を、絶縁体でかつメッキ液に対し耐侵食性を
有する材質よりなる隔離部材で隔離し、メッキ液と接触
しないように構成したことを特徴とする半導体装置の製
造装置により解決することができる。
【００１３】また、上記陰極電極近傍に不活性気体を導
入し、メッキ液が隔離部材と被メッキ部材との境界部を
介して陰極電極側に浸透するのを防止する構成とするこ
とにより、より効果的に実現できる。
入し、メッキ液が隔離部材と被メッキ部材との境界部を
介して陰極電極側に浸透するのを防止する構成とするこ
とにより、より効果的に実現できる。
【００１４】
【作用】上記構成とされた半導体装置の製造装置では、
隔離部材を設けることにより、陰極電極はメッキ液から
隔離されるため、陰極電極がメッキ液と接触することは
なくなる。よって、陰極電極からの電流のリークを防止
できるため、メッキ膜を安定かつ信頼性良く形成するこ
とができる。
隔離部材を設けることにより、陰極電極はメッキ液から
隔離されるため、陰極電極がメッキ液と接触することは
なくなる。よって、陰極電極からの電流のリークを防止
できるため、メッキ膜を安定かつ信頼性良く形成するこ
とができる。
【００１５】また、陰極電極自身にメッキがされること
が無くなるため、陰極電極に異常突起が発生することも
なくなり、このメッキ処理工程の以降に実施される各工
程を円滑に行うことができる。
が無くなるため、陰極電極に異常突起が発生することも
なくなり、このメッキ処理工程の以降に実施される各工
程を円滑に行うことができる。
【００１６】
【実施例】次に本発明の実施例について図面と共に説明
する。図１は本発明になる半導体装置の製造装置の一実
施例である電界メッキ装置２０を示している。この電界
メッキ装置２０は噴流式の電界メッキ装置であり、大略
するとメッキ液槽２１，陽極電極２２，ポンプ２３，受
け部２４，通路２５，タンク２６，陰極電極２７，窒素
ガス供給装置２８及び本発明の特徴となる隔離部材２９
等により構成されている。また、３０は電界メッキ装置
２０によりメッキ処理が行われるウェハーであり、その
表面には導通をとるために所定位置に予め導電膜（図示
せず）が形成されている。
する。図１は本発明になる半導体装置の製造装置の一実
施例である電界メッキ装置２０を示している。この電界
メッキ装置２０は噴流式の電界メッキ装置であり、大略
するとメッキ液槽２１，陽極電極２２，ポンプ２３，受
け部２４，通路２５，タンク２６，陰極電極２７，窒素
ガス供給装置２８及び本発明の特徴となる隔離部材２９
等により構成されている。また、３０は電界メッキ装置
２０によりメッキ処理が行われるウェハーであり、その
表面には導通をとるために所定位置に予め導電膜（図示
せず）が形成されている。
【００１７】メッキ液槽２１は、内部にメッキ液３１
（図中梨地で示す）が充填されると共に、その上部開口
部近傍には白金により構成された陽極電極４が配設され
ている。一般に半導体装置のパッド部分の材質は金を使
用しているため、よってメッキ液３１としては、シアン
化金カリウム，或いは亜硫酸金等を用いている。また、
メッキ液槽２１の下部にはメッキ液３１を循環させるた
めのポンプ２３が配設されている。このポンプ２３によ
り、メッキ液３１は開口部より上方に向け噴出される。
尚、ウェハー３０は、後述する隔離部材２９によりメッ
キ液槽２１の開口部と対向する上部位置に配置される。
（図中梨地で示す）が充填されると共に、その上部開口
部近傍には白金により構成された陽極電極４が配設され
ている。一般に半導体装置のパッド部分の材質は金を使
用しているため、よってメッキ液３１としては、シアン
化金カリウム，或いは亜硫酸金等を用いている。また、
メッキ液槽２１の下部にはメッキ液３１を循環させるた
めのポンプ２３が配設されている。このポンプ２３によ
り、メッキ液３１は開口部より上方に向け噴出される。
尚、ウェハー３０は、後述する隔離部材２９によりメッ
キ液槽２１の開口部と対向する上部位置に配置される。
【００１８】また、メッキ液槽２１の側部位置には受け
部２４が設けられている。この受け部２４は、ポンプ２
３によりウェハー３０に対して噴出されてその後落下す
るメッキ液３１を受けるために設けられている。この受
け部２４に入ったメッキ液３１は、通路２５を通りタン
ク２６に一旦溜められる。そして、タンク２６に一旦溜
められたメッキ液３１は、再びポンプ２３に汲み上げら
れメッキ液槽２１に送られ、これを繰り返すことによ
り、メッキ液３１は電界メッキ装置２０内を循環する構
