JPS62276831A - 半導体ウエハ−のウエツト処理方法 - Google Patents
半導体ウエハ−のウエツト処理方法Info
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- JPS62276831A JPS62276831A JP1472487A JP1472487A JPS62276831A JP S62276831 A JPS62276831 A JP S62276831A JP 1472487 A JP1472487 A JP 1472487A JP 1472487 A JP1472487 A JP 1472487A JP S62276831 A JPS62276831 A JP S62276831A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
産業上の利用分野
本発明は半導体ウェハーの片面のみを選択的にウェット
処理を行なう方法に関するものである。
処理を行なう方法に関するものである。
従来の技術
半導体ウェハーの表面あるいは裏面の一方の面のみを選
択的にエツチ７グあるいはメッキなどのウェット処理を
行なう場合、従来は処理を行なわない面にレジストなど
で保護被膜を形成し、ウェハー全体を処理液に浸漬して
、目的の面の処理を行なった後、レジストなどの保護被
膜を除去する方法をとっていた。
択的にエツチ７グあるいはメッキなどのウェット処理を
行なう場合、従来は処理を行なわない面にレジストなど
で保護被膜を形成し、ウェハー全体を処理液に浸漬して
、目的の面の処理を行なった後、レジストなどの保護被
膜を除去する方法をとっていた。
発明が解決しようとする問題点
このような従来方法では次の問題点がある。
第一に、処理を行なわない面にレジストなどで保護被膜
を形成する工程や、ウェット処理後、その保護被膜を除
去する工程など、目的のウェット処理と直接関係のない
余分な工程が必要である。
を形成する工程や、ウェット処理後、その保護被膜を除
去する工程など、目的のウェット処理と直接関係のない
余分な工程が必要である。
第二に、目的のウェット処理後、保護被膜を除去する工
程で、目的のウェット処理が施された面が化学的なダメ
ージを受けるおそれがある。
程で、目的のウェット処理が施された面が化学的なダメ
ージを受けるおそれがある。
問題点を解決するための手段
上述の問題点を解決するだめ、本発明は、テーブル面の
細孔を通して、同テーブル表面に溶液を溢流させた状態
で、半導体ウエノ・−の片面を前記溶液に接触させる工
程をそなえた半導体ウニ・・−のウェット処理方法であ
る。
細孔を通して、同テーブル表面に溶液を溢流させた状態
で、半導体ウエノ・−の片面を前記溶液に接触させる工
程をそなえた半導体ウニ・・−のウェット処理方法であ
る。
作 用
この方法によればウェット処理を必要としないウニ・・
−面は処理液に全く触えないため、目的面のみをウェッ
ト処理することができる。
−面は処理液に全く触えないため、目的面のみをウェッ
ト処理することができる。
実施例
第１図、第２図に本発明のウェット処理に用いるテーブ
ルの構造例を示す。いずれもテーブル１の表面はウェハ
ー２とほぼ同形状（たとえばウェハーとほぼ同一の直径
の円形）である。第１図のテーブルはテーブル内部ある
いは同テーブルの下面からテーブル表面に通じる微小な
孔が多数段けられ、それらの孔を通してエツチング液、
メッキ液等の溶液あるいは処理後の洗浄水等の処理液３
がテーブル表面に供給される。テーブルはフッ素樹脂、
セラミックなど、使用溶液に侵されない材質を選ぶ。
ルの構造例を示す。いずれもテーブル１の表面はウェハ
ー２とほぼ同形状（たとえばウェハーとほぼ同一の直径
の円形）である。第１図のテーブルはテーブル内部ある
いは同テーブルの下面からテーブル表面に通じる微小な
孔が多数段けられ、それらの孔を通してエツチング液、
メッキ液等の溶液あるいは処理後の洗浄水等の処理液３
がテーブル表面に供給される。テーブルはフッ素樹脂、
セラミックなど、使用溶液に侵されない材質を選ぶ。
第２図のテーブルは、周縁部をのぞく表面の主要部が多
孔質セラミック４で形成され、これを通してテーブル内
部から表面に溶液が供給される。
孔質セラミック４で形成され、これを通してテーブル内
部から表面に溶液が供給される。
以上のようなテーブルを用いた本発明のウェット処理例
を以下に述べる。まず処理液が供給されていない状態で
ウェハーをテーブル表面に置く。
を以下に述べる。まず処理液が供給されていない状態で
ウェハーをテーブル表面に置く。
処理を行なおうとする面をテーブル表面に向けも次にエ
ツチング液、メッキ液などの処理液をテーブル内部から
テーブル表面に供給する。ウェハーは処理液上に浮かん
でテーブル表面側の面のみが処理される。処理液に浮か
んだウェハーは液上で多少の位置ずれが起きても処理液
の表面張力により復元力が働らき安定に定位置に保持さ
れる。処理液はテーブル側面をったって流れ落ちる。こ
の流出液は回収利用してもよい。所定の時間だけエツチ
ングあるいはメッキ処理などを行なった後、供給する液
を水にきりかえ、処理面の若干の洗浄を行なう。本格的
な洗浄は、処理の終わったウェハーをカセットに移し、
