JP2760735B2 - 半導体ウェーハのパーティクル検査装置 - Google Patents
半導体ウェーハのパーティクル検査装置Info
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- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims description 88
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 28
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 title description 71
- 238000007689 inspection Methods 0.000 title description 10
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 44
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims description 28
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 15
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 6
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 4
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェーハに付着
したパーティクル汚染度を評価するためのパーティクル
計測装置に関し、特に鏡面ウェーハだけでなくエピタキ
シャルウェーハ、拡散ウェーハおよびパターン付きウェ
ーハ、またはエッチ面やラップ面におけるパーティクル
量も評価できるパーティクル計測装置に関する。
したパーティクル汚染度を評価するためのパーティクル
計測装置に関し、特に鏡面ウェーハだけでなくエピタキ
シャルウェーハ、拡散ウェーハおよびパターン付きウェ
ーハ、またはエッチ面やラップ面におけるパーティクル
量も評価できるパーティクル計測装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの基板として用いられる
半導体ウェーハ（以下、単にウェーハとも言う）は、例
えばシリコン等の単結晶インゴッドをその棒軸方向にス
ライスし、スライスして得られたものに対して面取り、
ラッピング、エッチング、ポリッシング等の処理を順次
施すことにより製造される。このような製造過程におい
ては半導体ウェーハにパーティクルが付着するため、こ
れらの各加工を終了する度に純水等を用いてウェーハを
洗浄したのち水切り乾燥が行われている。
半導体ウェーハ（以下、単にウェーハとも言う）は、例
えばシリコン等の単結晶インゴッドをその棒軸方向にス
ライスし、スライスして得られたものに対して面取り、
ラッピング、エッチング、ポリッシング等の処理を順次
施すことにより製造される。このような製造過程におい
ては半導体ウェーハにパーティクルが付着するため、こ
れらの各加工を終了する度に純水等を用いてウェーハを
洗浄したのち水切り乾燥が行われている。
【０００３】ところが、このようにしてウェーハ表面に
付着したパーティクルはウェーハを次工程に投入して初
めてわかるため、パーティクル汚染の度合いが大きいウ
ェーハは製造工程における歩留りを低下させる原因とな
っていた。そのため、従来よりウェーハを次工程に投入
する前に、事前にパーティクルによる汚染度合いを判別
する方法が提案されている。
付着したパーティクルはウェーハを次工程に投入して初
めてわかるため、パーティクル汚染の度合いが大きいウ
ェーハは製造工程における歩留りを低下させる原因とな
っていた。そのため、従来よりウェーハを次工程に投入
する前に、事前にパーティクルによる汚染度合いを判別
する方法が提案されている。
【０００４】例えば、特開平１−２４４，６３３号公報
には、半導体ウェーハ裏面のパーティクル量を計測する
