JPH0787190B2 - 半導体ウエハ−のウエツト処理方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は半導体ウエハーの片面のみを選択的にウエット
処理を行なう方法に関するものである。

従来の技術 半導体ウェハーの表面あるいは裏面の一方の面のみを選
択的にエッチングあるいはメッキなどのウエット処理を
行なう場合、従来は処理を行なわない面にレジストなど
で保護被膜を形成し、ウエハー全体を処理液に浸漬し
て、目的の面の処理を行なった後、レジストなどの保護
被膜を除去する方法をとっていた。

発明が解決しようとする問題点 このような従来方法では次の問題点がある。

第一に、処理を行なわない面にレジストなどで保護被膜
を形成する工程や、ウエット処理後、その保護被膜を除
去する工程など、目的のウエット処理と直接関係のない
余分な工程が必要である。

第二に、目的のウエット処理後、保護被膜を除去する工
程で、目的のウエット処理が施された面が化学的なダメ
ージを受けるおそれがある。

問題点を解決するための手段 上述の問題点を解決するため、本発明は、テーブル面の
細孔を通して、前記テーブル表面に処理液を溢流させ、
半導体ウエハーを前記処理液上に浮かべた状態で、前記
半導体ウエハーの片面を前記処理液に接触させる工程を
そなえた半導体ウエハーのウエット処理方法である。

作用 この方法によればウエット処理を必要としないウエハー
面は処理液に全く触れないため、目的面のみをウエット
処理することができる。

実施例 第１図、第２図に本発明のウエット処理に用いるテーブ
ルの構造例を示す。いずれもテーブル１の表面はウエハ
ー２とほぼ同形状（例えばウエハーとほぼ同一の直径の
円形）である。第１図のテーブルはテーブル内部あるい
は同テーブルの下面からテーブル表面に通じる微小な孔
が多数設けられ、それらの孔を通してエッチング液、メ
ッキ液等の溶液あるいは処理後の洗浄水等の処理液３が
テーブル表面に供給される。テーブルはフッ素樹脂、セ
ラミックなど、使用溶液に侵されない材質を選ぶ。

第２図のテーブルは、周縁部を除く表面の主要部が多孔
質セラミック４で形成され、これを通してテーブル内部
から表面に溶液が供給される。

以上のようなテーブルを用いた本発明のウエット処理例
を以下に述べる。まず処理液が供給されていない状態で
ウエハーをテーブル表面に置く。処理を行なおうとする
面をテーブル表面に向ける。次にエッチング液、メッキ
液などの処理液をテーブル内部からテーブル表面に供給
する。ウエハーは処理液上に浮かんでテーブル表面側の
面のみが処理される。処理液に浮かんだウエハーは液上
で多少の位置ずれが起きても処理液の表面張力により復
元力が働き安定に定位置に保持される。処理液はテーブ
ル側面をつたって流れ落ちる。この流出液は回収利用し
てもよい。所定の時間だけエッチングあるいはメッキ処
理などを行なった後、供給する液を水にきりかえ、処理
面の若干の洗浄を行なう。本格的な洗浄は、処理の終わ
ったウエハーをカセットに移し、従来の方法でウエハー
全体を浸漬して水洗を行なえばよい。

また、ウエット処理にあたっては、予め、処理液をテー
ブル表面に流出させ、同テーブル表面に処理液の溢流層
を形成した状態で、これに半導体ウエハーの被処理面を
接触させる方法も有益である。

これは、図示しないが、真空吸着パットやベルヌーイチ
ャックの通常の吸着手段を用いて半導体ウエハーをテー
ブルのほぼ真上まで搬送し、テーブル表面に形成された
液体層に半導体ウエハーの被処理面がわずかに触れるか
あるいはわずかに空間を残した高さで半導体ウエハーの
吸着あるいは吸引を解除することによって行なえばよ
い。このときテーブル表面に液体層が形成されているた
め、半導体ウエハーの被処理面がテーブル表面に直接触
れることがなく、被処理面に傷が入ったりしない。また
半導体ウエハーが搭載される位置がテーブル表面から多
少ずれていても液体層の表面張力によって自然に安定な
位置に保持される。続いて半導体ウエハーを液上に浮か
べた状態でエッチング液やメッキ液などの処理液をテー
ブル内部からテーブル表面に供給し続ける。これによっ
て半導体ウエハーの被処理面のみが処理液に触れウエッ
ト処理される。また常に新鮮な処理液が均一に半導体ウ
エハーの被処理面に供給されるので、迅速で均一性のす
ぐれたウエット処理が行なえる。なお、処理を終了する
際にも、溶液層上に浮かせた状態で半導体ウエハーを吸
着手段によって支持し、引き上げる。

本発明の実施例は、第１図、第２図に示すように、一様
に分布した複数個の細孔を有する表面壁あるいは多孔性
材料で構成された表面壁と、１個以上の開孔を有する裏
面壁と側壁とにより取り囲まれた内部空間を有するテー
ブルの半導体ウエハーとほぼ同一形状の表面に、前記開
孔から前記内部空間に処理液を充満して前記細孔あるい
は多孔性材料面より前記処理液を前記テーブル表面に流
出させ、前記半導体ウエハーを浮上させて前記被処理面
をウエット処理する工程を含むものであり、これによっ
て半導体ウエハーの被処理面のみが処理液に触れウエッ
ト処理される。また常に新鮮な処理液が均一に半導体ウ
エハーの被処理面に供給されるので、迅速に均一性のす
ぐれたウエット処理が行なえる。

発明の効果 本発明の半導体ウエハーのウエット処理方法によれば、
半導体ウエハーは、処理液上に浮かべた状態で、処理液
と接触するので、処理液の流量が変動しても、それに応
じて、半導体ウエハーが上下することによって、半導体
ウエハーと処理液との接触状態がほとんど変化せず、ま
た、処理液の表面張力によって、半導体ウエハーが常に
最適な位置で支持され、均一なウエット処理がなされ
る。また、半導体ウエハーの片面にレジストなどの保護
被膜を形成することなく目的面のみを選択的にウエット
処理することが可能となる。さらに、ウエット処理後の
保護被膜除去工程も不要となるため、工程の簡素化なら
びに工程時間の短縮が実現されるとともに、ウエット処
理された面が保護被膜除去液に侵され、ダメージを受け
ることがなくなる。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図は本発明の実施に用いるテーブルの構造
及びウエット処理中のウエハーの状態を示す断面図であ
る。 １……テーブル、２……ウエハー、３……処理液、４…
…多孔質セラミック。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】テーブル面の細孔を通して前記テーブル表
   面に処理液を溢流させ、半導体ウエハーを前記処理液上
   に浮かべた状態で前記半導体ウエハーの片面を前記処理
   液に接触させる工程をそなえた半導体ウエハーのウエッ
   ト処理方法。