JP2003282513A - 有機物剥離方法及び有機物剥離装置 - Google Patents
有機物剥離方法及び有機物剥離装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】有機物除去についてその薬液寿命の延命化及び
高効率処理を可能とする有機物剥離方法及び有機物剥離
装置を提供する。 【解決手段】有機物を剥離する処理槽に所定の薬液を蓄
える(処理S1)。一方、別槽では上記薬液内に活性種
として加えられるべき液体をミスト化しておく(処理S
2)。ミスト化された液体が清浄ガスと混合され処理槽
内へ泡状になって供給される(処理S3)。この状態で
被処理物が処理槽に投入され、有機物の剥離処理が行わ
れる。被処理物は、例えば剥離すべきレジスト層の付い
た半導体ウェハ、また、パーティクル除去すべき半導体
ウェハ、また、その他の加工品、各種製造装置内の部品
等、有機物除去したいものであれば適用できる。薬液
は、例えば硫酸−過酸化水素水混合液であって、ミスト
化する液体は過酸化水素水である。
高効率処理を可能とする有機物剥離方法及び有機物剥離
装置を提供する。 【解決手段】有機物を剥離する処理槽に所定の薬液を蓄
える(処理S1)。一方、別槽では上記薬液内に活性種
として加えられるべき液体をミスト化しておく(処理S
2)。ミスト化された液体が清浄ガスと混合され処理槽
内へ泡状になって供給される(処理S3)。この状態で
被処理物が処理槽に投入され、有機物の剥離処理が行わ
れる。被処理物は、例えば剥離すべきレジスト層の付い
た半導体ウェハ、また、パーティクル除去すべき半導体
ウェハ、また、その他の加工品、各種製造装置内の部品
等、有機物除去したいものであれば適用できる。薬液
は、例えば硫酸−過酸化水素水混合液であって、ミスト
化する液体は過酸化水素水である。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置製造に
係り、特に半導体ウェハに形成されたレジスト層あるい
は、半導体ウェハまたは他の加工品に付着した有機性の
異物(パーティクル)を除去する有機物剥離方法及び有
機物剥離装置に関する。
係り、特に半導体ウェハに形成されたレジスト層あるい
は、半導体ウェハまたは他の加工品に付着した有機性の
異物(パーティクル)を除去する有機物剥離方法及び有
機物剥離装置に関する。
【0002】
【従来の技術】LSI製造工程(ウェハ工程)の一つに
レジスト層の除去工程がある。レジスト層のような有機
物の除去工程には、プラズマ・アッシングや硫酸−過酸
化水素水混合液(SPM:sulfuric acid / hydrogen
peroxide/ water mix)による剥離、またはその組合わ
せが一般的である。しかし、アッシング後のウェハ表面
には異物が多く、別途洗浄工程が必要となる。また、S
PM洗浄においては化学薬品を大量消費し、かつ液温を
高温に維持するための電力消費量は多大である。
レジスト層の除去工程がある。レジスト層のような有機
物の除去工程には、プラズマ・アッシングや硫酸−過酸
化水素水混合液(SPM:sulfuric acid / hydrogen
peroxide/ water mix)による剥離、またはその組合わ
せが一般的である。しかし、アッシング後のウェハ表面
には異物が多く、別途洗浄工程が必要となる。また、S
PM洗浄においては化学薬品を大量消費し、かつ液温を
高温に維持するための電力消費量は多大である。
【0003】SPM洗浄は、薬液(硫酸−過酸化水素水
混合液)をオーバーフローまたはダウンフローさせ、フ
ィルトレーションを伴い循環させる構成が知られてい
る。薬液の性能が劣化する前に適時、過酸化水素水を追
加投入する。これにより活性種の密度を高める方法が一
般的である。
混合液)をオーバーフローまたはダウンフローさせ、フ
ィルトレーションを伴い循環させる構成が知られてい
る。薬液の性能が劣化する前に適時、過酸化水素水を追
加投入する。これにより活性種の密度を高める方法が一
般的である。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】SPM洗浄において、
硫酸に過酸化水素水を適時投入する方法が最も実績のあ
る方法であるが、過酸化水素水が処理槽内の硫酸と混ざ
り難いという問題がある。また、処理時間短縮のため過
酸化水素水を多く投入し過ぎると、成分劣化が激しく、
薬液寿命が短くなる。また、薬液の延命化を優先する意
味で、少ない活性種で液温をさらに上昇させる手法も考
えられる。これについては、上述したような電力消費の
懸念はもとより、装置(ハード)の耐久性を落とす原因
にもなり、使用時間の経過につれ処理能力の低下が顕著
になってくる。
硫酸に過酸化水素水を適時投入する方法が最も実績のあ
る方法であるが、過酸化水素水が処理槽内の硫酸と混ざ
り難いという問題がある。また、処理時間短縮のため過
酸化水素水を多く投入し過ぎると、成分劣化が激しく、
薬液寿命が短くなる。また、薬液の延命化を優先する意
味で、少ない活性種で液温をさらに上昇させる手法も考
えられる。これについては、上述したような電力消費の
懸念はもとより、装置(ハード)の耐久性を落とす原因
にもなり、使用時間の経過につれ処理能力の低下が顕著
になってくる。
【0005】本発明は、上記のような事情を考慮してな
