JPH0521332A - レジスト除去装置 - Google Patents
レジスト除去装置Info
- Publication number
- JPH0521332A JPH0521332A JP17000491A JP17000491A JPH0521332A JP H0521332 A JPH0521332 A JP H0521332A JP 17000491 A JP17000491 A JP 17000491A JP 17000491 A JP17000491 A JP 17000491A JP H0521332 A JPH0521332 A JP H0521332A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- cup
- resist
- chemical liquid
- chemical solution
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- Pending
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、半導体装置の製造におけるウエハ
表面のレジストを除去する装置として、薬液槽の汚染に
よるウエハへのパーティクル付着が生じることがなく、
また薬液の劣化管理を必要としない装置を提供するもの
である。 【構成】 前記目的のために本発明は、ウエハ1をウエ
ハチャック2に載置させ、そのウエハが入るようなカッ
プ3を設けて、それに薬液を注ぐようにする装置とした
ものである。
表面のレジストを除去する装置として、薬液槽の汚染に
よるウエハへのパーティクル付着が生じることがなく、
また薬液の劣化管理を必要としない装置を提供するもの
である。 【構成】 前記目的のために本発明は、ウエハ1をウエ
ハチャック2に載置させ、そのウエハが入るようなカッ
プ3を設けて、それに薬液を注ぐようにする装置とした
ものである。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造にお
ける主にホトリソグラフィ工程で必要とされる半導体ウ
エハ表面上のレジストを除去する装置に関するものであ
る。
ける主にホトリソグラフィ工程で必要とされる半導体ウ
エハ表面上のレジストを除去する装置に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体ウエハ(以下単にウエハと
称す)表面に塗布されたレジストを除去するには、図2
に示すようにウエハ1を複数枚ウエハキャリア7に入れ
て、それを石英槽6の中に入れ、例えば硫酸過水などの
薬液をその石英槽6中に注ぎ入れて除去していた。
称す)表面に塗布されたレジストを除去するには、図2
に示すようにウエハ1を複数枚ウエハキャリア7に入れ
て、それを石英槽6の中に入れ、例えば硫酸過水などの
薬液をその石英槽6中に注ぎ入れて除去していた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら前述の方
法では、石英槽の側壁や底にレジストなどが付着して汚
染され、その汚染の影響でウエハにパーティクルが付着
し、不良品となる。
法では、石英槽の側壁や底にレジストなどが付着して汚
染され、その汚染の影響でウエハにパーティクルが付着
し、不良品となる。
【0004】また、何度も同じ薬液でレジスト除去を行
なっていると、薬液が劣化するのでその管理を行なう必
要があった。
なっていると、薬液が劣化するのでその管理を行なう必
要があった。
【0005】本発明は、前述したレジストの再付着がな
いようにするとともに、薬液劣化管理をせずにすむ装置
を提供することを目的とするものである。
いようにするとともに、薬液劣化管理をせずにすむ装置
を提供することを目的とするものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】前述の目的を達成するた
めに本発明では、ウエハチャックに1枚のウエハを載せ
て、そのウエハが入り込むようなカップを設け、ウエハ
裏面とそのカップとの間に隙間ができるようにして、そ
のカップに薬液を注ぎ入れてレジスト除去を行なう装置
とした。
めに本発明では、ウエハチャックに1枚のウエハを載せ
て、そのウエハが入り込むようなカップを設け、ウエハ
裏面とそのカップとの間に隙間ができるようにして、そ
のカップに薬液を注ぎ入れてレジスト除去を行なう装置
とした。
【0007】
【作用】前述のように、本発明ではウエハ1枚毎に薬液
を注ぎ入れるようにしたので、薬液による汚染はなく、
ウエハにパーティクルが付着することもないし、また薬
液も使い捨てとなるために、その劣化の管理も必要とし
ない。
を注ぎ入れるようにしたので、薬液による汚染はなく、
ウエハにパーティクルが付着することもないし、また薬
液も使い捨てとなるために、その劣化の管理も必要とし
ない。
【0008】
【実施例】図1に本発明の実施例の装置の構造を示し、
以下に説明する。図(a)は上面図、(b)は断面図、
(c)は図(b)の一部拡大図である。
以下に説明する。図(a)は上面図、(b)は断面図、
(c)は図(b)の一部拡大図である。
【0009】図に示すように本実施例は、ウエハ1を吸
着載置させるウエハチャック2を設け、ウエハ1が入る
ようなカップ3を設ける。
着載置させるウエハチャック2を設け、ウエハ1が入る
