KR19990034785A - 웨트 스테이션에서의 웨이퍼 처리방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 웨트 스테이션에서의 웨이퍼 처리방법을 개시한다. 이 방법은 액조를 갖는 웨트 스테이션에서의 웨이퍼 처리방법에 있어서, 웨이퍼 카셋트 내에 적어도 한 장 이상의 반도체 웨이퍼를 담는 단계와, 적어도 한 장 이상의 웨이퍼를 각각 수평상태로 담을 수 있는 액조용 캐리어에 웨이퍼 카셋트 내에 담긴 웨이퍼를 전송시키는 단계와, 수평상태로 전송된 웨이퍼가 담긴 액조용 캐리어를 액조에 투입하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

웨트 스테이션에서의 웨이퍼 처리방법

본 발명은 반도체 웨이퍼의 처리방법에 관한 것으로, 특히 웨트 스테이션에서의 웨이퍼 처리방법에 관한 것이다.

반도체소자의 집적도가 증가함에따라 반도체소자를 제조하는데 사용되는 반도체 웨이퍼의 직경이 점점 커지고 있다. 최근에 12인치의 큰 직경을 갖는 웨이퍼가 출현함으로써 이에 적합한 반도체 제조장비가 제작되어야 한다. 반도체 소자를 제조하는 데에 있어서 습식 세정공정 및 습식 식각공정은 필수적으로 요구된다. 이러한 습식 공정은 웨트 스테이션 장비 내에서 이루어진다. 웨트스테이션은 그 내부에 화학용액, 예컨대 세정용액 또는 식각용액을 담는 액조(bath)를 포함하고 있으며, 상기 액조 내의 화학용액에 반도체 웨이퍼를 담구어 습식 공정을 실시한다. 종래의 습식 공정을 실시하는 방법은 상기한 웨트스테이션의 액조 내에 화학용액을 공급하는 공정과, 상기 화학용액 내에 웨이퍼를 소정의 시간동안 담구는 공정과, 상기 화학용액에 소정의 시간동안 담구어진 웨이퍼를 꺼내어 웨이퍼 표면에 잔존하는 화학용액을 탈이온수로 제거하는 린스 공정과, 상기 린스 공정이 완료된 웨이퍼를 회전시키어 웨이퍼의 표면에 잔존하는 탈이온수를 제거하는 스핀 드라이 공정으로 이루어진다. 여기서, 상기 화학용액 내에 웨이퍼를 담굴 때 웨이퍼는 액조의 바닥과 수직한 상태로 투입된다. 이때, 상기 화학용액은 그 전체에 걸쳐서 균일한 조건, 즉 균일한 온도 및 균일한 농도 등으로 유지되지 않는다. 이에 따라, 한 장의 웨이퍼 내에서 불균일한 세정효과 또는 불균일한 식각률을 보인다. 이러한 현상은 웨이퍼의 직경이 증가할수록 더욱 심하게 나타난다.

본 발명의 목적은 한 장의 웨이퍼 내에서 균일한 세정효과 또는 균일한 식각률을 얻을 수 있는 웨트 스테이션에서의 웨이퍼 처리방법을 제공하는 데 있다.

도 1은 본 발명에 따른 웨이퍼 처리방법을 설명하기 위한 웨트 스테이션의 개략도이다.

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 액조를 갖는 웨트 스테이션에서의 웨이퍼 처리방법에 있어서, 웨이퍼 카셋트 내에 적어도 한 장 이상의 반도체 웨이퍼를 담는 단계와, 적어도 한 장 이상의 웨이퍼를 각각 수평상태로 담을 수 있는 액조용 캐리어에 상기 웨이퍼 카셋트 내에 담긴 웨이퍼를 전송시키는 단계와, 상기 수평상태로 전송된 웨이퍼가 담긴 액조용 캐리어를 상기 액조에 투입하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.

도 1은 본 발명에 따른 웨이퍼 처리방법을 설명하기 위하여 웨트 스테이션을 도시한 개략도이다.

도 1을 참조하면, 본 발명의 웨이퍼 처리방법은 먼저 웨이퍼 카셋트(도시하지 않음) 내에 적어도 한 장 이상의 웨이퍼(5)를 담는다. 그리고, 상기 웨이퍼 카셋트 내에 담긴 웨이퍼(5)를 액조용 캐리어(7)에 전송시킨다. 여기서, 상기 액조용 캐리어(7)는 웨이퍼 카셋트와 같이 각각의 웨이퍼(5)가 서로 평행하게 끼워질 수 있는 복수 개의 슬롯을 구비하는 것이 바람직하다. 그리고, 액조용 캐리어(7)가 평평한 수평판 위에 정상적으로 놓여질 때, 액조용 캐리어(7) 내에 담긴 각각의 웨이퍼(5)는 수평상태를 유지한다. 이어서, 웨이퍼(5)가 담긴 액조용 캐리어(7)를 웨트스테이션의 몸체(1) 내에 설치된 액조(3) 내부로 이동시킨다. 이때, 상기 액조(3)에는 화학용액(5), 예컨대 세정액 또는 식각용액이 담겨져 있다. 이에 따라, 상기 액조(3) 내부로 이동된 웨이퍼(5)는 수평상태를 유지하면서 화학용액(5) 내에 잠긴다. 이와 같이 웨이퍼(5)가 수평상태로 화학용액(5)에 담겨지면, 한 장의 웨이퍼 내에서 균일한 식각률 또는 균일한 세정효과를 얻을 수 있다. 이는, 액조(3) 내에 담긴 화학용액의 상부와 하부는 서로 다른 농도 및 서로 다른 온도 등을 보이나, 액조(3)의 바닥으로부터 일정 높이에 위치하는 화학용액은 균일한 농도 및 균일한 온도를 보이기 때문이다. 다음에, 상기 액조(3) 내의 화학용액(5)에 담긴 웨이퍼(5)를 소정의 시간이 경과한 후에 꺼내어 린스 공정 및 스핀 드라이 공정을 실시한다.

본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고 당업자의 수준에서 그 변형 및 개량이 가능하다.

상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 한 장의 웨이퍼 내에서 균일한 식각률 또는 균일한 세정효과를 얻을 수 있다.

Claims (1)

1. 액조를 갖는 웨트 스테이션에서의 웨이퍼 처리방법에 있어서,

   웨이퍼 카셋트 내에 적어도 한 장 이상의 반도체 웨이퍼를 담는 단계;

   적어도 한 장 이상의 웨이퍼를 각각 수평상태로 담을 수 있는 액조용 캐리어에 상기 웨이퍼 카셋트 내에 담긴 웨이퍼를 전송시키는 단계; 및

   상기 수평상태로 전송된 웨이퍼가 담긴 액조용 캐리어를 상기 액조에 투입하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨트 스테이션에서의 웨이퍼 처리방법.