JPH0364916A - ウェハの洗浄方法 - Google Patents
ウェハの洗浄方法Info
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- JPH0364916A JPH0364916A JP20204989A JP20204989A JPH0364916A JP H0364916 A JPH0364916 A JP H0364916A JP 20204989 A JP20204989 A JP 20204989A JP 20204989 A JP20204989 A JP 20204989A JP H0364916 A JPH0364916 A JP H0364916A
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- wafers
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- vessel
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Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、半導体素子の製造において行われるウェハの
洗浄方法に関する。
洗浄方法に関する。
［従来の技術］
従来、半導体素子の製造において、ウェハのエツチング
、洗浄あるいは水洗は、第６図に示すようなカセットに
当該ウェハを、ウェハの表面が垂直になるように並べて
配置し、エツチング槽、洗浄槽あるいは水洗槽に一定時
間浸漬させて行なっていた。
、洗浄あるいは水洗は、第６図に示すようなカセットに
当該ウェハを、ウェハの表面が垂直になるように並べて
配置し、エツチング槽、洗浄槽あるいは水洗槽に一定時
間浸漬させて行なっていた。
しかしながら、従来の方法においては、槽内の液表面に
被エツチング材の粉が浮いたり、レジストの粉が浮いた
り、被洗浄材の粉が浮いたりして汚れるという欠点があ
ったり、また、槽内に外から異物が落ちてきて液表面が
汚れたりするという問題があった。
被エツチング材の粉が浮いたり、レジストの粉が浮いた
り、被洗浄材の粉が浮いたりして汚れるという欠点があ
ったり、また、槽内に外から異物が落ちてきて液表面が
汚れたりするという問題があった。
かかる液表面の汚れにより、ウェハを並べたカセットを
槽内から取り出す時に、上記汚染物が表面張力によって
ウェハの表面に付着してしまい、後工程でこれらの汚染
物が取り除かれない場合、これが歩留り低下の原因とな
る。
槽内から取り出す時に、上記汚染物が表面張力によって
ウェハの表面に付着してしまい、後工程でこれらの汚染
物が取り除かれない場合、これが歩留り低下の原因とな
る。
これらの問題点を解決する手段としては、槽内の液（エ
ツチング液、洗浄液、水など）をオーバフローさせたり
、フィルタリングすることによって、その汚染物を取り
除く方法が知られている。
ツチング液、洗浄液、水など）をオーバフローさせたり
、フィルタリングすることによって、その汚染物を取り
除く方法が知られている。
しかしながら、これらの方法は、装置が大掛かりで保守
・点検に手間を要したり、液を大量に必要とする等、コ
スト面で問題点がある。
・点検に手間を要したり、液を大量に必要とする等、コ
スト面で問題点がある。
本発明は、上記問題点を解決するためになされたもので
、その目的とするところは、従来と同様の装置を使用し
て、ウェハ表面への汚染物の付着を低減し得るウェハの
洗浄方法を提供することにある。
、その目的とするところは、従来と同様の装置を使用し
て、ウェハ表面への汚染物の付着を低減し得るウェハの
洗浄方法を提供することにある。
本発明は上記課題を解決するため、第１図に示すように
、カセット１に複数枚のウェハ２をその表面が垂直にな
るように並べ、該カセット１と共に槽３内に一定時間浸
漬させ、しかる後、ウェハ２をカセット１と共に槽内か
ら取り出して威る半導体素子の製造におけるウェハの洗
浄において、前記カセット１に前記ウェハ２の直径より
大きなダ旦−の石英板４をウェハ２間に適当な間隔で並
べた成したことを特徴とするものである。
、カセット１に複数枚のウェハ２をその表面が垂直にな
るように並べ、該カセット１と共に槽３内に一定時間浸
漬させ、しかる後、ウェハ２をカセット１と共に槽内か
ら取り出して威る半導体素子の製造におけるウェハの洗
浄において、前記カセット１に前記ウェハ２の直径より
大きなダ旦−の石英板４をウェハ２間に適当な間隔で並
べた成したことを特徴とするものである。
〔作 用〕
このような方法を採ることにより、槽内の液表面５の汚
染物６が、第１図（ロ）に示すように、ダミーの石英板
４に吸い寄せられて付着した後、ウェハ２がきれいにな
った液表面５に出てくるので、汚染物６の付着数は従来
の方法に比べて少なくなる。
染物６が、第１図（ロ）に示すように、ダミーの石英板
４に吸い寄せられて付着した後、ウェハ２がきれいにな
った液表面５に出てくるので、汚染物６の付着数は従来
の方法に比べて少なくなる。
以下、本発明の一実施例を添付図面を参照して詳細に説
明する。
明する。
使用したカセット１はテフロン製で、第２図に示す市販
のものを用いた。ウェハ２は３インチ径のものを使用し
、ダミーの石英板４は第４図に示す形状・寸法（単位■
）のものを第５図に示すように５枚配した。また、ダミ
ー石英板４は、汚染物を付着し易いように、当該ウェハ
２の表面状態（＃ １２００ラッピング以上の鏡面）よ
り粗い面（＃６００ラッピング程度）のものを用いた。
のものを用いた。ウェハ２は３インチ径のものを使用し
、ダミーの石英板４は第４図に示す形状・寸法（単位■
）のものを第５図に示すように５枚配した。また、ダミ
ー石英板４は、汚染物を付着し易いように、当該ウェハ