成とされている。以上の構成は、図４を用いて説明した
従来の電界メッキ装置１と略同一構成である。
部２４が設けられている。この受け部２４は、ポンプ２
３によりウェハー３０に対して噴出されてその後落下す
るメッキ液３１を受けるために設けられている。この受
け部２４に入ったメッキ液３１は、通路２５を通りタン
ク２６に一旦溜められる。そして、タンク２６に一旦溜
められたメッキ液３１は、再びポンプ２３に汲み上げら
れメッキ液槽２１に送られ、これを繰り返すことによ
り、メッキ液３１は電界メッキ装置２０内を循環する構
成とされている。以上の構成は、図４を用いて説明した
従来の電界メッキ装置１と略同一構成である。
【００１９】メッキ液槽２の上部位置には、本発明の要
部となる隔離部材２８が配設されている。この隔離部材
２８について、図１に加えて図２を用いて説明する。な
お、図２は図１におけるＡ−Ａ矢視図である。
部となる隔離部材２８が配設されている。この隔離部材
２８について、図１に加えて図２を用いて説明する。な
お、図２は図１におけるＡ−Ａ矢視図である。
【００２０】隔離部材２８は、メッキ液３１（シアン化
金カリウム，或いは亜硫酸金等）に浸食されない耐強酸
性のある絶縁材質（例えばテフロン，ＰＥＥＫ，塩化ビ
ニール等）により構成されており、大略すると本体部３
２と蓋部３３とにより構成されている。本体部３２は円
筒状の形状を有し、その底部には開口３４が形成されて
おり、メッキ液槽２１より噴出されるメッキ液３１がウ
ェハー３０と接触できるよう構成されている。また、開
口３４の周縁部には垂立した載置部３５が形成されてい
る。この載置部３５上にウェハー３０は装着され、メッ
キ処理が行われる。
金カリウム，或いは亜硫酸金等）に浸食されない耐強酸
性のある絶縁材質（例えばテフロン，ＰＥＥＫ，塩化ビ
ニール等）により構成されており、大略すると本体部３
２と蓋部３３とにより構成されている。本体部３２は円
筒状の形状を有し、その底部には開口３４が形成されて
おり、メッキ液槽２１より噴出されるメッキ液３１がウ
ェハー３０と接触できるよう構成されている。また、開
口３４の周縁部には垂立した載置部３５が形成されてい
る。この載置部３５上にウェハー３０は装着され、メッ
キ処理が行われる。
【００２１】また、載置部３５の内側近傍位置（ここで
いう内側とは、本体部３２の内側という意味である）に
は、陰極電極２７が配設されている。この陰極電極２７
は針状の形状を有し、本実施例では４本配設されてい
る。この陰極電極２７及び前記した陽極電極２２は、定
電流源３６に接続されている。
いう内側とは、本体部３２の内側という意味である）に
は、陰極電極２７が配設されている。この陰極電極２７
は針状の形状を有し、本実施例では４本配設されてい
る。この陰極電極２７及び前記した陽極電極２２は、定
電流源３６に接続されている。
【００２２】ここで、陰極電極２７の配設位置に注目す
ると、陰極電極２７は開口３４の周縁部より垂立するよ
う形成された載置部３５の内側位置に配設されており、
かつ載置部３５の上部にはウェハー３０が載置されてい
る。即ち、開口３４はウェハー３０により閉蓋されたと
等価の状態であり、陰極電極２７はウェハー３０により
閉蓋された本体部３２の内側に位置している。従って、
メッキ液槽２１よりメッキ液３１がウェハー３０に噴出
されたとしても、メッキ液３１が陰極電極２７と接触す
るようなことはない。
ると、陰極電極２７は開口３４の周縁部より垂立するよ
う形成された載置部３５の内側位置に配設されており、
かつ載置部３５の上部にはウェハー３０が載置されてい
る。即ち、開口３４はウェハー３０により閉蓋されたと
等価の状態であり、陰極電極２７はウェハー３０により
閉蓋された本体部３２の内側に位置している。従って、
メッキ液槽２１よりメッキ液３１がウェハー３０に噴出
されたとしても、メッキ液３１が陰極電極２７と接触す
るようなことはない。
【００２３】よって、電流が陰極電極２７からメッキ液
３１にリークすることは無くなり、これにより所定の膜
厚を有するメッキ膜を安定かつ信頼性良く形成すること
ができる。また、陰極電極２７自身にメッキがされるこ
とが無くなるため、陰極電極２７に異常突起が発生する
こともなくなり、このメッキ処理工程の以降に実施され
る各工程を円滑に行うことができ、製造される半導体装
置の歩留り及び信頼性を向上させることができる。
３１にリークすることは無くなり、これにより所定の膜
厚を有するメッキ膜を安定かつ信頼性良く形成すること