ために、当該ウェーハをフッ酸溶液に繰り返し浸漬し、
裏面に付着したパーティクルを一旦離脱させて表面（鏡
面）に付着させたのち、レーザ表面検査装置を用いて当
該表面に付着したパーティクル数を計測することにより
間接的にウェーハ裏面のパーティクル量を計測する方法
が開示されている。
には、半導体ウェーハ裏面のパーティクル量を計測する
ために、当該ウェーハをフッ酸溶液に繰り返し浸漬し、
裏面に付着したパーティクルを一旦離脱させて表面（鏡
面）に付着させたのち、レーザ表面検査装置を用いて当
該表面に付着したパーティクル数を計測することにより
間接的にウェーハ裏面のパーティクル量を計測する方法
が開示されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、例えばエッ
チ面は鏡面研磨面に比べて洗浄し難く、鏡面のパーティ
クルが皆無であっても、例えば、ウェーハを搬送する場
合にはウェーハの裏面を吸着したり把持したりするた
め、裏面にはパーティクルが付着している場合が少なく
ない。したがって、このような裏面に付着したパーティ
クルをその後の工程に投入することは次工程における歩
留りからいっても好ましくないことは明らかである。
チ面は鏡面研磨面に比べて洗浄し難く、鏡面のパーティ
クルが皆無であっても、例えば、ウェーハを搬送する場
合にはウェーハの裏面を吸着したり把持したりするた
め、裏面にはパーティクルが付着している場合が少なく
ない。したがって、このような裏面に付着したパーティ
クルをその後の工程に投入することは次工程における歩
留りからいっても好ましくないことは明らかである。
【０００６】しかしながら、従来のレーザ表面検査装置
を用いてエッチ面やラップ面、またはエピタキシャルウ
ェーハ、拡散ウェーハおよびパターン付きウェーハ等の
表面に付着したパーティクルを検査しようとしても、パ
ーティクルの大きさに比べて結晶の凹凸による表面粗れ
は極めて大きいため、計測は不可能であった。また、目
視による評価でもこれらエッチ面やラップ面等を評価す
ることは殆ど不可能であった。
を用いてエッチ面やラップ面、またはエピタキシャルウ
ェーハ、拡散ウェーハおよびパターン付きウェーハ等の
表面に付着したパーティクルを検査しようとしても、パ
ーティクルの大きさに比べて結晶の凹凸による表面粗れ
は極めて大きいため、計測は不可能であった。また、目
視による評価でもこれらエッチ面やラップ面等を評価す
ることは殆ど不可能であった。
【０００７】本発明は、このような従来技術の問題点に
鑑みてなされたものであり、ウェーハ裏面のようなエッ
チ面やラップ面、またはエピタキシャルウェーハ、拡散
ウェーハおよびパターン付きウェーハ等の表面に付着し
たパーティクルを検査することができる検査装置を提供
することを目的とする。
鑑みてなされたものであり、ウェーハ裏面のようなエッ
チ面やラップ面、またはエピタキシャルウェーハ、拡散
ウェーハおよびパターン付きウェーハ等の表面に付着し
たパーティクルを検査することができる検査装置を提供
することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の半導体ウェーハのパーティクル計測装置
は、半導体ウェーハに付着したパーティクルを剥離し得
る剥離液が収容され前記半導体ウェーハを前記剥離液中
に支持する支持ピンを有する浸漬槽と、前記浸漬槽に収
容された剥離液を循環して前記剥離液中のパーティクル
を濾過する第１の回路と、前記浸漬槽内の剥離液を取り
出す第２の回路と、該第２の回路を用いて取り出された
剥離液中に分散したパーティクルを光学式薬液用パーテ
ィクルカウンタを用いて計測する手段とを備えたことを
特徴としている。
に、本発明の半導体ウェーハのパーティクル計測装置
は、半導体ウェーハに付着したパーティクルを剥離し得
る剥離液が収容され前記半導体ウェーハを前記剥離液中
に支持する支持ピンを有する浸漬槽と、前記浸漬槽に収
容された剥離液を循環して前記剥離液中のパーティクル
を濾過する第１の回路と、前記浸漬槽内の剥離液を取り
出す第２の回路と、該第２の回路を用いて取り出された
