JP2001029902A - 洗浄装置及び洗浄方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 汚染物質の混入及び汚染物質の発生が少な
く、洗浄効率が優れた洗浄装置及び洗浄方法を提供す
る。 【解決手段】 被洗浄物４を収納する洗浄容器と、洗浄
容器の下部から被洗浄物４の下面に向けて洗浄液１１を
供給する下部ノズル９と、被洗浄物４の上方から洗浄液
１１を供給する上部ノズル５と、洗浄容器の内面に設け
られ被洗浄物４の浮き上がりを防止するストッパ３と、
上部ノズル５及び下部ノズル９から被洗浄物４へ供給さ
れる洗浄液１１の通過領域に介在し洗浄液１１の汚染物
質を濾過する多孔質体からなる多孔質部７と、多孔質部
７と被洗浄物４との間に配置され多孔質部７で発生した
汚染粒子を捕獲するフィルタ６と、洗浄液１１を排出す
る排出口１０とを有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板又は液
晶表示装置用ガラス基板等の洗浄装置及び洗浄方法に関
し、特に、半導体基板又は液晶用基板を１枚づつ処理す
る洗浄装置及び洗浄方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体製造工程は、酸化工程、フォトレ
ジストコート工程、マスク位置合せ工程、露光工程、現
像工程、エッチング工程、不純物拡散工程、イオン注入
工程又はＣＶＤ（chemical vapor deposition）工程
等の一連の流れからなる。この工程の途中途中で、洗浄
工程が入る。

【０００３】例えば、不純物拡散前又はＣＶＤ工程前に
ウエハを洗浄している。このウエハの洗浄方法として現
在数多く採用されている洗浄方法は、金属又は化学物質
等のパーティクル汚染除去を主目的としており、洗浄液
としては、アンモニアと過酸化水素水との混合液を使用
している。図３は従来のウエハの洗浄装置を示す模式図
である。

【０００４】従来のウエハの洗浄方法は図３に示すよう
なウエハの洗浄装置を使用して、先ず、１つのテフロン
（商標名）製のカセット１１０にウエハ１００を２０数
枚を積み、これを１ロットとする。このカセット１１０
をウエハ投入口１０３から搬送用ロボット１０１により
カセット１１０を挟持しロボット移動装置１０２を使用
して移動させ、アンモニアと過酸化水素水との混合液で
満たされているＡ槽１０４にカセット１１０を浸漬し、
ウエハ１００を洗浄する。

【０００５】次に、搬送用ロボット１０１を使用してＡ
槽１０４からカセット１１０を引き上げ、搬送用ロボッ
ト１０１によりカセット１１０を挟持しロボット移動装
置１０２を使用して移動させ、超純水（deionized wat
er：ＤＩＷという。）が満たされているＢ槽１０５にカ
セット１１０を浸漬し、リンスを行う（ＤＩＷリンス工
程）。

【０００６】次に、搬送用ロボット１０１によりカセッ
ト１１０を挟持しロボット移動装置１０２を使用して移
動させ、Ｂ槽１０５からカセット１１０を引き上げ、イ
ソプロピルアルコール（以下、ＩＰＡという。）が満た
されたＣ槽１０６にカセット１１０を浸漬し、ウエハ１
００の乾燥がなされる（ＩＰＡ Ｖ／Ｄ（vapor dry）
工程）。

【０００７】次に、搬送用ロボット１０１によりカセッ
ト１１０を挟持しロボット移動装置１０２を使用して移
動させ、Ｃ槽１０６からカセット１１０を引き上げ、ウ
エハ受取口１０７に移動させる。これにより、ウエハ１
００の洗浄工程が終了する。

【０００８】上述の洗浄工程において、洗浄の良否とし
て、パーティクル洗浄前後の除去率が使用されている。
この場合、洗浄の除去率の低下を招く要因として、汚染
物質の持ち込み量、洗浄液の淀み及び洗浄時に被洗浄物
から発生する汚染量等がある。