ができる。また、陰極電極２７自身にメッキがされるこ
とが無くなるため、陰極電極２７に異常突起が発生する
こともなくなり、このメッキ処理工程の以降に実施され
る各工程を円滑に行うことができ、製造される半導体装
置の歩留り及び信頼性を向上させることができる。
【００２４】尚、本体部３２の底部の外面はメッキ液３
１に接触することになるが、前記したように隔離部材２
９は、メッキ液３１に浸食されない耐強酸性のある絶縁
材質により構成されているため、隔離部材２９がメッキ
液３１により浸食されたり、また隔離部材２９を介して
電流がリークするようなことはない。また、メッキ液槽
２１より噴出されたメッキ液３１は、メッキ液槽２１と
本体部３２との離間部分より受け部２４に流れ落ちる構
成とされている。
１に接触することになるが、前記したように隔離部材２
９は、メッキ液３１に浸食されない耐強酸性のある絶縁
材質により構成されているため、隔離部材２９がメッキ
液３１により浸食されたり、また隔離部材２９を介して
電流がリークするようなことはない。また、メッキ液槽
２１より噴出されたメッキ液３１は、メッキ液槽２１と
本体部３２との離間部分より受け部２４に流れ落ちる構
成とされている。
【００２５】一方、本体部３２の上部には蓋部３３が気
密に配設されている。この蓋部３３は本体部３２に対し
て着脱自在の構成とされており、蓋部３３を本体部３２
から外した状態でウェハー３０の装着脱が行われる。ま
た、蓋部３３には窒素ガス取り入れ口３７が設けられて
おり、この窒素ガス取り入れ口３７には窒素ガス供給装
置２８が接続されている。よって、隔離部材２９内には
窒素ガス供給装置２８より窒素ガスが導入される構成と
されている。
密に配設されている。この蓋部３３は本体部３２に対し
て着脱自在の構成とされており、蓋部３３を本体部３２
から外した状態でウェハー３０の装着脱が行われる。ま
た、蓋部３３には窒素ガス取り入れ口３７が設けられて
おり、この窒素ガス取り入れ口３７には窒素ガス供給装
置２８が接続されている。よって、隔離部材２９内には
窒素ガス供給装置２８より窒素ガスが導入される構成と
されている。
【００２６】窒素ガスは、メッキ処理の実施中に隔離部
材２９に導入され、この窒素ガスの導入により隔離部材
２９内は加圧される。いま、ウェハー３０と載置部３５
との接触部分に注目すると、メッキ液３１はポンプ２３
により所定の圧力で噴出されるため、ウェハー３０と載
置部３５との境界部よりメッキ液３１が隔離部材２９の
内部に侵入するおそれがある。メッキ液３１が隔離部材
２９の内部に侵入した場合、やはり陰極電極２７にメッ
キ液３１が触れて電流のリークが発生したり陰極電極１
０自身にメッキがされるおそれがある。
材２９に導入され、この窒素ガスの導入により隔離部材
２９内は加圧される。いま、ウェハー３０と載置部３５
との接触部分に注目すると、メッキ液３１はポンプ２３
により所定の圧力で噴出されるため、ウェハー３０と載
置部３５との境界部よりメッキ液３１が隔離部材２９の
内部に侵入するおそれがある。メッキ液３１が隔離部材
２９の内部に侵入した場合、やはり陰極電極２７にメッ
キ液３１が触れて電流のリークが発生したり陰極電極１
０自身にメッキがされるおそれがある。
【００２７】しかるに、メッキ処理実施中に隔離部材２
９内に窒素ガスを導入し、隔離部材２９の内圧を加圧す
ることにより、メッキ液３１が隔離部材２９内に侵入す
るのを有効に防止することができ、電流のリークや陰極
電極１０にメッキがされることを防止することができ
る。
９内に窒素ガスを導入し、隔離部材２９の内圧を加圧す
ることにより、メッキ液３１が隔離部材２９内に侵入す
るのを有効に防止することができ、電流のリークや陰極
電極１０にメッキがされることを防止することができ
る。
【００２８】尚、隔離部材２９に導入する気体は窒素ガ
スに限定されるものではなく、メッキ液３１に触れて変
質のしないガス、例えば不活性ガスであれば他の物質を
用いてもよい。
スに限定されるものではなく、メッキ液３１に触れて変
質のしないガス、例えば不活性ガスであれば他の物質を
用いてもよい。
【００２９】また、上記した実施例では図２に示すよう
に載置部３５の形状を平面的に見て円形状としたが、載
置部３５の形状はこれに限るものではなく、図３に示す
ように陰極電極２７の配設位置のみ溝部３８を形成し、
この内側位置に陰極電極２７を配設することにより、ウ
ェハー３０のメッキ面積を大とする構成としても良い。
に載置部３５の形状を平面的に見て円形状としたが、載