剥離液中に分散したパーティクルを光学式薬液用パーテ
ィクルカウンタを用いて計測する手段とを備えたことを
特徴としている。
【０００９】前記剥離液は、２〜１０体積％のフッ酸溶
液、若しくは当該フッ酸溶液に１体積％以下の過酸化水
素水を添加した溶液であることが好ましい。
液、若しくは当該フッ酸溶液に１体積％以下の過酸化水
素水を添加した溶液であることが好ましい。
【００１０】
【作用】検査する半導体ウェーハを浸漬槽に浸漬する前
に、まず当該浸漬槽に収容された剥離液（例えば、２〜
１０体積％のフッ酸溶液、若しくは当該フッ酸溶液に１
体積％以下の過酸化水素水を添加した溶液）を第１の回
路によって循環し、この剥離液に含まれるパーティクル
を濾過して除去する。このようにして、パーティクルが
パーティクルカウンタの検出限度以下となった剥離液
に、検査すべき半導体ウェーハを浸漬し、支持ピンにて
支持する。このとき、ウェーハの裏面に付着したパーテ
ィクルのみを検査する場合にはウェーハ裏面のみを浸漬
させる。
に、まず当該浸漬槽に収容された剥離液（例えば、２〜
１０体積％のフッ酸溶液、若しくは当該フッ酸溶液に１
体積％以下の過酸化水素水を添加した溶液）を第１の回
路によって循環し、この剥離液に含まれるパーティクル
を濾過して除去する。このようにして、パーティクルが
パーティクルカウンタの検出限度以下となった剥離液
に、検査すべき半導体ウェーハを浸漬し、支持ピンにて
支持する。このとき、ウェーハの裏面に付着したパーテ
ィクルのみを検査する場合にはウェーハ裏面のみを浸漬
させる。
【００１１】剥離液の作用により半導体ウェーハに付着
したパーティクルは剥離液中に分散するので、充分な浸
漬を施したのち、第２の回路を用いて剥離液を取り出
す。そして、この剥離液中に分散したパーティクルを薬
液用パーティクルカウンタを用いて計測し、この計測値
を半導体ウェーハに付着したパーティクル数と擬制す
る。
したパーティクルは剥離液中に分散するので、充分な浸
漬を施したのち、第２の回路を用いて剥離液を取り出
す。そして、この剥離液中に分散したパーティクルを薬
液用パーティクルカウンタを用いて計測し、この計測値
を半導体ウェーハに付着したパーティクル数と擬制す
る。
【００１２】剥離液としては、２〜１０体積％のフッ酸
溶液を用いることが好ましい。２体積％未満ではウェー
ハに付着したパーティクルを充分に剥離することができ
ず、逆に１０体積％より大きいと一旦剥離したパーティ
クルがウェーハ表面に再付着するおそれがある。特に、
２〜１０体積％のフッ酸溶液に１体積％以下の過酸化水
素水を添加した溶液を用いた場合には、ウェーハ表面を
親水性にできるので、パーティクルの再付着防止には効
果的である。
溶液を用いることが好ましい。２体積％未満ではウェー
ハに付着したパーティクルを充分に剥離することができ
ず、逆に１０体積％より大きいと一旦剥離したパーティ
クルがウェーハ表面に再付着するおそれがある。特に、
２〜１０体積％のフッ酸溶液に１体積％以下の過酸化水
素水を添加した溶液を用いた場合には、ウェーハ表面を
親水性にできるので、パーティクルの再付着防止には効
果的である。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説
明する。図１（Ａ）は本発明の一実施例に係るパーティ
クル計測装置を示す構成図、図１（Ｂ）は他の実施例を
示す構成図、図２は薬液用パーティクルカウンタの計測
原理を示す構成図、図３は本発明の効果を説明するため
の実験結果を示すグラフである。
明する。図１（Ａ）は本発明の一実施例に係るパーティ
クル計測装置を示す構成図、図１（Ｂ）は他の実施例を
示す構成図、図２は薬液用パーティクルカウンタの計測
原理を示す構成図、図３は本発明の効果を説明するため
の実験結果を示すグラフである。
【００１４】図１（Ａ）に示すように、本実施例のパー
ティクル計測装置は浸漬槽１を有しており、この浸漬槽
１は、検査すべき半導体ウェーハＷを浸漬する浸漬部１
ａと、この浸漬部１ａの周囲に設けられたオーバーフロ
ー部１ｂとからなる。浸漬部１ａには半導体ウェーハＷ