されたもので、有機物除去についてその薬液寿命の延命
化及び高効率処理を可能とする有機物剥離方法及び有機
物剥離装置を提供しようとするものである。
されたもので、有機物除去についてその薬液寿命の延命
化及び高効率処理を可能とする有機物剥離方法及び有機
物剥離装置を提供しようとするものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明に係る有機物剥離
方法は、少なくとも有機物を剥離する処理槽に蓄えられ
た薬液内に活性種として加えられるべき液体が、ミスト
化され清浄ガスと共に供給されることを特徴とする。
方法は、少なくとも有機物を剥離する処理槽に蓄えられ
た薬液内に活性種として加えられるべき液体が、ミスト
化され清浄ガスと共に供給されることを特徴とする。
【0007】本発明に係るより好ましい有機物剥離方法
は、少なくとも有機物を剥離する処理槽に薬液を蓄える
工程と、前記薬液内に活性種として加えられるべき液体
をミスト化する工程と、前記ミスト化された液体が清浄
ガスと混合され前記処理槽内へ泡状にして供給する工程
と、を具備したことを特徴とする。
は、少なくとも有機物を剥離する処理槽に薬液を蓄える
工程と、前記薬液内に活性種として加えられるべき液体
をミスト化する工程と、前記ミスト化された液体が清浄
ガスと混合され前記処理槽内へ泡状にして供給する工程
と、を具備したことを特徴とする。
【0008】上記それぞれの本発明に係る有機物剥離方
法によれば、薬液内に活性種として加えられるべき液体
が、ミスト化され清浄ガスと共に供給される。これによ
り、より少量の液体で、薬液としての有効な成分を均一
に生成させることができる。また、清浄ガスと共に泡状
に与えられるため、被処理物は物理作用でスクラブされ
る状態にもなる。
法によれば、薬液内に活性種として加えられるべき液体
が、ミスト化され清浄ガスと共に供給される。これによ
り、より少量の液体で、薬液としての有効な成分を均一
に生成させることができる。また、清浄ガスと共に泡状
に与えられるため、被処理物は物理作用でスクラブされ
る状態にもなる。
【0009】また、本発明に係る方法おいて、前記液体
をミスト化する工程は、前記処理槽外部で超音波を印加
することにより達成されることを特徴とする。ミスト化
された液体が清浄ガスと混合される関係上、ミスト化処
理にあたり、清浄ガスの圧力に優る超音波出力を与えな
ければミスト化され難くなる可能性もある。超音波出力
の選択には注意を要する。
をミスト化する工程は、前記処理槽外部で超音波を印加
することにより達成されることを特徴とする。ミスト化
された液体が清浄ガスと混合される関係上、ミスト化処
理にあたり、清浄ガスの圧力に優る超音波出力を与えな
ければミスト化され難くなる可能性もある。超音波出力
の選択には注意を要する。
【0010】また、本発明に係るいずれかの方法おい
て、前記薬液は硫酸と過酸化水素水の混合液であり、前
記ミスト化する液体は過酸化水素水であることを特徴と
する。過酸化水素水を硫酸に効率よく反応させ、有機物
剥離、洗浄に有効な成分を均一に生成する。
て、前記薬液は硫酸と過酸化水素水の混合液であり、前
記ミスト化する液体は過酸化水素水であることを特徴と
する。過酸化水素水を硫酸に効率よく反応させ、有機物
剥離、洗浄に有効な成分を均一に生成する。
【0011】本発明に係る有機物剥離装置は、少なくと
も有機物を剥離する薬液を蓄える処理槽と、前記薬液内
に活性種として加えられるべき液体をミスト化するミス
ト化機構と、前記ミスト化機構に清浄ガスが与えられ前
記ミスト化された液体が清浄ガスと共に前記処理槽内へ
供給される泡状供給機構と、を具備したことを特徴とす
る。
も有機物を剥離する薬液を蓄える処理槽と、前記薬液内
に活性種として加えられるべき液体をミスト化するミス
ト化機構と、前記ミスト化機構に清浄ガスが与えられ前
記ミスト化された液体が清浄ガスと共に前記処理槽内へ
供給される泡状供給機構と、を具備したことを特徴とす
る。
【0012】上記本発明に係る有機物剥離装置によれ
ば、薬液内に活性種として加えられるべき液体が、ミス
ト化機構によってミスト化され、泡状供給機構によって
清浄ガスと共に処理槽内へ供給される。これにより、よ
り少量の液体で、薬液としての有効な成分を均一に生成
させることができる。また、泡状供給機構によって、被
処理物は泡の物理作用でスクラブされる状態にもなる。
ば、薬液内に活性種として加えられるべき液体が、ミス
ト化機構によってミスト化され、泡状供給機構によって
清浄ガスと共に処理槽内へ供給される。これにより、よ
り少量の液体で、薬液としての有効な成分を均一に生成
させることができる。また、泡状供給機構によって、被
処理物は泡の物理作用でスクラブされる状態にもなる。
【0013】また、本発明に係る装置において、前記ミ
スト化機構は、前記液体が蓄えられる前記処理槽とは別
の槽と、この槽内の液体をミスト化する超音波印加機構
を含むことを特徴とする。別の槽で超音波印加機構によ
り効率よくミスト化する。ミスト化処理にあたり、清浄
ガスの圧力に優る超音波出力を与えなければミスト化さ
れ難くなる可能性があるので、超音波出力の選択には注
意を要する。
スト化機構は、前記液体が蓄えられる前記処理槽とは別
の槽と、この槽内の液体をミスト化する超音波印加機構