【０００９】汚染物質の持ち込みの要因としては、洗浄
前のウエハ１００上下面にあるパーティクル量が９割近
くを占めており、この他にもカセット１１０に付着して
いる汚染物質がある。通常テフロン等は非導電性である
が、静電気をもつ汚染物はカセット１１０に付着又は再
付着して洗浄槽内に運び込まれる可能性が大きい。ま
た、ウエハ１００を２０数枚を１ロットとして洗浄処理
するため、ロット内でウエハ１００を重ねて洗浄処理す
ることになり、ウエハ１００の上部表面と下部表面とが
重なる。このため、洗浄してもウエハ１００の上部表面
のパーティクル等の汚染物が隣接するウエハ１００の下
部表面に転写されるだけになり、洗浄効果が上がらない
という問題点がある。

【００１０】また、洗浄液の淀みの原因としては、洗浄
液が数回処理した時点で交換されるため洗浄槽に存在す
る汚染物が蓄積されることにより生じる。このため、洗
浄液の淀みを解消し、洗浄回数を多くして効率を上げる
必要があった。

【００１１】更に、洗浄時に被洗浄物から発生する汚染
量は、洗浄そのものであるため、洗浄回数を少なくする
ことにより回避することができるが、生産性が低下する
という問題点がある。

【００１２】上述のことから、これらの問題点の一部を
解決するために種々の洗浄装置及び洗浄方法が提案され
ている（特開平５−２１５９５号公報、特開平１０−２
６１６０６号公報）。

【００１３】特開平５−２１５９５号公報には、半導体
素子の素子分離工程において、半導体基板のプラズマエ
ッチング処理後に、硝酸＋フッ酸系の洗浄、及び塩酸又
は塩酸＋過酸化水素水系の洗浄を連続して行う半導体装
置の洗浄方法が開示されている。

【００１４】一方、特開平１０−２６１６０６号公報に
は、鉛直軸の周りを回転する回転フレームと、該回転フ
レームに水平軸周りの回転若しくは回転自在に装着され
たカセット保持具と、該カセット保持具を回転若しくは
回動させる駆動手段と、該カセット保持具が保持するカ
セットに向けて洗浄液と乾燥気体とを順次噴射するノズ
ルと、を有する基板カセット洗浄装置が開示されてい
る。この基板カセットは多数の基板を平行かつ等ピッチ
で収納するように内面に多数の案内溝を備えている。

【００１５】また、基板カセットをノズル周りに回転さ
せながら該基板カセットに該ノズルから洗浄液を吹き付
ける工程と、該基板カセットを該ノズルの周りを回転さ
せながら該基板カセットに該ノズルから乾燥気体を吹き
付ける工程とを有し、洗浄液を吹き付ける工程及び乾燥
気体を吹き付ける工程は夫々基板カセットの姿勢を変え
る工程を伴う洗浄方法が開示されている。これにより、
洗浄液と乾燥気体とを別々に吹き付け基板カセットが複
雑な場合であっても、パーティクル又は洗浄液の残留を
防止することができる。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】しかし、特開平５−２
１５９５号公報は、半導体基板のプラズマエッチング処
理後に発生した金属汚染を完全に除去することが目的で
あり、洗浄に使用される洗浄装置から持ち込まれる汚染
物質に対して、これらを除去することに関して何ら考慮
されていない。

【００１７】一方、特開平１０−２６１６０６号公報の
基板カセット洗浄装置では、基板カセットを使用してい
るため、基板カセット自身の汚染がある。このため、こ
の基板カセットの汚染を除去する工程が必要になるとい
う問題点がある。

【００１８】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであって、汚染物質の混入及び汚染物質の発生が少な
く、洗浄効率が優れた洗浄装置及び洗浄方法を提供する
ことを目的とする。

【００１９】

【課題を解決するための手段】本発明に係る洗浄装置
は、被洗浄物を収納する洗浄容器と、前記洗浄容器の下
部から前記被洗浄物の下面に向けて洗浄液を供給する下
部ノズルと、前記被洗浄物の上方から前記洗浄液を供給
する上部ノズルと、前記洗浄容器の内面に設けられ前記
被洗浄物の浮き上がりを防止するストッパと、前記上部
ノズル及び前記下部ノズルから前記被洗浄物へ供給され
る洗浄液の通過領域に介在し前記洗浄液の汚染物質を濾
過する多孔質体からなる多孔質部と、前記多孔質部と前
記被洗浄物との間に配置され前記多孔質部で発生した汚
染粒子を捕獲するフィルタと、前記洗浄液を排出する排
出口とを有することを特徴とする。