ようなカップ3を設ける。
【0010】従って、そのカップ3はウエハ1の外径よ
り大きい直径(とは言えガードリングできる程度の最小
の径でよい)のものであり、かつその側壁の高さAはウ
エハチャック2に載置されたウエハ1の表面より高くな
るようにしてある。
り大きい直径(とは言えガードリングできる程度の最小
の径でよい)のものであり、かつその側壁の高さAはウ
エハチャック2に載置されたウエハ1の表面より高くな
るようにしてある。
【0011】また、前記カップ3の底面は抜けて穴が空
いた形状となっている。これはウエハチャック2の支持
棒があるのでそれをよけるため当然ではあるが、レジス
ト除去処理後液を排出し易くするためでもある。その穴
の大きさはウエハ1のオリエンテーションフラット(オ
リフラ)部6より内側(中心側)になるようになってい
る(図(a)の外側の点線)。
いた形状となっている。これはウエハチャック2の支持
棒があるのでそれをよけるため当然ではあるが、レジス
ト除去処理後液を排出し易くするためでもある。その穴
の大きさはウエハ1のオリエンテーションフラット(オ
リフラ)部6より内側(中心側)になるようになってい
る(図(a)の外側の点線)。
【0012】ウエハチャック2は一般のレジスト塗布装
置や現像機と同様、上下に動くようになっており(一般
に回転もできる)、普通、ウエハ1を吸着させてから下
降させる。そうすると前述のカップ3にウエハ1が入り
込む状態となる。このとき、ウエハ1の裏面とカップ3
の底面との間に後述するように隙間X(図(c))をも
たせる。つまりカップ3はそのように配置する。
置や現像機と同様、上下に動くようになっており(一般
に回転もできる)、普通、ウエハ1を吸着させてから下
降させる。そうすると前述のカップ3にウエハ1が入り
込む状態となる。このとき、ウエハ1の裏面とカップ3
の底面との間に後述するように隙間X(図(c))をも
たせる。つまりカップ3はそのように配置する。
【0013】このようにウエハ1がセットされると、ウ
エハ1上方に設けてあるノズル5から薬液が吐出され、
図(c)に示すようにウエハ1上に薬液4が注がれ溜
り、その表面のレジストを除去する。その薬液4は前述
したウエハ1裏面とカップ3底面との隙間Xに入り込む
が、薬液4の表面張力でカップ3底面の途中で止まり、
レジスト除去中カップ3底面の穴から漏れることはな
い。
エハ1上方に設けてあるノズル5から薬液が吐出され、
図(c)に示すようにウエハ1上に薬液4が注がれ溜
り、その表面のレジストを除去する。その薬液4は前述
したウエハ1裏面とカップ3底面との隙間Xに入り込む
が、薬液4の表面張力でカップ3底面の途中で止まり、
レジスト除去中カップ3底面の穴から漏れることはな
い。
【0014】前記隙間Xは、薬液4の粘度によって異な
るが、本実施例では薬液として粘度2CPの液を用いた
が、隙間Xは0.5mm程度で十分機能を果たした。隙間
Xのコントロールは前述したウエハチャック2の上下動
により調整すればよい。
るが、本実施例では薬液として粘度2CPの液を用いた
が、隙間Xは0.5mm程度で十分機能を果たした。隙間
Xのコントロールは前述したウエハチャック2の上下動
により調整すればよい。
【0015】以上のようにしてウエハ1を所定時間薬液
4中に浸漬させた後、リンス液(例えば純水)をウエハ
1に注ぎ洗浄する。この場合ウエハチャック2を回転さ
せて行なうのが普通であり、その後乾燥処理を行ないレ
ジスト除去を完了する。
4中に浸漬させた後、リンス液(例えば純水)をウエハ
1に注ぎ洗浄する。この場合ウエハチャック2を回転さ
せて行なうのが普通であり、その後乾燥処理を行ないレ
ジスト除去を完了する。
【0016】
【発明の効果】以上説明したように本発明の装置によれ
ば、ウエハ1枚毎にレジスト除去用薬液の吐出を行なう
ため、その液槽であるカップの汚染がなく、ウエハにパ
ーティクルが付着することもなく、また薬液は使い捨て
となるのでその劣化のための管理を行なうことも必要で
はなく、品質向上と工程管理の効率化に寄与すること大
である。
ば、ウエハ1枚毎にレジスト除去用薬液の吐出を行なう
ため、その液槽であるカップの汚染がなく、ウエハにパ
ーティクルが付着することもなく、また薬液は使い捨て
となるのでその劣化のための管理を行なうことも必要で
はなく、品質向上と工程管理の効率化に寄与すること大
である。
【0017】また、薬液がウエハ端部にも十分入り込む
ので、その部分のレジストも十二分に除去できる。
ので、その部分のレジストも十二分に除去できる。
【図1】本発明の実施例の構造図
【図2】従来例の説明図
1 ウエハ 2 ウエハチャック 3 カップ 4 薬液 5 ノズル 6 オリフラ部
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項1】 半導体ウエハの中心部を支持し少なくと
も上下動ができるウエハチャックと、 前記半導体ウエハが入り込める、該半導体ウエハの外径
より大きい直径のカップとを有し、 前記カップは、その底面が前記ウエハチャックに載置さ
れた半導体ウエハ裏面との間に隙間をつくり得るように
配置され、このとき前記カップの側壁の高さは、前記ウ
エハチャックに載置された半導体ウエハの表面より高く