を支持するための支持ピン２が複数個着脱可能に取り付
けられている。
ティクル計測装置は浸漬槽１を有しており、この浸漬槽
１は、検査すべき半導体ウェーハＷを浸漬する浸漬部１
ａと、この浸漬部１ａの周囲に設けられたオーバーフロ
ー部１ｂとからなる。浸漬部１ａには半導体ウェーハＷ
を支持するための支持ピン２が複数個着脱可能に取り付
けられている。
【００１５】この支持ピン２にウェーハＷを載置する
と、図１（Ａ）に示すように剥離液３にウェーハの裏面
のみが浸漬されることになり、ウェーハ裏面に付着した
パーティクルのみを計測することができる。また、支持
ピン２の長さを変えることにより（例えば図１（Ｂ）に
示すような短い支持ピン２を装着すると）、剥離液３に
はウェーハの全体が浸漬することになり、この場合には
ウェーハの両面に付着したパーティクルを計測すること
が可能となる。
と、図１（Ａ）に示すように剥離液３にウェーハの裏面
のみが浸漬されることになり、ウェーハ裏面に付着した
パーティクルのみを計測することができる。また、支持
ピン２の長さを変えることにより（例えば図１（Ｂ）に
示すような短い支持ピン２を装着すると）、剥離液３に
はウェーハの全体が浸漬することになり、この場合には
ウェーハの両面に付着したパーティクルを計測すること
が可能となる。
【００１６】浸漬槽１に収容する剥離液としては、２〜
１０体積％のフッ酸溶液（さらに好ましくは５体積％）
を用いることが好ましい。２体積％未満のフッ酸溶液で
はウェーハに付着したパーティクルを充分に剥離するこ
とができず、逆に１０体積％より大きいフッ酸溶液を用
いると一旦剥離したパーティクルがウェーハ表面に再付
着するおそれがある。特に、２〜１０体積％のフッ酸溶
液に１体積％以下の過酸化水素水を添加した溶液を用い
ると、ウェーハ表面を親水性にできるので、パーティク
ルの再付着防止には効果的である。
１０体積％のフッ酸溶液（さらに好ましくは５体積％）
を用いることが好ましい。２体積％未満のフッ酸溶液で
はウェーハに付着したパーティクルを充分に剥離するこ
とができず、逆に１０体積％より大きいフッ酸溶液を用
いると一旦剥離したパーティクルがウェーハ表面に再付
着するおそれがある。特に、２〜１０体積％のフッ酸溶
液に１体積％以下の過酸化水素水を添加した溶液を用い
ると、ウェーハ表面を親水性にできるので、パーティク
ルの再付着防止には効果的である。
【００１７】浸漬部１ａの周囲に設けられたオーバーフ
ロー部１ｂには配管４が接続されており、ポンプ５によ
って浸漬部１ａから当該オーバーフロー部１ｂに溢れ出
た剥離液３を吸引する。「６」はポンプ５の下流側に設
けられたフィルタであって、剥離液中に含まれたパーテ
ィクルを濾過して除去する機能を備えている。
ロー部１ｂには配管４が接続されており、ポンプ５によ
って浸漬部１ａから当該オーバーフロー部１ｂに溢れ出
た剥離液３を吸引する。「６」はポンプ５の下流側に設
けられたフィルタであって、剥離液中に含まれたパーテ
ィクルを濾過して除去する機能を備えている。
【００１８】この配管４の終端は、三方弁７を介して浸
漬部１ａの最下面に接続されており、ポンプ５によって
吸引された剥離液３は、その液中に含まれたパーティク
ルがフィルタ６で除去されたのち再び浸漬部１ａに帰還
する。この循環系が本発明の第１の回路を構成してい
る。
漬部１ａの最下面に接続されており、ポンプ５によって
吸引された剥離液３は、その液中に含まれたパーティク
ルがフィルタ６で除去されたのち再び浸漬部１ａに帰還
する。この循環系が本発明の第１の回路を構成してい
る。
【００１９】また、三方弁７を切り替えて浸漬部１ａの
剥離液３を取り出すために、当該三方弁７には別の配管
８が接続されており、ポンプ５を停止して第１の回路に
よる剥離液３の循環を停止したのち、三方弁７を切り替
えることによって浸漬部１ａの剥離液３は浸漬部１ａの
最下面から配管８を介してサンプリングボトル９に採取
される。
剥離液３を取り出すために、当該三方弁７には別の配管
８が接続されており、ポンプ５を停止して第１の回路に
よる剥離液３の循環を停止したのち、三方弁７を切り替
えることによって浸漬部１ａの剥離液３は浸漬部１ａの