【００２０】本発明においては、前記上部ノズル及び下
部ノズルは夫々２重円管構造を有し、前記洗浄液は中心
部を通り、前記洗浄液と共に前記被洗浄物に供給される
清浄ガスは外管と内管との間を通ることが好ましい。

【００２１】また本発明においては、前記洗浄容器は底
部を貫通し摺動可能に設けられる洗浄支持シャフトを有
し、前記洗浄支持シャフトの中心を軸方向に貫通する前
記下部ノズルが設けられ、この洗浄支持シャフトの上面
に前記多孔質部及び前記フィルタが重ねて配置されてい
ることが好ましい。

【００２２】更に、本発明においては、前記多孔質部よ
りも前記洗浄液供給方向に対して上流側に配置された第
２のフィルタを有することが好ましい。

【００２３】更にまた、本発明においては、前記多孔質
体はアルミナ、シリコンカーバイド、石英、ジルコニ
ア、シリコンナイトライド及びアルマイト処理した発泡
体からなる群から選択された１種又は２種以上の物質か
らなることが好ましい。

【００２４】この場合、前記多孔質体は嵩密度をｂ、真
密度をｔとするとき、ｂ／ｔで表される多孔率ｐが５乃
至７０％であることが好ましい。

【００２５】本発明に係る洗浄方法は、被洗浄物を洗浄
容器内に搬入し、前記洗浄容器の下方から多孔質部及び
フィルタを通過させた洗浄液を下部ノズルにより前記被
洗浄物の下面に供給し前記被洗浄物を前記洗浄容器内に
浮遊させると共に、前記洗浄容器の上方から多孔質部及
びフィルタを通過させた洗浄液を上部ノズルにより前記
被洗浄物の上面に供給する工程と、洗浄後の前記洗浄液
を排出する工程とを有することを特徴とする。

【００２６】本発明に係る他の洗浄方法は、被洗浄物を
洗浄容器内に搬入し、前記洗浄容器の下方から多孔質部
及びフィルタを通過させた洗浄液と清浄ガスとを下部ノ
ズルにより前記被洗浄物の下面に供給し前記被洗浄物を
前記洗浄容器内に浮上させると共に、前記洗浄容器の上
方から多孔質部及びフィルタを通過させた洗浄液と清浄
ガスとを上部ノズルにより前記被洗浄物の上面に供給す
る工程と、洗浄後の前記洗浄液を排出する工程とを有す
ることを特徴とする。なお、清浄ガスは、例えば、窒素
ガス、空気又はＨｅ若しくはＡｒ等の不活性ガス等であ
る。

【００２７】この場合、前記被洗浄物は、例えば、半導
体ウエハ又は液晶表示装置用ガラス基板である。

【００２８】本発明においては、被洗浄物を収納する洗
浄容器と、洗浄容器の下部から被洗浄物の下面に向けて
洗浄液を供給する下部ノズルと、被洗浄物の上方から洗
浄液を供給する上部ノズルと、洗浄容器の内面に設けら
れ被洗浄物の浮き上がりを防止するストッパと、上部ノ
ズル及び下部ノズルから被洗浄物へ供給される洗浄液の
通過領域に介在し洗浄液の汚染物質を濾過する多孔質体
からなる多孔質部と、多孔質部と被洗浄物との間に配置
され多孔質部で発生した汚染粒子を捕獲するフィルタ
と、洗浄液を排出する排出口とを有することにより、上
部ノズルから多孔質部及びフィルタを通過し汚染物質及
び多孔質部で発生した汚染粒子が取り除かれて被洗浄物
の上方から洗浄液が供給され、下部ノズルから供給され
る多孔質部及びフィルタを通過し汚染物質及び多孔質部
で発生した汚染粒子が取り除かれた洗浄液により洗浄容
器内に被洗浄物を浮かせ、ストッパにより洗浄容器から
出ないように浮き上がりを防止された非接触状態で被洗
浄物を洗浄することができるため、汚染物質の混入及び
汚染物質の発生が少なく、洗浄ムラも少なく洗浄するこ
とができる。