を含むことを特徴とする。別の槽で超音波印加機構によ
り効率よくミスト化する。ミスト化処理にあたり、清浄
ガスの圧力に優る超音波出力を与えなければミスト化さ
れ難くなる可能性があるので、超音波出力の選択には注
意を要する。
【0014】また、本発明に係る装置において、前記泡
状供給機構は、前記処理槽内に設けられる複数の開孔部
を有した供給板と、この供給板と前記ミスト化機構を結
ぶ経路を含むことを特徴とする。供給板によって、より
少量の液体を清浄ガスと共に泡状にして処理槽内へ均一
に供給する。
状供給機構は、前記処理槽内に設けられる複数の開孔部
を有した供給板と、この供給板と前記ミスト化機構を結
ぶ経路を含むことを特徴とする。供給板によって、より
少量の液体を清浄ガスと共に泡状にして処理槽内へ均一
に供給する。
【0015】また、本発明に係る装置において、前記処
理槽における薬液に関し、少なくともフィルトレーショ
ンを伴う循環機構を備えていることを特徴とする。薬液
の性能を維持しつつ、循環によって消費量を節約する。
理槽における薬液に関し、少なくともフィルトレーショ
ンを伴う循環機構を備えていることを特徴とする。薬液
の性能を維持しつつ、循環によって消費量を節約する。
【0016】また、本発明に係る装置において、前記処
理槽には薬液として硫酸と過酸化水素水の混合液が蓄え
られ、前記ミスト化される液体として過酸化水素水が前
記ミスト化機構に所定量供給されることを特徴とする。
過酸化水素水を硫酸に効率よく反応させ、有機物剥離、
洗浄に有効な成分を均一に生成する。
理槽には薬液として硫酸と過酸化水素水の混合液が蓄え
られ、前記ミスト化される液体として過酸化水素水が前
記ミスト化機構に所定量供給されることを特徴とする。
過酸化水素水を硫酸に効率よく反応させ、有機物剥離、
洗浄に有効な成分を均一に生成する。
【0017】
【発明の実施の形態】図1は、本発明の一実施形態に係
る有機物剥離方法の要部を示す流れ図である。有機物を
剥離する処理槽に所定の薬液を蓄える(処理S1)。一
方、別槽では上記薬液内に活性種として加えられるべき
液体をミスト化しておく(処理S2)。そして、ミスト
化された液体が清浄ガスと混合され処理槽内へ泡状にな
って供給されるのである(処理S3)。この状態で被処
理物が処理槽に投入され、有機物の剥離処理が行われ
る。
る有機物剥離方法の要部を示す流れ図である。有機物を
剥離する処理槽に所定の薬液を蓄える(処理S1)。一
方、別槽では上記薬液内に活性種として加えられるべき
液体をミスト化しておく(処理S2)。そして、ミスト
化された液体が清浄ガスと混合され処理槽内へ泡状にな
って供給されるのである(処理S3)。この状態で被処
理物が処理槽に投入され、有機物の剥離処理が行われ
る。
【0018】上記被処理物は、例えば剥離すべきレジス
ト層の付いた半導体ウェハ、また、パーティクル除去す
べき半導体ウェハが考えられる。また、その他の加工
品、各種製造装置内の部品等、有機物除去したいもので
あれば適用できる。薬液は、例えば硫酸−過酸化水素水
混合液(SPM:sulfuric acid / hydrogen peroxide
/ water mix)であって、ミスト化する液体は過酸化水
素水である。
ト層の付いた半導体ウェハ、また、パーティクル除去す
べき半導体ウェハが考えられる。また、その他の加工
品、各種製造装置内の部品等、有機物除去したいもので
あれば適用できる。薬液は、例えば硫酸−過酸化水素水
混合液(SPM:sulfuric acid / hydrogen peroxide
/ water mix)であって、ミスト化する液体は過酸化水
素水である。
【0019】上記処理ステップS2の、液体をミスト化
する工程は、処理槽外部に置ける別槽での超音波印加に
よって達成されることが好ましい。また、清浄ガスとし
ては工業用のクリーンエアやN2ガス、フィルターを介
した高い清浄度レベルの空気等が利用される。ミスト化
された液体が清浄ガスと混合され処理槽内へ供給される
関係上、液体のミスト化処理にあたり、清浄ガスの圧力
に優る超音波出力を与えなければミスト化され難くなる
可能性もある。超音波出力の選択には注意を要する。
する工程は、処理槽外部に置ける別槽での超音波印加に
よって達成されることが好ましい。また、清浄ガスとし
ては工業用のクリーンエアやN2ガス、フィルターを介
した高い清浄度レベルの空気等が利用される。ミスト化
された液体が清浄ガスと混合され処理槽内へ供給される
関係上、液体のミスト化処理にあたり、清浄ガスの圧力
に優る超音波出力を与えなければミスト化され難くなる
可能性もある。超音波出力の選択には注意を要する。
【0020】上記実施形態の方法によれば、ミスト化さ
れた活性種となる液体は、上記のような清浄ガスと共に
処理槽内に供給される。これにより、活性種となる液体
は、より少量にて、薬液としての有効な成分を均一に処
理槽内に生成させることができる。また、清浄ガスと共
に泡状に与えられるため、被処理物は物理作用(バブリ
ング作用)でスクラブされる状態にもなる。よって、活
性種となる液体の削減による薬液寿命の延命化、有機物
の効率的な剥離、洗浄が達成できる。
れた活性種となる液体は、上記のような清浄ガスと共に
処理槽内に供給される。これにより、活性種となる液体
は、より少量にて、薬液としての有効な成分を均一に処