最下面から配管８を介してサンプリングボトル９に採取
される。
【００２０】「１０」は、サンプリング液に含まれたパ
ーティクル数を計測する薬液用パーティクルカウンタで
あり、その計測原理は以下の通りである。すなわち、図
２に示すように、サンプリング液は測定セル１１に開設
された導入口１２から導入され導出口１３から排出され
る。このサンプリング液の流れ方向に対して側方から光
源であるＨｅ−Ｎｅレーザ光１４を照射し、パーティク
ルによる側方散乱光１５を測定セル１１に開設された受
光窓１６から集光する。「１７」は受光レンズ、「１
８」はスリットを有するマスク、「１９」はレンズ、
「２０」は光電子倍増管である。
ーティクル数を計測する薬液用パーティクルカウンタで
あり、その計測原理は以下の通りである。すなわち、図
２に示すように、サンプリング液は測定セル１１に開設
された導入口１２から導入され導出口１３から排出され
る。このサンプリング液の流れ方向に対して側方から光
源であるＨｅ−Ｎｅレーザ光１４を照射し、パーティク
ルによる側方散乱光１５を測定セル１１に開設された受
光窓１６から集光する。「１７」は受光レンズ、「１
８」はスリットを有するマスク、「１９」はレンズ、
「２０」は光電子倍増管である。
【００２１】なお、本実施例のパーティクルカウンタ１
０では、微弱光検出に対しても有効であるために、パー
ティクルからの散乱光１５をフォトンレベルで測定する
ためホトマルからの光電子パルス出力を一つ一つカウン
トする光子計測法を採用している。したがって、より小
さなパーティクルからの散乱光を受光することができ
る。
０では、微弱光検出に対しても有効であるために、パー
ティクルからの散乱光１５をフォトンレベルで測定する
ためホトマルからの光電子パルス出力を一つ一つカウン
トする光子計測法を採用している。したがって、より小
さなパーティクルからの散乱光を受光することができ
る。
【００２２】次に作用を説明する。検査すべき半導体ウ
ェーハＷを浸漬槽１に浸漬する前に、まず浸漬槽１に収
容されたフッ酸溶液（剥離液）３を第１の回路によって
循環し、このフッ酸溶液３に含まれたパーティクルをフ
ィルタ６により濾過して除去する。
ェーハＷを浸漬槽１に浸漬する前に、まず浸漬槽１に収
容されたフッ酸溶液（剥離液）３を第１の回路によって
循環し、このフッ酸溶液３に含まれたパーティクルをフ
ィルタ６により濾過して除去する。
【００２３】ついで、パーティクルがパーティクルカウ
ンタにおける検出限度以下となったフッ酸溶液３に、検
査すべき半導体ウェーハＷを浸漬し、支持ピン２にて支
持する。ウェーハの裏面のみを検査する場合には、支持
ピン２を選択して図１（Ａ）に示すようにウェーハ裏面
のみを浸漬し、これに対して、ウェーハ両面を検査する
場合には支持ピン２を交換して図１（Ｂ）に示すように
全面を浸漬する。フッ酸溶液３の作用により半導体ウェ
ーハＷに付着したパーティクルは浸漬部１ａに収容され
たフッ酸溶液中に分散するので、充分な浸漬を施したの
ち、三方弁７を切り替え、配管８からサンプリングボト
ル９へ浸漬部１ａのフッ酸溶液を取り出す。
ンタにおける検出限度以下となったフッ酸溶液３に、検
査すべき半導体ウェーハＷを浸漬し、支持ピン２にて支
持する。ウェーハの裏面のみを検査する場合には、支持
ピン２を選択して図１（Ａ）に示すようにウェーハ裏面
のみを浸漬し、これに対して、ウェーハ両面を検査する
場合には支持ピン２を交換して図１（Ｂ）に示すように
全面を浸漬する。フッ酸溶液３の作用により半導体ウェ
ーハＷに付着したパーティクルは浸漬部１ａに収容され
たフッ酸溶液中に分散するので、充分な浸漬を施したの
ち、三方弁７を切り替え、配管８からサンプリングボト
ル９へ浸漬部１ａのフッ酸溶液を取り出す。
【００２４】図３は本実施例のパーティクル計測装置の
測定精度を確認するために行った実験結果を示すグラフ
である。この実験では、同一ロットの半導体ウェーハを
複数枚用意し、これらを同一の洗浄工程で洗浄時間のみ
を変動させて計測サンプルとした。そして、上述したよ
うな手順で本実施例のパーティクル計測装置にてパーテ
ィクル数を計測した。この実験結果からも明らかなよう