【００２９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例に係る洗浄
装置について添付の図面を参照して詳細に説明する。図
１は本発明の実施例に係る洗浄装置を示す斜視図であ
り、図２は図１のＡ−Ａ線による断面図である。

【００３０】本実施例に係る洗浄装置は、図１に示すよ
うに、有底円筒状のガイドパッド１の内側にこのガイド
パッド１の内壁から離間して、円筒状のガイドカップ２
が同心円状に配置されている。このガイドカップ２の上
部の内壁には突出方向に対して前後に伸縮自在なストッ
パ３が例えば、３個設けられている。また、このガイド
カップ２の内部は洗浄液１１で満たされる。

【００３１】図２に示すように、このガイドカップ２の
内側にガイドパッド１の底部１ａの中央を貫通する洗浄
支持シャフト８が筒軸方向に摺動可能に配置されてい
る。この洗浄支持シャフト８はガイドパッド１の底部１
ａの中央を貫通する軸部８ａと、ガイドカップ２の内径
と略同径で上面に凹部８ｃが形成されているフランジ部
８ｂとからなる。また、洗浄支持シャフト８の軸中心に
下部ノズル９が貫通して設けられており、更に下部ノズ
ル９は軸部８ａの端部から延設され、開閉バルブとし
て、例えば電磁バルブ９ａが設けられている。洗浄支持
シャフト８のフランジ部８ｂの上面には洗浄液１１に含
まれる汚染物質を濾過する、例えば、多孔率が５５％の
セラミック多孔質体（Ａｌ₂Ｏ₃）からなる多孔質部７が
設けられ、この多孔質部７の上面には多孔質部７で発生
した汚染粒子を捕獲するためのフィルタ６が配置されて
いる。ガイドカップ２の内部に設けられたフィルタ６と
ストッパ３との間に、例えば、半導体ウエハである円板
状の被洗浄物４が配置される。この被洗浄物４の上方に
は、多孔質部（図示せず）と、多孔質部と被洗浄物４と
の間の洗浄液１１の通過領域に設けられ、この多孔質部
で発生した汚染粒子を捕獲するフィルタ（図示せず）と
が上部ノズル５が配置されている。この上部ノズル５は
被洗浄物４をガイドカップ２に収納するとき、邪魔にな
らない位置に移動させることができる。なお、洗浄支持
シャフト８には、この洗浄支持シャフト８を上下方向に
移動させるための移動機構（図示せず）が設けられてい
る。

【００３２】洗浄液１１等のガイドカップ２に溜まった
液体を排出する排出口１０が軸部８ａとガイドカップ２
との間に位置するガイドパッド１の底部１ａに配置され
ている。この排出口１０には開閉バルブ１０ａが設けら
れている。

【００３３】下部ノズル９には各洗浄液１１が充填され
たタンク（図示せず）が接続されている。排出口１０と
各タンクとが接続されるような構成にし、各タンクに溜
められている各洗浄液１１を循環して利用できる構成に
することができる。

【００３４】本実施例においては、ガイドカップ２の内
側に突出したストッパ３を設け、下部ノズル９から多孔
質部７を通して汚染物質を除去し、フィルタ６を通して
多孔質部７で発生した汚染粒子を除去した洗浄液１１を
ガイドカップ２内に供給し、更に上方から上部ノズル５
により、下部ノズル９と同様に多孔質部７を通して汚染
物質を除去し、フィルタ６を通して多孔質部７で発生し
た汚染粒子を除去した下部ノズル９と同一の洗浄液１１
をガイドカップ２内に供給することにより、被洗浄物４
を多孔質部７及びフィルタ６を通過した下部ノズル９か
ら供給される洗浄液１１の水圧によりストッパ３とフィ
ルタ６との間に浮かせると共に、ストッパ３により被洗
浄物４の浮き上がりを防止し、この浮いた非接触状態で
被洗浄物４を洗浄することができるため、汚染物質の混
入及び汚染物質の発生が少なく、洗浄ムラも少なく洗浄
することができるので、洗浄効果が優れる。