理槽内に生成させることができる。また、清浄ガスと共
に泡状に与えられるため、被処理物は物理作用(バブリ
ング作用)でスクラブされる状態にもなる。よって、活
性種となる液体の削減による薬液寿命の延命化、有機物
の効率的な剥離、洗浄が達成できる。
【0021】図2は、本発明の第1実施形態に係る有機
物剥離装置の要部構成を示す概観図である。上記図1に
示した有機物剥離方法を実現する構成として次のように
構成される。少なくとも有機物を剥離する薬液(例えば
硫酸−過酸化水素水混合液;SPM)を蓄える処理槽1
1が設けられている。処理槽11はオーバーフロー型
で、少なくともポンプ121及びフィルター122を有
する循環機構12が配備されている。これにより、薬液
の性能を維持しつつ、循環によって消費量を節約する。
また、循環機構12を省いた構成も考えられる。処理槽
11は図示しないが適温(例えば100℃前後)に保た
れるよう装備されている。
物剥離装置の要部構成を示す概観図である。上記図1に
示した有機物剥離方法を実現する構成として次のように
構成される。少なくとも有機物を剥離する薬液(例えば
硫酸−過酸化水素水混合液;SPM)を蓄える処理槽1
1が設けられている。処理槽11はオーバーフロー型
で、少なくともポンプ121及びフィルター122を有
する循環機構12が配備されている。これにより、薬液
の性能を維持しつつ、循環によって消費量を節約する。
また、循環機構12を省いた構成も考えられる。処理槽
11は図示しないが適温(例えば100℃前後)に保た
れるよう装備されている。
【0022】ミスト槽13は、ミスト化機構として超音
波印加機構131を備えた予備槽である。ミスト槽13
にはポンプ14によって定量的な過酸化水素水が適時供
給される。また、ミスト槽13には、清浄ガス、例えば
工業用のクリーンエアが供給される。もちろんクリーン
エア以外にN2ガス等、不活性なガスも採用可能であ
る。各バルブVAL1,2は、ミスト槽13への過酸化
水素水やクリーンエアの供給を制御する。上述したよう
に、過酸化水素水のミスト化処理にあたり、クリーンエ
アの圧力に優る超音波出力を与えなければミスト化され
難くなるので、超音波印加機構131の出力の選択には
注意を要する。
波印加機構131を備えた予備槽である。ミスト槽13
にはポンプ14によって定量的な過酸化水素水が適時供
給される。また、ミスト槽13には、清浄ガス、例えば
工業用のクリーンエアが供給される。もちろんクリーン
エア以外にN2ガス等、不活性なガスも採用可能であ
る。各バルブVAL1,2は、ミスト槽13への過酸化
水素水やクリーンエアの供給を制御する。上述したよう
に、過酸化水素水のミスト化処理にあたり、クリーンエ
アの圧力に優る超音波出力を与えなければミスト化され
難くなるので、超音波印加機構131の出力の選択には
注意を要する。
【0023】泡状供給機構BSとして供給管15とバブ
ル供給板16が設けられている。バブル供給板16は、
処理槽11内に設けられ、所定間隔で配列された複数の
開孔部Hを有している。開孔部Hの設け方は各種考えら
れ、所定間隔が様々異なるようにしてもよい。供給板1
6面内で開孔部Hの密度を変えてもよい。供給板16内
部でパーテーション17を設けて流れを制御するように
してもよい。供給管15は、バブル供給板16とミスト
槽13を結ぶ経路を構成する。供給管15は、バルブV
AL3から複数に分かれており、バブル供給板16面内
のバブル供給均一化を図る。
ル供給板16が設けられている。バブル供給板16は、
処理槽11内に設けられ、所定間隔で配列された複数の
開孔部Hを有している。開孔部Hの設け方は各種考えら
れ、所定間隔が様々異なるようにしてもよい。供給板1
6面内で開孔部Hの密度を変えてもよい。供給板16内
部でパーテーション17を設けて流れを制御するように
してもよい。供給管15は、バブル供給板16とミスト
槽13を結ぶ経路を構成する。供給管15は、バルブV
AL3から複数に分かれており、バブル供給板16面内
のバブル供給均一化を図る。
【0024】上記実施形態に係る有機物剥離装置によれ
ば、薬液(SPM)内に活性種として加えられるべき過
酸化水素水が、ミスト槽13によってミスト化される。
過酸化水素水のミストはクリーンエアと共に供給管15
を介してバブル供給板16に至り、処理槽内へバブル供
給される。これにより、より少量の過酸化水素水で、S
PMとしての有効な成分を均一に生成させることができ
る。
ば、薬液(SPM)内に活性種として加えられるべき過
酸化水素水が、ミスト槽13によってミスト化される。
過酸化水素水のミストはクリーンエアと共に供給管15
を介してバブル供給板16に至り、処理槽内へバブル供
給される。これにより、より少量の過酸化水素水で、S
PMとしての有効な成分を均一に生成させることができ
る。
【0025】また、バブル供給板16からのバブリング
は被処理物への泡の物理作用、つまりスクラブ作用とな
りされる状態にもなる。よって、活性種となる液体の削
減による液寿命の延命化、有機物の効率的な剥離、洗浄
が達成できる。これにより、例えば剥離すべきレジスト
層の付いた半導体ウェハ、また、パーティクル除去すべ
き半導体ウェハ、あるいは有機物除去したいその他の加
工品、各種製造装置内の部品等に対して有用で効率的な
剥離、洗浄が実現可能である。