２の表面状態（＃ １２００ラッピング以上の鏡面）よ
り粗い面（＃６００ラッピング程度）のものを用いた。
さらに、槽３内から取り出すスピードは、１１０Ｃ１／
秒とした。
秒とした。
実験は前記ウェハ２にレジストを塗布し、ＲＡストリッ
パー（発煙硝酸）に１５分漫浸漬、純水水洗１５分、Ｉ
ＰＡ蒸気乾燥２分を行ない、その効果をウェハ表面検査
装置で測定した。その結果を下表に示す。
パー（発煙硝酸）に１５分漫浸漬、純水水洗１５分、Ｉ
ＰＡ蒸気乾燥２分を行ない、その効果をウェハ表面検査
装置で測定した。その結果を下表に示す。
（注）従来例はダミー石英板のない場合である。
本発明は上記のように、半導体素子の製造におけるウェ
ハの洗浄において、カセットにウェハの直径より大きな
ダミーの石英板をウェハ間に適当な間隔で並べたものを
槽内に一定時間浸漬させ、しかる後、ウェハをカセット
と共に槽内から取り出すようにしたので、ウェハ表面へ
の汚染物の付着を低コストで低減できる効果がある。
ハの洗浄において、カセットにウェハの直径より大きな
ダミーの石英板をウェハ間に適当な間隔で並べたものを
槽内に一定時間浸漬させ、しかる後、ウェハをカセット
と共に槽内から取り出すようにしたので、ウェハ表面へ
の汚染物の付着を低コストで低減できる効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す簡略断面図で（ａ）は
カセットを槽内に浸漬させた状態を示し、い）はカセッ
トを槽内から取り出す状態を示す、第２図は本発明に用
いたカセットの一実施例を示す斜視図、第３図は同上の
断面図、第４図は本発明に用いたダミー石英板の一実施
例を示すもので、（ａ）は正面図、（ロ）は側面図であ
る。第５図は本発明に係るダミー石英板の配置例を示す
簡略断面図、第６図は本発明に係るカセットの一例を示
す斜視図である。 ■・・・カセット、２・・・ウェハ、３・・・槽、４・
・・ダミーの石英板、５・・・液表面、６・・・汚染物
。
カセットを槽内に浸漬させた状態を示し、い）はカセッ
トを槽内から取り出す状態を示す、第２図は本発明に用
いたカセットの一実施例を示す斜視図、第３図は同上の
断面図、第４図は本発明に用いたダミー石英板の一実施
例を示すもので、（ａ）は正面図、（ロ）は側面図であ
る。第５図は本発明に係るダミー石英板の配置例を示す
簡略断面図、第６図は本発明に係るカセットの一例を示
す斜視図である。 ■・・・カセット、２・・・ウェハ、３・・・槽、４・
・・ダミーの石英板、５・・・液表面、６・・・汚染物
。
Claims (1)
- （１）カセットに複数枚のウェハをその表面が垂直にな
るように並べ、該カセットと共に槽内に一定時間浸漬さ
せ、しかる後、ウェハをカセットと共に槽内から取り出
して成る半導体素子の製造におけるウェハの洗浄におい
て、前記カセットに前記ウェハの直径より大きなダミー
の石英板をウェハ間に適当な間隔で並べた成したことを
特徴とするウェハの洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20204989A JPH0364916A (ja) | 1989-08-03 | 1989-08-03 | ウェハの洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20204989A JPH0364916A (ja) | 1989-08-03 | 1989-08-03 | ウェハの洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0364916A true JPH0364916A (ja) | 1991-03-20 |
Family
ID=16451089
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20204989A Pending JPH0364916A (ja) | 1989-08-03 | 1989-08-03 | ウェハの洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0364916A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6539963B1 (en) * | 1999-07-14 | 2003-04-01 | Micron Technology, Inc. | Pressurized liquid diffuser |
-
1989
- 1989-08-03 JP JP20204989A patent/JPH0364916A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6539963B1 (en) * | 1999-07-14 | 2003-04-01 | Micron Technology, Inc. | Pressurized liquid diffuser |
| US6647996B2 (en) | 1999-07-14 | 2003-11-18 | Micron Technology, Inc. | Method of diffusing pressurized liquid |
| US6672319B2 (en) | 1999-07-14 | 2004-01-06 | Micron Technology, Inc. | Pressurized liquid diffuser |
| US6860279B2 (en) | 1999-07-14 | 2005-03-01 | Micron Technology, Inc. | Pressurized liquid diffuser |
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