【００３５】また、排出口１０の開閉バルブ１０ａを開
けると、フィルタ６の上方に溜まっている洗浄液１１を
フィルタ６、多孔質部７及びフランジ部８ｂとガイドカ
ップ２の内面との隙間を通して排出することができる。
このため、同一洗浄装置で異なる洗浄液１１を使用して
洗浄することができるので、設置面積を小さくすること
ができる。更に、洗浄液１１を循環して利用することも
できるので、経済性に優れる。

【００３６】また、本実施例においては、多孔質部７に
使用される多孔質体として、セラミック多孔質体（Ａｌ
₂Ｏ₃）を使用したが、特にこれに限定されるものではな
く、アルミナ、シリコンカーバイド、石英、ジルコニ
ア、シリコンナイトライド及びアルマイト処理した発泡
体からなる群から選択された１種又は２種以上の物質と
することができる。特に、アルミニウムをアルマイト処
理した発泡体を使用した場合、低コストで多孔質体を提
供することができる。また、この多孔質部７の設置位置
は洗浄支持シャフト８の上面に限定されるものではなく
下部ノズル９と各タンクとの間に設けてもよい。

【００３７】なお、多孔質体の嵩密度をｂとし、真密度
をｔとするとき、多孔質体の多孔率ｐはｐ＝ｂ／ｔで表
すことができる。この多孔率ｐは５乃至７０％であるこ
とが好ましい。この多孔率ｐが５％未満であると、圧力
損失が高くなるためである。一方、多孔率が７０％を超
えると、コンタミネーション等を多孔質体中に捕獲して
おけないと共に、例えば、セラミック系又は金属系の多
孔質体の場合、集合骨格が折れ易くなり、これがコンタ
ミネーションの原因になる可能性があるためである。な
お、より好ましい多孔率ｐは１５乃至６０％である。

【００３８】また、フィルタ６としては、イオン交換樹
脂用有機系フィルタを使用し、このフィルタ６により多
孔質部７から排出されるコンタミネーション又はパーテ
ィクル等の汚染粒子を洗浄装置内に入れないように捕獲
する。なお、フィルタ６を設ける位置は特に限定される
ものではなく、多孔質部７から発生するコンタミネーシ
ョン又はパーティクルを捕獲することができればよいの
で、多孔質部７よりも洗浄液１１の供給方向に対して下
流側に設ける構成とすればよい。また、他のフィルタを
多孔質部７の上流側に配置しフィルタ６を２つ設ける構
成にしてもよい。なお、フィルタ６は下部ノズル９に設
けてもよい。

【００３９】更に、本実施例においては、ガイドパッド
１及びガイドカップ２は円板状の被洗浄物４に適用する
構成としたが、特にこれに限定されるものではなく、例
えば、液晶用基板に使用されるガラス基板等の四角形状
のものとすることもできる。また、洗浄支持シャフト８
に凹部８ｃを設けることにより、被洗浄物４の下面で受
ける圧力が均一になり安定して浮上させることができ
る。なお、この被洗浄物４の浮上量は洗浄液１１を供給
するときの流量又は流速により制御することができる。

【００４０】更にまた、本実施例においては、上部ノズ
ル５及び下部ノズル９は夫々同心円状の２重円管とする
ことができる。この２重円管は、外管とこの外管の中心
部に同心円状に配置される外管よりも径小な内管とから
なる。この外管の中心部に配置された内管には洗浄液１
１が通り、この内管と外管との間を洗浄液１１と共に被
洗浄物４の下面に供給される清浄ガスが通る。このた
め、多孔質部７及びフィルタ６を通り、汚染物質及び多
孔質部７で発生した汚染粒子等が除去された洗浄液１１
と清浄ガスとを同時に被洗浄物４に供給することができ
るので、汚染物質の混入及び汚染物質の発生を少なく被
洗浄物４に洗浄液１１及び清浄ガスを供給することがで
きると共に、被洗浄物４をフィルタ６の上により一層容
易に浮上させて洗浄することができる。なお、この清浄
ガスとしては、例えば、窒素ガス、空気又はＨｅ若しく
はＡｒ等の不活性ガス等を使用する。