は被処理物への泡の物理作用、つまりスクラブ作用とな
りされる状態にもなる。よって、活性種となる液体の削
減による液寿命の延命化、有機物の効率的な剥離、洗浄
が達成できる。これにより、例えば剥離すべきレジスト
層の付いた半導体ウェハ、また、パーティクル除去すべ
き半導体ウェハ、あるいは有機物除去したいその他の加
工品、各種製造装置内の部品等に対して有用で効率的な
剥離、洗浄が実現可能である。
【0026】図3は、本発明の第2実施形態に係る有機
物剥離装置の要部構成を示す概観図である。前記図1に
示した有機物剥離方法を実現する構成として次のように
構成される。上記図2の構成と比べて異なる点は、泡状
供給機構BSの構成であり、供給管25とバブル供給板
26となっている。すなわち、供給管25は一本のまま
で、バブル供給板26内がパーテーション27のさらな
る工夫でバブル供給がより均一化されるようになってい
る。その他の構成は図2と同様であり、説明は省略す
る。このような第2実施形態の構成によっても、第1実
施形態の構成と同様の作用効果が得られる。
物剥離装置の要部構成を示す概観図である。前記図1に
示した有機物剥離方法を実現する構成として次のように
構成される。上記図2の構成と比べて異なる点は、泡状
供給機構BSの構成であり、供給管25とバブル供給板
26となっている。すなわち、供給管25は一本のまま
で、バブル供給板26内がパーテーション27のさらな
る工夫でバブル供給がより均一化されるようになってい
る。その他の構成は図2と同様であり、説明は省略す
る。このような第2実施形態の構成によっても、第1実
施形態の構成と同様の作用効果が得られる。
【0027】図4は、本発明の第3実施形態に係る有機
物剥離装置の要部構成を示す概観図である。前記図1に
示した有機物剥離方法を実現する構成として次のように
構成される。上記図2の構成と比べて異なる点は、泡状
供給機構BSの構成であり、供給管15は同様である
が、バブル供給板36が配されている。バブル供給板3
6は平面板でなく湾曲している。パーテーション37は
簡単な構成でバブル供給が容易に均一化、あるいはより
効率的なバブル供給が期待できる。図示しないが、ここ
で上記第2実施形態のような供給管25を採用してもよ
い。その他の構成は図2と同様であり、説明は省略す
る。このような第2実施形態の構成によっても、第1実
施形態の構成と同様の作用効果が得られる。
物剥離装置の要部構成を示す概観図である。前記図1に
示した有機物剥離方法を実現する構成として次のように
構成される。上記図2の構成と比べて異なる点は、泡状
供給機構BSの構成であり、供給管15は同様である
が、バブル供給板36が配されている。バブル供給板3
6は平面板でなく湾曲している。パーテーション37は
簡単な構成でバブル供給が容易に均一化、あるいはより
効率的なバブル供給が期待できる。図示しないが、ここ
で上記第2実施形態のような供給管25を採用してもよ
い。その他の構成は図2と同様であり、説明は省略す
る。このような第2実施形態の構成によっても、第1実
施形態の構成と同様の作用効果が得られる。
【0028】上記各実施形態に係る方法及び装置によれ
ば、例えばSPM(硫酸−過酸化水素水混合液)なら活
性種となる過酸化水素水はミスト化され、清浄ガスと共
に処理槽内にバブル供給される。これにより、より少量
の過酸化水素水にて、SPMとしての有効な成分を均一
に処理槽内に生成させることができる。また、清浄ガス
と共に泡状に与えられるため、被処理物は物理作用(バ
ブリング作用)でスクラブされる状態にもなる。よっ
て、過酸化水素水の削減による薬液寿命の延命化、有機
物の効率的な剥離、洗浄が達成できる。なお、SPMの
他、このシステムで採用できるものがあれば他の薬液を
利用した剥離、洗浄の装置に応用できることも期待でき
る。
ば、例えばSPM(硫酸−過酸化水素水混合液)なら活
性種となる過酸化水素水はミスト化され、清浄ガスと共
に処理槽内にバブル供給される。これにより、より少量
の過酸化水素水にて、SPMとしての有効な成分を均一
に処理槽内に生成させることができる。また、清浄ガス
と共に泡状に与えられるため、被処理物は物理作用(バ
ブリング作用)でスクラブされる状態にもなる。よっ
て、過酸化水素水の削減による薬液寿命の延命化、有機
物の効率的な剥離、洗浄が達成できる。なお、SPMの
他、このシステムで採用できるものがあれば他の薬液を
利用した剥離、洗浄の装置に応用できることも期待でき
る。
【0029】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
処理槽内に蓄積された薬液に対し、性能が劣化しないよ
うに、活性種として加えられるべき液体をミスト化し、
清浄ガスと共に供給する。これにより、より少量の液体
で、薬液としての有効な成分を均一に生成させることが
できる。また、清浄ガスと共に泡状に与えられるため、
被処理物は物理作用でスクラブされる状態にもなる。こ
の結果、有機物除去についてその薬液寿命の延命化及び
高効率処理を可能とする有機物剥離方法及び有機物剥離
装置を提供することができる。
処理槽内に蓄積された薬液に対し、性能が劣化しないよ
うに、活性種として加えられるべき液体をミスト化し、
清浄ガスと共に供給する。これにより、より少量の液体
で、薬液としての有効な成分を均一に生成させることが