従来の方法でウェハー全体を浸漬して水洗を行なえばよ
い。
ツチング液、メッキ液などの処理液をテーブル内部から
テーブル表面に供給する。ウェハーは処理液上に浮かん
でテーブル表面側の面のみが処理される。処理液に浮か
んだウェハーは液上で多少の位置ずれが起きても処理液
の表面張力により復元力が働らき安定に定位置に保持さ
れる。処理液はテーブル側面をったって流れ落ちる。こ
の流出液は回収利用してもよい。所定の時間だけエツチ
ングあるいはメッキ処理などを行なった後、供給する液
を水にきりかえ、処理面の若干の洗浄を行なう。本格的
な洗浄は、処理の終わったウェハーをカセットに移し、
従来の方法でウェハー全体を浸漬して水洗を行なえばよ
い。
また、ウェット処理にあたっては、予め、処理液をテー
ブル表面に流出させ、同テーブル表面に処理液の溢流層
を形成した状態で、これに半導体ウェハーの被処理面を
接触させる方法も有益である。
ブル表面に流出させ、同テーブル表面に処理液の溢流層
を形成した状態で、これに半導体ウェハーの被処理面を
接触させる方法も有益である。
これは、図示しないが、真空吸着バットやベルヌーイチ
ャックの通常の吸着手段を用いて半導体ウェハーをテー
ブルのほぼ真上まで搬送し、テーブル表面に形成された
液体層に半導体ウェハーの被処理面がわずかに触れるが
あるいはわずかに空間を残した高さで半導体ウェハーの
吸着あるいは吸引を解除することによって行なえばよい
。このときテーブル表面に液体層が形成されているため
、半導体ウェハーの被処理面がテーブル表面に直接触れ
ることがなく、被処理面に傷が入ったシしない。また半
導体ウェハーが搭載される位置がテーブル表面から多少
ずれていても液体層の表面張力によって自然に安定な位
置に保持される。続いて半導体ウェハーを液上に浮がべ
た状態でエツチング液やメッキ液などの処理液をテーブ
ル内部からテーブル表面に供給し続ける。これによって
半導体ウェハーの被処理面のみが処理液に触れウェット
処理される。また常に新鮮な処理液が均一に半導体ウェ
ハーの被処理面に供給されるので、迅速で均一性のすぐ
れたウニｙ）処理が行なえる。なお、処理を終了する際
にも、溶液層上に浮かせた状態で半導体ウェハーを吸着
手段によって支持し引き上げる。
ャックの通常の吸着手段を用いて半導体ウェハーをテー
ブルのほぼ真上まで搬送し、テーブル表面に形成された
液体層に半導体ウェハーの被処理面がわずかに触れるが
あるいはわずかに空間を残した高さで半導体ウェハーの
吸着あるいは吸引を解除することによって行なえばよい
。このときテーブル表面に液体層が形成されているため
、半導体ウェハーの被処理面がテーブル表面に直接触れ
ることがなく、被処理面に傷が入ったシしない。また半
導体ウェハーが搭載される位置がテーブル表面から多少
ずれていても液体層の表面張力によって自然に安定な位
置に保持される。続いて半導体ウェハーを液上に浮がべ
た状態でエツチング液やメッキ液などの処理液をテーブ
ル内部からテーブル表面に供給し続ける。これによって
半導体ウェハーの被処理面のみが処理液に触れウェット
処理される。また常に新鮮な処理液が均一に半導体ウェ
ハーの被処理面に供給されるので、迅速で均一性のすぐ
れたウニｙ）処理が行なえる。なお、処理を終了する際
にも、溶液層上に浮かせた状態で半導体ウェハーを吸着
手段によって支持し引き上げる。
本発明の実施例は、第１図、第２図に示すように、一様
に分布した複数個の細孔を有する表面壁あるいは多孔性
材料で構成された表面壁と、１個以上の開孔を有する裏
面壁と側壁とにより取り囲れた内部空間を有するテーブ
ルの半導体ウニ・・−とほぼ同一形状の表面に、前記開
孔から前記内部空間に処理液を充満して前記細孔あるい
は多孔性材料面より前記処理液を前記テーブル表面に流
出させ、前記半導体ウェハーを浮上させて前記被処理面
をウェット処理する工程を含むものであり、これによっ
て半導体ウェハーの被処理面のみが処理液に触れウェッ
ト処理される。また常に新鮮な処理液が均一に半導体ウ
ェハーの被処理面ば供給されるので、迅速で均一性のす
ぐれたウェット処理が行なえる。
に分布した複数個の細孔を有する表面壁あるいは多孔性
材料で構成された表面壁と、１個以上の開孔を有する裏
面壁と側壁とにより取り囲れた内部空間を有するテーブ
ルの半導体ウニ・・−とほぼ同一形状の表面に、前記開
孔から前記内部空間に処理液を充満して前記細孔あるい
は多孔性材料面より前記処理液を前記テーブル表面に流
出させ、前記半導体ウェハーを浮上させて前記被処理面
をウェット処理する工程を含むものであり、これによっ
て半導体ウェハーの被処理面のみが処理液に触れウェッ
ト処理される。また常に新鮮な処理液が均一に半導体ウ
ェハーの被処理面ば供給されるので、迅速で均一性のす
ぐれたウェット処理が行なえる。
発明の効果
本発明の半導体ウェハーのウェット処理方法によれば、
半導体ウェハーの片面にレジストなどの保護被膜を形成
することなく、目的面のみを選択的にウェット処理する
ことが可能となり、またウェット処理後の保護被膜除去
工程も不要となるため、工程の簡素化ならびに工程時間
の短縮が実現されるとともに、ウェット処理された面が
保護被膜除去液に侵され、ダメージを受けることがなく
なる。