【００４１】以下、本実施例の洗浄方法について添付の
図面を参照して詳細に説明する。本実施例に係る洗浄方
法は例えば、不純物拡散工程の前の洗浄方法を示す。先
ず、カセット（図示せず）に載置された例えば、半導体
ウエハ（図示せず）である円板状の被洗浄物４をロボッ
トハンドアーム（図示せず）により、カセットから取り
出し、ストッパ３をガイドパッド１側に後退させて半導
体ウエハをガイドカップ２内に搬入し、ストッパ３をガ
イドカップ２の内側に突出させる。

【００４２】次に、洗浄支持シャフト８を移動機構（図
示せず）により下方に移動させ、下部ノズル９から、例
えば、アンモニアと過酸化水素水とＤＩＷとが重量比で
１：１：５の混合比に濃度調整された洗浄液１１を例え
ば、多孔率が５５％のセラミック多孔質体（Ａｌ₂Ｏ₃）
からなる多孔質部７の空隙を通過させ汚染物質を除去
し、フィルタ６を通過させて多孔質部７で発生した汚染
粒子を除去してガイドカップ２の下部から被洗浄物４の
下面側に供給する。同時に、被洗浄物４の上方に設置さ
れた上部ノズル５からも下部ノズル９から供給される洗
浄液１１と同一組成を有する例えば、アンモニアと過酸
化水素水とＤＩＷとが重量比で１：１：５の混合比に濃
度調整された洗浄液１１を例えば、多孔率が５５％のセ
ラミック多孔質体（Ａｌ₂Ｏ₃）からなる多孔質部（図示
せず）の空隙を通過させ、フィルタ（図示せず）を通過
させて被洗浄物４の上方から供給する。これにより被洗
浄物４は水圧によりガイドカップ２の内部に設けられた
フィルタ６とストッパ３との間で浮いた状態になる。

【００４３】次に、被洗浄物４を浮上させた状態で、被
洗浄物４の浸漬時間を例えば、１分以上として洗浄す
る。なお、このとき被洗浄物４はストッパ３により浮き
上がりを防止されており、ガイドカップ２から飛び出る
ことはない。

【００４４】次に、洗浄終了後に洗浄液１１の供給を止
め、開閉バルブ１０ａを開けてガイドカップ２内の洗浄
液１１をフィルタ６、多孔質部７及びフランジ部８ｂと
ガイドカップ２との隙間を通して排出口１０から排出す
る。

【００４５】次に、温度８０℃に加熱したＤＩＷリンス
を下部ノズル９から例えば、多孔率が５５％のセラミッ
ク多孔質体（Ａｌ₂Ｏ₃）からなる多孔質部７の空隙を通
過させ汚染物質を除去し、フィルタ６を通過させて多孔
質部７で発生した汚染粒子を除去してガイドカップ２の
下部から被洗浄物４の下面側に供給する。これにより被
洗浄物４は水圧によりガイドカップ２の内部に設けられ
たフィルタ６とストッパ３との間で浮いた状態になる。
同時に、被洗浄物４の上方に設置された上部ノズル５か
らも温度８０℃に加熱したＤＩＷリンスを例えば、多孔
率が５５％のセラミック多孔質体（Ａｌ₂Ｏ₃）からなる
多孔質部（図示せず）の空隙を通過させ、フィルタ（図
示せず）を通過させて被洗浄物４の上方から供給する。

【００４６】次に、被洗浄物４を浮上させた状態で、被
洗浄物４の浸漬時間を例えば、３分以上として洗浄す
る。なお、このとき被洗浄物４はストッパ３により浮き
上がりを防止されており、ガイドカップ２から飛び出る
ことはない。

【００４７】次に、洗浄終了後に温度８０℃に加熱した
ＤＩＷリンスの供給を電磁バルブ９ａを閉じて止めた
後、ストッパ３を再びガイドパッド１側に後退させ、洗
浄支持シャフト８を上部に移動機構（図示せず）により
機械的に上昇させると共に、開閉バルブ１０ａを開けて
ガイドカップ２内のＤＩＷリンスをフィルタ６、多孔質
部７及びフランジ部８ｂとガイドカップ２との隙間を通
して排出口１０から排出する。なお、ＤＩＷリンスは温
度が８０℃であるため、ＤＩＷリンス後の乾燥は自己乾
燥させる。