できる。また、清浄ガスと共に泡状に与えられるため、
被処理物は物理作用でスクラブされる状態にもなる。こ
の結果、有機物除去についてその薬液寿命の延命化及び
高効率処理を可能とする有機物剥離方法及び有機物剥離
装置を提供することができる。
【図1】本発明の一実施形態に係る有機物剥離方法の要
部を示す流れ図である。
部を示す流れ図である。
【図2】本発明の第1実施形態に係る有機物剥離装置の
要部構成を示す概観図である。
要部構成を示す概観図である。
【図3】本発明の第2実施形態に係る有機物剥離装置の
要部構成を示す概観図である。
要部構成を示す概観図である。
【図4】本発明の第3実施形態に係る有機物剥離装置の
要部構成を示す概観図である。
要部構成を示す概観図である。
S1〜S3…処理ステップ
11…処理槽
12…循環機構
122…フィルター
13…ミスト槽
131…超音波機構
14,121…ポンプ
15,25…供給管
16,26,36…バブル供給板
17,27,37…パーテーション
BS…泡状供給機構
H…開孔部
VAL1〜3…バルブ
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考)
H01L 21/306 H01L 21/306 B
Fターム(参考) 4G068 AA01 AB07 AB15 AC05 AC17
AD21 AD39 AE06 AF17 AF40
4G075 AA13 BB10 BD04 CA23 CA51
DA02 EA01 EB01 EE13 FA02
5F043 CC16 EE06 EE24 EE25 EE28
EE31
5F046 MA02 MA07
Claims (9)
- 【請求項1】 少なくとも有機物を剥離する処理槽に蓄
えられた薬液内に活性種として加えられるべき液体が、
ミスト化され清浄ガスと共に供給されることを特徴とす
る有機物剥離方法。 - 【請求項2】 少なくとも有機物を剥離する処理槽に薬
液を蓄える工程と、 前記薬液内に活性種として加えられるべき液体をミスト
化する工程と、 前記ミスト化された液体が清浄ガスと混合され前記処理
槽内へ泡状にして供給する工程と、を具備したことを特
徴とする有機物剥離方法。 - 【請求項3】 前記液体をミスト化する工程は、前記処
理槽外部で超音波を印加することにより達成されること
を特徴とする請求項2記載の有機物剥離方法。 - 【請求項4】 前記薬液は硫酸と過酸化水素水の混合液
であり、前記ミスト化する液体は過酸化水素水であるこ
とを特徴とする請求項1〜3のうちいずれか一つに記載
の有機物剥離方法。 - 【請求項5】 少なくとも有機物を剥離する薬液を蓄え
る処理槽と、 前記薬液内に活性種として加えられるべき液体をミスト
化するミスト化機構と、 前記ミスト化機構に清浄ガスが与えられ前記ミスト化さ
れた液体が清浄ガスと共に前記処理槽内へ供給される泡
状供給機構と、を具備したことを特徴とする有機物剥離
装置。 - 【請求項6】 前記ミスト化機構は、前記液体が蓄えら
れる前記処理槽とは別の槽と、この槽内の液体をミスト
化する超音波印加機構を含むことを特徴とする請求項5
記載の有機物剥離装置。 - 【請求項7】 前記泡状供給機構は、前記処理槽内に設
けられる複数の開孔部を有した供給板と、この供給板と
前記ミスト化機構を結ぶ経路を含むことを特徴とする請
求項5記載の有機物剥離装置。 - 【請求項8】 前記処理槽における薬液に関し、少なく
ともフィルトレーションを伴う循環機構を備えているこ
とを特徴とする請求項5〜7のうちいずれか一つに記載
の有機物剥離装置。 - 【請求項9】 前記処理槽には薬液として硫酸と過酸化
水素水の混合液が蓄えられ、前記ミスト化される液体と
して過酸化水素水が前記ミスト化機構に所定量供給され
ることを特徴とする請求項5〜7のうちいずれか一つに
記載の有機物剥離装置。
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
JP2002085385A JP2003282513A (ja) | 2002-03-26 | 2002-03-26 | 有機物剥離方法及び有機物剥離装置 |
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JP2002085385A JP2003282513A (ja) | 2002-03-26 | 2002-03-26 | 有機物剥離方法及び有機物剥離装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003282513A true JP2003282513A (ja) | 2003-10-03 |
Family
ID=29232374
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002085385A Withdrawn JP2003282513A (ja) | 2002-03-26 | 2002-03-26 | 有機物剥離方法及び有機物剥離装置 |
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Country | Link |
