JPS6269612A - 処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［技術分野］ 本発明は、処理技術、特に、半導体装置の製造おけるウ
ェハのフォトレジスト除去処理に適用して有効な技術に
関する。

［背景技術］ たとえば、半導体装置の製造におけるウェハ処理工程に
おいては、ウェハに対するエツチング処理などの後、ウ
ェハの表面に残存されたフォトレジストなどを除去する
目的で次のような薬液処理を行うことが考えられる。

すなわち、硫酸などの薬液が貯留された処理槽の底部に
、たとえば石英などからなる管に多数の孔を形成したも
のを設け、前記値酸巾にオゾンなどの気泡を発生させつ
つウェハを浸漬させ、該ウェハに付着された有機物など
からなるフォトレジストを酸化除去するものであ。

しかしながら、上記のような構造の装置では、処理槽内
の各部において気泡が均一に発生されず、さらに発生さ
れる気泡の径が比較的大であるため、ウェハ表面と薬液
および気泡との接触が不十分となり、ウェハ表面からの
フォトレジストの剥離処理の効率が低下されたり、ウェ
ハ表面から剥離されて薬液中に浮遊されるフォトレジス
トの消失に長時間を要し、作業時間が長くなるなど種々
の欠点があることを本発明者は見いだした。

なお、ウェハ処理技術について説明されている文献とし
ては、株式会社工業調査会、昭和５６年１１月１０日発
行「電子材料Ｊ　１９Ｂ１年別冊、Ｐ９５〜Ｐ１０２が
ある。

し発明の目的］ 本発明の目的は、迅速かつ効果的に処理を行うことが可
能な処理技術を提供することにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。

［発明の概要］ 本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、つぎの通りである。

すなわち、処理気体の気泡が形成された処理液中に被処
理物を浸漬させることによって所定の処理を施す処理装
置の前記処理液中に多孔質の板体が設けられ、該板体の
表面から前記処理気体の気泡が形成されるように構成す
ることにより、処理液中に処理気体の微細な気泡が均一
に形成されるようにして、迅速に良好な処理結果が得ら
れるようにしたものである。

［実施例］ 第１図は、本発明の一実施例である処理装置の断面図で
あり、第２図はその要部を取り出して示す斜視図、さら
に第３図は第２図において線■−■で示される部分の断
面図である。

処理槽１の内部には、たとえば硫酸などからなる薬液２
　（処理液）が貯留されている。

この場合、前記処理槽１の底部には、たとえばポリテト
ラフロロエチレンなどの化学的に安定な材料で多孔質の
板状に構成されたバブラ３　（板体）が設けられている
。

このバブラ３は、たとえばポリテトラフロロエチレンの
粉末とガラスの粉末を所定の割合で混和して板状に加熱
成形した後、酸などによってガラス部分をエツチングす
ることによってポリテトラフロロエチレンの多孔質な板
体としたものであり、ポリテトラフロロエチレンやガラ
スの粉末の粒径を適当に選ぶことにより、ポリテトラフ
ロロエチレン粒子相互間に形成される空隙部の大きさな
どを任意に調整することができるものである。

さらに、バブラ３の内部には、第３図に示されるように
、側面部からバブラ３の平面方向に穿設された枝状の空
洞部４が設けられており、側面部の開口端は塞栓５によ
って閉塞されている。

そして、前記空洞部４には、外部からたとえばオゾンな
どのガス６　（処理気体）を供給するパイプ７が接続さ
れ、パイプ７を通じて空洞部４に流入されたガス６は、
多孔質なバブラ３の内部の微細な空隙部を通過して表面
に至り、薬液２の内部にはバブラ３の表面全体から一様
にガス６の微細な気泡が形成されるものである。

また、前記処理槽１の上方には、搬送機構８が設けられ
、所定数のウェハ９（被処理物）が収納されるカセット
１０が保持されるように構成され、ウェハ９がカセット
１０とともに適宜処理槽ｌの内部に貯留された薬液２の
内部に浸漬されることによって、ウェハ９の表面に付着
したフォトレジストなどが薬液２および該薬液２の中に
形成され、薬液２の液面に向かって上昇されるガス６の
微細な気泡および薬液２などの作用によって分解除去さ
れるものである。