に、半導体ウェーハの洗浄時間が短い程、パーティクル
数が大きくなっており、これにより本実施例のパーティ
クル計測装置の有効性が立証できる。
測定精度を確認するために行った実験結果を示すグラフ
である。この実験では、同一ロットの半導体ウェーハを
複数枚用意し、これらを同一の洗浄工程で洗浄時間のみ
を変動させて計測サンプルとした。そして、上述したよ
うな手順で本実施例のパーティクル計測装置にてパーテ
ィクル数を計測した。この実験結果からも明らかなよう
に、半導体ウェーハの洗浄時間が短い程、パーティクル
数が大きくなっており、これにより本実施例のパーティ
クル計測装置の有効性が立証できる。
【００２５】図３は本実施例のパーティクル検査装置の
測定精度を確認するために行った実験結果を示すグラフ
である。この実験では、同一ロットの半導体ウェーハを
複数枚用意し、これらを同一の洗浄工程で洗浄時間のみ
を変動させて計測サンプルとした。そして、上述したよ
うな手順で本実施例のパーティクル検査装置にてパーテ
ィクル数を計測した。この実験結果からも明らかなよう
に、半導体ウェーハの洗浄時間が短い程、パーティクル
数が大きくなっており、これにより本実施例の検査装置
の有効性が立証できる。
測定精度を確認するために行った実験結果を示すグラフ
である。この実験では、同一ロットの半導体ウェーハを
複数枚用意し、これらを同一の洗浄工程で洗浄時間のみ
を変動させて計測サンプルとした。そして、上述したよ
うな手順で本実施例のパーティクル検査装置にてパーテ
ィクル数を計測した。この実験結果からも明らかなよう
に、半導体ウェーハの洗浄時間が短い程、パーティクル
数が大きくなっており、これにより本実施例の検査装置
の有効性が立証できる。
【００２６】
【発明の効果】本発明のパーティクル計測装置は、半導
体ウェーハに付着したパーティクル数を計測するにあた
り、ウェーハ表面を直接捜査するのではなくフッ酸など
のパーティクル剥離液を介在させて当該パーティクルを
剥離液中に分散し、この剥離液に分散したパーティクル
数を間接的に測定しているので、鏡面ウェーハ以外にも
エピタキシャルウェーハ、拡散ウェーハおよびパターン
付きウェーハ、またはエッチ面やラップ面等、各種ウェ
ーハのパーティクルの正確な計測が可能となる。その結
果、本発明のパーティクル計測装置を用いれば、各種ウ
ェーハのパーティクルの検査を正確に行うことができ
る。
体ウェーハに付着したパーティクル数を計測するにあた
り、ウェーハ表面を直接捜査するのではなくフッ酸など
のパーティクル剥離液を介在させて当該パーティクルを
剥離液中に分散し、この剥離液に分散したパーティクル
数を間接的に測定しているので、鏡面ウェーハ以外にも
エピタキシャルウェーハ、拡散ウェーハおよびパターン
付きウェーハ、またはエッチ面やラップ面等、各種ウェ
ーハのパーティクルの正確な計測が可能となる。その結
果、本発明のパーティクル計測装置を用いれば、各種ウ
ェーハのパーティクルの検査を正確に行うことができ
る。
【００２７】
【発明の効果】本発明のパーティクル検査装置は、半導
体ウェーハに付着したパーティクル数を計測するにあた
り、ウェーハ表面を直接捜査するのではなくフッ酸など
のパーティクル剥離液を介在させて当該パーティクルを
剥離液中に分散し、この剥離液に分散したパーティクル
数を間接的に測定しているので、鏡面ウェーハ以外にも
エピタキシャルウェーハ、拡散ウェーハおよびパターン
付きウェーハ、またはエッチ面やラップ面等、各種ウェ
ーハのパーティクル検査が可能となる。
体ウェーハに付着したパーティクル数を計測するにあた
り、ウェーハ表面を直接捜査するのではなくフッ酸など
のパーティクル剥離液を介在させて当該パーティクルを
剥離液中に分散し、この剥離液に分散したパーティクル
数を間接的に測定しているので、鏡面ウェーハ以外にも
エピタキシャルウェーハ、拡散ウェーハおよびパターン
付きウェーハ、またはエッチ面やラップ面等、各種ウェ
ーハのパーティクル検査が可能となる。
【図１】（Ａ）は本発明に係るパーティクル計測装置を
示す構成図、（Ｂ）は他の実施例を示す構成図である。