なる寸法であることを特徴とするレジスト除去装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17000491A JPH0521332A (ja) | 1991-07-10 | 1991-07-10 | レジスト除去装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17000491A JPH0521332A (ja) | 1991-07-10 | 1991-07-10 | レジスト除去装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0521332A true JPH0521332A (ja) | 1993-01-29 |
Family
ID=15896809
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17000491A Pending JPH0521332A (ja) | 1991-07-10 | 1991-07-10 | レジスト除去装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0521332A (ja) |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999046065A1 (en) * | 1998-03-13 | 1999-09-16 | Semitool, Inc. | Micro-environment reactor for processing a microelectronic workpiece |
US6264752B1 (en) | 1998-03-13 | 2001-07-24 | Gary L. Curtis | Reactor for processing a microelectronic workpiece |
US6318385B1 (en) | 1998-03-13 | 2001-11-20 | Semitool, Inc. | Micro-environment chamber and system for rinsing and drying a semiconductor workpiece |
US6350319B1 (en) | 1998-03-13 | 2002-02-26 | Semitool, Inc. | Micro-environment reactor for processing a workpiece |
US6413436B1 (en) | 1999-01-27 | 2002-07-02 | Semitool, Inc. | Selective treatment of the surface of a microelectronic workpiece |
US6423642B1 (en) | 1998-03-13 | 2002-07-23 | Semitool, Inc. | Reactor for processing a semiconductor wafer |
US6492284B2 (en) | 1999-01-22 | 2002-12-10 | Semitool, Inc. | Reactor for processing a workpiece using sonic energy |
US6511914B2 (en) | 1999-01-22 | 2003-01-28 | Semitool, Inc. | Reactor for processing a workpiece using sonic energy |
US6543156B2 (en) | 2000-01-12 | 2003-04-08 | Semitool, Inc. | Method and apparatus for high-pressure wafer processing and drying |
US6548411B2 (en) | 1999-01-22 | 2003-04-15 | Semitool, Inc. | Apparatus and methods for processing a workpiece |
US6632292B1 (en) | 1998-03-13 | 2003-10-14 | Semitool, Inc. | Selective treatment of microelectronic workpiece surfaces |
US6680253B2 (en) | 1999-01-22 | 2004-01-20 | Semitool, Inc. | Apparatus for processing a workpiece |
US7217325B2 (en) | 1999-01-22 | 2007-05-15 | Semitool, Inc. | System for processing a workpiece |
-
1991
- 1991-07-10 JP JP17000491A patent/JPH0521332A/ja active Pending
Cited By (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6660098B2 (en) | 1998-03-13 | 2003-12-09 | Semitool, Inc. | System for processing a workpiece |