以下、本実施例の作用について説明する。

始めに、処理槽１の底部に設けられた多孔質のバブラ３
の内部には、パイプ７を通じてガス６が流入され、バブ
ラ３の表面からはガス６の微細な気泡が処理槽ｌの内部
に一様に形成される。

次に、搬送機構８に保持されたカセット１０に収納され
たウェハ９はカセット１０とともに処理槽ｌの内部に貯
留された薬液２の内部に浸漬される。

この時、ウェハ９の表面に付着したフォトレジストなど
は、硅酸などからなる薬液２および該薬液２の内部に一
様に形成されたオゾンなどのガスむの微細な気泡に接触
されることによって分解されウェハ９の表面から除去さ
れる。

この場合、ウェハ９に付着したフォトレジストを効率良
く剥離除去するためには、オゾンなどからなるガス６の
気泡が微細で処理槽１の内部に一様に形成されることが
重要となるが、本実施例においては、バブラ３が多孔質
な板状に構成され、バブラ３の内部に流入されたガス６
がバブラ３の表面全体から一様に微細な気泡となって薬
液２の内部に供給されるように構成されているため、薬
液２の内部に浸漬されたウェハ９の表面番ご対してガス
６の微細な気泡が一様に接触されることとなり、ウェハ
９の表面からのフォトレジストの除去が効率良く行われ
るとともにウェハ９から剥離されて薬液２の内部を浮遊
されるフォトレジスト片などの分解消失などが迅速に行
われる。

所定の時間経過後、ウェハ９はカセット１０とともに上
昇され、次の工程に搬送される。

−上記の一連の操作を繰り返すことにより、多数のウェ
ハ９におけるフォトレジスト除去処理が迅速かつ効果的
に行われる。

［効果］ （１）、処理気体の気泡が形成された処理液中に被処理
物を浸漬させることによって所定の処理を施す処理装置
の前記処理液中に多孔質の板体が設けられ、該板体の表
面から前記処理気体の気泡が形成される構造であるため
、処理液中に処理気体の微細な気泡を均一に形成するこ
とが可能となり、被処理物に対する処理液および処理気
体の微細な気泡が一様に接触される結果、被処理物の処
理が迅速かつ効果的に行われる。

（２）、前記（１）の結果、ウェハ表面からのフォトレ
ジストなどの除去処理を迅速かつ効果的に行うことが可
能となり、半導体装置の製造における生産性が向上され
る。

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。

たとえば、バブラを構成する材料としては、ポリテトラ
フロロエチレンに限らず、他のいかなる材料であっても
良い。

［利用分野］ 以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるウェハのフォトレジ
スト除去処理に適用した場合について説明したが、それ
に限定されるものではなく、処理液中に浸漬された被処
理物に処理気体の気泡を作用させることによって処理を
施す技術に広く適用できる。　　　　　′

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の一実施例である処理装置の断面図、 第２図はその要部を取り出して示す斜視図、第３図は第
２図において線ｔｎ−ｍで示される部分の断面図である
。 １・・・処理槽、２・・・薬液（処理液）、３・・・バ
ブラ（板体）、４・・・空洞部、５・・・塞栓、６・・
・ガス（処理気体）、７・・・パイプ、８・・・搬送機
構、９・・・ウェハ（被処理物）、１０・・・カセット
。 第　　１　　図 第　　２　　図 ６″　７ 、、Ｌ　　　　　　−１ −“パ′−・−′θ′ 〜、°゛：、゛１．゛　　亘 ：゛、：　０°・

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、処理気体の気泡が形成された処理液中に被処理物を
   浸漬させることによって所定の処理を施す処理装置であ
   って、前記処理液中に多孔質の板体が設けられ、該板体
   の表面から前記処理気体の気泡が形成されることを特徴
   とする処理装置。 ２、前記板体が、ポリテトラフロロエチレンの粉末を板
   状に成形することによって多孔質に構成された板体であ
   ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の処理装
   置。 ３、前記処理液および前記処理気体が、それぞれ硫酸お
   よびオゾンであることを特徴とする特許請求の範囲第１
   項記載の処理装置。 ４、前記被処理物がウェハであり、前記処理装置がフォ
   トレジスト除去装置であることを特徴とする特許請求の
   範囲第１項記載の処理装置。