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Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006114738A (ja) * | 2004-10-15 | 2006-04-27 | Realize Advanced Technology Ltd | レジスト剥離方法およびレジスト剥離装置 |
WO2007063576A1 (ja) * | 2005-11-29 | 2007-06-07 | Realize Advanced Technology Limited | レジスト剥離方法およびレジスト剥離装置 |
US7648584B2 (en) | 2003-06-27 | 2010-01-19 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for removing contamination from substrate |
US7737097B2 (en) | 2003-06-27 | 2010-06-15 | Lam Research Corporation | Method for removing contamination from a substrate and for making a cleaning solution |
US7799141B2 (en) | 2003-06-27 | 2010-09-21 | Lam Research Corporation | Method and system for using a two-phases substrate cleaning compound |
US7862662B2 (en) | 2005-12-30 | 2011-01-04 | Lam Research Corporation | Method and material for cleaning a substrate |
JP2011014906A (ja) * | 2009-06-30 | 2011-01-20 | Semes Co Ltd | 基板処理方法及び装置 |
US7897213B2 (en) | 2007-02-08 | 2011-03-01 | Lam Research Corporation | Methods for contained chemical surface treatment |
US7913703B1 (en) | 2003-06-27 | 2011-03-29 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for uniformly applying a multi-phase cleaning solution to a substrate |
US8043441B2 (en) | 2005-06-15 | 2011-10-25 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for cleaning a substrate using non-Newtonian fluids |
JP2012527757A (ja) * | 2009-05-18 | 2012-11-08 | アンスティテュ ポリテク二ック ドゥ グルノーブル | ガスの存在下で材料をエッチングする方法 |
US8316866B2 (en) | 2003-06-27 | 2012-11-27 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for cleaning a semiconductor substrate |
US8323420B2 (en) | 2005-06-30 | 2012-12-04 | Lam Research Corporation | Method for removing material from semiconductor wafer and apparatus for performing the same |
US8475599B2 (en) | 2005-12-30 | 2013-07-02 | Lam Research Corporation | Substrate preparation using stabilized fluid solutions and methods for making stable fluid solutions |
US8522801B2 (en) | 2003-06-27 | 2013-09-03 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for cleaning a semiconductor substrate |
US8522799B2 (en) | 2005-12-30 | 2013-09-03 | Lam Research Corporation | Apparatus and system for cleaning a substrate |
-
2002
- 2002-03-26 JP JP2002085385A patent/JP2003282513A/ja not_active Withdrawn