US6666922B2 (en) | 1998-03-13 | 2003-12-23 | Semitool, Inc. | System for processing a workpiece |
US6997988B2 (en) | 1998-03-13 | 2006-02-14 | Semitool, Inc. | System for processing a workpiece |
US6695914B2 (en) | 1998-03-13 | 2004-02-24 | Semitool, Inc. | System for processing a workpiece |
US6264752B1 (en) | 1998-03-13 | 2001-07-24 | Gary L. Curtis | Reactor for processing a microelectronic workpiece |
US6423642B1 (en) | 1998-03-13 | 2002-07-23 | Semitool, Inc. | Reactor for processing a semiconductor wafer |
US6447633B1 (en) | 1998-03-13 | 2002-09-10 | Semitdol, Inc. | Reactor for processing a semiconductor wafer |
US6446643B2 (en) | 1998-03-13 | 2002-09-10 | Semitool, Inc. | Micro-environment chamber and system for rinsing and drying a semiconductor workpiece |
WO1999046065A1 (en) * | 1998-03-13 | 1999-09-16 | Semitool, Inc. | Micro-environment reactor for processing a microelectronic workpiece |
US6494956B2 (en) | 1998-03-13 | 2002-12-17 | Semitool, Inc. | System for processing a workpiece |
US6318385B1 (en) | 1998-03-13 | 2001-11-20 | Semitool, Inc. | Micro-environment chamber and system for rinsing and drying a semiconductor workpiece |
US6632292B1 (en) | 1998-03-13 | 2003-10-14 | Semitool, Inc. | Selective treatment of microelectronic workpiece surfaces |
US6350319B1 (en) | 1998-03-13 | 2002-02-26 | Semitool, Inc. | Micro-environment reactor for processing a workpiece |
US6558470B2 (en) | 1998-03-13 | 2003-05-06 | Semitool, Inc. | Reactor for processing a microelectronic workpiece |
US6492284B2 (en) | 1999-01-22 | 2002-12-10 | Semitool, Inc. | Reactor for processing a workpiece using sonic energy |
US6680253B2 (en) | 1999-01-22 | 2004-01-20 | Semitool, Inc. | Apparatus for processing a workpiece |
US6548411B2 (en) | 1999-01-22 | 2003-04-15 | Semitool, Inc. | Apparatus and methods for processing a workpiece |
US6511914B2 (en) | 1999-01-22 | 2003-01-28 | Semitool, Inc. | Reactor for processing a workpiece using sonic energy |
US7217325B2 (en) | 1999-01-22 | 2007-05-15 | Semitool, Inc. | System for processing a workpiece |
US6413436B1 (en) | 1999-01-27 | 2002-07-02 | Semitool, Inc. | Selective treatment of the surface of a microelectronic workpiece |
US6543156B2 (en) | 2000-01-12 | 2003-04-08 | Semitool, Inc. | Method and apparatus for high-pressure wafer processing and drying |
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