【００４８】次に、被洗浄物４である半導体ウエハをガ
イドカップ２から取り出し、ロボットアームによりカセ
ットに載置し、洗浄及び乾燥が終了した半導体ウエハが
搬出される。

【００４９】本実施例においては、内側に突出したスト
ッパ３が設けられたガイドカップ２内に被洗浄物４を上
部ノズル５及び下部ノズル９から多孔質部７及びフィル
タ６を通過した洗浄液１１を供給し、下部ノズル９から
供給される洗浄液１１により被洗浄物４を水圧を利用し
て浮上させた状態で洗浄を行うことにより、被洗浄物４
はストッパ３により浮き上がりを防止されているのでガ
イドカップ２から飛び出ることなく非接触状態で被洗浄
物４を洗浄することができるため、汚染物質の混入及び
汚染物質の発生が少なく、洗浄ムラも少なく洗浄するこ
とができるので、洗浄効果が優れる。

【００５０】また、本実施例においては、ＤＩＷリンス
後の乾燥は自己乾燥させたが、このＤＩＷリンス工程の
後工程として、ＩＰＡを使用した乾燥工程又はスピンド
ライ法による乾燥工程を設けることもできる。

【００５１】更に、本実施例においては、不純物拡散工
程の前の洗浄について説明したが、特に、この不純物拡
散工程の前の洗浄工程に限定されるものではなく、洗浄
液１１及び浸漬時間を変えることにより、他の洗浄工程
にも適用することができる。また、被洗浄物４も円板状
の半導体ウエハに限定されるものではなく、液晶表示装
置用のガラス基板とすることもできる。

【００５２】更にまた、本実施例においては、上部ノズ
ル５及び下部ノズル９を夫々同心円状の２重円管とする
ことができ、内管から洗浄液１１を供給し、内管と外管
との間から清浄ガスを供給することにより、洗浄工程に
おいて汚染物質の混入及び汚染物質の発生を少なく被洗
浄物４に洗浄液１１及び清浄ガスを供給することができ
ると共に、被洗浄物４をフィルタ６上により一層容易に
浮上させて、洗浄することができる。

【００５３】

【発明の効果】以上詳述したように本発明においては、
被洗浄物を収納する洗浄容器と、洗浄容器の下部から被
洗浄物の下面に向けて洗浄液を供給する下部ノズルと、
被洗浄物の上方から洗浄液を供給する上部ノズルと、洗
浄容器の内面に設けられ被洗浄物の浮き上がりを防止す
るストッパと、上部ノズル及び下部ノズルから被洗浄物
へ供給される洗浄液の通過領域に介在し洗浄液の汚染物
質を濾過する多孔質体からなる多孔質部と、多孔質部と
被洗浄物との間に配置され多孔質部で発生した汚染粒子
を捕獲するフィルタと、洗浄液を排出する排出口とを有
することにより、上部ノズルから多孔質部及びフィルタ
を通過し汚染物質及び多孔質部で発生した汚染粒子が取
り除かれて被洗浄物の上方から洗浄液が供給され、下部
ノズルから供給される多孔質部及びフィルタを通過し汚
染物質及び多孔質部で発生した汚染粒子が取り除かれた
洗浄液により洗浄容器内に被洗浄物を浮かせ、ストッパ
により洗浄容器から出ないように浮き上がりを防止され
た非接触状態で被洗浄物を洗浄することができるため、
汚染物質の混入及び汚染物質の発生が少なく、洗浄ムラ
も少なく洗浄することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例に係る洗浄装置を示す斜視図で
ある。

【図２】図１のＡ−Ａ線による断面図である。

【図３】従来のウエハの洗浄装置を示す模式図である。

【符号の説明】

１；ガイドパッド １ａ；底部 ２；ガイドカップ ３；ストッパ ４；被洗浄物 ５；上部ノズル ６；フィルタ ７；多孔質部 ８；洗浄支持シャフト ８ａ；軸部 ８ｂ；フランジ部 ８ｃ；凹部 ９；下部ノズル ９ａ；電磁バルブ １０；排出口 １０ａ；開閉バルブ １１；洗浄液 １００；ウエハ １０１；搬送用ロボット １０２；ロボット移動装置 １０３；ウエハ投入口 １０４；Ａ槽 １０５；Ｂ槽 １０６；Ｃ槽 １０７；ウエハ受取口 １１０；カセット