置部３５の形状はこれに限るものではなく、図３に示す
ように陰極電極２７の配設位置のみ溝部３８を形成し、
この内側位置に陰極電極２７を配設することにより、ウ
ェハー３０のメッキ面積を大とする構成としても良い。
【００３０】
【発明の効果】上述の如く本発明によれば、隔離部材を
設けることにより陰極電極はメッキ液から隔離され、陰
極電極とメッキ液とが接触するのを防止できるため、よ
って陰極電極からの電流のリークを防止でき、メッキ膜
を安定かつ信頼性良く形成することができる。
設けることにより陰極電極はメッキ液から隔離され、陰
極電極とメッキ液とが接触するのを防止できるため、よ
って陰極電極からの電流のリークを防止でき、メッキ膜
を安定かつ信頼性良く形成することができる。
【００３１】また、陰極電極自身にメッキがされること
が無くなるため、陰極電極に異常突起が発生することも
なくなり、このメッキ処理工程の以降に実施される各工
程を円滑に行うことができる。
が無くなるため、陰極電極に異常突起が発生することも
なくなり、このメッキ処理工程の以降に実施される各工
程を円滑に行うことができる。
【図１】本発明の一実施例である電界メッキ装置を説明
するための図である。
するための図である。
【図２】図１におけるＡ−Ａ矢視図である。
【図３】溝部を設けた隔離部材を示す図である。
【図４】従来の電界メッキ装置の一例を説明するための
図である。
図である。
【図５】従来の電界メッキ装置で発生する問題点を説明
するための図である。
するための図である。
２０ 電界メッキ装置 ２１ メッキ液槽 ２２ 陽極電極 ２３ ポンプ ２４ 受け部 ２５ 通路 ２６ タンク ２７ 陰極電極 ２８ 窒素ガス供給装置 ２９ 隔離部材 ３０ ウェハー ３１ メッキ液 ３２ 本体部 ３３ 蓋部 ３４ 開口部 ３５ 載置部 ３６ 定電流源 ３７ 窒素ガス取り入れ部
Claims (2)
- 【請求項１】 メッキ液（３１）が充填されると共にそ
の上部対向位置に被メッキ部材（３０）が配置され、該
メッキ液（３１）が該被メッキ部材（３０）に対し噴出
される構成とされたメッキ液槽（２１）と、該メッキ液
（３１）と電気的に接続された陽極電極（２２）と、載
置された該被メッキ部材（３０）と接触する陰極電極
（２７）とを有する半導体装置の製造装置において、 該陰極電極（２７）を、絶縁体でかつ該メッキ液（３
１）に対し耐侵食性を有する材質よりなる隔離部材（２
９）で隔離し、該メッキ液（３１）と接触しないように
構成したことを特徴とする半導体装置の製造装置。 - 【請求項２】 該陰極電極（２７）近傍に不活性気体を
導入し、該メッキ液（３１）が該隔離部材（２９）と該
被メッキ部材（３０）との境界部を介して陰極電極側に
浸透するのを防止する構成としたことを特徴とする請求
項１の半導体装置の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4486292A JPH05243235A (ja) | 1992-03-02 | 1992-03-02 | 半導体装置の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4486292A JPH05243235A (ja) | 1992-03-02 | 1992-03-02 | 半導体装置の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05243235A true JPH05243235A (ja) | 1993-09-21 |
Family
ID=12703304
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4486292A Pending JPH05243235A (ja) | 1992-03-02 | 1992-03-02 | 半導体装置の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05243235A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100352620B1 (ko) * | 1998-12-29 | 2002-12-26 | 주식회사 에스아이테크 | 리드프레임도금조의드레인배관연결구조 |
| US6736945B2 (en) | 2000-02-28 | 2004-05-18 | Electroplating Engineers Of Japan Limited | Wafer plating apparatus |