半導体ウェハーの片面にレジストなどの保護被膜を形成
することなく、目的面のみを選択的にウェット処理する
ことが可能となり、またウェット処理後の保護被膜除去
工程も不要となるため、工程の簡素化ならびに工程時間
の短縮が実現されるとともに、ウェット処理された面が
保護被膜除去液に侵され、ダメージを受けることがなく
なる。
第１図、第２図は本発明の実施に用いるテーブルの構造
及びウェット処理中のウニ・・−の状態を示す断面図で
ある。 １・・・・・・テーブル、２・・・・・・ウニノー−１
３・・・・・・処理液、４・・・・・多孔質セラミック
。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第２
図 ？
及びウェット処理中のウニ・・−の状態を示す断面図で
ある。 １・・・・・・テーブル、２・・・・・・ウニノー−１
３・・・・・・処理液、４・・・・・多孔質セラミック
。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第２
図 ？
Claims (1)
- テーブル面の細孔を通して、同テーブル表面に溶液を溢
流させた状態で、半導体ウェハーの片面を前記溶液に接
触させる工程をそなえた半導体ウェハーのウェット処理
方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3469186 | 1986-02-18 | ||
| JP61-34691 | 1986-02-18 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62276831A true JPS62276831A (ja) | 1987-12-01 |
| JPH0787190B2 JPH0787190B2 (ja) | 1995-09-20 |
Family
ID=12421403
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62014724A Expired - Lifetime JPH0787190B2 (ja) | 1986-02-18 | 1987-01-23 | 半導体ウエハ−のウエツト処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0787190B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5489341A (en) * | 1993-08-23 | 1996-02-06 | Semitool, Inc. | Semiconductor processing with non-jetting fluid stream discharge array |
| US6090711A (en) * | 1997-09-30 | 2000-07-18 | Semitool, Inc. | Methods for controlling semiconductor workpiece surface exposure to processing liquids |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60231330A (ja) * | 1984-04-28 | 1985-11-16 | Seiichiro Sogo | 半導体材料の処理装置 |
-
1987
- 1987-01-23 JP JP62014724A patent/JPH0787190B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60231330A (ja) * | 1984-04-28 | 1985-11-16 | Seiichiro Sogo | 半導体材料の処理装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5489341A (en) * | 1993-08-23 | 1996-02-06 | Semitool, Inc. | Semiconductor processing with non-jetting fluid stream discharge array |
| US5584310A (en) * | 1993-08-23 | 1996-12-17 | Semitool, Inc. | Semiconductor processing with non-jetting fluid stream discharge array |
| US6090711A (en) * | 1997-09-30 | 2000-07-18 | Semitool, Inc. | Methods for controlling semiconductor workpiece surface exposure to processing liquids |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0787190B2 (ja) | 1995-09-20 |
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