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被洗浄物を収納する洗浄容器と、前記洗
   浄容器の下部から前記被洗浄物の下面に向けて洗浄液を
   供給する下部ノズルと、前記被洗浄物の上方から前記洗
   浄液を供給する上部ノズルと、前記洗浄容器の内面に設
   けられ前記被洗浄物の浮き上がりを防止するストッパ
   と、前記上部ノズル及び前記下部ノズルから前記被洗浄
   物へ供給される洗浄液の通過領域に介在し前記洗浄液の
   汚染物質を濾過する多孔質体からなる多孔質部と、前記
   多孔質部と前記被洗浄物との間に配置され前記多孔質部
   で発生した汚染粒子を捕獲するフィルタと、前記洗浄液
   を排出する排出口とを有することを特徴とする洗浄装
   置。
2. 【請求項２】 前記上部ノズル及び下部ノズルは夫々２
   重円管構造を有し、前記洗浄液は中心部を通り、前記洗
   浄液と共に前記被洗浄物に供給される清浄ガスは外管と
   内管との間を通ることを特徴とする請求項１に記載の洗
   浄装置。
3. 【請求項３】 前記洗浄容器は底部を貫通し摺動可能に
   設けられる洗浄支持シャフトを有し、前記洗浄支持シャ
   フトの中心を軸方向に貫通する前記下部ノズルが設けら
   れ、この洗浄支持シャフトの上面に前記多孔質部及び前
   記フィルタが重ねて配置されていることを特徴とする請
   求項１又は２に記載の洗浄装置。
4. 【請求項４】 前記多孔質部よりも前記洗浄液供給方向
   に対して上流側に配置された第２のフィルタを有するこ
   とを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の
   洗浄装置。
5. 【請求項５】 前記多孔質体はアルミナ、シリコンカー
   バイド、石英、ジルコニア、シリコンナイトライド及び
   アルマイト処理した発泡体からなる群から選択された１
   種又は２種以上の物質からなることを特徴とする請求項
   １乃至４のいずれか１項に記載の洗浄装置。
6. 【請求項６】 前記多孔質体は嵩密度をｂ、真密度をｔ
   とするとき、ｂ／ｔで表される多孔率ｐが５乃至７０％
   であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項
   に記載の洗浄装置。
7. 【請求項７】 被洗浄物を洗浄容器内に搬入し、前記洗
   浄容器の下方から多孔質部及びフィルタを通過させた洗
   浄液を下部ノズルにより前記被洗浄物の下面に供給し前
   記被洗浄物を前記洗浄容器内に浮遊させると共に、前記
   洗浄容器の上方から多孔質部及びフィルタを通過させた
   洗浄液を上部ノズルにより前記被洗浄物の上面に供給す
   る工程と、洗浄後の前記洗浄液を排出する工程とを有す
   ることを特徴とする洗浄方法。
8. 【請求項８】 被洗浄物を洗浄容器内に搬入し、前記洗
   浄容器の下方から多孔質部及びフィルタを通過させた洗
   浄液と清浄ガスとを下部ノズルにより前記被洗浄物の下
   面に供給し前記被洗浄物を前記洗浄容器内に浮上させる
   と共に、前記洗浄容器の上方から多孔質部及びフィルタ
   を通過させた洗浄液と清浄ガスとを上部ノズルにより前
   記被洗浄物の上面に供給する工程と、洗浄後の前記洗浄
   液を排出する工程とを有することを特徴とする洗浄方
   法。
9. 【請求項９】 前記被洗浄物は半導体ウエハであること
   を特徴とする請求項７又は８に記載の洗浄方法。
10. 【請求項１０】 前記被洗浄物は液晶表示装置用ガラス
    基板であることを特徴とする請求項７又は８に記載の洗
    浄方法。