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7913703B1 (en) | 2003-06-27 | 2011-03-29 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for uniformly applying a multi-phase cleaning solution to a substrate |
US8316866B2 (en) | 2003-06-27 | 2012-11-27 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for cleaning a semiconductor substrate |
US7737097B2 (en) | 2003-06-27 | 2010-06-15 | Lam Research Corporation | Method for removing contamination from a substrate and for making a cleaning solution |
US8522801B2 (en) | 2003-06-27 | 2013-09-03 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for cleaning a semiconductor substrate |
US7648584B2 (en) | 2003-06-27 | 2010-01-19 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for removing contamination from substrate |
US7799141B2 (en) | 2003-06-27 | 2010-09-21 | Lam Research Corporation | Method and system for using a two-phases substrate cleaning compound |
JP2006114738A (ja) * | 2004-10-15 | 2006-04-27 | Realize Advanced Technology Ltd | レジスト剥離方法およびレジスト剥離装置 |
US8043441B2 (en) | 2005-06-15 | 2011-10-25 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for cleaning a substrate using non-Newtonian fluids |
US8671959B2 (en) | 2005-06-15 | 2014-03-18 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for cleaning a substrate using non-newtonian fluids |
US8323420B2 (en) | 2005-06-30 | 2012-12-04 | Lam Research Corporation | Method for removing material from semiconductor wafer and apparatus for performing the same |
WO2007063576A1 (ja) * | 2005-11-29 | 2007-06-07 | Realize Advanced Technology Limited | レジスト剥離方法およびレジスト剥離装置 |
US7862662B2 (en) | 2005-12-30 | 2011-01-04 | Lam Research Corporation | Method and material for cleaning a substrate |
US8475599B2 (en) | 2005-12-30 | 2013-07-02 | Lam Research Corporation | Substrate preparation using stabilized fluid solutions and methods for making stable fluid solutions |
US8522799B2 (en) | 2005-12-30 | 2013-09-03 | Lam Research Corporation | Apparatus and system for cleaning a substrate |
US7897213B2 (en) | 2007-02-08 | 2011-03-01 | Lam Research Corporation | Methods for contained chemical surface treatment |
JP2012527757A (ja) * | 2009-05-18 | 2012-11-08 | アンスティテュ ポリテク二ック ドゥ グルノーブル | ガスの存在下で材料をエッチングする方法 |
JP2011014906A (ja) * | 2009-06-30 | 2011-01-20 | Semes Co Ltd | 基板処理方法及び装置 |
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---|---|---|---|
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