| KR100674551B1 (ko) * | 2001-03-07 | 2007-01-26 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 도금 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
-
1992
- 1992-03-02 JP JP4486292A patent/JPH05243235A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100352620B1 (ko) * | 1998-12-29 | 2002-12-26 | 주식회사 에스아이테크 | 리드프레임도금조의드레인배관연결구조 |
| US6736945B2 (en) | 2000-02-28 | 2004-05-18 | Electroplating Engineers Of Japan Limited | Wafer plating apparatus |
| KR100674551B1 (ko) * | 2001-03-07 | 2007-01-26 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 도금 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3308333B2 (ja) | 電解メッキ装置，及び電解メッキ処理方法 | |
| US6365017B1 (en) | Substrate plating device | |
| US20040262150A1 (en) | Plating device | |
| US7566386B2 (en) | System for electrochemically processing a workpiece | |
| US20090134034A1 (en) | Prevention of substrate edge plating in a fountain plating process | |
| JP2009293134A (ja) | 電気化学堆積装置 | |
| CN105970258A (zh) | 膜形成装置和膜形成方法 | |
| JPH05243235A (ja) | 半導体装置の製造装置 | |
| US6793794B2 (en) | Substrate plating apparatus and method | |
| JP2000319797A (ja) | めっき装置 | |
| US7713398B2 (en) | Selective plating apparatus and selective plating method | |
| US6544391B1 (en) | Reactor for electrochemically processing a microelectronic workpiece including improved electrode assembly | |
| US20050274604A1 (en) | Plating apparatus | |
| JPH0959795A (ja) | メッキ用治具 | |
| JP3438387B2 (ja) | めっき装置およびめっき方法 | |
| JP3386672B2 (ja) | ウェハメッキ装置 | |
| US20050061676A1 (en) | System for electrochemically processing a workpiece | |
| JP2002235188A (ja) | 液処理装置、液処理方法 | |
| JP2002294495A (ja) | 液処理装置 | |
| JP2005068561A (ja) | めっき装置 | |
| JPH07216585A (ja) | メッキ装置 | |
| JPH05295589A (ja) | 半導体ウエハのバンプ電極めっき装置及びそのめっき方法 | |
| JP3187579B2 (ja) | めっき装置 | |
| JP2009293088A (ja) | 電気めっき装置、及び電気めっき方法 | |
| JPH03202488A (ja) | メッキ装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20010605 |