示す構成図、（Ｂ）は他の実施例を示す構成図である。
【図２】薬液用パーティクルカウンタの計測原理を示す
構成図である。
構成図である。
【図３】本発明の効果を説明するための実験結果を示す
グラフである。
グラフである。
１…浸漬槽 １ａ…浸漬部 １ｂ…オーバーフロー部 ２…支持ピン ３…フッ酸溶液（剥離液） ４…配管 ５…ポンプ ６…フィルタ ７…三方弁 ８…配管 ９…サンプリングボトル １０…パーティクルカウンタ
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G01N 15/00 - 15/14 G01N 1/28 H01L 21/304 341
Claims (2)
- 【請求項１】半導体ウェーハに付着したパーティクルを
剥離し得る剥離液が収容され前記半導体ウェーハを前記
剥離液中に支持する支持ピンを有する浸漬槽と、 前記浸漬槽に収容された剥離液を循環して前記剥離液中
のパーティクルを濾過する第１の回路と、 前記浸漬槽内の剥離液を取り出す第２の回路と、該第２の回路を用いて取り出された剥離液中に分散した
パーティクルを光学式薬液用パーティクルカウンタを用
いて計測する手段と を備えたことを特徴とする半導体ウ
ェーハのパーティクル計測装置。 - 【請求項２】前記剥離液は、２〜１０体積％のフッ酸溶
液、若しくは当該フッ酸溶液に１体積％以下の過酸化水
素水を添加した溶液であることを特徴とする請求項１に
記載の半導体ウェーハのパーティクル計測装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5188154A JP2760735B2 (ja) | 1993-07-29 | 1993-07-29 | 半導体ウェーハのパーティクル検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5188154A JP2760735B2 (ja) | 1993-07-29 | 1993-07-29 | 半導体ウェーハのパーティクル検査装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0743289A JPH0743289A (ja) | 1995-02-14 |
| JP2760735B2 true JP2760735B2 (ja) | 1998-06-04 |
Family
ID=16218702
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5188154A Expired - Lifetime JP2760735B2 (ja) | 1993-07-29 | 1993-07-29 | 半導体ウェーハのパーティクル検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2760735B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100494146B1 (ko) * | 2002-07-16 | 2005-06-13 | 주식회사 하이닉스반도체 | 파티클검사장치의 다용도 홀더 및 그를 이용한 검사방법 |
| CN104297119B (zh) * | 2014-10-27 | 2016-07-13 | 重庆大学 | 一种空气可吸入颗粒物浓度越限报警方法 |
| KR102313961B1 (ko) * | 2016-04-14 | 2021-10-15 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 반도체 프로세싱 장비의 30 nm 인-라인 lpc 테스팅 및 세정 |
-
1993
- 1993-07-29 JP JP5188154A patent/JP2760735B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0743289A (ja) | 1995-02-14 |
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